JPS63174340A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPS63174340A JPS63174340A JP711687A JP711687A JPS63174340A JP S63174340 A JPS63174340 A JP S63174340A JP 711687 A JP711687 A JP 711687A JP 711687 A JP711687 A JP 711687A JP S63174340 A JPS63174340 A JP S63174340A
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- semiconductor element
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- resin
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 29
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 7
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 7
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triazine Chemical compound C1=CN=NN=C1 JYEUMXHLPRZUAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
Landscapes
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、半導体素子を封止してなる半導体装置に関し
。
。
特に、樹脂素材からなるチップキャリアやピングリット
アレイを用いた半導体装置に関するものである。
アレイを用いた半導体装置に関するものである。
この半導体装ｌは１例えばテレビ、ラジオ、パソコン等
の電子機器の電子部品として利用されるものである。
の電子機器の電子部品として利用されるものである。
（従来の技術）
従来、樹脂素材からなる半導体装置１例えばピングリッ
ドアレイにおいては、半導体素子を封止する場合、第６
図に示したように、基板（２１）上に搭載された半導体
素子（２２）に、液状またはベレット状の封と樹脂（２
３）を滴下または載置し、この封止樹脂（２３）を硬化
させていたのである。
ドアレイにおいては、半導体素子を封止する場合、第６
図に示したように、基板（２１）上に搭載された半導体
素子（２２）に、液状またはベレット状の封と樹脂（２
３）を滴下または載置し、この封止樹脂（２３）を硬化
させていたのである。
しかしながら、半導体素子の信頼性を確保するには、上
述の樹脂封止のみでは充分でない。半導体素子上のアル
ミニウム配線の腐食が発生するからである。半導体素子
の腐食や、それによって起る断線などの不良の最大の因
子の一つは水であることか知られている。その水から半
導体素子（２２）を保護すべき封止樹脂（２３）は耐湿
性に劣っており、しかも、封止樹脂（２３）の上面から
半導体素子（２２）までの距離が短かいため、容易に水
か侵入し、半導体素子（２２）表面に到達する。このた
め半導体素子（２２）の寿命を短かいものにしていた。
述の樹脂封止のみでは充分でない。半導体素子上のアル
ミニウム配線の腐食が発生するからである。半導体素子
の腐食や、それによって起る断線などの不良の最大の因
子の一つは水であることか知られている。その水から半
導体素子（２２）を保護すべき封止樹脂（２３）は耐湿
性に劣っており、しかも、封止樹脂（２３）の上面から
半導体素子（２２）までの距離が短かいため、容易に水
か侵入し、半導体素子（２２）表面に到達する。このた
め半導体素子（２２）の寿命を短かいものにしていた。
（発明か解決しようとする問題点）
本発明は、以上のような実状に鑑みてなされたものであ
り、その解決しようとする問題点は、半導体装置の耐湿
性の悪さである。
り、その解決しようとする問題点は、半導体装置の耐湿
性の悪さである。
そして、本発明か目的とするところは、上述した従来技
術の問題点を除去・改善し、耐湿性の高い半導体装置を
提供することにある。
術の問題点を除去・改善し、耐湿性の高い半導体装置を
提供することにある。
（問題点を解決するための手段）
以上の問題点を解決するために本発明が採った手段は、
実施例に対応する第１図〜第５図を参照して説明すると
、 樹脂素材からなる半導体素子ＭＳａ用基板基板）上に搭
載された半導体素子（２）を、金属からなるキャップ（
４）と、半導体素子搭載用基板（１）とを、その接着面
にあらかじめＢ−ステージの状態で形成された樹脂素材
からなる接着層（５）を介して固着させて、封止したこ
とである。
実施例に対応する第１図〜第５図を参照して説明すると
、 樹脂素材からなる半導体素子ＭＳａ用基板基板）上に搭
載された半導体素子（２）を、金属からなるキャップ（
４）と、半導体素子搭載用基板（１）とを、その接着面
にあらかじめＢ−ステージの状態で形成された樹脂素材
からなる接着層（５）を介して固着させて、封止したこ
とである。
次に１本発明を図面に基づいて詳細に説明する。
第１図〜第５図には、本発明に係る半導体装この縦断面
図か示しである。
図か示しである。
第１図は、半導体素子搭載用基板（１）上に搭載された
半導体素子（２）か封止樹脂（３）により被覆され、さ
らに、キャップ（４）により接着層（５）を介して、基
板（１）全体か覆われ、固着されたものである。
半導体素子（２）か封止樹脂（３）により被覆され、さ
らに、キャップ（４）により接着層（５）を介して、基
板（１）全体か覆われ、固着されたものである。
基板（１）には、ガラスエポキシ樹脂、ガラストリアジ
ン樹脂、ガラスポリイミド樹脂等の樹脂素材からなる積
層板か使用される。
ン樹脂、ガラスポリイミド樹脂等の樹脂素材からなる積
層板か使用される。
キャップ（４）は、アルミニウム、銅、鉄等またはこれ
らの金属の合金からなり、プレス加工により、半導体素
子搭載部（６）に対応する部分に凸部（７）、基板（１
）の外周辺に嵌合する部分に嵌合部（８）か形成されて
いる。また、キャップの表面には、基板（１）との絶縁
のための酸化被膜または樹脂絶縁被膜があらかじめ形成
されている。
らの金属の合金からなり、プレス加工により、半導体素
子搭載部（６）に対応する部分に凸部（７）、基板（１
）の外周辺に嵌合する部分に嵌合部（８）か形成されて
いる。また、キャップの表面には、基板（１）との絶縁
のための酸化被膜または樹脂絶縁被膜があらかじめ形成
されている。
基板（１）とキャップ（４）とを固着させる接着層（５
）は、Ｂ−ステージ状態をとる熱硬化性エポキシ樹脂組
成物からなり、キャップ（４）に塗布され、乾燥または
熱処理によりＢ−ステージ状態に形成されたものであり
、熱圧着により溶融させて、基板（１）とキャップ（４
）を固着させたものである。
）は、Ｂ−ステージ状態をとる熱硬化性エポキシ樹脂組
成物からなり、キャップ（４）に塗布され、乾燥または
熱処理によりＢ−ステージ状態に形成されたものであり
、熱圧着により溶融させて、基板（１）とキャップ（４
）を固着させたものである。
第２図は、第１図と同様であるが、基板（１）の一部に
キャップ（４）が固着されたものである。
キャップ（４）が固着されたものである。
第３図及び第４図は、それぞれ第１図及び第２図に対応
するが、キャップ（４）のみにより封止されたものであ
る。
するが、キャップ（４）のみにより封止されたものであ
る。
第５図は、キャップ（４）全体に接着層（５）か形成さ
れ、基板（１）と固着された場合、完全にキャップ（４
）内が樹脂で充たされた状態を示している。
れ、基板（１）と固着された場合、完全にキャップ（４
）内が樹脂で充たされた状態を示している。
（発明の作用）
本発明が以上のような手段を採ることによって、以下の
ような作用がある。
ような作用がある。
基板（１）とキャップ（４）とが固着されているから、
外部からの水の侵入経路は、接着層（５）となり、樹脂
封止のみに比べて、その経路か著しく長くなり、容易に
水が半導体素子まで達しないようになっているため、耐
湿性が著しく向上する。
外部からの水の侵入経路は、接着層（５）となり、樹脂
封止のみに比べて、その経路か著しく長くなり、容易に
水が半導体素子まで達しないようになっているため、耐
湿性が著しく向上する。
次に、本発明に係る半導体装置の実施例について説明す
る。
る。
（実施例）
実施例１
ガラスエポキシ樹脂素材からなる半導体素子搭載用基板
（１）上に、半導体素子（２）を銀ベースト（９）てダ
イボンディングした後、全ワイヤーボンディングにより
外部と電気接続した。次に、液状封止樹脂（３）を半導
体素子（２）上に滴下し、所定温度で硬化させた。次に
、第１図に示したような、中央部に凸部（７）を有し、
かつ外周部に基板（１）と嵌合する嵌合部（８）を有し
たアルミニウムからなるキャップ（４）の接着面に、デ
ィスペンシング法により接着層（５）を形成し、熱処理
によりＢ−ステージ状態とした。このキャップ（４）を
基板（１）上に藏舒し、熱圧着により固着させた。耐湿
信頼性は１２００時間であり、キャップのない場合と比
較して１０倍以上耐湿性が向上した。
（１）上に、半導体素子（２）を銀ベースト（９）てダ
イボンディングした後、全ワイヤーボンディングにより
外部と電気接続した。次に、液状封止樹脂（３）を半導
体素子（２）上に滴下し、所定温度で硬化させた。次に
、第１図に示したような、中央部に凸部（７）を有し、
かつ外周部に基板（１）と嵌合する嵌合部（８）を有し
たアルミニウムからなるキャップ（４）の接着面に、デ
ィスペンシング法により接着層（５）を形成し、熱処理
によりＢ−ステージ状態とした。このキャップ（４）を
基板（１）上に藏舒し、熱圧着により固着させた。耐湿
信頼性は１２００時間であり、キャップのない場合と比
較して１０倍以上耐湿性が向上した。
支１勇ス
実施例１と同様に、第２図に示したような、中央部に凸
部（７）を有するアルミニウムからなるキャップ（４）
の接着面に、ディスペンシング法により接着層（５）を
形成し、熱処理によりＢ−ステージ状態とした。このキ
ャップ（４）を基板（１）上に′ａ置し、熱圧着により
固着させた。耐湿信頼性は５００時間であり、キャップ
のない場合と比較して５倍耐湿性が向上した。
部（７）を有するアルミニウムからなるキャップ（４）
の接着面に、ディスペンシング法により接着層（５）を
形成し、熱処理によりＢ−ステージ状態とした。このキ
ャップ（４）を基板（１）上に′ａ置し、熱圧着により
固着させた。耐湿信頼性は５００時間であり、キャップ
のない場合と比較して５倍耐湿性が向上した。
実施例３
ガラスエポキシ樹脂素材からなる半導体素子搭載用基板
（１）上に、半導体素子（２）を銀ペースト（９）でダ
イボンディングし、さらに金ワイヤ−ボンディングによ
り外部と電気接続した０次に、第３図及び第４図に示し
たような形状のアルミニウムからなるキャップ（４）の
接着面に、ディスペンシング法により接着層（５）を形
成し、熱処理によりＢ−ステージ状態とした。このキャ
ップ（４）を基板（１）上にａ置し、熱圧着により固着
させた。
（１）上に、半導体素子（２）を銀ペースト（９）でダ
イボンディングし、さらに金ワイヤ−ボンディングによ
り外部と電気接続した０次に、第３図及び第４図に示し
たような形状のアルミニウムからなるキャップ（４）の
接着面に、ディスペンシング法により接着層（５）を形
成し、熱処理によりＢ−ステージ状態とした。このキャ
ップ（４）を基板（１）上にａ置し、熱圧着により固着
させた。
耐湿信頼性は第４図に示すキャップの場合３００時間、
第３図に示すキャップの場合７００時間と、キャップの
ない場合と比較してそれぞれ３倍、７倍耐湿性が向上し
た。
第３図に示すキャップの場合７００時間と、キャップの
ない場合と比較してそれぞれ３倍、７倍耐湿性が向上し
た。
実施例４
実施例１と同様に、半導体素子（２）を樹脂封止した。
次に、第５図に示したような形状のアルミニウムからな
るキャップ（４）の接着面全体に、ディスペンシング法
により接着層（５）を形成し、熱処理によりＢ−ステー
ジ状態とした。このキャップ（４）を基板（１）上に載
置し、熱圧着により固着させた。耐湿信頼性は１５００
時間であり、キャップのない場合と比較して１５倍耐湿
性が向上した。
るキャップ（４）の接着面全体に、ディスペンシング法
により接着層（５）を形成し、熱処理によりＢ−ステー
ジ状態とした。このキャップ（４）を基板（１）上に載
置し、熱圧着により固着させた。耐湿信頼性は１５００
時間であり、キャップのない場合と比較して１５倍耐湿
性が向上した。
ル笠１
第６図に示したように、ガラスエポキシ樹脂素材からな
る半導体素子搭載用基板（２１）上に、半導体素子（２
２）を銀ペースト（２９）でダイボンディングし、さら
に金ワイヤ−ボンディングにより外部と電気接続した０
次に、液状封止樹脂（２３）を半導体素子（２２）上に
滴下し、所定温度で硬化させた。耐湿＠頼性は１００時
間であった。
る半導体素子搭載用基板（２１）上に、半導体素子（２
２）を銀ペースト（２９）でダイボンディングし、さら
に金ワイヤ−ボンディングにより外部と電気接続した０
次に、液状封止樹脂（２３）を半導体素子（２２）上に
滴下し、所定温度で硬化させた。耐湿＠頼性は１００時
間であった。
以上の半導体装置の耐湿信頼性の評価は次のように行っ
た。
た。
薩１」Ｌ旺姓
半導体装置を１．２１℃、２気圧の蒸気釜中に入れ、半
導体素子のアルミニウム配線の導通抵抗が初期値より１
０％上昇するまでの時間を測定した。
導体素子のアルミニウム配線の導通抵抗が初期値より１
０％上昇するまでの時間を測定した。
（以下、余白）
表 １
（発明の効果）
以上、詳述した通り１本発明に係る半導体装置にあって
は、キャップ（４）の接着面に、あらかしめＢ−ステー
ジの状態で形成された樹脂素材からなる接着層（５）を
介して、キャップ（４）と半導体素子搭載用基板（１）
とが固着されてなることに特徴があり、これにより、外
部からの水の侵入経路カｔｔｃ着層（５）となり、従来
の樹脂月止のみに比べ、その経路が長くなって、容易に
水か半導体素子（２）に到達しないため、耐湿性の高い
半導体装置を提供することができるようになった。
は、キャップ（４）の接着面に、あらかしめＢ−ステー
ジの状態で形成された樹脂素材からなる接着層（５）を
介して、キャップ（４）と半導体素子搭載用基板（１）
とが固着されてなることに特徴があり、これにより、外
部からの水の侵入経路カｔｔｃ着層（５）となり、従来
の樹脂月止のみに比べ、その経路が長くなって、容易に
水か半導体素子（２）に到達しないため、耐湿性の高い
半導体装置を提供することができるようになった。
また、あらかじめＢ−ステージの状態に形成された接着
層（５）を有するキャップ（４）を用いることにより、
キャップ（４）と基板（１）との接合作業が簡単となり
、キャップ（４）を基板（１）上に載置し、熱圧着させ
るだけで封止か完了して、ｊ１止作業の効率が良くなる
ため、作業コストを大幅に低減させることができただけ
でなく接合信頼性も向上した。
層（５）を有するキャップ（４）を用いることにより、
キャップ（４）と基板（１）との接合作業が簡単となり
、キャップ（４）を基板（１）上に載置し、熱圧着させ
るだけで封止か完了して、ｊ１止作業の効率が良くなる
ため、作業コストを大幅に低減させることができただけ
でなく接合信頼性も向上した。
第１図〜第５図は１本発明に係る半導体装置の実施例を
示す縦断面図である。 また、第６図は従来の半導体装置を示す縦断面図である
。 符 号 の 説 明 ｌ・・・半導体素子搭載用基板、２・・・半導体素子、
３・・・封止樹脂、４・・・キャップ、５・・・接着層
。 ６・・・半導体素子搭載部、７・・・凸部、８・・・嵌
合部、９・・・銀ペースト、Ｉ Ｏ−・・外部導体ビン
、１１・・・ボンディングワイヤー、１２・・・封＋Ｅ
枠。
示す縦断面図である。 また、第６図は従来の半導体装置を示す縦断面図である
。 符 号 の 説 明 ｌ・・・半導体素子搭載用基板、２・・・半導体素子、
３・・・封止樹脂、４・・・キャップ、５・・・接着層
。 ６・・・半導体素子搭載部、７・・・凸部、８・・・嵌
合部、９・・・銀ペースト、Ｉ Ｏ−・・外部導体ビン
、１１・・・ボンディングワイヤー、１２・・・封＋Ｅ
枠。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）、樹脂素材からなる半導体素子搭載用基板と、金属
からなるキャップとが、このキャップの接着面にあらか
じめＢ−ステージの状態で形成された樹脂素材からなる
接着層を介して固着されてなることを特徴とする半導体
装置。 ２）、前記樹脂素材からなる接着層は、熱硬化性エポキ
シ樹脂組成物であり、熱圧着により溶融して、前記半導
体素子搭載用基板と前記キャップとを固着させることを
特徴とする特許請求の範囲第１項に記載の半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007116A JPH0821641B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62007116A JPH0821641B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63174340A true JPS63174340A (ja) | 1988-07-18 |
| JPH0821641B2 JPH0821641B2 (ja) | 1996-03-04 |
Family
ID=11657116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62007116A Expired - Lifetime JPH0821641B2 (ja) | 1987-01-13 | 1987-01-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0821641B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007052092A (ja) * | 2005-08-16 | 2007-03-01 | Ricoh Co Ltd | カメラ |
| JP2012004314A (ja) * | 2010-06-16 | 2012-01-05 | Mems Core Co Ltd | 実装体及びその製造方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59143335A (ja) * | 1983-02-03 | 1984-08-16 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JPS60134446A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-17 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JPS61124157A (ja) * | 1984-11-20 | 1986-06-11 | Nec Corp | 半導体装置用キヤツプ・フレ−ム |
| JPS63120447A (ja) * | 1986-11-08 | 1988-05-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体パツケ−ジの製法 |
-
1987
- 1987-01-13 JP JP62007116A patent/JPH0821641B2/ja not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0821641B2 (ja) | 1996-03-04 |
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