JPS60258939A - 半導体装置用セラミツクベ−ス - Google Patents
半導体装置用セラミツクベ−スInfo
- Publication number
- JPS60258939A JPS60258939A JP11488184A JP11488184A JPS60258939A JP S60258939 A JPS60258939 A JP S60258939A JP 11488184 A JP11488184 A JP 11488184A JP 11488184 A JP11488184 A JP 11488184A JP S60258939 A JPS60258939 A JP S60258939A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- glass
- sealing
- lead frame
- cap
- cavity part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 9
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 claims abstract description 12
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 11
- 238000007789 sealing Methods 0.000 abstract description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ、産業上の利用分野
本発明は、半導体チップを固着するキャビティ部を有し
、かつ、周辺にリードフレームを固着し、セラミックパ
ッケージを構成する半導体装置用セラミックペースに関
する。
、かつ、周辺にリードフレームを固着し、セラミックパ
ッケージを構成する半導体装置用セラミックペースに関
する。
口、従来技術
従来の半導体装置用セラミックペースは、第2図(a)
の平面図、同図(b)の断面図に示すように、セラミッ
ク基体lの半導体チップを固着するキャビティ部2を囲
む周辺部の上面には、一種類のシーリングガラス3が印
刷されている。
の平面図、同図(b)の断面図に示すように、セラミッ
ク基体lの半導体チップを固着するキャビティ部2を囲
む周辺部の上面には、一種類のシーリングガラス3が印
刷されている。
ハ1発明が解決しようとする問題点
このような従来のセラミックベースにおいて、ベース周
辺部上面にリードフレームを固着した後で、外部リード
に応力を受けると、ダイボンディング、封入等の熱処理
工程でのシーリングガラス3の再溶融の際に、残留応力
によりリード先端に段差を生じたり、リード先端間隔の
ばらつきが生じたりすることがあった。また、溶融シー
リングガラスがキャビティ部2へ流れ込み、シーリング
の信頼性を低下させるという不具合があった。
辺部上面にリードフレームを固着した後で、外部リード
に応力を受けると、ダイボンディング、封入等の熱処理
工程でのシーリングガラス3の再溶融の際に、残留応力
によりリード先端に段差を生じたり、リード先端間隔の
ばらつきが生じたりすることがあった。また、溶融シー
リングガラスがキャビティ部2へ流れ込み、シーリング
の信頼性を低下させるという不具合があった。
二1問題点を解決するための技術手段
本発明では、リードフレームを固着するキャビティ部周
辺の上面に、2種類のシーリングガラスを印刷しておい
て、リードフレームを固着した後では、2罐類のシーリ
ングガラスのうちの再溶融し離い一種類のガラスによっ
て、固層リードフレーム、の変形を防止している。
辺の上面に、2種類のシーリングガラスを印刷しておい
て、リードフレームを固着した後では、2罐類のシーリ
ングガラスのうちの再溶融し離い一種類のガラスによっ
て、固層リードフレーム、の変形を防止している。
ホ、実施例
つぎに本発明を実施例により説明する。
第1図(a)は本発明の一実施例の平面図、同図(b)
は断面図である。これらの図において、半導体チップが
固着されるキャビティ部2の周辺部上面には、2種類の
シーリングガラス31と32が印刷されている。例えば
、ガラス31は結晶性のもの、ガラス32は非晶債のも
のである。
は断面図である。これらの図において、半導体チップが
固着されるキャビティ部2の周辺部上面には、2種類の
シーリングガラス31と32が印刷されている。例えば
、ガラス31は結晶性のもの、ガラス32は非晶債のも
のである。
−\1発明の効果
上述の本発明のセラミックベースでは、リードフフレー
ム固宥時に溶融された結晶性ガラス31は、その後の熱
処理工程では溶融し難いために、リードフレームをしっ
かりと固定したまま、非晶質ガラス32によって、キャ
ップ封着が行われる。したがって、キャップ封着の際に
前に固定したリードフレームの変形は起らず、また、溶
融ガラスのキャビティ部への流れ込みもなく、従って、
信頼性の高いキャップ封着、グイボンディングが可能で
ある。
ム固宥時に溶融された結晶性ガラス31は、その後の熱
処理工程では溶融し難いために、リードフレームをしっ
かりと固定したまま、非晶質ガラス32によって、キャ
ップ封着が行われる。したがって、キャップ封着の際に
前に固定したリードフレームの変形は起らず、また、溶
融ガラスのキャビティ部への流れ込みもなく、従って、
信頼性の高いキャップ封着、グイボンディングが可能で
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図(alは本発明の一実施例の平面図、同図(b)
は同図(a)のA−A断面図、第2図(a) 、 (b
)はそれぞれ従来の半導体装置用セラミックペースの平
面図および断面図である。 1・・・・・・セラミック基体、2・・・・・・キャビ
ティ部、3・・・・・・シーリングガラス、31・・・
・・・結晶性シーリングガラス、32・・・・・・非晶
質シーリングガラス。
は同図(a)のA−A断面図、第2図(a) 、 (b
)はそれぞれ従来の半導体装置用セラミックペースの平
面図および断面図である。 1・・・・・・セラミック基体、2・・・・・・キャビ
ティ部、3・・・・・・シーリングガラス、31・・・
・・・結晶性シーリングガラス、32・・・・・・非晶
質シーリングガラス。
Claims (1)
- 半導体チップを固着するキャビティ部を囲む周辺部上面
には、2棟類のシーリングガラスが印刷されていること
を特徴とする半導体装置用セラミックペース。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11488184A JPS60258939A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 半導体装置用セラミツクベ−ス |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11488184A JPS60258939A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 半導体装置用セラミツクベ−ス |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60258939A true JPS60258939A (ja) | 1985-12-20 |
Family
ID=14649012
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11488184A Pending JPS60258939A (ja) | 1984-06-05 | 1984-06-05 | 半導体装置用セラミツクベ−ス |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60258939A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0459439A2 (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor package having improved mechanical stability for holding interconnection leads and improved capability of hermetic sealing |
-
1984
- 1984-06-05 JP JP11488184A patent/JPS60258939A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0459439A2 (en) * | 1990-05-31 | 1991-12-04 | Fujitsu Limited | Semiconductor package having improved mechanical stability for holding interconnection leads and improved capability of hermetic sealing |
EP0459439A3 (en) * | 1990-05-31 | 1992-10-14 | Fujitsu Limited | Semiconductor package having improved mechanical stability for holding interconnection leads and improved capability of hermetic sealing |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH05226564A (ja) | 半導体装置 | |
EP0650658A1 (en) | Electronic package having controlled epoxy flow | |
JPS60258939A (ja) | 半導体装置用セラミツクベ−ス | |
JPS6389313A (ja) | 電子部品の金型樹脂成形法 | |
JP2794908B2 (ja) | パッケージ型半導体装置の製造方法 | |
JPH043501Y2 (ja) | ||
JPH11340373A (ja) | 薄小型樹脂封止パッケージ | |
JP2731327B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0723961Y2 (ja) | 半導体素子収納用パッケージ | |
JPH03195065A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH0382067A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS62198142A (ja) | 半導体装置 | |
JPH03152965A (ja) | リードフレーム及び半導体装置の製造方法 | |
JPS6221254A (ja) | 電子装置 | |
JPH01110767A (ja) | 固体撮像装置 | |
JPH04241446A (ja) | フラットパッケージ型lsiの製造方法 | |
JPS63122249A (ja) | 半導体装置の封止方法 | |
JPH04284650A (ja) | Oリングパッケージ | |
JPH087640Y2 (ja) | ガラス封止型半導体素子収納用パッケージ | |
JPS6132445A (ja) | 半導体装置 | |
JPH0340950B2 (ja) | ||
JPH01238129A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
JPS58124248A (ja) | 半導体装置 | |
JPH05175263A (ja) | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 | |
JPH0426781B2 (ja) |