JPS60225803A - ガス分析計用多層膜干渉フイルタ - Google Patents
ガス分析計用多層膜干渉フイルタInfo
- Publication number
- JPS60225803A JPS60225803A JP59082312A JP8231284A JPS60225803A JP S60225803 A JPS60225803 A JP S60225803A JP 59082312 A JP59082312 A JP 59082312A JP 8231284 A JP8231284 A JP 8231284A JP S60225803 A JPS60225803 A JP S60225803A
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- filter
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はガス分析計、特にアンモニヤ(NH8)やエチ
レン(C2H2)等のガス分析計尺用いるための多層膜
干渉フィルタに関する。
レン(C2H2)等のガス分析計尺用いるための多層膜
干渉フィルタに関する。
〈発明の背景及び従来技術〉
アンモニアガスやエチレンガスは第1図(イ)(ロ)に
示すような分光特性をもっている。ともに2〜8μm付
近に吸収帯があるが、これは水の吸収帯と重なるので、
通常は8〜18μm付近の吸収帯を利用して測定する。
示すような分光特性をもっている。ともに2〜8μm付
近に吸収帯があるが、これは水の吸収帯と重なるので、
通常は8〜18μm付近の吸収帯を利用して測定する。
従って、多層膜干渉フィルタの仕様は8μm付近でカッ
トオンする長波長透過フィルタでなければならない。と
ころで、8μmは比較的長波長であるので、この付近で
カットオンするフィルタは6μm付近或いはそれ以下の
短波長でカットオンするフィルタに比べてブロック層の
数が増え、その分厚みが増す。フィルタの厚みが増すと
、物理的強度が弱くなり、耐久性が悪くなるといった欠
点につながるおそれがある。
トオンする長波長透過フィルタでなければならない。と
ころで、8μmは比較的長波長であるので、この付近で
カットオンするフィルタは6μm付近或いはそれ以下の
短波長でカットオンするフィルタに比べてブロック層の
数が増え、その分厚みが増す。フィルタの厚みが増すと
、物理的強度が弱くなり、耐久性が悪くなるといった欠
点につながるおそれがある。
従来、8μm付近でカットオンするフイ〜りとしては、
B a F 2でできた基板の上に、高屈折率物質とし
てTe(テ/l//I/)を低屈折率物質としてT4?
Br(臭化タリウム)を交互に真空蒸着して構成したも
のがある。このフィルタによれば、Teを用いている関
係上8.4μm以下の赤外線がTeによる吸収によって
透過しないので、その分ブロック層を重ねなくても済む
といった利点があるが、反面膜がソフトコードなので、
使用条件の厳しいガス分析計において使用した場合、経
時的な劣化を起したり、他物と軽く接触しただけでも傷
付き、ドリフトの要因になる等の不都合があった。
B a F 2でできた基板の上に、高屈折率物質とし
てTe(テ/l//I/)を低屈折率物質としてT4?
Br(臭化タリウム)を交互に真空蒸着して構成したも
のがある。このフィルタによれば、Teを用いている関
係上8.4μm以下の赤外線がTeによる吸収によって
透過しないので、その分ブロック層を重ねなくても済む
といった利点があるが、反面膜がソフトコードなので、
使用条件の厳しいガス分析計において使用した場合、経
時的な劣化を起したり、他物と軽く接触しただけでも傷
付き、ドリフトの要因になる等の不都合があった。
〈発明の目的〉
本発明はこのような点にあって、高屈折率材料と低屈折
率材料を選ぶことによって、従来技術におけるような欠
点のない高強度で耐久性のあるガス分析計用多層膜干渉
フィルタを提供するものである。
率材料を選ぶことによって、従来技術におけるような欠
点のない高強度で耐久性のあるガス分析計用多層膜干渉
フィルタを提供するものである。
〈発明の構成〉
上記目的を達成するため本発明は、波長が8μm付近で
カットオンするフィルタであって、赤外線透過材料から
なる基板上に高屈折率物質としてゲルマニウムを、低屈
折率物質として硫化亜鉛を用いた多層膜を形成して構成
されてなることを特徴とする。
カットオンするフィルタであって、赤外線透過材料から
なる基板上に高屈折率物質としてゲルマニウムを、低屈
折率物質として硫化亜鉛を用いた多層膜を形成して構成
されてなることを特徴とする。
〈実施例〉
第2図は本発明の一実施例としての構成を示し、(1)
は赤外線透過材料からなる基板、(2)は前記基板(1
)の上に形成された多層膜で、高屈折率物質(6)と低
屈折率物質(L)とで構成される。本発明にあっては高
屈折率物質(H)としてゲルマニウム(Ge)を、低屈
折率物質(I、)として硫化亜鉛(ZnS)を用いてい
ることは上述の通抄である。
は赤外線透過材料からなる基板、(2)は前記基板(1
)の上に形成された多層膜で、高屈折率物質(6)と低
屈折率物質(L)とで構成される。本発明にあっては高
屈折率物質(H)としてゲルマニウム(Ge)を、低屈
折率物質(I、)として硫化亜鉛(ZnS)を用いてい
ることは上述の通抄である。
基板(1)はVリコン(Si)基板を用いるのが良く、
特にFZ (Floating Zone )法即ち浮
融帯法で製作された比抵抗の高いSi基板を用いるのが
望ましい、Si基板は価格及び分光特性の2点で他の材
料からなる基板より優れているからである。
特にFZ (Floating Zone )法即ち浮
融帯法で製作された比抵抗の高いSi基板を用いるのが
望ましい、Si基板は価格及び分光特性の2点で他の材
料からなる基板より優れているからである。
また、Si基板のうちFZ法で製作されたものを特に好
゛止しいとするのは、第8図に示す如<CZ法(Czo
chralski Method)で製作されたSi基
板のように9μllj付近の吸収が大きくないからであ
る。
゛止しいとするのは、第8図に示す如<CZ法(Czo
chralski Method)で製作されたSi基
板のように9μllj付近の吸収が大きくないからであ
る。
多層膜(2)は、8μm付近の波長てカットオンするよ
う次の如く構成している。即ち、基板(1)の片面であ
るカットオフ面上には、中心波長が6,6μmと4.5
μmの2つのブロック層を重ねた構成の多層膜を、一方
他面であるショートカット面には1.5 tlm 、
2.1 pm 、 2.81m及び8.f3ptJlの
4つのブロック層を重ねた構成の多層1換を形成してい
る。
う次の如く構成している。即ち、基板(1)の片面であ
るカットオフ面上には、中心波長が6,6μmと4.5
μmの2つのブロック層を重ねた構成の多層膜を、一方
他面であるショートカット面には1.5 tlm 、
2.1 pm 、 2.81m及び8.f3ptJlの
4つのブロック層を重ねた構成の多層1換を形成してい
る。
1.5μm以下あ短波長、即ち近赤外から可視光域は高
屈折率物質Iとして用いるGeの吸収があるので、その
波長域についてのブロック層は用いていない。前記6.
5μmと4.5μmの2つのブロック層を重ねた構成の
多層膜は、基板(1)から教えて奇数番目が(L)、偶
数番目が(旬で合計41層の交互層によって実現してい
る。
屈折率物質Iとして用いるGeの吸収があるので、その
波長域についてのブロック層は用いていない。前記6.
5μmと4.5μmの2つのブロック層を重ねた構成の
多層膜は、基板(1)から教えて奇数番目が(L)、偶
数番目が(旬で合計41層の交互層によって実現してい
る。
一方、ショートカット面に形成する4つのブロック層か
らなる多層膜は、基板(1)から数えて奇数番目が(L
)、偶数番目が(H)で合計81層の交互層によって実
現している。
らなる多層膜は、基板(1)から数えて奇数番目が(L
)、偶数番目が(H)で合計81層の交互層によって実
現している。
上記構成の多層膜干渉フィルタは、基板の片面ずつ高屈
折率物質Iと低屈折物質(L)を、ブロック層の中心波
長によって決冨される所定の膜厚となるよう監視しつつ
基板111上に真空蒸着法によって交互に形成していく
事によシ製作できる。
折率物質Iと低屈折物質(L)を、ブロック層の中心波
長によって決冨される所定の膜厚となるよう監視しつつ
基板111上に真空蒸着法によって交互に形成していく
事によシ製作できる。
かくして製作された多層膜干渉フィルタの分光特性を第
4図に示す。尚、フィルタ製作技術によれば、カットオ
ンする波長が与えられれば、そのような特性のフィルタ
を製作するのにブロック層の中心波長やH数をいくらに
するか無限の組合せが考えられる。従って、上記実施例
のブロック層の暦数及び中心波長は一例を示したにすぎ
ないものである。
4図に示す。尚、フィルタ製作技術によれば、カットオ
ンする波長が与えられれば、そのような特性のフィルタ
を製作するのにブロック層の中心波長やH数をいくらに
するか無限の組合せが考えられる。従って、上記実施例
のブロック層の暦数及び中心波長は一例を示したにすぎ
ないものである。
又、フィルタ製作技術によれば、カットオンする波長を
8μmに設定していても、製作上の誤差によって7〜9
μmの範囲、通常7.5〜8.5μmの範囲でバラつく
−従って、本発明はカットオンする波長が7〜9μmの
範囲にあるフィルタを含むものである。特許請求の範囲
において5pWl付近と表現したのも上1C理由からで
ある。
8μmに設定していても、製作上の誤差によって7〜9
μmの範囲、通常7.5〜8.5μmの範囲でバラつく
−従って、本発明はカットオンする波長が7〜9μmの
範囲にあるフィルタを含むものである。特許請求の範囲
において5pWl付近と表現したのも上1C理由からで
ある。
〈発明の効果〉
本発明のフィルタと冒頭に述べた構成の従来フィルタと
を塩水(7f/ll )に漬けて剥離テストを行なった
ところ、従来品は1日ともたなかったのに対し、本発明
品は塩水中でBカ月経講1−てもまだ剥離を生じないと
いう好結果を掃た。これは、本発明フィルタが、多層膜
をGeとZnSでイj1成していることによる。即ち、
GeとZnSを用いているところから膜がハードコート
となり、強度、耐久性に優れ、そのため上記剥離テスト
のような好結果を得たのである。従って、本発明によれ
ば、使用条件の厳しいガス分析計に好適するフィルタを
提供できるものである。
を塩水(7f/ll )に漬けて剥離テストを行なった
ところ、従来品は1日ともたなかったのに対し、本発明
品は塩水中でBカ月経講1−てもまだ剥離を生じないと
いう好結果を掃た。これは、本発明フィルタが、多層膜
をGeとZnSでイj1成していることによる。即ち、
GeとZnSを用いているところから膜がハードコート
となり、強度、耐久性に優れ、そのため上記剥離テスト
のような好結果を得たのである。従って、本発明によれ
ば、使用条件の厳しいガス分析計に好適するフィルタを
提供できるものである。
第1図(イ)はNH8の分光特性を示す図、同図(ロ)
はC2H2の分光特性を示すト1、第2図は本発明フィ
ルタの一例を示す栴成図、第8図は、FZ法で製作され
た81基板、及びCZ法で製作されたSi基板の分光特
注Bid、 第4図は本発明の一実施例と! してのフ
ィルりの分光特性を示す図である。 (1)・・・基板、(2)・・・多層膜、卸・・・高屈
折吊物質、■、・・・低屈折率物質。 第1図 (4) co) 第2図
はC2H2の分光特性を示すト1、第2図は本発明フィ
ルタの一例を示す栴成図、第8図は、FZ法で製作され
た81基板、及びCZ法で製作されたSi基板の分光特
注Bid、 第4図は本発明の一実施例と! してのフ
ィルりの分光特性を示す図である。 (1)・・・基板、(2)・・・多層膜、卸・・・高屈
折吊物質、■、・・・低屈折率物質。 第1図 (4) co) 第2図
Claims (3)
- (1)波長が8μm付近でカットオンするフィルタであ
って、赤外線透過材料からなる基板上に、高屈折率物質
としてゲルマニ閃ムを、低屈折率物質として硫化亜鉛を
用いた多層膜を形成して構成されてなることを特徴とす
るガス分析計用多層膜干渉フイpり。 - (2)前記赤外線透過材料からなる基板はyyコン基板
であることを特徴とする特許請求の範囲第(1)項に記
載のガス分析計用多層膜干渉フィルタ。 - (3) 前記シリコン基板は、FZ法で製造されたもの
であることを特徴とする特許請求の範囲第(2)項に記
載のガス分析計用多層膜干渉フィルタ。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59082312A JPS60225803A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | ガス分析計用多層膜干渉フイルタ |
CN85104654A CN85104654B (zh) | 1984-04-24 | 1985-06-17 | 滤光片生产中用的掩膜 |
CN85106181A CN85106181B (zh) | 1984-04-24 | 1985-08-16 | 用于气体分析器的多层膜干涉滤光器 |
CN85106301A CN85106301B (zh) | 1984-04-24 | 1985-08-21 | 端型多层干涉滤光器的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59082312A JPS60225803A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | ガス分析計用多層膜干渉フイルタ |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60225803A true JPS60225803A (ja) | 1985-11-11 |
Family
ID=13771041
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59082312A Pending JPS60225803A (ja) | 1984-04-24 | 1984-04-24 | ガス分析計用多層膜干渉フイルタ |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60225803A (ja) |
CN (3) | CN85104654B (ja) |
Cited By (10)
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JPH04122336U (ja) * | 1991-04-20 | 1992-11-02 | 株式会社堀場製作所 | 放射温度計 |
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US11921038B2 (en) | 2018-08-29 | 2024-03-05 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Optical device |
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JP4806197B2 (ja) * | 2005-01-17 | 2011-11-02 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置 |
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CN102534475A (zh) * | 2012-03-01 | 2012-07-04 | 苏州鼎旺科技有限公司 | 一种超薄滤光片镀膜工艺及镀膜夹具 |
CN104597538A (zh) * | 2014-12-07 | 2015-05-06 | 杭州麦乐克电子科技有限公司 | 6000nm长波通红外滤光敏感元件 |
CN111323861B (zh) * | 2020-05-13 | 2021-12-03 | 翼捷安全设备(昆山)有限公司 | 乙炔气体探测用红外滤光片、制备方法及其应用 |
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-
1984
- 1984-04-24 JP JP59082312A patent/JPS60225803A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-17 CN CN85104654A patent/CN85104654B/zh not_active Expired
- 1985-08-16 CN CN85106181A patent/CN85106181B/zh not_active Expired
- 1985-08-21 CN CN85106301A patent/CN85106301B/zh not_active Expired
Patent Citations (2)
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US11921038B2 (en) | 2018-08-29 | 2024-03-05 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Optical device |
JP2021089235A (ja) * | 2019-12-05 | 2021-06-10 | 旭化成エレクトロニクス株式会社 | Ndirガスセンサ、光学デバイス及びndirガスセンサ用光学フィルタ |
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US12117633B2 (en) | 2019-12-05 | 2024-10-15 | Asahi Kasei Microdevices Corporation | Optical filter |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN85106301B (zh) | 1988-12-21 |
CN85104654A (zh) | 1986-12-24 |
CN85106301A (zh) | 1987-03-25 |
CN85106181A (zh) | 1987-03-04 |
CN85104654B (zh) | 1987-03-11 |
CN85106181B (zh) | 1988-06-22 |
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