JPS6326362B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6326362B2 JPS6326362B2 JP55099242A JP9924280A JPS6326362B2 JP S6326362 B2 JPS6326362 B2 JP S6326362B2 JP 55099242 A JP55099242 A JP 55099242A JP 9924280 A JP9924280 A JP 9924280A JP S6326362 B2 JPS6326362 B2 JP S6326362B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- thin film
- stripe filter
- transmitting
- film layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 49
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 39
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 22
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims description 19
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 18
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 13
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/20—Filters
- G02B5/201—Filters in the form of arrays
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Color Television Image Signal Generators (AREA)
- Spectrometry And Color Measurement (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はカラー撮像装置などの光学系に使用さ
れる色分解ストライプフイルタに関する。
れる色分解ストライプフイルタに関する。
半導体の基礎吸収を利用した半導体ストライプ
フイルタを第1図に示すように構成することによ
り色分解ストライプフイルタを形成した。
フイルタを第1図に示すように構成することによ
り色分解ストライプフイルタを形成した。
図中、1は透光性基板、2は第1透光性薄膜、
3は半導体ストライプフイルタ、4は第2透光性
薄膜、5は透光性誘電体であり、は半導体スト
ライプフイルタ3を光路とする光、は半導体ス
トライプフイルタ3のストライプ間の間〓に第1
および第2透光性薄膜2,4により形成されたる
修正用の透光性薄膜層を光路とする光である。
3は半導体ストライプフイルタ、4は第2透光性
薄膜、5は透光性誘電体であり、は半導体スト
ライプフイルタ3を光路とする光、は半導体ス
トライプフイルタ3のストライプ間の間〓に第1
および第2透光性薄膜2,4により形成されたる
修正用の透光性薄膜層を光路とする光である。
また、透光性基板の屈折率nS、半導体ストライ
プフイルタの屈折率nF、第1透光性薄膜の屈折率
nT1、第2の透光性薄膜の屈折率nT2および透光性
誘電体の屈折率nDとの間で、nS≦nT1≦nF,nD≦
nT2≦nFなる関係を満足することにより透光性基
板側からの入射光の各層における反射による損失
を極力少くでき色分離良好なる色分解ストライプ
フイルタが得られることは、この出願人がすでに
提案している特願昭54―106947号(特開昭56―
30108号公報参照)に示す通りである。
プフイルタの屈折率nF、第1透光性薄膜の屈折率
nT1、第2の透光性薄膜の屈折率nT2および透光性
誘電体の屈折率nDとの間で、nS≦nT1≦nF,nD≦
nT2≦nFなる関係を満足することにより透光性基
板側からの入射光の各層における反射による損失
を極力少くでき色分離良好なる色分解ストライプ
フイルタが得られることは、この出願人がすでに
提案している特願昭54―106947号(特開昭56―
30108号公報参照)に示す通りである。
従来、基準透光量とすべき修正用の透光性薄膜
層を光路とする光の透過率を高くするため、修
正用の透光性薄膜層の膜厚を波長500〜700nmの
範囲内で最大透過となるように形成していた。第
2図に示すように半導体ストライプフイルタ3を
光路とする光の透過領域における透過特性が平
坦でないため、光の透過率を光の透過率を基
準として修正すると第3図のように波長ほぼ
600nm以上において見かけの透過率が100%を超
えることになる。そのためこのような色分解スト
ライプフイルタを周波数分離方式単管カラーカメ
ラに用いた場合、青信号への赤信号のクロストー
クとなつて現われ色再現性を悪化させるなどの欠
点があつた。
層を光路とする光の透過率を高くするため、修
正用の透光性薄膜層の膜厚を波長500〜700nmの
範囲内で最大透過となるように形成していた。第
2図に示すように半導体ストライプフイルタ3を
光路とする光の透過領域における透過特性が平
坦でないため、光の透過率を光の透過率を基
準として修正すると第3図のように波長ほぼ
600nm以上において見かけの透過率が100%を超
えることになる。そのためこのような色分解スト
ライプフイルタを周波数分離方式単管カラーカメ
ラに用いた場合、青信号への赤信号のクロストー
クとなつて現われ色再現性を悪化させるなどの欠
点があつた。
本発明はかかる欠点を除去するものであり、透
光性基板上に半導体ストライプフイルタを形成
し、透光性基板と半導体ストライプフイルタとの
間に透光性薄膜層を介在させ、透光性基板の屈折
率nS、半導体ストライプフイルタの屈折率nFおよ
び透光性薄膜層の屈折率nT1がストライプフイル
タ透光波長領域で、nS≦nT1≦nFなる関係を有す
る色分解ストライプフイルタにおいて、透光性薄
膜層を半導体ストライプフイルタのストライプ間
の間〓にも形成すると共に半導体ストライプフイ
ルタのストライプ間の間〓に形成された透光性薄
膜層の分光特性が半導体ストライプフイルタの基
礎吸収端波長より短波長領域でλ0/4(λ0は基準波 長とする)反射ピークとなるか、または波長
700nmより長波長領域でλ0/2透過ピークとなるよ うに間〓の透光性薄膜層の膜厚を形成することに
より見かけ上の透過率をほぼ100%にし色再現性
良好なる色分解ストライプフイルタを提供するこ
とを目的とする。
光性基板上に半導体ストライプフイルタを形成
し、透光性基板と半導体ストライプフイルタとの
間に透光性薄膜層を介在させ、透光性基板の屈折
率nS、半導体ストライプフイルタの屈折率nFおよ
び透光性薄膜層の屈折率nT1がストライプフイル
タ透光波長領域で、nS≦nT1≦nFなる関係を有す
る色分解ストライプフイルタにおいて、透光性薄
膜層を半導体ストライプフイルタのストライプ間
の間〓にも形成すると共に半導体ストライプフイ
ルタのストライプ間の間〓に形成された透光性薄
膜層の分光特性が半導体ストライプフイルタの基
礎吸収端波長より短波長領域でλ0/4(λ0は基準波 長とする)反射ピークとなるか、または波長
700nmより長波長領域でλ0/2透過ピークとなるよ うに間〓の透光性薄膜層の膜厚を形成することに
より見かけ上の透過率をほぼ100%にし色再現性
良好なる色分解ストライプフイルタを提供するこ
とを目的とする。
以下本発明を図面第4図および第5図に示す実
施例に基づいて説明する。なお、本実施例は第1
図に示す構造を有し、かつ透光性基板1の屈折率
nS=1.6、半導体ストライプフイルタ3の屈折率
nF=2.5、第1透光性薄膜2の屈折率nT1=2.0、第
2透光性薄膜4の屈折率nT2=2.0、および透光性
誘電体5の屈折率nD=1.6なる物質を用いること
により、nS≦nT1≦nF,nD≦nT2≦nFなる関係を満
足させた色分解ストライプフイルタである。
施例に基づいて説明する。なお、本実施例は第1
図に示す構造を有し、かつ透光性基板1の屈折率
nS=1.6、半導体ストライプフイルタ3の屈折率
nF=2.5、第1透光性薄膜2の屈折率nT1=2.0、第
2透光性薄膜4の屈折率nT2=2.0、および透光性
誘電体5の屈折率nD=1.6なる物質を用いること
により、nS≦nT1≦nF,nD≦nT2≦nFなる関係を満
足させた色分解ストライプフイルタである。
図面第4図は半導体ストライプフイルタ3のス
トライプ間の間〓に第1および第2透光性薄膜
2,4により形成されたる修正用の透光性薄膜層
を光路とする光の最大反射ピーク波長が半導体
ストライプフイルタ3の基礎吸収端波長より短波
長側の450nmとなるように第1および第2透光性
薄膜の膜厚を調整し形成した色分解ストライプフ
イルタの透過特性を示す図である。これより明ら
かなように、半導体ストライプフイルタ3を光路
とする光の透過率は波長500nmより長波長側で
少しづつ向上する。一方光の透過率を波長
450nmで極小値とさせ450nmより長波長側で少し
づつ向上させることにより、波長530〜700nmで
光と光との透過率をほぼ一致させることがで
きる。
トライプ間の間〓に第1および第2透光性薄膜
2,4により形成されたる修正用の透光性薄膜層
を光路とする光の最大反射ピーク波長が半導体
ストライプフイルタ3の基礎吸収端波長より短波
長側の450nmとなるように第1および第2透光性
薄膜の膜厚を調整し形成した色分解ストライプフ
イルタの透過特性を示す図である。これより明ら
かなように、半導体ストライプフイルタ3を光路
とする光の透過率は波長500nmより長波長側で
少しづつ向上する。一方光の透過率を波長
450nmで極小値とさせ450nmより長波長側で少し
づつ向上させることにより、波長530〜700nmで
光と光との透過率をほぼ一致させることがで
きる。
また別の実施例を示す図面第5図においては、
光の最大透過を波長750nmに調整することによ
り、上記実施例と同様光の透過特性にきわめて
近い光の透過特性を得ることができた。よつ
て、光の透過率を基準とした場合、光の透過
率はほぼ100%となり、色再現性良好なる色分解
ストライプフイルタとなしえた。
光の最大透過を波長750nmに調整することによ
り、上記実施例と同様光の透過特性にきわめて
近い光の透過特性を得ることができた。よつ
て、光の透過率を基準とした場合、光の透過
率はほぼ100%となり、色再現性良好なる色分解
ストライプフイルタとなしえた。
第6図は半導体ストライプフイルタ3のストラ
イプ間の間〓に施された透光性薄膜層の膜厚を薄
く形成する例を示す色分解ストライプフイルタで
ある。上記色分解ストライプフイルタは透光性基
板1上に第1透光性薄膜2を形成後、半導体スト
ライプフイルタ3の部分のみ残し、半導体ストラ
イプフイルタ3のストライプ間の間〓に施された
第1透光性薄膜2を除去し、その後第2透光性薄
膜4を形成することにより修正用の透光性薄膜層
の膜厚を第2透光性薄膜4のみで薄く形成するこ
とを可能としたものである。
イプ間の間〓に施された透光性薄膜層の膜厚を薄
く形成する例を示す色分解ストライプフイルタで
ある。上記色分解ストライプフイルタは透光性基
板1上に第1透光性薄膜2を形成後、半導体スト
ライプフイルタ3の部分のみ残し、半導体ストラ
イプフイルタ3のストライプ間の間〓に施された
第1透光性薄膜2を除去し、その後第2透光性薄
膜4を形成することにより修正用の透光性薄膜層
の膜厚を第2透光性薄膜4のみで薄く形成するこ
とを可能としたものである。
以上本発明によれば、透光性基板上に半導体ス
トライプフイルタを形成し、透光性基板と半導体
ストライプフイルタとの間に透光性薄膜層を介在
させ、透光性基板の屈折率nS、半導体ストライプ
フイルタの屈折率nFおよび透光性薄膜層の屈折率
nT1がストライプフイルタ透光波長領域で、nS≦
nT1≦nFなる関係を有する色分解ストライプフイ
ルタにおいて、透光性薄膜層を半導体ストライプ
フイルタのストライプ間の間〓にも形成すると共
に半導体ストライプフイルタのストライプ間の間
〓に形成された透光性薄膜層の分光特性が、半導
体ストライプフイルタの基礎吸収端波長より短波
長領域でλ0/4反射ピークとなるか、または波長 700nmより長波長領域でλ0/2透過ピークとなるよ うに間〓の透光性薄膜層の膜厚を形成することに
より修正用の透光性薄膜層を光路とする光と半導
体ストライプフイルタを光路とする光の透過率と
をイエロー領域においてほぼ一致させ、見かけ上
の透過率をほぼ100%とする色分解ストライプフ
イルタを提供することができる。
トライプフイルタを形成し、透光性基板と半導体
ストライプフイルタとの間に透光性薄膜層を介在
させ、透光性基板の屈折率nS、半導体ストライプ
フイルタの屈折率nFおよび透光性薄膜層の屈折率
nT1がストライプフイルタ透光波長領域で、nS≦
nT1≦nFなる関係を有する色分解ストライプフイ
ルタにおいて、透光性薄膜層を半導体ストライプ
フイルタのストライプ間の間〓にも形成すると共
に半導体ストライプフイルタのストライプ間の間
〓に形成された透光性薄膜層の分光特性が、半導
体ストライプフイルタの基礎吸収端波長より短波
長領域でλ0/4反射ピークとなるか、または波長 700nmより長波長領域でλ0/2透過ピークとなるよ うに間〓の透光性薄膜層の膜厚を形成することに
より修正用の透光性薄膜層を光路とする光と半導
体ストライプフイルタを光路とする光の透過率と
をイエロー領域においてほぼ一致させ、見かけ上
の透過率をほぼ100%とする色分解ストライプフ
イルタを提供することができる。
第1図は色分解ストライプフイルタの部分断面
図、第2図は従来の色分解ストライプフイルタの
透過特性図、第3図は同上第2図の光透過率を
基準としたときの光の透過特性図、第4図は本
発明の一実施例の透過特性図、第5図は本発明の
他の実施例の透過特性図、第6図は本発明実施に
適する色分解ストライプフイルタの部分断面図で
ある。 1……透光性基板、2……第1透光性薄膜、3
……半導体ストライプフイルタ、4……第2透光
性薄膜、5……透光性誘電体。
図、第2図は従来の色分解ストライプフイルタの
透過特性図、第3図は同上第2図の光透過率を
基準としたときの光の透過特性図、第4図は本
発明の一実施例の透過特性図、第5図は本発明の
他の実施例の透過特性図、第6図は本発明実施に
適する色分解ストライプフイルタの部分断面図で
ある。 1……透光性基板、2……第1透光性薄膜、3
……半導体ストライプフイルタ、4……第2透光
性薄膜、5……透光性誘電体。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 透光性基板上に半導体ストライプフイルタを
形成し、前記透光性基板と前記半導体ストライプ
フイルタとの間に第1の透光性薄膜層を介在さ
せ、前記透光性基板の屈折率nS、前記半導体スト
ライプフイルタの屈折率nFおよび前記第1の透光
性薄膜層の屈折率nT1がストライプフイルタ透光
波長領域でnS≦nT1≦nFなる関係を有する色分解
ストライプフイルタにおいて、前記第1の透光性
薄膜層を前記半導体ストライプフイルタのストラ
イプ間の間〓にも形成すると共に前記半導体スト
ライプフイルタのストライプ間の間〓に形成され
た前記第1の透光性薄膜層の分光特性が前記半導
体ストライプフイルタの基礎吸収端波長より短波
長領域でλ0/4反射ピークとなるかまたは波長 700nmより長波長領域でλ0/2透過ピークとなるよ うに前記第1の透光性薄膜層の膜厚を形成するこ
とを特徴とする色分解ストライプフイルタ。 2 透光性基板上に半導体ストライプフイルタと
透光性誘電体とを形成し、前記透光性基板と前記
半導体ストライプフイルタとの間に第1の透光性
薄膜層を、前記半導体ストライプフイルタと前記
透光性誘電体との間に第2の透光性薄膜層を介在
させ、前記透光性基板の屈折率nS、前記半導体ス
トライプフイルタの屈折率nF、前記第1透光性薄
膜nT1、前記第2の透光性薄膜の屈折率nT2および
前記透光性誘電体の屈折率nDがストライプフイル
タ透光波長領域で、nS≦nT1≦nF,nD≦nT2≦nFな
る関係を有する色分解ストライプフイルタにおい
て、前記第1または第2の透光性薄膜層を前記半
導体ストライプフイルタのストライプ間の間〓に
も形成すると共に前記半導体ストライプフイルタ
のストライプ間の間〓に形成された前記第1およ
び第2の透光性薄膜層の和として形成される透光
性薄膜層の分光特性が前記半導体ストライプフイ
ルタの基礎吸収端波長より短波長領域でλ0/4反射 ピークとなるかまたは波長700nmより長波長領域
でλ0/2透過ピークとなるように前記透光性薄膜層 の膜厚を形成することを特徴とする色分解ストラ
イプフイルタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9924280A JPS5723909A (en) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Color separation stripe filter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9924280A JPS5723909A (en) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Color separation stripe filter |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5723909A JPS5723909A (en) | 1982-02-08 |
JPS6326362B2 true JPS6326362B2 (ja) | 1988-05-30 |
Family
ID=14242220
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9924280A Granted JPS5723909A (en) | 1980-07-18 | 1980-07-18 | Color separation stripe filter |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5723909A (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0782125B2 (ja) * | 1986-07-07 | 1995-09-06 | 大日本印刷株式会社 | カラ−フイルタ− |
DE102006028408A1 (de) | 2006-04-10 | 2007-10-31 | Franz Haimer Maschinenbau Kg | Auszugssicherung von Werkzeugen aus Werkzeughaltern mit einer Werkzeugaufnahme |
DE202011109498U1 (de) | 2011-12-27 | 2012-02-13 | Franz Haimer Maschinenbau Kg | Werkzeughalter und Spannsystem mit einem derartigen Werkzeughalter |
-
1980
- 1980-07-18 JP JP9924280A patent/JPS5723909A/ja active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5723909A (en) | 1982-02-08 |
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