JPS59143335A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPS59143335A
JPS59143335A JP1549983A JP1549983A JPS59143335A JP S59143335 A JPS59143335 A JP S59143335A JP 1549983 A JP1549983 A JP 1549983A JP 1549983 A JP1549983 A JP 1549983A JP S59143335 A JPS59143335 A JP S59143335A
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JP
Japan
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resin
chip
condition
semiconductor
semi
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JP1549983A
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Hiroshi Tanabe
田辺　宏
Isao Shibata
柴田　勲夫
Takashi Okada
俊 岡田
Ikuo Suganuma
菅沼　郁夫
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は半導体装置の製造方法に関し、詳しくはダイ
スボンディング方法に関するものである。
（従来技術） 従来の熱硬化性樹脂を用いたダイスボンディング方法に
ついて第１図を用いて説明する。まず、ペースト状の熱
硬化性樹脂１２を半導体チップ１３の裏面に印刷あるい
はディスペンシングなどの手段により供給する。次に、
半導体チップ１３をコレット１４で吸着してチップ・マ
ウンタあるいはマニアル手段で半導体支持体１１上の所
定の位置に塔載し、コレット１４をチップ１３から外す
。
そして、この半導体支持体１１を加熱炉の中に入れ１０
０℃〜２５０℃×３０分〜２時間加熱して前記ペースト
状の樹脂１２を硬化させることによシダイスボンディン
グを完了する。
第２図は従来の熱硬化性樹脂を用いたダイスボンディン
グ方法の他の例であり、ペースト状の熱硬化性樹脂１２
を半導体支持体１１上に供給する点が第１図の方法と異
なる。その他は第１図の方法と全く同一である。
しかしながら、以上のような従来の方法では、ペースト
状の樹脂１２が加熱硬化する時に収縮するため、半導体
チップ１３を半導体支持体１１上に精密に塔載しても加
熱硬化後にその位置がずれてしまい、高精度なダイスボ
ンディングが不可能であるという欠点があった。樹脂の
種類を変えて従来の方法でダイスボンディングした時の
位置精度の例を第４図にａ、ｂ、ｃで示す。これから明
らかなように、従来の方法では、設定値からの位置ずれ
量が非常に大きい。
（発明の目的） この発明は上記の点に鑑みなされたもので、ダイスボン
ディング精度を良好に維持できる半導体装置の製造方法
を提供することを目的とする。
（実施例） 以下この発明の一実施例を図面を参照して説明する。第
３図はこの発明の一実施例の最終工程における断面図を
示しており、図中２１は半導体支持体、２２は半導体チ
ップの裏面に供給され、この図の時点では半硬化状態の
Ｂステージ硬化タイプの樹脂、２３は半導体チップ、２
４はダイスボンダと結合していて半導体チップ２３を吸
着するコレット、２５は半硬化状態の樹脂２２を本硬化
させるのに充分な温度に半導体支持体２１を加熱するヒ
ータである。この第３図を参照してこの発明の一実施例
を以下述べる。
この発明の一実施例では、まず、半導体チップ２３の裏
面にＢステージ硬化タイプの樹脂２２をスクリーン印刷
あるいはスタンピングなどの手段によシ約２０μの厚さ
で供給する。そして、２０〜８０℃で５分〜２０時間常
温放置または加熱するもので、これによりＢステージ硬
化タイプ樹脂２２は半硬化しペースト状から固体状とな
シ、チップ２３と樹脂２２は仮接着さ扛る。次に、ダイ
スボンダに装着さ牡たコレット２４に上記方法で作成し
た半硬化樹脂付き半導体チップ２３を吸着して、この半
導体チップ２３を、あらかじめヒータ２５で１００〜４
００℃に加熱された半導体支持体２１上の所定の位置に
塔載し押しっけ、その状態全保持する。すると、約数秒
間で半硬化樹脂２２が加熱されて固体状から溶融状態、
ゲル化状態を経て本硬化し、半導体テップ２３が支持体
２１に接層され、ダイスボンディングが完了する。
しかして、以上のようなこの発明の一実施例によれば、
従来の熱硬化性樹脂を用いた方法に比べて以下に示すよ
うな効果がある。
■　チップ２３に供給されている半硬化した樹脂２２が
加熱によ９本硬化するまでコレット２４で塔載位置全保
持しているため、樹脂２２の加熱収縮によるチップ２３
の塔載位置のズレが生じなく、精密なダイスボンディン
グが可能である。この発明の一実施例によるダイスポン
ディングの位置精度の一例を第４図にｄで示す。これか
ら明らかなように、この発明の一実施例によれば、設定
値からの位置ずれ量が極めて少ない。
■　チップ２３に供給されている樹脂２２が半硬化（Ｂ
ステージ硬化）タイプなので、半硬化から本硬化に至る
時間は数秒と極めて短い。
つまり、ダイスボンディング時間の大幅短縮ができる。
なお、以上の一実施例では、各チップに対してその裏面
にＢステージ硬化タイプの樹脂を供給し、半硬化処理を
施す場合であるが、半導体ウェハーの状態でその裏面全
体に前記樹脂を供給し、かつ半硬化処理を施すようにし
てもよい。その場合、樹脂の供給法としてはスクリーン
印刷法が好ましい。また、樹脂の厚さや、半硬化処理法
は前記一実施例と同様でよい。そして、樹脂の生硬化後
、ダイシングあるいはスクライビングでチップに分割す
るわけであるが、半導体ウェハーの段階で樹脂の供給お
よび半硬化処理を行う方法によれば、−回の印刷工程で
多数のチップに樹脂を供給することができ、かつ半硬化
処理も能率的に行える。
（発明の効果） 以上述べたようにこの発明の方法は、半導体チップの裏
面にＢステージ硬化タイプの樹脂を供給し、この樹脂を
加熱半硬化させた後、このチップを加熱した半導体支持
体上に塔載し、樹脂が硬化するまでチップを固定保持す
るようにしたので、高精度、高速かつ生産性の高いダイ
スボンディングが可能となる。この発明の方法は、高精
度なマルチチップモジュールの組立に広く利用すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は従来の熱硬化性樹脂を用いたダイ
スボンディング方法を説明するための図、第３図はこの
発明の半導体装置の製造方法の一実施例を説明するため
の図、第４図は従来の方法およびこの発明の一実施例に
よるダイスボンディングの位置精度の一例を示す図であ
る。 ２１・・・半導体支持体、２２・・・Ｂステージ硬化タ
イプの樹脂、２３・・・半導体チップ、２４・・・コレ
ット、２５・・・ヒータ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体チップの裏面にＢステージ硬化タイプの樹脂を供
    給し、この樹脂を加熱半硬化させた後、このチップを加
    熱した半導体支持体上に塔載し、樹脂が硬化するまでチ
    ップを固定保持することを特徴とする半導体装置の製造
    方法。
JP1549983A 1983-02-03 1983-02-03 半導体装置の製造方法 Pending JPS59143335A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61237436A (ja) * 1985-04-15 1986-10-22 Toshiba Chem Corp 半導体素子の製造方法
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JPS54113253A (en) * 1978-02-24 1979-09-04 Hitachi Ltd Bonding method of semiconductor pellet

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