JPS6022566Y2 - サ−ジ吸収器 - Google Patents

サ−ジ吸収器

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JPS6022566Y2
JPS6022566Y2 JP6350080U JP6350080U JPS6022566Y2 JP S6022566 Y2 JPS6022566 Y2 JP S6022566Y2 JP 6350080 U JP6350080 U JP 6350080U JP 6350080 U JP6350080 U JP 6350080U JP S6022566 Y2 JPS6022566 Y2 JP S6022566Y2
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JP
Japan
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lead wire
electrode
surge absorber
surge
zigzag
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Expired
Application number
JP6350080U
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English (en)
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JPS56164504U (ja
Inventor
幹夫 住吉
Original Assignee
松下電器産業株式会社
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Publication date
Application filed by 松下電器産業株式会社 filed Critical 松下電器産業株式会社
Priority to JP6350080U priority Critical patent/JPS6022566Y2/ja
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案は高周波を有するサージ電圧を吸収するサージ吸
収器にかかり、高周波サージに対する制限電圧がより低
く、かつ、サージ吸収器発熱時の熱放散がより良好なセ
ラミックバリスタを用いたサージ吸収器を提供しようと
するものである。
第゛1図にセラミックバリスタを用いたサージ吸収器の
従来例を示す。
図中1はセラミックバリスタ本体、2はセラミックバリ
スタ本体1の表面に焼付、あるいはメタリコンなどで取
り付けられた電極で、裏面にも有する(図示せず)。
3は電極2に電気的に接続されたリード線であり、3′
は他方のリード線である。
通常、バリスタは電気回路に並列に接続され、線に重じ
ようされてくるサージ電圧、あるいはノイズ電圧の吸収
に用いられる。
第1図に示した従来品を回路に接続した時の等価回路を
示したものが第2図である。
図中4゜4′はリード線の有するインダクタンスで、5
はセラミックバリスタ本体1の電気的特性を有するシン
ボルである。
今、電気回路A−Bにサージ電圧が印加された場合、サ
ージ電流は図の矢印のごとく流れ、5の両端にはサージ
電流値に見合った制限電圧が現われる。
しかしながら、負荷側回路端子C−D側から見た場合の
制限電圧は5の制限電圧にインダクタンス4,4′電圧
降下分が加え合わさり、結果的に制限電圧が上昇する事
になる。
この制限電圧の上昇はサージ電圧に含まれる周波数成分
が高くなればなる程、又、電流が大きくなればなる程顕
著に現われる。
この様子を示したものが第3図の電圧電流特性であり、
イはセラミックバリスタ本体5の制限電圧で、口はこれ
にインダクタンス4,4′の電圧降下分を加えたもので
あり、負荷回路側から見たサージに対する保護動性は低
下し良好でない。
また、従来例の場合、セラミックバリスタ本体1が、サ
ージ電流などで発熱した場合、その熱の放散はリード線
3,3′を通じて放散されるものと、セラミックバリス
タ本体1より気中に放散されるものであったため、大き
なサージエネルギーを吸収するには十分な熱放散が得ら
れていなかった。
本考案は以上の2つの問題点を解決するものであり、次
にその詳細について第4図〜第7図を用いて述べる。
第4図は本考案の一実施例の断面を示たもので、6はセ
ラミックバリスタ本体、7,8はセラミックバリスタ本
体6の電極、9は導電特性を有する金属板あるいは金属
線をジグザグ状に屈曲加工してなるリード線で、凸状に
なった部分10を電極7に電気的、機械的に接続してい
る。
11゜11′はこのリード線9の両端から取り出された
電気端子部、12は前記リード線9と同様の形状をした
リード線で、他方の電極8に電気的に接続され、かつリ
ード線9と同様に2つの電気端子部13.13’を有す
第5図は第2の実施例で、第4図のリード線9.12が
矩形波状をなしているのに対して、正弦波状にリード線
14のみを前記したように加工した例である。
他方のリード線16は直線状に加工している。
なお電気端子部は第1実施例と同様に4つ(15,15
’、 17. 17’)有する。
第6図に第4図の等価回路を示した。
18,18′はジグザグ状をなしたるリード線9,12
にて形成されたインダクタンスで、20はこのリード線
の凸部10よりバリスタの電極7に接続され、もう一方
式電極8間で形成された分割バリスタである。
このような等価回路の場合、A−B間に印加されたサー
ジ電圧はサージ電流となって、各分割バリスタ20に矢
印のごとく流れ込むが、その電流密度は、A−B側の分
割バリスタ程大きく、逆にC−D側の方が低くなる。
これは、C−D側の分割バリスタ程サージ電流がインダ
クタンス18゜19をより多く介して流れ、電流が制限
されるためであり、結果としてより低い制限電圧を呈す
るものである。
さらに本考案は4端子回路を形成しているため、従来例
で示したリード線のインダクタンス4.4′による制限
電圧の上昇は解消され、リード線9,12で形成された
インダクタンス18゜19でA−B側からC〜D側への
高周波分も低減されるものである。
また、リード線9,12.14をジグザグ状に加工する
事によってセラミックバリスタ本体6よりの熱放散が良
好になり、大きなケージエネルギーをも吸収できるよう
になる。
なお、リード線の断面形状を本実施例では矩形波状、正
弦波状として説明したが三角波形状でも良い。
また、同形状なしたリード線はバリスタの両電極に用い
なくても第5図のように一方のみでも効果は若干低下す
るものの十分効果を発揮するものである。
第7図はリード線21の凸部と隣接する凸部間に相当す
るバリスタの電極を欠いたものであり、分割バリスタ2
0の形成をさらに明確にするもので、より良い効果を得
るものである。
さらに、両電極に正弦波状をなしたリード線を用いる場
合はバリスタ中央線に対して対称の位置に接続すればよ
り効果的である。
以上実施例より明らかなように本考案によれば次のよう
な利点を有する。
i 少なくとも一方のリード線をジグザグ状に加工し電
極と接続する事によってセラミックバリスタの制限電圧
を低下させる効果を持つ。
iiリード線にて4端子構造を有するごとく加工してい
るため、従来品のリードインダクタンスにより生じてい
た電圧降下が本考案では無視される。
ii ジグザグ状のリードに対応して電極に第7図の
ごく欠損部を作ることによって上記制限電圧はより低減
される。
iv リード線のジグザグ構造により熱放散が良好に
なり、サージエネルギー吸収特性、あるいは力消費特性
が向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図はセラミックバリスタの従側を示す図、第2図は
第1図の等価回路図、第3図は、従来品の電圧−電流特
性図、・第4図は本考案の一実施例におけるサージ吸収
器の断面図、第4図の本考案の一実施例におけるサージ
吸収器の断面図、第5図は本考案の第2の実施例の断面
図、第6図は第4図に示したものの等価回路図、第7図
は本考案の第3の実施例の断面図である。 6・・・・・・セラミックバリスタ本体、7,8・・・
・・・電極、9,12,14.21・・・・・・ジグザ
グ状リード線、11.11’、13,13’・・・・・
・電気端子部。

Claims (3)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. (1)板状なすセラミックバリスタ本体の両面におのお
    の電極を形威し、前記電極の少なくとも一方の面上にジ
    グザグ状をなすリード線を多数の接触部分で電気的に接
    続するとともに、前記リード線の両端および他方の電極
    に接続されたリード線の両端をおのおの引出し4端子構
    造となるサージ吸収器。
  2. (2)両面の電極のおのおのにジグザグ状をなすリード
    線を電気的に接続してなる実用新案登録請求の範囲第1
    項記載のサージ吸収器。
  3. (3)ジグザグ状のリード線の各凸部と電極との接続個
    所の各間の電極を取除いてなる実用新案登録請求の範囲
    第1項または第2項記載のサージ吸収器。
JP6350080U 1980-05-08 1980-05-08 サ−ジ吸収器 Expired JPS6022566Y2 (ja)

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JP6350080U JPS6022566Y2 (ja) 1980-05-08 1980-05-08 サ−ジ吸収器

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JP6350080U JPS6022566Y2 (ja) 1980-05-08 1980-05-08 サ−ジ吸収器

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JPS56164504U JPS56164504U (ja) 1981-12-07
JPS6022566Y2 true JPS6022566Y2 (ja) 1985-07-05

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JP6422727B2 (ja) * 2014-10-20 2018-11-14 ニチコン株式会社 金属化フィルムコンデンサにおけるバスバー溶接構造

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JPS56164504U (ja) 1981-12-07

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