JPS60257165A - 固体撮像装置の製造方法 - Google Patents
固体撮像装置の製造方法Info
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- JPS60257165A JPS60257165A JP59113765A JP11376584A JPS60257165A JP S60257165 A JPS60257165 A JP S60257165A JP 59113765 A JP59113765 A JP 59113765A JP 11376584 A JP11376584 A JP 11376584A JP S60257165 A JPS60257165 A JP S60257165A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は固体撮像装置の製造方法に関する。
固体撮像のポンディングパッド部は酸化膜をエツチング
して形成するが、エツヂレグ後不用どなったレジストの
剥離を、剥離液にウェーハをつｔＪ化学反応によりおこ
なう方法がある。しかしながらこのウェット法の場合、
ウェーハをアルコール、１−リフロールエチレンなどに
よる数回の洗浄工程や数回の水洗工程や乾燥１稈がある
ため、ゴミなどが付着覆る可能性が高い。特に感光部が
「んでいるため、一度ゴミなどが入り込むどなかなかど
ることができず、特ｔ！１劣化の原因どなる。また保護
膜をＣＤ Ｆ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｆｔｃｈ
ｉｎｏ）法でエツチングづ−るど、レジメ１〜が硬化し
てしまい、剥離液を用いるウェット法ではレジストを完
全に取り除くことができない。
して形成するが、エツヂレグ後不用どなったレジストの
剥離を、剥離液にウェーハをつｔＪ化学反応によりおこ
なう方法がある。しかしながらこのウェット法の場合、
ウェーハをアルコール、１−リフロールエチレンなどに
よる数回の洗浄工程や数回の水洗工程や乾燥１稈がある
ため、ゴミなどが付着覆る可能性が高い。特に感光部が
「んでいるため、一度ゴミなどが入り込むどなかなかど
ることができず、特ｔ！１劣化の原因どなる。また保護
膜をＣＤ Ｆ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｆｔｃｈ
ｉｎｏ）法でエツチングづ−るど、レジメ１〜が硬化し
てしまい、剥離液を用いるウェット法ではレジストを完
全に取り除くことができない。
これらのことを考慮してレジストを剥薗するために酸素
をプラズマ状態にした雰囲気中にウェーハをさらすドラ
イ法がおこなわれている。しかし固体搬像装置を製造す
る場合、つ１−八を酸素のプラズマ状態にさらすと製造
された固体撮像装置の暗時出力電圧が増加するという問
題があった。
をプラズマ状態にした雰囲気中にウェーハをさらすドラ
イ法がおこなわれている。しかし固体搬像装置を製造す
る場合、つ１−八を酸素のプラズマ状態にさらすと製造
された固体撮像装置の暗時出力電圧が増加するという問
題があった。
本発明は−１：記事情を考慮してなされたもので酸素プ
ラズマによりレジストを剥削する等のプラズマエツヂン
グ■程により増加でる０１１時出力電汀を減少ざける固
体搬像装置の製造方法を提供することを目的とする。
ラズマによりレジストを剥削する等のプラズマエツヂン
グ■程により増加でる０１１時出力電汀を減少ざける固
体搬像装置の製造方法を提供することを目的とする。
〔発明の概要）
この目的を達成するために本発明ににる固体撮像装置の
製造方法は、プラズマエツチングの１９に水素を含む雰
囲気中でアニールすることを４１’ｉ ’ｍとでる、１ 〔発明の実施例〕 本発明を図示の一実ＩＡＩｊ例に基づいて説明覆る。
製造方法は、プラズマエツチングの１９に水素を含む雰
囲気中でアニールすることを４１’ｉ ’ｍとでる、１ 〔発明の実施例〕 本発明を図示の一実ＩＡＩｊ例に基づいて説明覆る。
固体撮像装置Ｎは第２図に示ηように、感光部２がマト
リクス状に形成されている。感光部２の各列に平行に垂
直レジスフ部１が設けられ、感光部２で生成された電荷
を蓄積転送する。垂直レジスタ部１からの電荷を蓄積転
送するため水平レジスタ部３が設【ノられ、最終的な出
力は出力部４からシリアルに取り出される。また周辺に
はボンディングパラ１〜５が設ｃ−Ｊられている。
リクス状に形成されている。感光部２の各列に平行に垂
直レジスフ部１が設けられ、感光部２で生成された電荷
を蓄積転送する。垂直レジスタ部１からの電荷を蓄積転
送するため水平レジスタ部３が設【ノられ、最終的な出
力は出力部４からシリアルに取り出される。また周辺に
はボンディングパラ１〜５が設ｃ−Ｊられている。
この固体撮像装置の製造方法を第１図により説明する。
第１図は第２図のＡ−へ断面図であり、ポンディングパ
ッド５と垂直レジスタ部１と感光部２の断面を示してい
る１、まずＰ型半導体基板７に索子分間１領１ｉｉ！
８を、垂直レジスタ部１と感光部２ごどに形成する。パ
ッド５の領域には仝而に素子分離領域８を形成する。さ
らに半導体基板７−１の素子分離領域８の間に垂直レジ
スタ部１の埋め込み領域１４ど感光部２の埋め込み領域
１５、過剰電荷排出のためのドレイン領域１３、そのゲ
ーｉ−領域１６を形成する（第１図（ａ））。次に多結
晶シリコンにより転送電極９，１０を形成し、／１００
〜５００ ’Ｃの低温ＣＶＤ法にＪ：り酸化シリコン膜
１１を全面に形成する（第１図（ｂ））。
ッド５と垂直レジスタ部１と感光部２の断面を示してい
る１、まずＰ型半導体基板７に索子分間１領１ｉｉ！
８を、垂直レジスタ部１と感光部２ごどに形成する。パ
ッド５の領域には仝而に素子分離領域８を形成する。さ
らに半導体基板７−１の素子分離領域８の間に垂直レジ
スタ部１の埋め込み領域１４ど感光部２の埋め込み領域
１５、過剰電荷排出のためのドレイン領域１３、そのゲ
ーｉ−領域１６を形成する（第１図（ａ））。次に多結
晶シリコンにより転送電極９，１０を形成し、／１００
〜５００ ’Ｃの低温ＣＶＤ法にＪ：り酸化シリコン膜
１１を全面に形成する（第１図（ｂ））。
次に感光部２以外に光が入射しないＪ：うにづるための
光シールド膜と電極の配線とを兼ねた膜、例えばアルミ
ニウム膜１２を形成し、その上に保護膜、例えばプラズ
マ窒化膜６を［１栢Ｊる（第１図（Ｃ））。次にボンデ
ィング部を形成覆るためにレジスト１７を塗布して所定
のパターンエツチングする（第１図（ｄ））。次にリソ
グラフィ法でボンディングパット部となる領域を］−ツ
ヂングしく第１図（ｅ））、その後残ったレジスト１７
を酸素プラズマ中で剥離し、さらにその後水素を含む雰
囲気中でアニールする（第１図（ｆ））。こ−１〉− の水素を含む雰囲気どしては、例えば水素と窒素が１月
９の混合比のガスである。またアニール時間どしては数
１０分程度が望ましい。
光シールド膜と電極の配線とを兼ねた膜、例えばアルミ
ニウム膜１２を形成し、その上に保護膜、例えばプラズ
マ窒化膜６を［１栢Ｊる（第１図（Ｃ））。次にボンデ
ィング部を形成覆るためにレジスト１７を塗布して所定
のパターンエツチングする（第１図（ｄ））。次にリソ
グラフィ法でボンディングパット部となる領域を］−ツ
ヂングしく第１図（ｅ））、その後残ったレジスト１７
を酸素プラズマ中で剥離し、さらにその後水素を含む雰
囲気中でアニールする（第１図（ｆ））。こ−１〉− の水素を含む雰囲気どしては、例えば水素と窒素が１月
９の混合比のガスである。またアニール時間どしては数
１０分程度が望ましい。
本実施例と従来どの比較を第３図に示す、実線は本実施
例の場合を示し、一点鎖線は従来の場合を示す。従来は
窒素のみの雰囲気中でアニールしているため、初期状態
（Δ）から酸素プラズマ後（Ｂ）増えた暗時出力電圧値
が、アニール後（Ｃ）でもほとんとは回復していない。
例の場合を示し、一点鎖線は従来の場合を示す。従来は
窒素のみの雰囲気中でアニールしているため、初期状態
（Δ）から酸素プラズマ後（Ｂ）増えた暗時出力電圧値
が、アニール後（Ｃ）でもほとんとは回復していない。
しかしながら本実施例のように水素を含む雰囲気中でア
ニールするど暗時出力電圧値（まほぼ初期状態（Ａ）ま
で回復づる。
ニールするど暗時出力電圧値（まほぼ初期状態（Ａ）ま
で回復づる。
なお、水素を含む雰囲気中でアニールすると暗時出力電
圧値が減少する理由は次の如く推測される。酸素プラズ
マにより表面がたたかれると半導体基板界面が不安定な
状態になり、暗時出力電圧値が増加する。しかし水素を
含む雰囲気中でアニールすると欠陥が修復され不安定状
態から安定状態になり暗時出力電圧値が減少する。
圧値が減少する理由は次の如く推測される。酸素プラズ
マにより表面がたたかれると半導体基板界面が不安定な
状態になり、暗時出力電圧値が増加する。しかし水素を
含む雰囲気中でアニールすると欠陥が修復され不安定状
態から安定状態になり暗時出力電圧値が減少する。
先の実施例では酸素プラズマ中でレジストを剥−４−
頗する工程を具体例としたが、表面が原子にＪこりたた
かれる工程、例えば反応性イオンエツヂング等のプラズ
マエツチングエ稈によって暗時出力電圧値は増加するた
め、そのＴ程後に本発明の如く水素を含む雰囲気中でア
ニールづ−れば、先の実施例と同様に増加した暗時出力
電圧値を減少させることができる。
かれる工程、例えば反応性イオンエツヂング等のプラズ
マエツチングエ稈によって暗時出力電圧値は増加するた
め、そのＴ程後に本発明の如く水素を含む雰囲気中でア
ニールづ−れば、先の実施例と同様に増加した暗時出力
電圧値を減少させることができる。
以上の通り本発明はよればプラズマエツチングにより増
加した暗時出力電圧値を初期状態まで減少させることが
できる。
加した暗時出力電圧値を初期状態まで減少させることが
できる。
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置の製造方
法の工程図、 第２図は同固体撮像装置の平面図、 第３図は同製造方法による暗時出力電圧値の変化を示す
グラフである。 １・・・垂直レジスタ部、２・・・感光部、３・・・水
平レジスタ部、４・・・出力部、５・・・ポンディング
パッド、６・・・保護膜、７・・・半導体基板、８・・
・素子分離領域、９．１０・・・輸送電極、１１・・・
酸化シリ」ン膜、１２・・・アルミニウム膜、１３・・
・トレイン領域、１７１・・・埋め込み領域、１５・・
・埋め込み領域、１７・・・レジスト。 出願人代理人 猪 股 清 ７− ３４３−
法の工程図、 第２図は同固体撮像装置の平面図、 第３図は同製造方法による暗時出力電圧値の変化を示す
グラフである。 １・・・垂直レジスタ部、２・・・感光部、３・・・水
平レジスタ部、４・・・出力部、５・・・ポンディング
パッド、６・・・保護膜、７・・・半導体基板、８・・
・素子分離領域、９．１０・・・輸送電極、１１・・・
酸化シリ」ン膜、１２・・・アルミニウム膜、１３・・
・トレイン領域、１７１・・・埋め込み領域、１５・・
・埋め込み領域、１７・・・レジスト。 出願人代理人 猪 股 清 ７− ３４３−
Claims (1)
- プラズマエッチング工程を有する固体Ｉｌ像装置の製造
方法において、このプラズマエツチング工程後に水素を
含む雰囲気中でアニールすることを特徴とする固体撮像
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113765A JPS60257165A (ja) | 1984-06-02 | 1984-06-02 | 固体撮像装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59113765A JPS60257165A (ja) | 1984-06-02 | 1984-06-02 | 固体撮像装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60257165A true JPS60257165A (ja) | 1985-12-18 |
Family
ID=14620571
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59113765A Pending JPS60257165A (ja) | 1984-06-02 | 1984-06-02 | 固体撮像装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60257165A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03227570A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH056986A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
| US8627623B2 (en) * | 2009-02-25 | 2014-01-14 | Michael Leonard | Modular foundation system and method |
-
1984
- 1984-06-02 JP JP59113765A patent/JPS60257165A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03227570A (ja) * | 1990-02-01 | 1991-10-08 | Matsushita Electron Corp | 固体撮像装置の製造方法 |
| JPH056986A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Sharp Corp | 固体撮像素子 |
| US8627623B2 (en) * | 2009-02-25 | 2014-01-14 | Michael Leonard | Modular foundation system and method |
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