TWI726317B - 熱源反射元件及其製作方法 - Google Patents

熱源反射元件及其製作方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI726317B
TWI726317B TW108115840A TW108115840A TWI726317B TW I726317 B TWI726317 B TW I726317B TW 108115840 A TW108115840 A TW 108115840A TW 108115840 A TW108115840 A TW 108115840A TW I726317 B TWI726317 B TW I726317B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
heat source
layer
source reflection
reflection layer
reflection
Prior art date
Application number
TW108115840A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202041368A (zh
Inventor
陳雅齡
Original Assignee
陳雅齡
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 陳雅齡 filed Critical 陳雅齡
Priority to TW108115840A priority Critical patent/TWI726317B/zh
Publication of TW202041368A publication Critical patent/TW202041368A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI726317B publication Critical patent/TWI726317B/zh

Links

Images

Landscapes

  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Optical Filters (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

一種熱源反射元件，透過形成厚度彼此相異之熱源反射組，使本發明對於近紅外光熱源之反射率大為提升，並可將本發明應用於半導體相關設備元件以提升其壽命與效能。

Description

熱源反射元件及其製作方法
本發明關於一種透過形成厚度彼此相異之熱源反射組，而使其對於近紅外光熱源之反射率大為提升之熱源反射元件及其製作方法。
半導體設備由於其高輸出功率而需較佳的散熱元件或模組來散熱，因此，如何導熱出去成為一個重要的問題。導熱勢必需要熱源反射元件的協助，一般的熱源反射元件由金屬薄膜和氧化物薄膜所組成，但其對於近紅外光的熱源之反射率並未如預期，如何提升熱源反射元件對於近紅外光的反射率，遂成為待解決的問題。
綜觀前所述，本發明之發明者思索並設計一種熱源反射元件，以期針對習知技術之缺失加以改善，進而增進產業上之實施利用。
有鑑於上述習知之問題，本發明的目的在於提供一種熱源反射元件及其製作方法，用以解決習知技術中所面臨之問題。
基於上述目的，本發明提供一種熱源反射元件，其包括基板、金屬反射層、保護層以及至少一熱源反射組。金屬反射層設置於基板上，保護層設置於金屬反射層上。至少一熱源反射組設置於保護層上，且各熱源反射組包括第一熱源反射層和設置於第一熱源反射層上的第二熱源反射層，第一熱源反 射層的折射率大於第二熱源反射層的折射率。透過形成多組或單組熱源反射組，使本發明對於近紅外光熱源之反射率大為提升，並可將本發明應用於半導體相關設備元件以提升其壽命與效能。
較佳地，第一熱源反射層和第二熱源反射層之厚度彼此相異。
較佳地，第二熱源反射層之厚度大於第一熱源反射層之厚度。
較佳地，較靠近金屬反射層之熱源反射組之第二熱源反射層和第一熱源反射層之厚度比例小於較遠離金屬反射層之熱源反射組之第二熱源反射層和第一熱源反射層之厚度比例。
較佳地，基板為金屬基板。
基於上述目的，本發明提供一種熱源反射元件，其包括基板、金屬反射層、至少一個介電堆疊以及頂蓋層。金屬反射層設置於基板上，頂蓋層設置於金屬反射層上。各介電堆疊設置於金屬反射層和頂蓋層之間，各介電堆疊包括第一介電層和設置於第一介電層上的第二介電層，第一介電層的折射率小於第二介電層的折射率。
較佳地，第一介電層和第二介電層之厚度彼此相異。
較佳地，第一介電層的厚度大於第二介電層的厚度。
較佳地，較靠近金屬反射層之介電堆疊之第一介電層和第二介電層之厚度比例小於較遠離金屬反射層之介電堆疊之第一介電層和第二介電層之厚度比例。
較佳地，基板為金屬基板。
基於上述目的，本發明提供一種熱源反射元件之製作方法，其包括：(1)提供基板。(2)形成金屬反射層於基板上。(3)形成保護層於金屬反射層 上。(4)形成至少一組熱源反射組於保護層上，而各熱源反射組包括第一熱源反射層和設置於第一熱源反射層上的第二熱源反射層，第一熱源反射層的折射率和第二熱源反射層的折射率相異。
較佳地，第一熱源反射層和第二熱源反射層之厚度彼此相異。
較佳地，第二熱源反射層之厚度大於第一熱源反射層之厚度。
較佳地，較靠近金屬反射層之熱源反射組之第二熱源反射層和第一熱源反射層之厚度比例小於較遠離金屬反射層之熱源反射組之第二熱源反射層和第一熱源反射層之厚度比例。
較佳地，基板為金屬基板。
承上所述，本發明之熱源反射元件及其製作方法，透過形成厚度彼此相異之熱源反射組，使本發明對於近紅外光熱源之反射率大為提升，並可將本發明應用於半導體相關設備元件以提升其壽命與效能。
10:基板
20:金屬反射層
30:保護層
40:熱源反射組
40-1:第一熱源反射組
40-2:第二熱源反射組
40-3:第三熱源反射組
40-4:第四熱源反射組
41:第一熱源反射層
42:第二熱源反射層
50:介電堆疊
51:第一介電層
52:第二介電層
60:頂蓋層
S11~S14:步驟
第1圖為本發明之熱源反射元件之第一實施例的結構圖。
第2圖為本發明之熱源反射元件之第二實施例的結構圖。
第3圖為本發明之熱源反射元件之第二實施例之反射光譜圖。
第4圖為本發明之熱源反射元件之比較例之反射光譜圖。
第5圖為本發明之熱源反射元件之第三實施例的結構圖。
第6圖為本發明之熱源反射元件之第四實施例的結構圖。
第7圖為本發明之熱源反射元件之製作方法的流程圖。
本發明之優點、特徵以及達到之技術方法將參照例示性實施例及所附圖式進行更詳細地描述而更容易理解，且本發明可以不同形式來實現，故不應被理解僅限於此處所陳述的實施例，相反地，對所屬技術領域具有通常知識者而言，所提供的實施例將使本揭露更加透徹與全面且完整地傳達本發明的範疇，且本發明將僅為所附加的申請專利範圍所定義。
應當理解的是，儘管術語「第一」、「第二」等在本發明中可用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、層及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層及/或部分與另一個元件、部件、區域、層及/或部分區分開。因此，下文討論的「第一元件」、「第一部件」、「第一區域」、「第一層」及/或「第一部分」可以被稱為「第二元件」、「第二部件」、「第二區域」、「第二層」及/或「第二部分」，而不悖離本發明的精神和教示。
另外，術語「包括」及/或「包含」指所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件及/或部件的存在，但不排除一個或多個其他特徵、區域、整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。
除非另有定義，本發明所使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬技術領域的普通技術人員通常理解的相同含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的定義，並且將不被解釋為理想化或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
請參閱第1圖，其為本發明之熱源反射元件之結構圖。如第1圖所示，本發明之熱源反射元件，其包括基板10、金屬反射層20、保護層30以及至少一組熱源反射組40。金屬反射層20設置於基板10上。保護層30設置於金屬反 射層20上，以保護金屬反射層20並增加本發明之近紅外光熱源反射之效能；較佳地，保護層30的厚度為介於110nm和400nm間。至少一組熱源反射組40設置於保護層30上，且各熱源反射組40包括第一熱源反射層41和設置於第一熱源反射層41上的第二熱源反射層42，各熱源反射組40的厚度可彼此相同或相異，第一熱源反射層41的折射率大於第二熱源反射層42的折射率；舉例來說，第一熱源反射層41的折射率為介於1.51至4之間，第二熱源反射層42的折射率為介於0.9至1.9之間，當然第一熱源反射層41和第二熱源反射層42的折射率也可為其他較佳數值，而未侷限於本發明所列舉的範圍。透過形成單組或多組熱源反射組40，使本發明對於近紅外光熱源之反射率大為提升，並可將本發明應用於半導體相關設備元件以提升其壽命與效能。
值得一提的是，第一熱源反射層41和第二熱源反射層42之厚度彼此相異，且第二熱源反射層42之厚度大於第一熱源反射層41之厚度，從而增加本發明對於近紅外光熱源之反射率；舉例來說，第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例為介於1.01比1和10比1之間，第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例當然也可為其他較佳比例，而非侷限於本發明所列舉的範圍。
再者，較靠近金屬反射層20之熱源反射組40之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例小於較遠離金屬反射層20之熱源反射組40之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例，亦即，較為底層之熱源反射組40之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例小於較為頂層之熱源反射組40之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例。
請參閱第2圖及第3圖，其為本發明之熱源反射元件之第二實施例的結構圖及本發明之熱源反射元件之第二實施例之反射光譜圖；於本實施例中，相同元件符號之元件，其配置與前述類似，其類似處於此便不再加以贅述。如第2圖所示，複數組熱源反射組40的數目為4個及分別為第一熱源反射組40-1、第二熱源反射組40-2、第三熱源反射組40-3以及第四熱源反射組40-4，第一熱源反射組40-1設置於保護層30上，第二熱源反射組40-2設置於第一熱源反射組40-1上，第三熱源反射組40-3設置於第二熱源反射組40-2上，第四熱源反射組40-4設置於第三熱源反射組40-3上，第一熱源反射組40-1、第二熱源反射組40-2、第三熱源反射組40-3以及第四熱源反射組40-4之第一熱源反射層41和第二熱源反射層42分別由二氧化鈦(TiO2)和二氧化矽(SiO2)組成。
其中，第一熱源反射組40-1的之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例為介於1.01比1和2比1之間，第二熱源反射組40-2的之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例為介於1.05比1和3.5比1之間，第三熱源反射組40-3的之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例為介於1.05比1和3.5比1之間，第四熱源反射組40-4的之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例為介於1.05比1和5比1之間，熱源反射組40的之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例也可為其他較佳比例，而未侷限於本發明所列舉的範圍。
請參閱第2圖和第4圖，其為本發明之熱源反射元件之第二實施例的結構圖以及本發明之熱源反射元件之比較例之反射光譜圖。於比較例中，複數組熱源反射組40的數目為4個及分別為第一熱源反射組40-1、第二熱源反射組40-2、第三熱源反射組40-3以及第四熱源反射組40-4，第一熱源反射組40-1設置於保護層30上，第二熱源反射組40-2設置於第一熱源反射組40-1上，第三熱源反射組40-3設置於第二熱源反射組40-2上，第四熱源反射組40-4設置於第三熱源反 射組40-3上，第一熱源反射組40-1、第二熱源反射組40-2、第三熱源反射組40-3以及第四熱源反射組40-4之第一熱源反射層41和第二熱源反射層42分別由二氧化鈦(TiO2)和二氧化矽(SiO2)組成，第一熱源反射組40-1至第四熱源反射組40-4之第一熱源反射層41和第二熱源反射層42厚度相同。於比較例中，相同元件符號之元件，其配置與本發明之第二實施例類似，其類似處於此便不再加以贅述。
如第3圖所示，本發明之熱源反射元件之第二實施例於紅外光波段(750nm-1400nm)之反射率皆高於90%；如第4圖所示，本發明之熱源反射元件之比較例於紅外光波段(750nm-1400nm)之反射率高低起伏，而其非在紅外光波段皆高於90%。因此，第3圖和第4圖相較之下，本發明之第二實施例於紅外光波段的反射率較佳，而能將本發明應用於半導體相關設備元件以提升其壽命與效能。
請參閱第5圖，其為本發明之熱源反射元件之第三實施例的結構圖；於本實施例中，相同元件符號之元件，其配置與前述類似，其類似處於此便不再加以贅述。如第5圖所示，複數組熱源反射組40的數目為4個及分別為第一熱源反射組40-1、第二熱源反射組40-2、第三熱源反射組40-3以及第四熱源反射組40-4，第一熱源反射組40-1設置於保護層30上，第二熱源反射組40-2設置於第一熱源反射組40-1上，第三熱源反射組40-3設置於第二熱源反射組40-2上，第四熱源反射組40-4設置於第三熱源反射組40-3上，第一熱源反射組40-1、第二熱源反射組40-2、第三熱源反射組40-3以及第四熱源反射組40-4之第一熱源反射層41和第二熱源反射層42分別由氧化鋁(Al2O3)和二氧化矽(SiO2)組成。
雖然氧化鋁和二氧化矽的折射率差異不大，但氧化鋁於近紅外光波段之折射率仍大於二氧化矽的折射率，因此，仍可利用氧化鋁和二氧化矽組成熱源反射組40，第一熱源反射組40-1至第四熱源反射組40-4之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例乃因其氧化鋁和二氧化矽的組成，而使本發 明之第三實施例之各熱源反射組40之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例和第二實施例所述之各熱源反射組40之第二熱源反射層42和第一熱源反射層41之厚度比例相異，但其仍落於1.01比1和10比1之間。
如第6圖所示，其為本發明之熱源反射元件之第四實施例的結構圖。如第6圖所示，本發明之熱源反射元件，其包括基板10、金屬反射層20、至少一個介電堆疊50以及頂蓋層60。金屬反射層20設置於基板10上，頂蓋層60設置於金屬反射層20上。各介電堆疊50設置於金屬反射層20和頂蓋層60之間，各介電堆疊50包括第一介電層51和設置於第一介電層51上的第二介電層52，第一介電層51的折射率小於第二介電層52的折射率。舉例來說，第一介電層51由氟化鎂(MgF2)組成，第二介電層52由氧化鋁(Al2O3)；或者，第一介電層51由氧化鋁(Al2O3)組成，第二介電層52由二氧化鈦(TiO2)組成。當然第一熱源反射層41和第二熱源反射層42的配對組成也可利用其他較佳的材料達成，而未侷限於本發明所列舉的範圍。透過形成單個或多個介電堆疊50，使本發明對於近紅外光熱源之反射率大為提升，並可將本發明應用於半導體相關設備元件以提升其壽命與效能。
值得一提的是，第一介電層51和第二介電層52之厚度彼此相異，且第一介電層51之厚度大於第二介電層52之厚度，從而增加本發明對於近紅外光熱源之反射率；舉例來說，第一介電層51和第二介電層52之厚度比例為介於1.01比1和10比1之間，第一介電層51和第二介電層52之厚度比例當然也可為其他較佳比例，而非侷限於本發明所列舉的範圍。
再者，較靠近金屬反射層20之介電堆疊50之第一介電層51和第二介電層52之厚度比例小於較遠離金屬反射層20之介電堆疊50之第一介電層51和 第二介電層52之厚度，亦即，較為底層之介電堆疊50之第一介電層51和第二介電層52之厚度比例小於較為頂層之介電堆疊50之第一介電層51和第二介電層52之厚度比例。
需說明的是，基板10為金屬基板，金屬基板由例如銅(Cu)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎳(Ni)、鎢(W)等金屬材料或其合金所組成，基板10也可包括矽基板、砷化鎵(GaAs)基板、玻璃基板、石英基板、磷化鎵(GaP)基板、磷砷化鎵(GaAsP)基板、砷化鋁鎵(AlGaAs)基板、氧化鋅(ZnO)基板、藍寶石基板、磷化銦(InP)基板以及碳化矽(SiC)基板；金屬反射層20的材料包括銦(In)、錫(Sn)、鋁(Al)、金(Au)、鉑(Pt)、銦(In)、鋅(Zn)、鍺(Ge)、銀(Ag)、鉛(Pb)、鈀(Pd)、銅(Cu)、鈹化金(AuBe)、鈹化鍺(BeGe)、鎳(Ni)、錫化鉛(PbSn)、鉻(Cr)、鋅化金(AuZn)、鈦(Ti)、鎢(W)以及鎢化鈦(TiW)等所組成材料中至少一種；第一熱源反射層41和第二介電層52的材料包括五氧化二鉭(Ta2O5)、五氧化二鈮(Nb2O5)、二氧化鈦(TiO2)、二氧化鋯(ZrO2)以及二氧化鉿(HfO2)，第二熱源反射層42和第一介電層51的材料包括氟化鎂(MgF2)、二氧化矽(SiO2)、氟化鈣(CaF2)、氟化鋇(BaF2)、金屬氮化物以及氧化鋁(Al2O3)，第一熱源反射層41和第二熱源反射層42的材料也可為前述金屬反射層20所列舉的材料；保護層30和頂蓋層60的材料可包括前述第一熱反射層41以及第二熱反射層42所列舉的材料。前述材料僅為列舉，當然也可為其他較佳的材料，而未侷限於本發明所列舉的範圍。
請參閱第7圖，其為本發明之熱源反射元件之製作方法的流程圖。如第7圖所示，並搭配第1圖，說明本發明之熱源反射元件之製作方法如下：(1)S11步驟：提供基板10。(2)S12步驟：形成金屬反射層20於基板10上。(3)S13步驟：形成保護層30於金屬反射層20上。(4)S14步驟：形成至少一組熱源 反射組40於保護層30上，從而形成如第1圖所示之結構。其中，各熱源反射組40包括第一熱源反射層41和設置於第一熱源反射層41上的第二熱源反射層42，第一熱源反射層41的折射率和第二熱源反射層42的折射率相異，且第一熱源反射層41的折射率大於第二熱源反射層42的折射率，熱源反射組40之詳細配置為相同於第1圖之對應段落敘述，於此不再重複其細節配置。
觀前所述，本發明之熱源反射元件及其方法，透過形成多組或單組熱源反射組40，使本發明對於近紅外光熱源之反射率大為提升，並可將本發明應用於半導體相關設備元件以提升其壽命與效能。
以上所述僅為舉例性，而非為限制性者。任何未脫離本發明之精神與範疇，而對其進行之等效修改或變更，均應包含於後附之申請專利範圍中。
10:基板
20:金屬反射層
30:保護層
40:熱源反射組
41:第一熱源反射層
42:第二熱源反射層

Claims (12)

  1. 一種熱源反射元件，其包括：一基板，該基板為金屬基板；一金屬反射層，設置於該基板上；一保護層，設置於該金屬反射層上；以及至少一熱源反射組，設置於該保護層上，且各該熱源反射組包括一第一熱源反射層和設置於該第一熱源反射層上的一第二熱源反射層，該第一熱源反射層的折射率大於該第二熱源反射層的折射率。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之熱源反射元件，其中，該第一熱源反射層和該第二熱源反射層之厚度彼此相異。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之熱源反射元件，其中，該第二熱源反射層之厚度大於該第一熱源反射層之厚度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之熱源反射元件，其中，較靠近該金屬反射層之該熱源反射組之該第二熱源反射層和該第一熱源反射層之厚度比例小於較遠離該金屬反射層之該熱源反射組之該第二熱源反射層和該第一熱源反射層之厚度比例。
  5. 一種熱源反射元件，其包括：一基板，該基板為金屬基板；一金屬反射層，設置於該基板上；一頂蓋層，設置於該金屬反射層上；以及 至少一介電堆疊，設置於該金屬反射層和該頂蓋層之間，各該介電堆疊包括一第一介電層和設置於該第一介電層上的一第二介電層，該第一介電層的折射率小於該第二介電層的折射率。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之熱源反射元件，其中，該第一介電層和該第二介電層之厚度彼此相異。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之熱源反射元件，其中，該第一介電層的厚度大於該第二介電層的厚度。
  8. 如申請專利範圍第5項所述之熱源反射元件，其中，較靠近該金屬反射層之該介電堆疊之該第一介電層和該第二介電層之厚度比例小於較遠離該金屬反射層之該介電堆疊之該第一介電層和該第二介電層之厚度比例。
  9. 一種熱源反射元件之製作方法：提供一基板，該基板為金屬基板；形成一金屬反射層於該基板上；形成一保護層於該金屬反射層上；以及形成至少一組熱源反射組於該保護層上，而各該熱源反射組包括一第一熱源反射層和設置於該第一熱源反射層上的一第二熱源反射層，該第一熱源反射層的折射率和該第二熱源反射層的折射率相異。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之熱源反射元件之製作方法，其中，該第一熱源反射層和該第二熱源反射層之厚度彼此相異。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之熱源反射元件之製作方法，其中，該第二熱源反射層之厚度大於該第一熱源反射層之厚度。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之熱源反射元件之製作方法，其中，較靠近該金屬反射層之該熱源反射組之該第二熱源反射層和該第一熱源反射層之厚度比例小於較遠離該金屬反射層之該熱源反射組之該第二熱源反射層和該第一熱源反射層之厚度比例。
TW108115840A 2019-05-08 2019-05-08 熱源反射元件及其製作方法 TWI726317B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108115840A TWI726317B (zh) 2019-05-08 2019-05-08 熱源反射元件及其製作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW108115840A TWI726317B (zh) 2019-05-08 2019-05-08 熱源反射元件及其製作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202041368A TW202041368A (zh) 2020-11-16
TWI726317B true TWI726317B (zh) 2021-05-01

Family

ID=74201334

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW108115840A TWI726317B (zh) 2019-05-08 2019-05-08 熱源反射元件及其製作方法

Country Status (1)

Country Link
TW (1) TWI726317B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201504033A (zh) * 2013-07-23 2015-02-01 Largan Precision Co Ltd 紅外線濾光元件
CN109720026A (zh) * 2019-02-25 2019-05-07 深圳德宝天成科技有限公司 一种高透过高反射隔热膜

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201504033A (zh) * 2013-07-23 2015-02-01 Largan Precision Co Ltd 紅外線濾光元件
CN109720026A (zh) * 2019-02-25 2019-05-07 深圳德宝天成科技有限公司 一种高透过高反射隔热膜

Also Published As

Publication number Publication date
TW202041368A (zh) 2020-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108666338B (zh) 显示设备
JP6374564B2 (ja) 分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードチップ、及び分布ブラッグ反射器を有する発光ダイオードパッケージ
US8729580B2 (en) Light emitter with metal-oxide coating
US20050152417A1 (en) Light emitting device with an omnidirectional photonic crystal
WO2014134124A1 (en) Anti-reflective coating
US11005074B2 (en) Display device
US20130168721A1 (en) Light emitting device
US20100273331A1 (en) Method of fabricating a nano/micro structure
TWI726317B (zh) 熱源反射元件及其製作方法
JP6302688B2 (ja) 高反射膜、高反射膜付き基板及び高反射膜の製造方法
CN113130814A (zh) 半导体结构
US20050151150A1 (en) Semiconductor laser diode and method of manufacturing the same
TWM582900U (zh) 熱源反射元件
TW200404187A (en) Liquid crystal display device with multiple dielectric layers
US10840391B1 (en) Light filter structure
WO2011150693A1 (zh) 发光二极管晶片级色彩纯化的方法
CN111916467A (zh) 滤光结构
US20140248507A1 (en) Anti-reflective coating
EP3382754B1 (en) Display device
WO2019054943A1 (en) LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
US20240204144A1 (en) Light-emitting element and light-emitting device including the same
US20240162201A1 (en) Micro semiconductor device and micro semiconductor structure
KR20210158820A (ko) 발광 소자
TWI830134B (zh) 波長轉換構件及具備其之光源裝置
US8803179B2 (en) Semiconductor light emitting device