JPS62163Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は、高い周波数成分を有するサージ電圧
を吸収するサージ吸収器に関し、サージ電圧に対
する制限電圧がより低く、かつ、サージ吸収器発
熱時の熱放散がより良好なサージ吸収器を提供し
ようとするものである。

第１図にセラミツクスバリスタを用いたサージ
吸収器の従来例を示す。図中１はセラミツクスバ
リスタ素体、２はセラミツクスバリスタ素体１の
表面に焼付け、あるいはメタリコンなどで取り付
けられた電極で、裏面にも有する（図示せず）。
３は電極２に電気的に接続されたリード線であ
り、３′は他方のリード線である。通常、バリス
タは電気回路に並列に接続され、電線に重じよう
されてくるサージ電圧、あるいはノイズ電圧の吸
収に用いられる。

第１図に示した従来品を回路に接続した時の等
価回路を示したものが第２図である。図中４，
４′はリード線の有するインダクタンスで、５は
セラミツクスバリスタ素体１の電気的特性を有す
るシンボルである。今、電気回路Ａ〜Ｂにサージ
電圧が印加された場合、サージ電流は図の矢印の
ごとく流れ、５の両端にはそのサージ電流値に見
合つた制限電圧が現われる。しかしながら、負荷
側回路の端子Ｃ〜Ｄ側から見た場合の制限電圧は
５の制限電圧にインダクタンス４，４′の電圧降
下分が加え合わさり、結果的に制限電圧が上昇す
る事になる。この制限電圧の上昇はサージ電圧に
含まれる周波数成分が高くなればなる程、又、電
流が大きくなればなる程、顕著に現われる。この
様子を示したものが第３図の電圧電流特性であ
り、イはセラミツクスバリスタ素体の制限電圧
で、ロはこれにインダクタンス４，４′の電圧降
下分を加えたものであり、負荷回路側から見たサ
ージに対する保護特性は低下し良好でない。

また、従来例の場合、セラミツクスバリスタ素
体１が、サージ電流などで発熱した場合、その熱
の放散はリード線３，３′を通じて放散されるも
のと、セラミツクスバリスタ本体１より気中に放
散されるものであつたため、大きなサージエネル
ギーを吸収するには十分な熱放散が得られていな
かつた。

本考案は以上の２つの問題点を解決するもので
あり、次にその詳細について第４，５図を用いて
述べる。

第４図は本考案の一実施例の構造を示したもの
で、６は直方体形状にした酸化亜鉛系等のセラミ
ツクスバリスタ素体、７はセラミツクスバリスタ
素体６の表面に設けた電極、８は導電特性を有す
る平板状の金属板をジグザグ状にプレス加工して
なる電極板で、その異なつた位置に形成した凸状
になつた部分９をセラミツクスバリスタ素体６の
一方の面の異なつた位置の電極７に半田付け等に
より電気的、機械的に接続している。１０，１１
はこの電極板８の両端から取り出された電気端子
部、８′は前記電極板８と同様の形状をした電極
板で、他方の面の電極に電気的に接続され、２つ
の電気端子部１０′，１１′を有する。電極８′は
単なる平板のものであつてもよい。

第５図に第４図の等価回路を示す。１２，１
２′はジグザグ状をなしたる電極板８，８′によつ
て形成されたインダクタンスで、１３はこの電極
板８の凸部９よりバリスタの電極７に接続され、
もう一方の電極７′との間で形成された分割バリ
スタである。

このような等価回路の場合、Ａ〜Ｂ間に印加さ
れたサージ電圧はサージ電流となつて、各分割バ
リスタ１３に矢印のごとく流れ込むが、その電流
密度は、Ａ〜Ｂ側の分割バリスタ程大きく、逆に
Ｃ〜Ｄ側の方が低くなる。これは、Ｃ〜Ｄ側の分
割バリスタ程サージ電流がインダクタンス１２，
１２′をより多く介して流れ、電流が制限される
ためであり、結果としてより低い制限電圧を呈す
るものである。

さらに本案のものは４端子回路を形成している
ため、従来例で示したリード線のインダクタンス
４，４′による制限電圧の上昇は解消され、電極
板８，８′で形成されたインダクタンス１２，１
２′でＡ〜Ｂ側からＣ〜Ｄ側への高周波分も低減
されるものである。

また、電極板８，８′をジグザグ状に加工する
事によつてセラミツクスバリスタ素体６よりの熱
放散が良好になり、大きなサージエネルギーをも
吸収できるようになる。

なお、電極板の平面状を本実施例では矩形波
状、正弦波状として説明したが三角波形状でも良
い。また、同形状をなした電極板はバリスタの両
電極に用いなくても一方のみでも効果は若干低下
するものの十分効果を発揮するものである。

以上実施例より明らかなように本考案によれば
次のような利点を有する。

少なくとも一方の電極板をジグザグ状に加加
工して電極と接続する事によつてセラミツクス
バリスタの制限電圧を低下させる効果を持つ。

電極板にて４端子構造を有するごとく加工し
ているため、従来品のリードインダクタンスに
より生じていた電圧降下が本考案では無視され
る。

ジグザグ状の電極板に対応してセラミツクス
バリスタ素体に分割バリスタを作成することに
よつて上記制限電圧はより低減される。

電極板のジグザグ構造により熱放散が良好に
なり、サージエネルギー吸収特性、あるいは電
力消費特性が向上する。

【図面の簡単な説明】

第１図はセラミツクスバリスタの従来例を示す
図、第２図は第１図の等価回路図、第３図は、従
来品の電圧−電流特性図、第４図は本考案の一実
施例におけるサージ吸収器の斜視図、第５図は第
４図に示したものの等価回路図である。 ６……セラミツクスバリスタ本体、７……電
極、８……電極板、１０，１１，１０′，１１′…
…端子部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 平板状でかつジグザグ形状をなすように形成し
   た電極板を設け、上記電極板の異なつた複数個所
   をセラミツクスバリスタ素体の一方の面のそれぞ
   れ異なる部分に接続し、上記電極板の一端部を入
   力端子とし他端部を出力端子とし、上記セラミツ
   クスバリスタ素体の他方の面にも電極板を設け、
   ４端子構造にしてなるサージ吸収器。