JP6760678B2 - 光学フィルム及びその製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、光学フィルムの技術分野に属し、詳しくは、光学フィルム及びその製造方法に関する。
光学素子の光波又はある特定波長の光波に対する反射率を増加させるために、通常、光学素子の表面に光学フィルムが貼り付けられるか又は1層の光学フィルムがめっきされる。光学フィルムの作用により光波又はある特定波長の光波に対する強い反射が実現され、即ち光波又はある特定波長の光波に対するフィルタリング機能が実現する。例えば、携帯電話内のLED光源から発せられた高エネルギーの青色光を反射し、即ち高エネルギーの青色光をカットし、携帯電話のスクリーンを透過する青色光を大幅に減少させるアンチブルーレイフィルムを、携帯電話のスクリーンに貼り付けることで、青色光による目への傷害を減らすという目的が達成される。
既存の光学フィルムは、一般に、高屈折率と低屈折率とを交互に有する誘電体層からなり、ある特定波長の光波に対して強い反射作用を果たすことができる。しかし、既存の光学フィルムは、特定波長の光波を反射するとき、該特定波長の光波に近い他の波長の光波を部分的に反射する傾向がある。即ち該光学フィルムは該特定波長の光波に対する広いフィルタリング帯域幅を有するので、光学フィルムを通過して出射された光線の色に偏りがあり、表示効果に深刻な影響を及ぼす。
本発明の実施例の目的は、光学フィルム及びその製造方法を提供して、従来技術における光学フィルムの広いフィルタリング帯域幅などの技術的問題に対処することである。
本発明の好ましい実施例は光学フィルムを提供し、該光学フィルムは、ある波長帯域の光を反射するために用いられ、基材、前記基材上に交互に設置された誘電体層及び粒子層を含み、前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、ここで、λ及びλはそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長である。
本発明の好ましい実施例に記載の光学フィルムにおいて、前記第1の波長帯域の光の中心波長λは第2の波長帯域の光の中心波長λに等しい。
本発明の好ましい実施例に記載の光学フィルムにおいて、前記基材と接触する層は前記粒子層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層である。
本発明の好ましい実施例に記載の光学フィルムにおいて、前記基材と接触する層は前記誘電体層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層である。
本発明の好ましい実施例に記載の光学フィルムにおいて、前記粒子の直径はλ/4より小さい。
本発明の好ましい実施例に記載の光学フィルムにおいて、前記第1の波長帯域の光の中心波長λ及び第2の波長帯域の光の中心波長λの取り得る値の範囲は100ナノメートル〜2000マイクロメートルである。
本発明の好ましい実施例に記載の光学フィルムにおいて、前記粒子及び前記誘電体層に使用される材料は酸化マグネシウム、酸化イットリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ガリウムヒ素、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、アルミナ、SiO、TiO及び/又はNbOを含む。
本発明の好ましい実施例に記載の光学フィルムにおいて、前記基材は金属基材、ガラス基材、石英基材、ゴム基材又はプラスチック基材を含む。
本発明の好ましい実施例はさらに光学フィルムの製造方法を提供し、光学フィルムは、
基材と、
前記基材上に交互に製造された誘電体層及び粒子層と、を含み、
前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、ここで、λ及びλはそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長である。
本発明の好ましい実施例に記載の光学フィルムの製造方法において、誘電体層及び粒子層を交互に製造するために採用される方法は、真空成膜プロセス、ゾル−ゲル薄膜成膜プロセス及び/又は自己組織化薄膜成膜プロセスを含み、前記真空成膜プロセスは物理/化学気相成長、真空蒸着、マグネトロンスパッタリング、イオンプレーティング、エピタキシャル成長を含み、前記粒子の間隔の精度誤差は前記粒子の間隔の5%以下であり、前記光学的厚さの精度誤差は前記光学的厚さの5%以下である。
本発明の実施例は、従来技術と比べて好ましい光学フィルム及びその製造方法を提供する。該光学フィルムは基材上に誘電体層及び粒子層を交互に設置し、ただし、粒子層は複数の粒子を含み、且つ前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、粒子層の屈折率は誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、ここで、λ及びλはそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長である。該光学フィルムは、他の波長帯域の光波に影響を与えることなく、第1の波長帯域及び第2の波長帯域の光を同時に強く反射でき、即ち第1の波長帯域及び第2の波長帯域の光を同時に狭帯域フィルタリングできる。特に第1の波長帯域の光の中心波長が第2の波長帯域の光の中心波長に等しいとき、特定の波長帯域の光に対する狭帯域フィルタリングが達成され得る。
本発明の実施例における技術的解決手段についてより明確に説明するために、以下、実施例又は従来技術の記述に対して必要な図面を用いて簡潔に説明するが、当然ながら、以下に記載する図面は本発明の実施例の一部にすぎず、当業者であれば、創造的な労力を要することなく、これらの図面に基づき他の図面に想到し得る。
本発明の好ましい実施例による第1の光学フィルムの構造模式図である。 本発明の好ましい実施例による第2の光学フィルムの構造模式図である。 本発明の好ましい実施例による第3の光学フィルムの構造模式図である。 本発明の好ましい実施例による第4の光学フィルムの構造模式図である。
以下の記述は、限定するためのものではなく説明するためのものであり、特定のシステム構造、インタフェース、技術のような具体的な詳細を提供することにより、本発明の実施例を深く理解しやすくする。しかしながら、当業者にとって自明であるように、具体的な詳細がない他の実施例においても本発明を実現することができる。その他、公知のシステム、装置、回路及び方法に対する詳細な説明を省略し、これにより不要な詳細が本発明の説明を妨げることを回避する。
なお、本明細書で参照される図面において、同一の要素には同一の符号が付してある。
(実施例1)
図1は本発明の好ましい実施例による第1の光学フィルムの構造模式図である。好ましい実施例における光学フィルムは、ある波長帯域の光を反射して、他の波長帯域の光を透過させ、即ちある波長帯域の光をカットし、例えばLEDディスプレイの表面に貼り付けて青色光の透過を減少させるという機能を果たす。また、光波からある特定の波長帯域の光波を選択し、且つ反射により分離し、これによりある特定の波長帯域の光波を得るためにも使用できる。ここでは、好ましい実施例における光学フィルムの具体的な用途について、特に限定しない。
好ましい実施例における光学フィルムは、基材10、粒子層11及び誘電体層12を含む。図1において破線で囲った部分は、粒子層11であり、粒子層11は複数の粒子111を含む。即ち粒子層11は基材10上に分布する複数の粒子111からなる。
具体的には、図1に示すように、粒子層11及び誘電体層12は基材10上に交互に設置される。基材10から誘電体層12に向かう方向において、基材10と接触する1層目は粒子層11であり、1層目の粒子層11上に1層目の誘電体層12があり、且つ1層目の誘電体層12が粒子111の間の隙間を満たす。1層目の誘電体層12上に2層目の粒子層11があり、図1に示す構造を形成するまでこれが繰り返される。
粒子の間隔Lの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であってもよく、誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であってもよく、且つ粒子層11の屈折率は誘電体層12の屈折率より大きいか又は小さい。ただし、λ及びλはそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長である。図1において、dは誘電体層の物理的厚さであり、誘電体層12を製造するとき、誘電体層12の物理的厚さdの公差範囲は正負5ナノメートルである。
一実施例において、粒子の間隔の精度誤差は粒子の間隔の5%以下である。光学的厚さの精度誤差は光学的厚さの5%以下である。
実際の用途では、粒子の間隔Lの値は誘電体層の光学的厚さより大きくてもよく、誘電体層の光学的厚さより小さくてもよく、誘電体層の光学的厚さに等しくてもよく、本明細書では特に限定されない。該光学フィルムは、他の波長帯域の光波に影響を与えることなく、第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長の光を同時に強く反射でき、これにより狭帯域フィルタリングの効果を実現できる。1つの好ましい実施例において、粒子の間隔の値はλ/4であり、誘電体層の光学的厚さの値はλ/4である。
1つの好ましい実施例において、第1の波長帯域の光の中心波長λは第2の波長帯域の光の中心波長λに等しい。つまり、該光学フィルムは、中心波長がλの光に対して狭帯域フィルタリングを行うために用いられる。例えば、第1の波長帯域の光の中心波長λ及び第2の波長帯域の光の中心波長λがいずれも440ナノメートルである場合、該光学フィルムは中心波長が440ナノメートルの高エネルギーの青色光のみに対して強い反射を行い、即ち高エネルギーの青色光に対して狭帯域フィルタリングを行う。該光学フィルムを携帯電話のスクリーンに貼り付けると、携帯電話内のLED光源から発せられた光が光学フィルムに入射すると、光学フィルムはLED光源の90%の高エネルギーの青色光を反射し、即ち大部分の高エネルギーの青色光をカットし、光学フィルムから出射された透過光に約10%の少量の青色光のみが含まれるようになる。これにより高エネルギーの青色光による目への傷害を減らす。同時に、該光学フィルムは粒子層11及び誘電体層12が交互に配置された構造を採用し、且つ粒子の間隔が110ナノメートル(λ/4)であるため、該光学フィルムが青色光を濾過する帯域幅が狭くなり、これにより青色光をカットすると同時に他の色の光をカットすることを回避し、表示効果を確保しながら、高エネルギーの青色光による目への傷害を減らすことができる。
当然のことながら、他の好ましい実施例において、第1の波長帯域の光の中心波長λと第2の波長帯域の光の中心波長λは等しくなくてもよい。第1の波長帯域の光の中心波長λと第2の波長帯域の光の中心波長λが等しくない場合、該光学フィルムは2つの中心波長の光に対して狭帯域フィルタリングを実現でき、例えば第1の波長帯域の光の中心波長λが440ナノメートルであり、第2の波長帯域の光の中心波長λが700ナノメートルであり、このように光学フィルムは高エネルギーの青色光及び赤色光を同時に強く反射でき、青色光及び赤色光に対する狭帯域フィルタリングを実現する。
1つの好ましい実施例において、第1の波長帯域の光の中心波長λ及び第2の波長帯域の光の中心波長λの取り得る値の範囲は100ナノメートル〜2000マイクロメートルであり、実際の用途では、第1の波長帯域の光の中心波長λ及び第2の波長帯域の光の中心波長λの大きさに応じて粒子111の間隔及び誘電体層12の厚さを設計してもよく、これによりある1つの中心波長又は2つの中心波長の光に対する強い反射を実現する。これとともに、粒子111の大きさは大きすぎてはならず、一般的には、粒子111の直径はλ/4より小さく、且つ複数の粒子の大きさは全く同じでなくてもよい。粒子層11が1層の粒子111のみからなる場合、粒子111の直径は即ち粒子層11の厚みとなる。
また、粒子111及び誘電体層12に使用される材料は、酸化マグネシウム、酸化イットリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ガリウムヒ素、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、アルミナ、SiO、TiO、NbOのうちの1つ又は複数を含む。なお、SiOはケイ素(Si)と酸素(O)の2つの元素で生成された化合物であり、例えば、化学気相成長法を用いて該化合物を製造する過程で、ケイ素及び酸素は予め設定されていない成分比率で化合物を生成するおそれがある。製剤がSiOである場合、ケイ素と酸素との成分比率は理想的には1:1であるが、ケイ素の含有量が多い場合、ケイ素と酸素との成分比率は1:1より高いおそれがある。したがって、ケイ素及び酸素で生成された化合物をSiOと略すことができ、xは酸素とケイ素との成分比率を表し、例えばxは1.2である。TiO及びNbOの場合はSiOの場合と同様であり、本明細書では説明を省略する。
当然のことながら、粒子111及び誘電体層12には上記例示しない他の材料を採用してもよく、ここでは具体的に限定されず、粒子層11の屈折率が誘電体層12の屈折率より大きいか又は小さいことが満たされればよい。例えば、粒子層11に酸化マグネシウムを採用する場合、誘電体層12には、粒子層11の屈折率が誘電体層12の屈折率より小さくなるように硫化亜鉛を採用してもよい。当然のことながら、粒子層11には硫化亜鉛を採用してもよく、誘電体層12には、粒子層11の屈折率が誘電体層12の屈折率より大きくなるように酸化マグネシウムを採用する。
当然のことながら、異なる層の粒子層11又は異なる層の誘電体層12は異なる材料を採用してもよく、例えば、図1における粒子層11において、一つの粒子層11に酸化マグネシウムを採用し、他の一つの粒子層11に酸化イットリウムを採用し、同様に、誘電体層12において、一つの誘電体層12に硫化亜鉛を採用し、他の一つの誘電体層12にセレン化亜鉛を採用する。これにより粒子層11の屈折率をいずれも誘電体層12の屈折率より小さくする。粒子層11及び誘電体層12の具体的な材質は実際の必要に応じて選択することができ、ここでは具体的に限定されない。
好ましい実施例において、基材10は、透明な基材であり、例えばガラス基材や石英基材などであり、光学フィルムを通過した光を基材10に透過させたり、基材10を介して入射した光を粒子層11及び誘電体層12に入射させたりすることができる。該光学フィルムを用いる場合、入射光は、基材10から誘電体層12に向かう方向から入射してもよく、誘電体層12から基材10に向かう方向から入射してもよい。どの方向から入射しても、同じ技術効果が得られる。
もちろん、他の実施例において、基材10は、ゴム基材、プラスチック基材及び金属基材などであってもよく、光学フィルムの実際の応用に応じて異なる基材10を選択することができる。例えば、光学フィルムが可視光帯域のある波長の光波を反射するために用いられる場合、基材10は、ガラス基材や石英基材であってもよい。光学フィルムがマイクロ波帯域のある波長の光波を反射するために用いられる場合、基材10はセラミック基材、ゴム基材又はプラスチック基材であってもよい。光学フィルムが光波を透過する必要がない場合、基材10は金属基材であってもよい。
なお、図1に示す光学フィルムの構造は、あくまで一例であり、即ち基材10と接触する層が粒子層11であり、基材10から遠い最外層が誘電体層12である。本発明の光学フィルムの構造は、他の構造、例えば図2乃至図4に示す構造であってもよい。図2、図3及び図4は、それぞれ、本発明の好ましい実施例にて提供される第2、第3及び第4の光学フィルムの構造模式図である。
図2に示す第2の光学フィルムの構造では、基材10と接触する層が粒子層11であり、基材10から遠い最外層も粒子層11である。図3に示す第3の光学フィルムの構造では、基材10と接触する層が誘電体層12であり、基材10から遠い最外層も誘電体層12である。図4に示す第4の光学フィルムの構造では、基材10と接触する層が誘電体層12であり、基材10から離れる最外層が粒子層11である。
なお、図1乃至図4は、粒子111の概略的な位置関係を示しているだけで、本発明で説明する複数の粒子111の具体的な配置態様を限定するものではない。実際に該粒子層11を製造する過程で、各層の粒子層11内の複数の粒子111が同じ分布態様で整然と配列されることは保証できず、粒子111の間隔がほぼ等しい限り、各層の粒子層11内の複数の粒子111が不規則に配列されていてもよいことが理解される。
好ましい実施例の光学フィルムは、基材上に誘電体層及び粒子層を交互に設置し、ただし、粒子層が複数の粒子を含み、粒子の間隔の取り得る値の範囲がλ/8からλ/2であり、誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲がλ/8からλ/2であり、粒子層の屈折率が誘電体層の屈折率より大きいか又は小さい。該光学フィルムは、他の波長帯域の光波に影響を与えることなく、1つの中心波長又は2つの中心波長の光を同時に強く反射でき、これにより狭帯域フィルタリングの効果を実現することができる。
(実施例2)
好ましい実施例は光学フィルムの製造方法を提供し、該方法で製造された光学フィルムは、ある波長帯域の光を反射して、他の波長帯域の光を透過させ、即ちある波長帯域の光をカットし、例えばLEDディスプレイの表面に貼り付けて青色光の透過を減少させるという機能を果たす。また、光波からある特定の波長帯域の光波を選択し、且つ反射により分離し、これによりある特定の波長帯域の光波を得るためにも使用できる。ここでは、該光学フィルムの具体的な用途について、特に限定しない。
該光学フィルムの製造方法で製造される光学フィルムは、
基材と、
前記基材上に交互に製造された誘電体層及び粒子層と、を含み、前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、ここで、λ及びλはそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長である。
以下、該光学フィルムの製造方法について詳細に説明する。
まず、基材を選択する。該基材は光学フィルムの実際の使用状況に応じて選択できる。光学フィルムが可視光帯域のある波長の光波を反射するために用いられる場合、基材は、ガラス基材や石英基材であってもよく、これにより光学フィルムを通過した光を基材に透過させたり、基材を介して入射した光を粒子層及び誘電体層に入射させたりすることができる。光学フィルムがマイクロ波帯域のある波長の光波を反射するために用いられる場合、基材はセラミック基材、ゴム基材又はプラスチック基材であってもよい。光学フィルムが光波を透過させる必要がない場合、基材は金属基材であってもよい。ここでは、基材の種類について、特に限定しない。
次に、基材上に化学気相成長法により粒子層及び誘電体層を順次交互に堆積し、これにより基材上に交互に配置された誘電体層及び粒子層構造を形成する。当然のことながら、他の実施例において、製造における寸法精度が制御可能な真空成膜プロセス、ゾル−ゲル薄膜成膜プロセス、自己組織化薄膜成膜プロセス及び上記プロセスのうちの幾つかのプロセスの自由な組み合わせプロセスを採用することもできる。ただし、前記真空成膜プロセスは物理/化学気相成長、真空蒸着、マグネトロンスパッタリング、イオンプレーティング、エピタキシャル成長などを含む。
具体的には、好ましい実施例において、堆積時間、堆積速度などの製造パラメータを正確に制御することにより、基材上に1層の粒子層を堆積し、該粒子層は複数の粒子を含み、複数の粒子が基材の表面上に分布し、且つ粒子の間隔がλ/8からλ/2に制御され、粒子の直径がλ/4より小さく、粒子の大きさが異なっていてもよい。ここで、λは第1の波長帯域の光の中心波長であり、λの取り得る値の範囲は100ナノメートル〜2000マイクロメートルである。
1層目の粒子層を製造した後、1層目の誘電体層を製造する。粒子間に隙間があるため、粒子間の空隙に1層目の誘電体層の材料が満たされることが理解できる。堆積時間、堆積速度などの製造パラメータを正確に制御することで、1層目の誘電体層を形成する。一般的に、誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、ここで、λは第2の波長帯域の光の中心波長であり、λの取り得る値の範囲は100ナノメートル〜2000マイクロメートルである。
本発明の実施例において、粒子の間隔の精度誤差は粒子の間隔の5%以下である。光学的厚さの精度誤差は光学的厚さの5%以下である。
1層目の誘電体層を製造した後、1層目の誘電体層に2層目の粒子層を堆積し続け、最終層の誘電体層又は粒子層が製造されるまでこのようにする。これにより、基材と、基材上に交互に設置された誘電体層及び粒子層と、からなる光学フィルムが製造される。
光学フィルムを製造する過程で、粒子の材料及び誘電体層の材料としては、いずれも酸化マグネシウム、酸化イットリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ガリウムヒ素、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、SiO、TiO、NbO、アルミナなどの複数の材質のうちの1種又は複数種を採用してもよい。粒子層の屈折率が誘電体層の屈折率より大きいか又は小さいことを満足すれば、列挙されていない他の材質を採用してもよく、具体的な材質はここでは限定されない。例えば、粒子層に酸化マグネシウムを採用する場合、粒子層の屈折率が誘電体層の屈折率より小さくなるように誘電体層に硫化亜鉛を採用してもよい。当然のことながら、粒子層に硫化亜鉛を採用することもでき、粒子層の屈折率が誘電体層の屈折率より大きくなるように誘電体層に酸化マグネシウムを採用する。また、異なる層の粒子層又は異なる層の誘電体層も異なる材料を採用することができ、例えば、粒子層において、一つの粒子層に酸化マグネシウムを採用し、他の一つの粒子層に酸化イットリウムを採用し、同様に、誘電体層において、一つの誘電体層に硫化亜鉛を採用し、他の一つの誘電体層にセレン化亜鉛を採用し、これにより粒子層の屈折率をいずれも誘電体層の屈折率より小さくする。粒子層及び誘電体層の具体的な材質は実際の必要に応じて選択することができ、ここでは具体的に限定されない。
なお、上述の製造方法は、光学フィルムの製造方法の1つにすぎず、他の実施例において、光学フィルムを他のステップで製造してもよい。例えば、基材に対して、堆積時間、堆積速度などの製造パラメータを制御することにより、基材上にまず1層の誘電体層を堆積し、1層目の誘電体層上に1層目の粒子層を堆積し、さらに1層目の粒子層上に2層目の誘電体層を堆積する。ここで、2層目の誘電体層が1層目の粒子層の粒子隙間を満たす。最終層の粒子層又は誘電体層が製造されるまでこのようにすることで、基材と、基材上に交互に設置された誘電体層及び粒子層と、からなる光学フィルムが製造される。
好ましい実施例における製造方法は、基材上に誘電体層及び粒子層を交互に製造することで光学フィルムを形成する。該方法は製造プロセスが簡単であり、本発明にて提供される光学フィルムを製造できる。該光学フィルムは、他の波長帯域の光波に影響を与えることなく、ある特定の波長帯域の光波を強く反射でき、狭帯域フィルタリングを実現することができる。
なお、以上述べた実施例は本発明の技術的解決手段を説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。上述の実施例を参照して本発明を詳細に説明したが、当業者は、上述の各実施例に記載された技術的解決手段を修正したり、一部の技術的特徴を均等なものに置換したりすることができる。これらの修正又は置換は、対応する技術的解決手段の本質を本発明の実施例の各実施例の技術的思想や範囲から逸脱させるものではないと理解するであろう。
(付記)
(付記1)
ある波長帯域の光を反射するための光学フィルムであって、
基材、前記基材上に交互に設置された誘電体層及び粒子層を含み、前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、λ及びλはそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長であることを特徴とする光学フィルム。
(付記2)
前記第1の波長帯域の光の中心波長λは第2の波長帯域の光の中心波長λに等しいことを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
(付記3)
前記基材と接触する層は前記粒子層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層であることを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
(付記4)
前記基材と接触する層は前記誘電体層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層であることを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
(付記5)
前記粒子の直径はλ/4より小さいことを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
(付記6)
前記第1の波長帯域の光の中心波長λ及び第2の波長帯域の光の中心波長λの取り得る値の範囲は100ナノメートル〜2000マイクロメートルであることを特徴とする付記5に記載の光学フィルム。
(付記7)
前記粒子及び前記誘電体層に使用される材料は酸化マグネシウム、酸化イットリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ガリウムヒ素、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、アルミナ、SiO、TiO及び/又はNbOを含むことを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
(付記8)
前記基材は金属基材、ガラス基材、石英基材、ゴム基材又はプラスチック基材を含むことを特徴とする付記1に記載の光学フィルム。
(付記9)
光学フィルムの製造方法であって、前記光学フィルムは、
基材と、
前記基材上に交互に製造された誘電体層及び粒子層と、を含み、
前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さく、ここで、λ及びλはそれぞれ第1の波長帯域の光の中心波長及び第2の波長帯域の光の中心波長であることを特徴とする光学フィルムの製造方法。
(付記10)
誘電体層及び粒子層を交互に製造するために採用される方法は、真空成膜プロセス、ゾル−ゲル薄膜成膜プロセス及び/又は自己組織化薄膜成膜プロセスを含み、前記真空成膜プロセスは物理/化学気相成長、真空蒸着、マグネトロンスパッタリング、イオンプレーティング、エピタキシャル成長を含み、前記粒子の間隔の精度誤差は前記粒子の間隔の5%以下であり、前記光学的厚さの精度誤差は前記光学的厚さの5%以下であることを特徴とする付記9に記載の光学フィルムの製造方法。

Claims (10)

  1. 中心波長がλ ある第1の波長帯域の光と、中心波長がλ である第2の波長帯域の光とを反射するための光学フィルムであって、
    基材、前記基材上に交互に設置された誘電体層及び粒子層を含み、前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さい、ことを特徴とする光学フィルム。
  2. 前記第1の波長帯域の光の中心波長λ前記第2の波長帯域の光の中心波長λに等しいことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
  3. 前記基材と接触する層は前記粒子層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層であることを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
  4. 前記基材と接触する層は前記誘電体層であり、前記基材から遠い最外層は前記粒子層又は前記誘電体層であることを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
  5. 前記粒子の直径はλ/4より小さいことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
  6. 前記第1の波長帯域の光の中心波長λ及び前記第2の波長帯域の光の中心波長λの取り得る値の範囲は100ナノメートル〜2000マイクロメートルであることを特徴とする請求項5に記載の光学フィルム。
  7. 前記粒子及び前記誘電体層に使用される材料は酸化マグネシウム、酸化イットリウム、硫化亜鉛、セレン化亜鉛、ガリウムヒ素、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、アルミナ、SiO、TiO及び/又はNbOを含むことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
  8. 前記基材は金属基材、ガラス基材、石英基材、ゴム基材又はプラスチック基材を含むことを特徴とする請求項1に記載の光学フィルム。
  9. 中心波長がλ である第1の波長帯域の光と、中心波長がλ である第2の波長帯域の光とを反射するための光学フィルムの製造方法であって、前記光学フィルムは、
    基材と、
    前記基材上に交互に製造された誘電体層及び粒子層と、を含み、
    前記粒子層は複数の粒子を含み、前記粒子の間隔の取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、前記誘電体層の光学的厚さの取り得る値の範囲はλ/8からλ/2であり、且つ前記粒子層の屈折率は前記誘電体層の屈折率より大きいか又は小さい、ことを特徴とする光学フィルムの製造方法。
  10. 誘電体層及び粒子層を交互に製造するために採用される方法は、真空成膜プロセス、ゾル−ゲル薄膜成膜プロセス及び/又は自己組織化薄膜成膜プロセスを含み、前記真空成膜プロセスは物理/化学気相成長、真空蒸着、マグネトロンスパッタリング、イオンプレーティング、エピタキシャル成長を含み、前記粒子の間隔の精度誤差は前記粒子の間隔の5%以下であり、前記光学的厚さの精度誤差は前記光学的厚さの5%以下であることを特徴とする請求項9に記載の光学フィルムの製造方法。
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