TW201504033A - 紅外線濾光元件 - Google Patents
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Abstract
一種紅外線濾光元件，包含一透明基底以及一紅外線濾除複層膜。紅外線濾除複層膜設置於透明基底上，且紅外線濾除複層膜包含複數個第一介電質層及複數個銀金屬層。第一介電質層與銀金屬層彼此交錯堆疊，且第一介電質層的材質為氮化物。當滿足特定條件時，紅外線濾光元件可有效改善影像周邊產生色偏的問題。
Description
本發明是有關於一種濾光元件，且特別是有關於一種濾除紅外線的濾光元件。
一般光學影像系統是由物側端的鏡片組與像側端的電子感光元件所構成，由於電子感光元件會對紅外光產生響應，因此容易造成色彩失真，而藉由紅外線濾光元件的配置，可使影像得以呈現人眼所見的真實色彩。習用的紅外線濾光元件可分為干涉型與吸收型，其中干涉型的紅外線濾光元件是利用光波的干涉來過濾特定波長的光線，其是由高折射率材質(如TiO2、Ta2O5、Nb2O5等)與低折射率材質(如SiO2、MgF2等)所形成的薄膜在特定層數與膜厚下堆疊而成。至於吸收型的紅外線濾光元件，例如是藍玻璃，則是利用玻璃內具有吸收紅外光特性的化學物質，來達到隔絕紅外光的效果。
近年來，應用於電子產品的光學影像系統不斷地朝輕薄及廣視角等方向發展，光學影像系統的總光程(Total track)因此必須縮短，而主光線角(Chief ray angle)也必須變大。其中吸收型的紅外線濾光元件，由於價格較高、材
質耐候性不佳且薄型化後的吸收效果有限，因此逐漸不適用於日趨輕薄的產品中。而干涉型紅外線濾光元件則是在主光線角變大時，易使影像周邊產生明顯的色偏(Color shift)。另一方面，基於總光程縮短的需求，紅外線濾光元件的厚度逐漸薄型化，當干涉型紅外線濾光元件的膜層堆疊層數較多時，容易因應力分布不均而導致元件翹曲(Warpage)，更容易因微粒汙染而造成明顯的影像瑕疵。
因此，本發明之一態樣是在提供一種紅外線濾光元件，可有效減緩影像周邊的色偏現象、避免翹曲的發生並提升影像品質。
依據本發明之一實施方式，提出一種紅外線濾光元件，包含一透明基底以及一紅外線濾除複層膜。紅外線濾除複層膜設置於透明基底上，且紅外線濾除複層膜包含複數個第一介電質層及複數個銀金屬層。第一介電質層與銀金屬層彼此交錯堆疊，且第一介電質層的材質為氮化物。其中，紅外線濾除複層膜的總層數為TL，紅外線濾除複層膜的總厚度為TT，而銀金屬層的總層數為AgL，且滿足下列條件：6TL42；100nmTT4000nm；以及3AgL21。
第一介電質層與銀金屬層交錯堆疊且第一介電質層的材質為氮化物，藉此在鍍膜的製程中，可避免銀金屬層因氧化而導致反射率下降，使紅外線濾光元件能有效減緩紅光衰減以改善色偏的問題。
當TL滿足上述條件時，因紅外線濾除複層膜的總層數較少，可減輕微粒汙染造成影像瑕疵的問題。
當TT滿足上述條件時，因紅外線濾除複層膜的總厚度較薄，可平衡應力分布而避免紅外線濾光元件翹曲。
當AgL滿足上述條件時，可有效控制製鍍成本與加強色偏修正。
100、200、300、400、500、600、700‧‧‧紅外線濾光元件
110、210、310、410、510、610、710‧‧‧透明基底
120、220、320、420、520、620、720‧‧‧紅外線濾除複層膜
121、221、321、421、521、621、721‧‧‧第一介電質層
122、222、322、422、522、622、722‧‧‧銀金屬層
323、423、523、623、723‧‧‧第二介電質層
第1圖係繪示依照本發明第一實施例的一種紅外線濾光元件的示意圖。
第2圖係繪示依照本發明第二實施例的一種紅外線濾光元件的示意圖。
第3圖係繪示依照本發明第三實施例的一種紅外線濾光元件的示意圖。
第4圖係繪示依照本發明第四實施例的一種紅外線濾光元件的示意圖。
第5圖係繪示依照本發明第五實施例的一種紅外線濾光元件的示意圖。
第6圖係繪示依照本發明第六實施例的一種紅外線濾光元件的示意圖。
第7圖係繪示依照本發明第七實施例的一種紅外線濾光元件的示意圖。
第8圖係本發明第一實施例的紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
第9圖係本發明第二實施例的紅外線濾光元件的穿透響應
光譜。
第10圖係本發明第三實施例的一紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
第11圖係本發明第三實施例的另一紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
第12圖係本發明第三實施例的又一紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
第13圖係本發明第四實施例的紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
第14圖係本發明第五實施例的紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
第15圖係本發明第六實施例的紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
第16圖係本發明第七實施例的紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
第17圖係比較例之紅外線濾光元件的穿透響應光譜。
一種紅外線濾光元件，包含一透明基底以及一紅外線濾除複層膜。紅外線濾除複層膜設置於透明基底上，且紅外線濾除複層膜包含複數個第一介電質層及複數個銀金屬層。第一介電質層與銀金屬層彼此交錯堆疊，且第一介電質層的材質為氮化物。其中，紅外線濾除複層膜的總層數為TL，紅外線濾除複層膜的總厚度為TT，而銀金屬層的總層數為AgL，且滿足下列條件：6TL42；
100nmTT4000nm；以及3AgL21。
第一介電質層與銀金屬層交錯堆疊且第一介電質層的材質為氮化物，藉此在鍍膜的製程中，可避免銀金屬層因氧化而導致反射率下降，使紅外線濾光元件能有效減緩紅光衰減以改善色偏的問題。
當滿足6TL42條件時，因紅外線濾除複層膜的總層數較少，可減輕微粒汙染造成影像瑕疵的問題。
當滿足100nmTT4000nm條件時，因紅外線濾除複層膜的總厚度較薄，可平衡應力分布而避免紅外線濾光元件翹曲。較佳地，可滿足下列條件：100nmTT2000nm。
當滿足3AgL21條件時，可有效控制製鍍成本與加強色偏修正。
第一介電質層的材質可為氮化矽(Silicon Nitride，SixNy)、氮化鋁(Aluminium Nitride，AlN)或氮化鎵(Gallium Nitride，GaN)。其中，第一介電質層的總層數為DLA，且滿足下列條件：3DLA。藉此，可避免銀金屬層因氧化而導致反射率下降的問題。
紅外線濾除複層膜可更包含至少一第二介電質層，第二介電質層與銀金屬層彼此不相鄰，且第二介電質層的材質可為金屬氧化物。其中，第一介電質層的總層數為DLA，第二介電質層的總層數為DLB，且滿足下列條件：5DLA以及1DLB。藉此，可有效節省製鍍成本，並提升耐磨性與硬度。
透明基底的材質可為塑膠或玻璃，當透明基底的材
質為塑膠時，不僅可有效降低製作成本，且紅外線濾除複層膜更可製鍍於具屈折力的塑膠光學鏡片上，以加強紅外光濾除與色偏修正的效果。
在554nm至700nm之波段範圍，紅外線濾光元件的衰減率為D，且滿足下列條件：1%D30%。藉此，可有效改善色偏的問題。較佳地，可滿足下列條件：1%D20%。
本發明所述的紅外線濾光元件可為紅外線濾光片，而所述的穿透響應值係指特定波段的光線通過紅外線濾光元件的穿透率與感光元件相對響應值相乘後的總和，且所述的衰減率係指特定波段的光線因主光線角的角度不同而在穿透響應值上產生的變化。
穿透響應值的算式如下：
其中，TR為穿透響應值(Transmittance Response Value)，m為起始波長，n為結束波長，且m、n皆為整數，X為穿透率(Transmittance)，Y為感光元件相對響應值(Relative Response)。
衰減率的算式如下：
其中，D為衰減率(Decrement)，TR1為主光線角為0度時的穿透響應值，TR2為主光線角為40度時的穿透響應值。
本技術領域的通常知識者應當理解，前述的衰減率可視同是紅外線濾光元件的衰減率。
此外，所謂第二介電質層與銀金屬層彼此不相鄰，具體而言，係指第二介電質層可設置在兩個第一介電質層間，或者可設置在透明基底與第一介電質層間，又或者可設置在空氣與第一介電質層間。
另一方面，當第二介電質層的總層數大於1時，各第二介電質層的材質並不以相同為限，且第二介電質層亦可相互堆疊，只要第二介電質層與銀金屬層不相鄰即可。另外，設置於透明基底上的紅外線濾除複層膜中的各層，可藉由任何適用的習知鍍膜技術完成，例如是蒸鍍、濺鍍等。根據上述實施方式，以下提出具體實施例並配合圖式予以詳細說明。
請參照第1圖，其繪示依照本發明第一實施例的一種紅外線濾光元件100的示意圖。如圖所示，紅外線濾光元件100包含一透明基底110以及一紅外線濾除複層膜120。紅外線濾除複層膜120包含三個第一介電質層121及三個銀金屬層122，而三個第一介電質層121與三個銀金屬層122彼此交錯堆疊，且紅外線濾除複層膜120係以銀金屬層122為接觸面而設置於透明基底110上。
在本實施例中，第一介電質層121的材質為一氮化矽(silicon mononitride，SiN)，但並不以此為限，第一介電質層121的材質亦可為氮化鋁、氮化鎵或其他氮化程度不同的氮化矽。以圖觀之，紅外線濾除複層膜120中的各層自透明基底110向上分別以編號1至6排序，而紅外線濾除複
層膜120的各層材質與厚度如下表一所示。此外，紅外線濾光元件100於不同主光線角的穿透響應值及衰減率如下表二所示。
由表一可知，紅外線濾光元件100的紅外線濾除複層膜120的總厚度為220.2nm。請一併參照第8圖，其為紅外線濾光元件100的穿透響應光譜，圖中的斜線區塊即示意不同主光線角在紅光波段的衰減幅度。
請參照第2圖，其繪示依照本發明第二實施例的一種紅外線濾光元件200的示意圖。如圖所示，紅外線濾光元件200包含一透明基底210以及一紅外線濾除複層膜220。
紅外線濾除複層膜220包含四個第一介電質層221及三個銀金屬層222，而四個第一介電質層221與三個銀金屬層222彼此交錯堆疊，且紅外線濾除複層膜220係以第一介電質層221為接觸面而設置於透明基底210上。
在本實施例中，第一介電質層221的材質為SiN，但並不以此為限，第一介電質層221的材質亦可為氮化鋁、氮化鎵或其他氮化程度不同的氮化矽。以圖觀之，紅外線濾除複層膜220中的各層自透明基底210向上分別以編號1至7排序，而紅外線濾除複層膜220的各層材質與厚度如下表三所示。此外，紅外線濾光元件200於不同主光線角的穿透響應值及衰減率如下表四所示。
由表三可知，紅外線濾光元件200的紅外線濾除複
層膜220的總厚度為268nm。請一併參照第9圖，其為紅外線濾光元件200的穿透響應光譜，圖中的斜線區塊即示意不同主光線角在紅光波段的衰減幅度。
請參照第3圖，其繪示依照本發明第三實施例的一種紅外線濾光元件300的示意圖。如圖所示，紅外線濾光元件300包含一透明基底310以及一紅外線濾除複層膜320。紅外線濾除複層膜320包含四個第一介電質層321、三個銀金屬層322及一個第二介電質層323。其中，四個第一介電質層321與三個銀金屬層322彼此交錯堆疊，而第二介電質層323與銀金屬層322彼此不相鄰，且紅外線濾除複層膜320係以第一介電質層321為接觸面而設置於透明基底310上。更具體而言，第二介電質層323係設置在空氣與第一介電質層321間。
在本實施例中，第一介電質層321的材質可為SiN、AlN或GaN，而第二介電質層323的材質為SiO2，但並不以此為限，第一介電質層321的材質亦可為其他氮化程度不同的氮化矽，而第二介電質層323的材質亦可為Nb2O5、Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO或氧化鈦(Titanium Oxides，TixOy)。以圖觀之，紅外線濾除複層膜320中的各層自透明基底310向上分別以編號1至8排序，而紅外線濾除複層膜320的各層材質與厚度如下表五所示。此外，對於紅外線濾除複層膜320的第一介電質層321的材質分別為SiN、AlN及GaN的紅外線濾光元件300而言，不同主光線角的穿透響應值及衰減率如下表六所示。
由表五可知，第一介電質層321的材質分別為SiN、AlN及GaN的各紅外線濾光元件300的紅外線濾除複層膜320的總厚度分別為286.5nm、277.9nm及257.3nm。請一併參照第10至12圖，其為第一介電質層321的材質分別為SiN、AlN及GaN的各紅外線濾光元件300的穿透響應光譜。各圖中的斜線區塊即示意不同主光線角在紅光波段的衰
減幅度。
請參照第4圖，其繪示依照本發明第四實施例的一種紅外線濾光元件400的示意圖。如圖所示，紅外線濾光元件400包含一透明基底410以及一紅外線濾除複層膜420。紅外線濾除複層膜420包含五個第一介電質層421、三個銀金屬層422及兩個第二介電質層423。其中，第一介電質層421與銀金屬層422彼此交錯堆疊，而第二介電質層423與銀金屬層422彼此不相鄰，且紅外線濾除複層膜420係以銀金屬層422為接觸面而設置於透明基底410上。更具體而言，第二介電質層423係設置在任兩個第一介電質層421間。
在本實施例中，第一介電質層421的材質為SiN，而第二介電質層423的材質為Nb2O5，但並不以此為限，第一介電質層421的材質亦可為氮化鋁、氮化鎵或其他氮化程度不同的氮化矽，而第二介電質層423的材質亦可為Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO、SiO2或氧化鈦。以圖觀之，紅外線濾除複層膜420中的各層自透明基底410向上分別以編號1至10排序，而紅外線濾除複層膜420的各層材質與厚度如下表七所示。此外，紅外線濾光元件400於不同主光線角的穿透響應值及衰減率如下表八所示。
由表七可知，紅外線濾光元件400的紅外線濾除複層膜420的總厚度為207.1nm。請一併參照第13圖，其為紅外線濾光元件400的穿透響應光譜，圖中的斜線區塊即示意不同主光線角在紅光波段的衰減幅度。
請參照第5圖，其繪示依照本發明第五實施例的一種紅外線濾光元件500的示意圖。如圖所示，紅外線濾光元件500包含一透明基底510以及一紅外線濾除複層膜520。紅外線濾除複層膜520包含六個第一介電質層521、三個銀金屬層522及兩個第二介電質層523。其中，第一介電質層521與銀金屬層522彼此交錯堆疊，而第二介電質層523與銀金屬層522彼此不相鄰，且紅外線濾除複層膜520係以第一介電質層521為接觸面而設置於透明基底510上。更具體
而言，第二介電質層523係設置在任兩個第一介電質層521間。
在本實施例中，第一介電質層521的材質為SiN，而第二介電質層523的材質為Nb2O5，但並不以此為限，第一介電質層521的材質亦可為氮化鋁、氮化鎵或其他氮化程度不同的氮化矽，而第二介電質層523的材質亦可為Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO、SiO2或氧化鈦。以圖觀之，紅外線濾除複層膜520中的各層自透明基底510向上分別以編號1至11排序，而紅外線濾除複層膜520的各層材質與厚度如下表九所示。此外，紅外線濾光元件500於不同主光線角的穿透響應值及衰減率如下表十所示。
由表九可知，紅外線濾光元件500的紅外線濾除複層膜520的總厚度為254.9nm。請一併參照第14圖，其為紅外線濾光元件500的穿透響應光譜，圖中的斜線區塊即示意不同主光線角在紅光波段的衰減幅度。
請參照第6圖，其繪示依照本發明第六實施例的一種紅外線濾光元件600的示意圖。如圖所示，紅外線濾光元件600包含一透明基底610以及一紅外線濾除複層膜620。紅外線濾除複層膜620包含六個第一介電質層621、三個銀金屬層622及三個第二介電質層623。其中，第一介電質層621與銀金屬層622彼此交錯堆疊，第二介電質層623與銀金屬層622彼此不相鄰，且紅外線濾除複層膜620係以第一介電質層621為接觸面而設置於透明基底610上。更具體而言，其中一個第二介電質層623設置在空氣與第一介電質層621間，其餘的第二介電質層623則分別設置在任兩個第一介電質層621間。其中，設置在空氣與第一介電質層621間的第二介電質層623的材質不同於設置在任兩個第一介電質層621間的第二介電質層623的材質。
在本實施例中，第一介電質層621的材質為SiN，設置在空氣與第一介電質層621間的第二介電質層623的材質為SiO2，而設置在任兩個第一介電質層621間的第二介電質層623的材質則皆為Nb2O5，但並不以此為限，第一介電質層621的材質亦可為氮化鋁、氮化鎵或其他氮化程度不
同的氮化矽，而第二介電質層623的材質亦可為Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO或氧化鈦。紅外線濾除複層膜620中的各層自透明基底610向上分別以編號1至12排序，而紅外線濾除複層膜620的各層材質與厚度如下表十一所示。此外，紅外線濾光元件600於不同主光線角的穿透響應值及衰減率如下表十二所示。
由表十一可知，紅外線濾光元件600的紅外線濾除複層膜620的總厚度為281.7nm。請一併參照第15圖，其為紅外線濾光元件600的穿透響應光譜，圖中的斜線區塊即
示意不同主光線角在紅光波段的衰減幅度。
請參照第7圖，其繪示依照本發明第七實施例的一種紅外線濾光元件700的示意圖。如圖所示，紅外線濾光元件700包含一透明基底710以及一紅外線濾除複層膜720。紅外線濾除複層膜720包含六個第一介電質層721、三個銀金屬層722及五個第二介電質層723。其中，第一介電質層721與銀金屬層722彼此交錯堆疊，第二介電質層723與銀金屬層722彼此不相鄰，且紅外線濾除複層膜720係以第二介電質層723為接觸面而設置於透明基底710上。更具體而言，其中一個第二介電質層723設置在透明基底710與第一介電質層721間，其中另外兩個第二介電質層723則相互堆疊並設置在空氣與第一介電質層721間且其材質互不相同，其餘的第二介電質層723則分別設置在任兩個第一介電質層721間。
在本實施例中，第一介電質層721的材質為SiN，第二介電質層723設置在空氣與第一介電質層721間且與空氣接觸的材質為SiO2，而其餘的第二介電質層723的材質皆為Nb2O5，但並不以此為限，第一介電質層721的材質亦可為氮化鋁、氮化鎵或其他氮化程度不同的氮化矽，第二介電質層723的材質亦可為Ta2O5、ZrO2、Y2O3、CeO2、Al2O3、ZnO或氧化鈦。紅外線濾除複層膜720中的各層自透明基底710向上分別以編號1至14排序，而紅外線濾除複層膜720的各層材質與厚度如下表十三所示。此外，紅外線濾光元件700於不同主光線角的穿透響應值及衰減率如下表十四所
示。
由表十三可知，紅外線濾光元件700的紅外線濾除複層膜720的總厚度為262nm。請一併參照第16圖，其為紅外線濾光元件700的穿透響應光譜，圖中的斜線區塊即示意不同主光線角在紅光波段的衰減幅度。
在本發明其他實施例中，紅外線濾除複層膜可以是多個重覆單元的組合，且重覆單元的個數可依需求調整。所
謂重覆單元，以前述第一實施例為例，當中編號1至6的膜層配置即可視為是1個重覆單元，當紅外線濾除複層膜是7個重覆單元的組合時，即表示紅外線濾除複層膜的總層數為42，而此時銀金屬層的總層數為21。同理，前述第二至七之實施例中，各實施例的膜層配置亦可依需求重覆配置與調整。
用以進行比較之紅外線濾光元件，為透明基底上設置有兩種介電質層交互堆疊之層狀結構，而交互堆疊之層狀結構總計共44層，而層狀結構中的各層自透明基底向上分別以編號1至44排序，其各層材質與厚度如下表十五所示。此外，比較例之紅外線濾光元件於不同主光線角的穿透響應值及衰減率如下表十六所示。
由表十五可知，比較例之紅外線濾光元件的層狀結構的總厚度高達5181.6nm。請一併參照第17圖，其為比較例之紅外線濾光元件的穿透響應光譜，圖中的斜線區塊即示意不同主光線角在紅光波段的衰減幅度。
由表十六以及第17圖可知，比較例之紅外線濾光元件相對於0度與40度之主光線角，在藍光與綠光的衰減率分別約5%與10%，而紅光(尤指554nm至700nm之波段範圍)的衰減率更是高達約65%。反觀本發明上述實施例之各紅外線濾光元件，在相同測試條件下，藍光與綠光的衰減率分別僅0.78%~1.75%與2.38~3.29%，而紅光的衰減率更是僅有約11%~16%左右，因此可有效改善影像周邊產生色偏的問題。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和
範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
400‧‧‧紅外線濾光元件
410‧‧‧透明基底
420‧‧‧紅外線濾除複層膜
421‧‧‧第一介電質層
422‧‧‧銀金屬層
423‧‧‧第二介電質層
Claims (19)
- 一種紅外線濾光元件，包含：一透明基底；以及一紅外線濾除複層膜，設置於該透明基底上，該紅外線濾除複層膜包含：複數個第一介電質層；及複數個銀金屬層；其中，該些第一介電質層與該些銀金屬層彼此交錯堆疊，該些第一介電質層的材質為氮化物；其中，該紅外線濾除複層膜的總層數為TL，該紅外線濾除複層膜的總厚度為TT，該些銀金屬層的總層數為AgL，且滿足下列條件：6TL42；100nmTT4000nm；以及3AgL21。
- 如請求項1之紅外線濾光元件，其中該些第一介電質層的材質為氮化矽，該些第一介電質層的總層數為DLA，且滿足下列條件：3DLA。
- 如請求項2之紅外線濾光元件，其中該紅外線濾除複層膜更包含：至少一第二介電質層，該第二介電質層與該些銀金屬層彼此不相鄰，該第二介電質層的材質為金屬氧化物；其中，該些第一介電質層的總層數為DLA，該第二介 電質層的總層數為DLB，且滿足下列條件：5DLA；以及1DLB。
- 如請求項3之紅外線濾光元件，其中該透明基底的材質為塑膠。
- 如請求項2之紅外線濾光元件，其中該紅外線濾除複層膜的總厚度為TT，且滿足下列條件：100nmTT2000nm。
- 如請求項2之紅外線濾光元件，其中在554nm至700nm之波段範圍，該紅外線濾光元件的衰減率為D，且滿足下列條件：1%D30%。
- 如請求項6之紅外線濾光元件，其中在554nm至700nm之波段範圍，該紅外線濾光元件的衰減率為D，且滿足下列條件：1%D20%。
- 如請求項1之紅外線濾光元件，其中該些第一介電質層的材質為氮化鋁，該些第一介電質層的總層數為DLA，且滿足下列條件：3DLA。
- 如請求項8之紅外線濾光元件，其中該紅外線濾除複層膜更包含：至少一第二介電質層，該第二介電質層與該些銀金屬層彼此不相鄰，該第二介電質層的材質為金屬氧化物；其中，該些第一介電質層的總層數為DLA，該第二介電質層的總層數為DLB，且滿足下列條件：5DLA；以及1DLB。
- 如請求項9之紅外線濾光元件，其中該透明基底的材質為塑膠。
- 如請求項8之紅外線濾光元件，其中該紅外線濾除複層膜的總厚度為TT，且滿足下列條件：100nmTT2000nm。
- 如請求項8之紅外線濾光元件，其中在554nm至700nm之波段範圍，該紅外線濾光元件的衰減率為D，且滿足下列條件：1%D30%。
- 如請求項12之紅外線濾光元件，其中在554nm至700nm之波段範圍，該紅外線濾光元件的衰減率為D，且滿足下列條件：1%D20%。
- 如請求項1之紅外線濾光元件，其中該些第一介電質層的材質為氮化鎵，該些第一介電質層的總層數為DLA，且滿足下列條件：3DLA。
- 如請求項14之紅外線濾光元件，其中該紅外線濾除複層膜更包含：至少一第二介電質層，該第二介電質層的材質為金屬氧化物，該第二介電質層與該些銀金屬層彼此不相鄰；其中，該些第一介電質層的總層數為DLA，該第二介電質層的總層數為DLB，且滿足下列條件：5DLA；以及1DLB。
- 如請求項15之紅外線濾光元件，其中該透明基底的材質為塑膠。
- 如請求項14之紅外線濾光元件，其中該紅外線濾除複層膜的總厚度為TT，且滿足下列條件：100nmTT2000nm。
- 如請求項14之紅外線濾光元件，其中在554nm至700nm之波段範圍，該紅外線濾光元件的衰減率為D，且滿足下列條件：1%D30%。
- 如請求項18之紅外線濾光元件，其中在554nm至700nm之波段範圍，該紅外線濾光元件的衰減率為D，且滿足下列條件：1%D20%。
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