JPH0580116B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0580116B2 JPH0580116B2 JP806684A JP806684A JPH0580116B2 JP H0580116 B2 JPH0580116 B2 JP H0580116B2 JP 806684 A JP806684 A JP 806684A JP 806684 A JP806684 A JP 806684A JP H0580116 B2 JPH0580116 B2 JP H0580116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- varistor element
- square plate
- varistor
- convex portion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 16
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Emergency Protection Circuit Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はリード線を用いず、プリント基板へ直
接実装可能なチツプ型バリスタに関するものであ
る。
接実装可能なチツプ型バリスタに関するものであ
る。
従来例の構成とその問題点
近年、電気機器の小型軽量化、組立工程の自動
化に伴い、チツプ型の電子部品が利用されるよう
になつてきた。各種電気機器のサージ対策、直流
電源の安定化等に用いられるバリスタもチツプタ
イプが利用されるようになつてきた。
化に伴い、チツプ型の電子部品が利用されるよう
になつてきた。各種電気機器のサージ対策、直流
電源の安定化等に用いられるバリスタもチツプタ
イプが利用されるようになつてきた。
以下、図面を参照しながら、前述したような従
来のチツプ型バリスタについて説明する。
来のチツプ型バリスタについて説明する。
第１図は従来のチツプ型バリスタの斜視図を示
すもので、第２図は同従来例の正面断面図を示す
ものである。第１図、第２図において、１はバリ
スタ素子で、電圧に依存して抵抗値が変化する特
性を有する。２および３はバリスタ素子１の相対
する表面と裏面にそれぞれ形成された電極であ
る。
すもので、第２図は同従来例の正面断面図を示す
ものである。第１図、第２図において、１はバリ
スタ素子で、電圧に依存して抵抗値が変化する特
性を有する。２および３はバリスタ素子１の相対
する表面と裏面にそれぞれ形成された電極であ
る。
以上のように構成されたチツプ型バリスタにつ
いて、以下その動作について説明する。
いて、以下その動作について説明する。
まず、電極２，３間に瞬間的な過電圧が加わつ
た場合、バリスタ素子１の抵抗値が急激に低下
し、バリスタ素子１に電流が流れてサージ吸収を
行う。したがつて、電極２，３間の過電圧は抑制
される。
た場合、バリスタ素子１の抵抗値が急激に低下
し、バリスタ素子１に電流が流れてサージ吸収を
行う。したがつて、電極２，３間の過電圧は抑制
される。
前記の構成において、電極２，３は夫々他方の
面までその一方端が延長されている。したがつて
バリスタ素子１の表面および裏面での電極２，３
間の距離t2がバリスタ素子１の厚みt1より小さい
場合、サージ吸収はt2間のみで行われるため、サ
ージ吸収能力は極めて低くなる。したがつて、前
記構成においてサージ吸収作用をバリスタ素子１
内部で行わせるためには、t2＞t1という条件が必
要である。しかしながら、t2＞t1という条件を満
足するためにt2を大きくとると、電極２と３が互
いに重なり合う面積が小さくなり、サージ吸収能
力が低くなる。
面までその一方端が延長されている。したがつて
バリスタ素子１の表面および裏面での電極２，３
間の距離t2がバリスタ素子１の厚みt1より小さい
場合、サージ吸収はt2間のみで行われるため、サ
ージ吸収能力は極めて低くなる。したがつて、前
記構成においてサージ吸収作用をバリスタ素子１
内部で行わせるためには、t2＞t1という条件が必
要である。しかしながら、t2＞t1という条件を満
足するためにt2を大きくとると、電極２と３が互
いに重なり合う面積が小さくなり、サージ吸収能
力が低くなる。
発明の目的
本発明は前記従来例に鑑み、サージ吸収能力の
高いチツプ型バリスタを提供しようとするもので
ある。
高いチツプ型バリスタを提供しようとするもので
ある。
発明の構成
この目的を達成するために本発明は、角板状バ
リスタ素子の表面と裏面の夫々の両端部に、夫々
表面上方、および裏面下方に向けて突出する凸部
を設けるとともに、この角板状バリスタ素子の表
面と裏面に電極を形成し、この表面側の電極の一
端はこの表面側の一端の凸部より内方に位置さ
せ、同電極の他端は同表面側の他端の凸部上と前
記角板状バリスタ素子の他端側の側面上を介して
裏面他端の凸部上に延長し、前記裏面側電極の他
端は同裏面側の他端の凸部より内方に位置させ、
裏面側電極の一端は同裏面の一端の凸部上と前記
角板状バリスタ素子の一端側の側面上を介して表
面一端の凸部上に延長するとともに、前記表面側
電極の一端と裏面側電極の一端間の距離、および
表面側電極の他端と裏面側電極の他端間の距離
は、前記角板状バリスタ素子の板厚よりも大きく
したものであり、これによれば表面と裏面の電極
の重なり合う面積を大きくすることができ、サー
ジ吸収能力の高いチツプ型バリスタを実現するこ
とができることとなる。
リスタ素子の表面と裏面の夫々の両端部に、夫々
表面上方、および裏面下方に向けて突出する凸部
を設けるとともに、この角板状バリスタ素子の表
面と裏面に電極を形成し、この表面側の電極の一
端はこの表面側の一端の凸部より内方に位置さ
せ、同電極の他端は同表面側の他端の凸部上と前
記角板状バリスタ素子の他端側の側面上を介して
裏面他端の凸部上に延長し、前記裏面側電極の他
端は同裏面側の他端の凸部より内方に位置させ、
裏面側電極の一端は同裏面の一端の凸部上と前記
角板状バリスタ素子の一端側の側面上を介して表
面一端の凸部上に延長するとともに、前記表面側
電極の一端と裏面側電極の一端間の距離、および
表面側電極の他端と裏面側電極の他端間の距離
は、前記角板状バリスタ素子の板厚よりも大きく
したものであり、これによれば表面と裏面の電極
の重なり合う面積を大きくすることができ、サー
ジ吸収能力の高いチツプ型バリスタを実現するこ
とができることとなる。
実施例の説明
以下、本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。第３図は本発明の一実施例に
おけるチツプ型バリスタの斜視図である。第４図
は同実施例の正面断面図を示すものである。第３
図および第４図において、４は角板形のバリスタ
素子で、電圧に依存して抵抗値が変化する特性を
有する。この角板状バリスタ素子４の表面と裏面
の夫々の両端部には、夫々表面上方、または裏面
下方に向けて突出する凸部を設けている。またこ
の角状板バリスタ素子４の表面と裏面に電極５，
６を形成し、この表面側の電極５の一端はこの表
面側の一端の凸部より内方に位置させ、同電極５
の他端は同表面側の他端の凸部上と前記角板状バ
リスタ素子４の他端側の側面上を介して裏面他端
の凸部上に延長している。また前記裏面側電極６
の他端は同裏面側の他端の凸部より内方に位置さ
せ、裏面側電極６の一端は同裏面の一端の凸部上
と前記角板状バリスタ素子４の一端側の側面上を
介して表面一端の凸部上に延長されている。さら
に前記表面側電極５の一端と裏面側電極６の一端
間の距離（t3＋t4）、および表面側電極５の他端
と裏面側電極６の他端間の距離（同じくt3＋t4と
なる）は、前記角板状バリスタ素子４の板厚t1よ
りも大きくなるように電極５，６を設けている。
しながら説明する。第３図は本発明の一実施例に
おけるチツプ型バリスタの斜視図である。第４図
は同実施例の正面断面図を示すものである。第３
図および第４図において、４は角板形のバリスタ
素子で、電圧に依存して抵抗値が変化する特性を
有する。この角板状バリスタ素子４の表面と裏面
の夫々の両端部には、夫々表面上方、または裏面
下方に向けて突出する凸部を設けている。またこ
の角状板バリスタ素子４の表面と裏面に電極５，
６を形成し、この表面側の電極５の一端はこの表
面側の一端の凸部より内方に位置させ、同電極５
の他端は同表面側の他端の凸部上と前記角板状バ
リスタ素子４の他端側の側面上を介して裏面他端
の凸部上に延長している。また前記裏面側電極６
の他端は同裏面側の他端の凸部より内方に位置さ
せ、裏面側電極６の一端は同裏面の一端の凸部上
と前記角板状バリスタ素子４の一端側の側面上を
介して表面一端の凸部上に延長されている。さら
に前記表面側電極５の一端と裏面側電極６の一端
間の距離（t3＋t4）、および表面側電極５の他端
と裏面側電極６の他端間の距離（同じくt3＋t4と
なる）は、前記角板状バリスタ素子４の板厚t1よ
りも大きくなるように電極５，６を設けている。
以上のように構成されたチツプ型バリスタにつ
いて、以下その動作について説明する。まず、電
極５，６間に瞬間的な過電圧が加わつた場合、角
板状バリスタ素子４の抵抗値が急激に低下し、角
板状バリスタ素子４に電流が流れてサージ吸収を
行う。したがつて、電極５，６間の過電圧は抑制
される。
いて、以下その動作について説明する。まず、電
極５，６間に瞬間的な過電圧が加わつた場合、角
板状バリスタ素子４の抵抗値が急激に低下し、角
板状バリスタ素子４に電流が流れてサージ吸収を
行う。したがつて、電極５，６間の過電圧は抑制
される。
バリスタのサージ吸収作用は電極間距離の最短
部分のみで行われるため、第４図において、（t3
＋t4）＜t1の場合、サージ吸収作用はバリスタ素
子４の表面部のみで行われるため、サージ吸収能
力は極めて低い。したがつて、本実施例において
は、（t3＋t4）＞t1となるように電極５，６を設け
ている。この場合、サージ吸収作用はバリスタ素
子４内部で行われ、そのサージ吸収能力は電極
５，６が互いに重なり合う面積に比例する。
部分のみで行われるため、第４図において、（t3
＋t4）＜t1の場合、サージ吸収作用はバリスタ素
子４の表面部のみで行われるため、サージ吸収能
力は極めて低い。したがつて、本実施例において
は、（t3＋t4）＞t1となるように電極５，６を設け
ている。この場合、サージ吸収作用はバリスタ素
子４内部で行われ、そのサージ吸収能力は電極
５，６が互いに重なり合う面積に比例する。
本実施例のチツプ型バリスタのサージ吸収能力
と、前記の従来例のチツプ型バリスタのサージ吸
収能力を比較する。比較のため、本実施例のチツ
プ型バリスタと、前記従来例のチツプ型バリスタ
のたて、よこ、厚みの寸法を同一とし、それぞれ
Ａ、Ｂ、t1とする。そして、サージ吸収能力は電
極５，６が互いに重なり合う面積に比例する。本
実施例の電極５，６の重なり合う面積をS1とする
と、 S1＝Ａ×｛Ｂ−２（t3＋t5＋t6）｝ である。前記の従来例の電極２，３の重なり合う
面積をS2とすると、 S2＝Ａ×｛Ｂ−２（t2＋t6）｝ である。ここで、サージ吸収作用がバリスタ内部
で行われる限界条件は本実施例の場合、t3＋t4＝
t1で、前記の従来例の場合はt2＝t1である。した
がつて、この場合、 t2＝t1＝t3＋t4＞t3＋t5となるから、S1＞S2とな
る。
と、前記の従来例のチツプ型バリスタのサージ吸
収能力を比較する。比較のため、本実施例のチツ
プ型バリスタと、前記従来例のチツプ型バリスタ
のたて、よこ、厚みの寸法を同一とし、それぞれ
Ａ、Ｂ、t1とする。そして、サージ吸収能力は電
極５，６が互いに重なり合う面積に比例する。本
実施例の電極５，６の重なり合う面積をS1とする
と、 S1＝Ａ×｛Ｂ−２（t3＋t5＋t6）｝ である。前記の従来例の電極２，３の重なり合う
面積をS2とすると、 S2＝Ａ×｛Ｂ−２（t2＋t6）｝ である。ここで、サージ吸収作用がバリスタ内部
で行われる限界条件は本実施例の場合、t3＋t4＝
t1で、前記の従来例の場合はt2＝t1である。した
がつて、この場合、 t2＝t1＝t3＋t4＞t3＋t5となるから、S1＞S2とな
る。
したがつて、本実施例のチツプ型バリスタのサ
ージ吸収能力は前記の従来例のチツプ型バリスタ
のサージ吸収能力より高い。
ージ吸収能力は前記の従来例のチツプ型バリスタ
のサージ吸収能力より高い。
なお、本実施例においては、凸部を角板状バリ
スタ素子４のたて寸法全体に設けたが、第５図の
斜視図および第６図の正面断面図に示す他の実施
例のように、角板状バリスタ素子４に設けた凸部
をバリスタ素子４のたて寸法よりも短かくしても
同様の効果を得ることができる。
スタ素子４のたて寸法全体に設けたが、第５図の
斜視図および第６図の正面断面図に示す他の実施
例のように、角板状バリスタ素子４に設けた凸部
をバリスタ素子４のたて寸法よりも短かくしても
同様の効果を得ることができる。
発明の効果
以上のように、本発明は角状板バリスタ素子の
表面と裏面の夫々の両端部に、夫々表面上方、お
よび裏面下方に向けて突出する凸部を設けるとと
もに、この角板状バリスタ素子の表面と裏面に電
極を形成し、この表面側の電極の一端はこの表面
側の一端の凸部より内方に位置させ、同電極の他
端は同表面側の他端の凸部上と前記角板状バリス
タ素子の他端側の側面上を介して裏面他端の凸部
上に延長し、前記裏面側電極の他端は同裏面側の
他端の凸部より内方に位置させ、裏面側電極の一
端は同裏面の一端の凸部上と前記角板状バリスタ
素子の一端側の側面上を介して表面一端の凸部上
に延長するとともに、前記表面側電極の一端と裏
面側電極の一端間の距離、および表面側電極の他
端と裏面側電極の他端間の距離は、前記角板状バ
リスタ素子の板厚よりも大きくしたものであるの
で、前記角板状バリスタ素子の表面と裏面の電極
の対向面積を大きくしてサージ吸収能力を高くす
ることができるものである。
表面と裏面の夫々の両端部に、夫々表面上方、お
よび裏面下方に向けて突出する凸部を設けるとと
もに、この角板状バリスタ素子の表面と裏面に電
極を形成し、この表面側の電極の一端はこの表面
側の一端の凸部より内方に位置させ、同電極の他
端は同表面側の他端の凸部上と前記角板状バリス
タ素子の他端側の側面上を介して裏面他端の凸部
上に延長し、前記裏面側電極の他端は同裏面側の
他端の凸部より内方に位置させ、裏面側電極の一
端は同裏面の一端の凸部上と前記角板状バリスタ
素子の一端側の側面上を介して表面一端の凸部上
に延長するとともに、前記表面側電極の一端と裏
面側電極の一端間の距離、および表面側電極の他
端と裏面側電極の他端間の距離は、前記角板状バ
リスタ素子の板厚よりも大きくしたものであるの
で、前記角板状バリスタ素子の表面と裏面の電極
の対向面積を大きくしてサージ吸収能力を高くす
ることができるものである。
第１図は従来のチツプ型バリスタを示す斜視
図、第２図は同従来例の正面断面図、第３図は本
発明の一実施例におけるチツプ型バリスタを示す
斜視図、第４図は同実施例の正面断面図、第５図
は本発明の他の実施例におけるチツプ型バリスタ
を示す斜視図、第６図は同他の実施例の正面断面
図である。 ４……バリスタ素子、５，６……電極。
図、第２図は同従来例の正面断面図、第３図は本
発明の一実施例におけるチツプ型バリスタを示す
斜視図、第４図は同実施例の正面断面図、第５図
は本発明の他の実施例におけるチツプ型バリスタ
を示す斜視図、第６図は同他の実施例の正面断面
図である。 ４……バリスタ素子、５，６……電極。
Claims (1)
- １ 角板状バリスタ素子の表面と裏面の夫々の両
端部に、夫々表面上方、および裏面下方に向けて
突出する凸部を設けるとともに、この角板状バリ
スタ素子の表面と裏面に電極を形成し、この表面
側の電極の一端はこの表面側の一端の凸部より内
方に位置させ、同電極の他端は同表面側の他端の
凸部上と前記角板状バリスタ素子の他端側の側面
上を介して裏面他端の凸部上に延長し、前記裏面
側電極の他端は同裏面側の他端の凸部より内方に
位置させ、裏面側電極の一端は同裏面の一端の凸
部上と前記角板状バリスタ素子の一端側の側面上
を介して表面一端の凸部上に延長するとともに、
前記表面側電極の一端と裏面側電極の一端間の距
離、および表面側電極の他端と裏面側電極の他端
間の距離は、前記角板状バリスタ素子の板厚より
も大きくしたチツプ型バリスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP806684A JPS60151988A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型バリスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP806684A JPS60151988A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型バリスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60151988A JPS60151988A (ja) | 1985-08-10 |
| JPH0580116B2 true JPH0580116B2 (ja) | 1993-11-05 |
Family
ID=11682968
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP806684A Granted JPS60151988A (ja) | 1984-01-19 | 1984-01-19 | チツプ型バリスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60151988A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6236502U (ja) * | 1985-08-21 | 1987-03-04 | ||
| JPS62126801U (ja) * | 1986-01-31 | 1987-08-12 |
-
1984
- 1984-01-19 JP JP806684A patent/JPS60151988A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60151988A (ja) | 1985-08-10 |
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