JPH09232245A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH09232245A JPH09232245A JP3585796A JP3585796A JPH09232245A JP H09232245 A JPH09232245 A JP H09232245A JP 3585796 A JP3585796 A JP 3585796A JP 3585796 A JP3585796 A JP 3585796A JP H09232245 A JPH09232245 A JP H09232245A
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- semiconductor
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の製造において、熱拡散法を用い
て半導体に不純物を導入する際に、半導体表面に不必要
な不純物や異物等の影響を与えず、かつ、選択拡散の場
合、不純物の横方向への拡散を従来より小さくする。 【解決手段】 全面拡散の場合は半導体上に直接、選択
拡散の場合は拡散マスク用酸化膜の上から、薄膜を形成
し、この薄膜の上から所望の不純物を熱拡散させること
により、半導体表面に不必要な不純物や異物等が付着す
ることを防止する。更に、選択拡散を行う際には、上記
薄膜が、拡散マスク用酸化膜の側壁にも形成されるた
め、拡散マスク用酸化膜端部での不純物の横方向への拡
散を従来よりも小さくすることができ、半導体装置をよ
り微細化することが可能となる。
て半導体に不純物を導入する際に、半導体表面に不必要
な不純物や異物等の影響を与えず、かつ、選択拡散の場
合、不純物の横方向への拡散を従来より小さくする。 【解決手段】 全面拡散の場合は半導体上に直接、選択
拡散の場合は拡散マスク用酸化膜の上から、薄膜を形成
し、この薄膜の上から所望の不純物を熱拡散させること
により、半導体表面に不必要な不純物や異物等が付着す
ることを防止する。更に、選択拡散を行う際には、上記
薄膜が、拡散マスク用酸化膜の側壁にも形成されるた
め、拡散マスク用酸化膜端部での不純物の横方向への拡
散を従来よりも小さくすることができ、半導体装置をよ
り微細化することが可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は不純物熱拡散を含む
半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】現在、極めて微細化された半導体装置製
造の際の不純物の導入には、一般には、イオン打込み装
置が使用される。しかし、全面拡散や既存のプロセス等
では、熱拡散を用いて半導体に不純物を拡散させる方法
も適用されている。この熱拡散を用いた不純物の拡散方
法を図３、図４の断面図に従って説明する。両図におい
て、図３は全面拡散を示し、図４は部分拡散を示す。
造の際の不純物の導入には、一般には、イオン打込み装
置が使用される。しかし、全面拡散や既存のプロセス等
では、熱拡散を用いて半導体に不純物を拡散させる方法
も適用されている。この熱拡散を用いた不純物の拡散方
法を図３、図４の断面図に従って説明する。両図におい
て、図３は全面拡散を示し、図４は部分拡散を示す。
【０００３】全面拡散の場合は、図３のＡに示すよう
に、一方導電型の半導体１（以下、半導体１と略す）は
一方導電型の半導体基板等となる。選択拡散の場合は、
図４に示すように半導体１の上に拡散マスク用酸化膜２
（以下酸化膜２と略す）を形成する。
に、一方導電型の半導体１（以下、半導体１と略す）は
一方導電型の半導体基板等となる。選択拡散の場合は、
図４に示すように半導体１の上に拡散マスク用酸化膜２
（以下酸化膜２と略す）を形成する。
【０００４】次に、選択拡散の場合は、同図のＢに示す
ように、不純物を拡散させる領域の酸化膜２を選択的に
エッチングする。
ように、不純物を拡散させる領域の酸化膜２を選択的に
エッチングする。
【０００５】その後、全面拡散，選択拡散共に、図３，
図４のＣに示すように、一方あるいは他方導電型の不純
物４（以下不純物４と略す）を半導体１表面に直接熱拡
散させ、不純物拡散領域５を形成する。
図４のＣに示すように、一方あるいは他方導電型の不純
物４（以下不純物４と略す）を半導体１表面に直接熱拡
散させ、不純物拡散領域５を形成する。
【０００６】選択拡散の場合は、最後に、図３，図４の
Ｄに示すように、酸化膜２を除去して不純物の熱拡散は
完了する。
Ｄに示すように、酸化膜２を除去して不純物の熱拡散は
完了する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】前述の従来例を用い
て、不純物を熱拡散する場合、半導体１が直接不純物雰
囲気に接する。その為、拡散させたい不純物４の他に、
不必要な不純物が拡散されたり、何らかの異物が付着す
る可能性がある。これらは、半導体装置において、前述
の熱拡散により形成する拡散層接合部のリーク電流発生
等の不具合の原因となり、半導体装置を製造する時歩留
りを低下させる。
て、不純物を熱拡散する場合、半導体１が直接不純物雰
囲気に接する。その為、拡散させたい不純物４の他に、
不必要な不純物が拡散されたり、何らかの異物が付着す
る可能性がある。これらは、半導体装置において、前述
の熱拡散により形成する拡散層接合部のリーク電流発生
等の不具合の原因となり、半導体装置を製造する時歩留
りを低下させる。
【０００８】また、熱拡散により選択的に不純物４を導
入する場合、酸化膜２端部での不純物の横方向への拡散
は防ぐことはできない。これにより酸化膜２の幅を実際
より広くしなければ、所望の寸法が得られないため、半
導体装置の微細化の妨げとなる。
入する場合、酸化膜２端部での不純物の横方向への拡散
は防ぐことはできない。これにより酸化膜２の幅を実際
より広くしなければ、所望の寸法が得られないため、半
導体装置の微細化の妨げとなる。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、全面拡散の場
合は半導体１に直接、選択拡散の場合は酸化膜２の選択
エッチングの後に、酸化膜あるいは窒化膜等の薄膜を全
面に形成し、その上から不純物４を熱拡散させ、不純物
拡散領域５を形成した後、薄膜および酸化膜２を除去す
ることにより、半導体１の表面に不必要な不純物や異物
等の影響を与えずに、不純物を熱拡散させる方法を提供
するものである。
合は半導体１に直接、選択拡散の場合は酸化膜２の選択
エッチングの後に、酸化膜あるいは窒化膜等の薄膜を全
面に形成し、その上から不純物４を熱拡散させ、不純物
拡散領域５を形成した後、薄膜および酸化膜２を除去す
ることにより、半導体１の表面に不必要な不純物や異物
等の影響を与えずに、不純物を熱拡散させる方法を提供
するものである。
【００１０】本発明によれば、薄膜を用いて半導体１上
の不純物を拡散させる領域を保護することにより、半導
体１表面への不必要な不純物の拡散や、異物の付着を防
止することができる。
の不純物を拡散させる領域を保護することにより、半導
体１表面への不必要な不純物の拡散や、異物の付着を防
止することができる。
【００１１】また、選択拡散の場合、薄膜を半導体１全
体に形成させるため、酸化膜２の側壁部分にも薄膜が形
成され、酸化膜２端部での不純物４の横方向への拡散を
従来より小さくすることができ、不純物の熱拡散を用い
た半導体装置の微細化に貢献できる。
体に形成させるため、酸化膜２の側壁部分にも薄膜が形
成され、酸化膜２端部での不純物４の横方向への拡散を
従来より小さくすることができ、不純物の熱拡散を用い
た半導体装置の微細化に貢献できる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施例を図１，
図２の断面図に従って説明する。図１は全面拡散、図２
は選択拡散の例を示す。
図２の断面図に従って説明する。図１は全面拡散、図２
は選択拡散の例を示す。
【００１３】図２のＡに示すように、選択拡散の場合、
半導体１に酸化膜２を熱酸化等で形成し、酸化膜２の選
択拡散領域をエッチング等により除去する。
半導体１に酸化膜２を熱酸化等で形成し、酸化膜２の選
択拡散領域をエッチング等により除去する。
【００１４】次に図１，図２のＢに示すように、全面拡
散，選択拡散共に、ウェーハ全面に既存の技術により酸
化薄膜３を形成する。
散，選択拡散共に、ウェーハ全面に既存の技術により酸
化薄膜３を形成する。
【００１５】次に図１，図２のＣに示すように、不純物
４を全面拡散の場合は酸化薄膜３の上から、選択拡散の
場合は酸化膜２および酸化薄膜３の上から熱拡散させ、
不純物拡散領域５を形成する。
４を全面拡散の場合は酸化薄膜３の上から、選択拡散の
場合は酸化膜２および酸化薄膜３の上から熱拡散させ、
不純物拡散領域５を形成する。
【００１６】最後に図１，図２のＤに示すように、全面
拡散の場合は酸化薄膜３を、選択拡散の場合は酸化膜２
および酸化薄膜３を既存の周知技術により除去し、不純
物の熱拡散は完了する。
拡散の場合は酸化薄膜３を、選択拡散の場合は酸化膜２
および酸化薄膜３を既存の周知技術により除去し、不純
物の熱拡散は完了する。
【００１７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、半導体装
置の製造において、不純物を熱拡散する場合に、不必要
な不純物や異物が酸化薄膜３によって遮られるため、半
導体装置がその拡散層のリーク電流等の不具合を低減さ
せ、歩留りよく製造することができる。
置の製造において、不純物を熱拡散する場合に、不必要
な不純物や異物が酸化薄膜３によって遮られるため、半
導体装置がその拡散層のリーク電流等の不具合を低減さ
せ、歩留りよく製造することができる。
【００１８】また、選択拡散の場合、酸化薄膜３により
酸化膜２の端部での不純物４の横方向への拡散を従来よ
り小さく抑えることができるので、熱拡散を利用した半
導体装置をより微細化することができる。
酸化膜２の端部での不純物４の横方向への拡散を従来よ
り小さく抑えることができるので、熱拡散を利用した半
導体装置をより微細化することができる。
【図１】本発明の実施例による製造方法の工程を示す断
面図
面図
【図２】本発明の実施例による製造方法の工程を示す断
面図
面図
【図３】従来例による製造方法の断面図
【図４】従来例による製造方法の断面図
１：一方導電型半導体、２：選択拡散マスク用酸化膜、
３：薄膜（例：酸化薄膜）、４：一方あるいは他方導電
型の不純物、５：不純物拡散領域。
３：薄膜（例：酸化薄膜）、４：一方あるいは他方導電
型の不純物、５：不純物拡散領域。
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体に不純物を熱拡散させる場合にお
いて、一方導電型の半導体に、薄膜を形成し、該薄膜の
上から、一方導電型あるいは他方導電型の不純物を前記
一方導電型の半導体に熱拡散させた後、前記薄膜を除去
し、前記一方導電型の半導体上に、一方あるいは他方導
電型の不純物拡散領域を形成する工程を含むことを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体装置の製造方法に
おいて、前記薄膜を利用して一方導電型の半導体上に、
選択的に一方あるいは他方導電型の不純物拡散領域を熱
拡散により形成することを特徴とした半導体装置の製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3585796A JPH09232245A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3585796A JPH09232245A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232245A true JPH09232245A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12453665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3585796A Pending JPH09232245A (ja) | 1996-02-23 | 1996-02-23 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232245A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221730B1 (en) | 1998-02-03 | 2001-04-24 | Nec Corporation | Fabrication method of semiconductor device with HSG configuration |
-
1996
- 1996-02-23 JP JP3585796A patent/JPH09232245A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6221730B1 (en) | 1998-02-03 | 2001-04-24 | Nec Corporation | Fabrication method of semiconductor device with HSG configuration |
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