JP2731327B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造方法に
関し、更に詳しくはメサ型のトライアックチップをリー
ドフレームにダイボンドする工程を有する半導体装置の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ダイボンダーでトライアックチッ
プをダイボンドするときは、まず、リードフレームをヒ
ーターで加熱し、適量のハンダをその高温のフレーム上
で熔融させ、その上からコレットで真空吸着したトライ
アックチップを押さえつけるという方法が行われてい
る。
【０００３】図４は上述した方法でダイボンドした場合
のダイボンド状態を示す。トライアックチップ４３はリ
ードフレーム４２にハンダ４１によりダイボンドされて
いるが、ハンダ４１がはみ出して、接着側のメサ部分４
８に這い上がったり、接触した状態となっている。
【０００４】また、トライアックチップ４３のハンダ付
け部分４９のボイドを減らすためにトライアックチップ
４３をリードフレーム４２に対し平行に振動させなが
ら、リードフレーム４３にハンダ付けする方法も行われ
ている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述したよ
うに従来の方法では、熔融したハンダをトライアックチ
ップで押さえつけるのでハンダがトライアックチップの
周辺部にはみ出て、隆起し、トライアックチップのメサ
部分に這い上がって、接触するために、耐圧を劣化させ
るという問題が生じており、歩留りを下げる原因ともな
っていた。
【０００６】また、ボイドを減らすためにトライアック
チップを振動させながらハンダ付けする方法では、ハン
ダのメサ部分への這い上がりは一層顕著になる。メサ型
のトライアックチップは、メサ部分表面にＰＮ接合線が
１本あり、耐圧を確保している。そのＰＮ接合を保護す
るために、通常メサ部分は鉛入りガラス等で覆われた構
造となっている。しかし、ハンダがＰＮ接合部分のガラ
ス部分まで這い上がると、トライアックチップのリード
フレーム側とそのハンダを介して接続している電極に正
の電荷を印加した場合、ガラスの表面に正の電荷が印加
されることになるので、ガラスの反対側には負電荷が誘
起され、トライアックチップのＰ層は反転を起こし、耐
圧が劣化する。
【０００７】一般に誘電体に誘起される電荷は、誘電体
の厚みに反比例して増えるのでトライアックチップのメ
サ部分の厚みが薄いほど、Ｐ層の反転が起こりやすく、
ハンダの這い上がりで耐圧が劣化しやすい。
【０００８】本発明は上記の問題点を解決するためにな
されたものであり、リードフレームにトライアックチッ
プをダイボンドする時、トライアックチップをハンダに
押さえつけたり、振動させたりしても、ハンダがメサ部
分に這い上がらず、さらに、メサ部分のガラスが薄いト
ライアックチップでも耐圧劣化を生じない半導体装置の
製造方法を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレー
ムにメサ型半導体チップをハンダでダイボンドする半導
体装置の製造方法において、ハンダを付着させた状態の
リードフレームを加熱することによりそのハンダを熔融
させ、その状態でそのハンダに半導体チップを押さえつ
けるか、もしくは押さえつけながら振動させた後、上記
半導体チップを引き上げた状態で上記ハンダを固化させ
てその半導体チップをダイボンドすることによって特徴
付けられる。
【００１０】
【作用】ハンダが熔融した状態で、半導体チップはハン
ダに押さえつけられ、あるいは、押さえつけられた後、
振動させられるので、半導体チップとリードフレームと
の間のハンダのボイドはなくなる。
【００１１】さらに、ハンダが熔融状態で半導体チップ
を引き上げることで、半導体チップのダイボンド用電極
からはみ出して隆起したハンダが半導体チップのダイボ
ンド電極に引き寄せられ、リードフレームに対し、裾を
引き、半導体チップのメサ部分へ這い上がらない。
【００１２】
【実施例】図１および図２は本発明実施例を説明する図
である。以下にこれらの図面を参照しながら本発明実施
例を説明する。
【００１３】まず、ここで用いるメサ型のトライアック
チップ３は、メサ部分表面にＰＮ接合線が１本あり、耐
圧を確保している。そのＰＮ接合を保護するために、通
常、メサ部分５は鉛を含むガラス等の保護ガラス４で覆
われた構造となっている。
【００１４】この構造のトライアックチップ３を用い
て、リードフレーム２にダイボンドする。まず、リード
フレーム２上にハンダ１を適量載置した状態でこのリー
ドフレーム２を加熱し、ハンダ１を溶かす。コレット６
で真空吸着したトライアックチップ３を、このハンダ１
の上から押さえつける。このとき、ハンダ内のボイドを
少なくするために、リードフレーム２に対し縦および横
方向にトライアックチップ３を振動させる。
【００１５】次に、ハンダ１が熔融状態時に、トライア
ックチップ３を引き上げる。この時、トライアックチッ
プ３はハンダの裾をひき、持ち上げられる。ハンダ３が
メサ部分５に這い上がらず、ハンダ付け部分にのみハン
ダ１が付着した状態で、かつ、トライアックチップ３を
リードフレーム３から所定の高さを維持しながら、トラ
イアックチップを冷却する。
【００１６】トライアックチップ３をダイボンドする他
の方法として、トライアックチップ３を引き上げ状態の
所定点で、リードフレーム２の加熱を止め、引き上げ速
度を調整して、引き上げが完了した時点で、ハンダ１が
固化するように調整する。その時、コレット１の引き上
げを止めなくても、コレット６の吸着力は、ハンダ１に
よるトライアックチップ３からリードフレーム２の間の
接着力より、十分弱いので、コレット１はトライアック
チップ３から容易に外れる。
【００１７】以上のようにして、ハンダ１のはい上がり
を防止する方法により、トライアックチップ３は、リー
ドフレーム２にダイボンドされる。図３はこのようにリ
ードフレーム２にダイボンドされたトライアックチップ
３が樹脂封止された状態を示す。
【００１８】すなわち、上述した方法によりダイボンド
されたトライアックチップ３とリードフレーム９とを、
電極取り出し用のワイヤ８によってボンディングし、そ
の後封止樹脂７により樹脂封止する。
【００１９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体装
置の製造方法によれば、ハンダを付着させた状態のリー
ドフレームを加熱することによりそのハンダを熔融さ
せ、その状態でそのハンダに半導体チップを押さえつけ
るか、もしくは押さえつけながら振動させた後、その半
導体チップを引き上げた状態でハンダを固化させてその
半導体チップをダイボンドするようにしたから、半導体
チップへのハンダの這い上がりがなく、したがって耐圧
劣化のない、品質の安定した半導体装置を製造すことが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例を説明するための断面図
【図２】本発明実施例のダイボンド状態を表すトライア
ックの断面図
【図３】本発明実施例により作製された半導体装置を示
す図
【図４】従来例のダイボンド状態を表すトライアックの
断面図
【符号の説明】
１・・・・ハンダ ２・・・・リードフレーム ３・・・・トライアックチップ ４・・・・保護ガラス ５・・・・メサ部分 ６・・・・コレット

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 リードフレームにメサ型半導体チップを
    ハンダでダイボンドする半導体装置の製造方法におい
    て、ハンダを付着させた状態のリードフレームを加熱す
    ることによりそのハンダを熔融させ、その状態でそのハ
    ンダに半導体チップを押さえつけるか、もしくは押さえ
    つけながら振動させた後、上記半導体チップを引き上げ
    た状態で上記ハンダを固化させてその半導体チップをダ
    イボンドすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
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