JPH0229715Y2 - - Google Patents

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JPH0229715Y2
JPH0229715Y2 JP1982115236U JP11523682U JPH0229715Y2 JP H0229715 Y2 JPH0229715 Y2 JP H0229715Y2 JP 1982115236 U JP1982115236 U JP 1982115236U JP 11523682 U JP11523682 U JP 11523682U JP H0229715 Y2 JPH0229715 Y2 JP H0229715Y2
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hole
electrode
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varistor
adjacent
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JP1982115236U
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Description

【考案の詳細な説明】 本考案はバリスタ特性とコンデンサ特性とを有
する回路装置に関する。
従来の一般的なノイズ除去フイルタは、コンデ
ンサとインダクタンスコイルとから成り、更にサ
ージノイズを阻止する場合にはバリスタを有す
る。ところが、例えば特開昭57−35303号公報に
開示されているようなバリスタ特性とコンデンサ
特性とを有する複合機能素子の開発により、従来
のバリスタとコンデンサとを1つの複合機能素子
に置き換えることが可能になつた。しかし、フイ
ルタ回路等に於ける複合機能素子の簡略化された
結合構造はまだ提案されていない。
そこで、本考案の目的は、結合構造を簡略化す
ることが可能なバリスタ及びコンデンサ特性を有
する回路装置を提供することにある。
上記目的を達成するための本考案は、バリスタ
特性とコンデンサ特性とを有し且つ一方の主面か
ら他方の主面に貫通する少なくとも第1及び第2
の貫通孔を有する磁器基板と、前記第1の貫通孔
には隣接するが、前記第2の貫通孔には隣接しな
いように前記磁器基板の一方の主面に設けられた
第1の電極と、前記第2の貫通孔には隣接する
が、前記第1の貫通孔には隣接しないように前記
磁器基板の他方の主面に設けられ且つ前記第1の
電極に対向する領域を有するように配置された第
2の電極と、前記第1の貫通孔に挿通され且つ前
記第1の電極に結合された第1のリード導体と、
前記第2の貫通孔に挿通され且つ前記第2の電極
に結合された第2のリード導体とを備えたバリス
タ及びコンデンサ特性を有する回路装置に係わる
ものである。
上記考案は次の作用効果を存する。
(イ) 磁器基板の一方の主面の第1の電極に第1の
リード導体の一端を接続し、他方の主面の第2
の電極に第2のリード導体の一端を接続する従
来構造に比べて、貫通孔に挿通された第1及び
第2のリード導体に第1及び第2の電極を接続
する本考案の構造は、第1及び第2のリード導
体に第1及び第2の電極を強固に結合でき且つ
正確に位置決めできる利点を有する。
(ロ) 第1及び第2の電極は磁器基板の異なる面に
配置されているので、相互間を良好に絶縁する
ことができる。
(ハ) 第1及び第2の電極が均一間隔で対向してい
る領域の面積を大きくすることが可能であるの
で、比較的大きな電流に耐えるバリスタを提供
することができる。
次に、図面を参照して本考案の実施例に係わる
回路装置について述べる。
第1図〜第6図は第1の実施例に係わるライン
フイルタを示すものである。第1図に示すライン
フイルタは、第6図の等価回路を得るために、バ
リスタ及びコンデンサ複合機能素子1とインダク
タンス素子2とを円筒状絶縁ケース3に収容する
ことによつて構成されている。インダクタンス素
子2は第1図及び第2図から明らかなように環状
コア4と一対のコイル5,6とから成り、各コイ
ル5,6の端部から導出された線状導体から成る
4本のリード部分7,8,9,10を有する。
複合機能素子1は、第3図〜第5図から明らか
な如く、第1及び第2の貫通孔11,12を有す
る磁器基板13と、第3図に示す如く第1の貫通
孔11に隣接して一方の主面13aに設けられた
第1の電極14と、第4図に示す如く第2の貫通
孔12に隣接して他方の主面13bに設けられた
第2の電極15とから成る。そして、貫通孔1
1,12には第5図に示す如くインダクタンス素
子2のリード部分7,8が挿入され、半田16,
17によつて第1及び第2の電極14,15が第
1及び第2のリード部分7,8に結合されてい
る。尚磁器基板13は、SrTiO3を主成分とする
特開昭57−35303号公報に開示されているような
磁器であり、バリスタ特性とコンデンサ特性(誘
電体特性)とを有するものである。
複合機能素子1を上述の如く構成すれば、第1
の電極14と第2の電極15との対向する部分で
バリスタ作用とコンデンサ作用とが生じ、第6図
に示す如く一対のリード部分7,8間にバリスタ
VR1とコンデンサC1とが接続された状態となる。
従つて、インダクタンス素子5,6を一対の電力
ラインに直列に夫々接続することによつて高周波
ノイズとサージノイズとを阻止するラインフイル
タとして使用することが可能になる。
また、インダクタンス素子2のリード部分7,
8を貫通孔11,12に挿通させて半田16,1
7で電極14,15に結合させることにより、複
合機能素子の取付が完了するので、取付構造が簡
単である。
また、環状インダクタンス素子2と円板状複合
機能素子1とをケース3に順次に収容した構成で
あるので、高密度実装化及び小型化が可能であ
る。
次に、本考案の別の実施例について述べる。但
し、以下の実施例で第1図〜第6図と共通する部
分には同一符号を付してその説明を省略する。
第7図〜第9図は第2の実施例に係わるフイル
タを示すものである。この実施例では第9図に示
す回路の複合機能素子1a,1bを共通の磁器基
板13で得るために、基板13の右半分に第1の
複合機能能素子1aを第7図及び第8図に示す如
く形成し、左半分に第2の複合機能素子1bを形
成している。従つて、第3及び第4の貫通孔1
8,19が設けられ、また第3及び第4の電極2
0,21が設けられ、第9図のリード部分9を第
3の貫通孔18に挿通して第3の電極20に結合
し、第4のリード部分19を第4の貫通孔19に
挿通して第4の電極21に結合するように構成さ
れている。このように構成すれば、第1図及び第
2図に示した環状インダクタンス素子2の4本の
リード部分7,8,9,10の全部を磁器基板1
3の貫通孔11,12,18,19に挿通させる
ことが出来るので、一層の高密度実装化及び小型
化が可能になる。
第10図〜第13図に示す第3の実施例の素子
1eは、基板13の左半分に第13図に示すコン
デンサC1とバリスタVR1とキヤツプGを形成し、
基板14の右半分に第13図のコンデンサC2
バリスタVR2とを形成したものである。従つて、
第1の主面13aには、面方向でC1,VR1,G
を得るために、第1及び第2の電極14,15が
設けられ、また厚さ方向でC2,VR2を得るため
に第3の電極20が設けられている。第4の電極
21は第11図に示す如く第2の主面13bに設
けられている。尚、第13図の回路を形成するた
めには、第12図に示す如く第1及び第2の貫通
孔11,12に第1及び第2のリード部分7,8
を挿通し、第3及び第4の貫通孔18,19に
は、並列接続用リード部材23,24を挿通させ
て、これ等を並列接続する。
以上、本考案の実施例について述べたが、本考
案は更に変形可能なものである。例えば、第14
図に示す如く、2つのインダクタンス素子L1
L2と、4つの複合機能素子VC1,VC2,VC3
VC4とを組み合せてフイルタを構成してもよい。
【図面の簡単な説明】
第1図は本考案の第1の実施例のフイルタを示
す一部切欠正面図、第2図は第1図のインダクタ
ンス素子の平面図、第3図は第1図の複合機能素
子の平面図、第4図は第3図の素子の底面図、第
5図は第1図の一部を示す拡大断面図、第6図は
第1図の等価電気回路図、第7図は第2の実施例
の複合機能素子の平面図、第8図は第7図の素子
の底面図、第9図は第7図の素子を使用したフイ
ルタを示す回路図、第10図は第3の実施例の複
合機能素子を示す平面図、第11図は第10図の
素子の底面図、第12図は第10図の素子の接続
を示す側面図、第13図は第12図の素子の等価
回路図、第14図は複合機能素子で構成したフイ
ルタの変形例を示す等価回路図である。 尚図面に用いられている符号に於いて、1は複
合機能素子、2はインダクタンス素子、7,8は
リード部分、11は第1の貫通孔、12は第2の
貫通孔、13は磁器基板、14は第1の電極、1
5は第2の電極、16,17は半田である。

Claims (1)

  1. 【実用新案登録請求の範囲】 バリスタ特性とコンデンサ特性とを有し且つ一
    方の主面から他方の主面に貫通する少なくとも第
    1及び第2の貫通孔を有する磁器基板と、 前記第1の貫通孔には隣接するが、前記第2の
    貫通孔には隣接しないように前記磁器基板の一方
    の主面に設けられた第1の電極と、 前記第2の貫通孔には隣接するが、前記第1の
    貫通孔には隣接しないように前記磁器基板の他方
    の主面に設けられ且つ前記第1の電極に対向する
    領域を有するように配置された第2の電極と、 前記第1の貫通孔に挿通され且つ前記第1の電
    極に結合された第1のリード導体と、 前記第2の貫通孔に挿通され且つ前記第2の電
    極に結合された第2のリード導体と を備えたバリスタ及びコンデンサ特性を有する回
    路装置。
JP11523682U 1982-07-29 1982-07-29 バリスタ及びコンデンサ特性を有する回路装置 Granted JPS5920620U (ja)

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JPS5920620U JPS5920620U (ja) 1984-02-08
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5735303A (en) * 1980-07-30 1982-02-25 Taiyo Yuden Kk Voltage vs current characteristic nonlinear semiconductor porcelain composition and method of producing same

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