JPS60225436A - 半導体基板用モリブデンデイスク - Google Patents
半導体基板用モリブデンデイスクInfo
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- JPS60225436A JPS60225436A JP8009084A JP8009084A JPS60225436A JP S60225436 A JPS60225436 A JP S60225436A JP 8009084 A JP8009084 A JP 8009084A JP 8009084 A JP8009084 A JP 8009084A JP S60225436 A JPS60225436 A JP S60225436A
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- Japan
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- disk
- molybdenum
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- nickel
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
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- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野」
本発明は半導体基板用のモリブデンディスクに関し、更
に詳しくは、板面の反シが／ＪＳさいモリブデンディス
クに関する。
に詳しくは、板面の反シが／ＪＳさいモリブデンディス
クに関する。
シリコン整流ダイオードの基板には、最近、モリブデン
ディスクが使用され、ている。これは、−モリブデンの
熱膨張係数がシリコイのそれと近似していること、熱伝
導性、電気伝導性が優れること、更には機械的強度に優
れシリコン整流ダイオードの組立て時に適用するプレス
成形の際にも変形が小さいとと−が）″のｇｇ１由に某
づしこのモリブデンディスクは従来次のようにして製造
されている。すなわち、まず、所定の厚み、面積度に加
工されたモリブデンの板材から所定形状のディスクを打
抜く。ついで、得られたディスクの・表面を例えばラッ
プ研摩して平滑にしたのち。
ディスクが使用され、ている。これは、−モリブデンの
熱膨張係数がシリコイのそれと近似していること、熱伝
導性、電気伝導性が優れること、更には機械的強度に優
れシリコン整流ダイオードの組立て時に適用するプレス
成形の際にも変形が小さいとと−が）″のｇｇ１由に某
づしこのモリブデンディスクは従来次のようにして製造
されている。すなわち、まず、所定の厚み、面積度に加
工されたモリブデンの板材から所定形状のディスクを打
抜く。ついで、得られたディスクの・表面を例えばラッ
プ研摩して平滑にしたのち。
そこにニッケルメッキを施して所定厚み（通常的２０１
ｔｍ）のニッケル層を形成するのである。
ｔｍ）のニッケル層を形成するのである。
しかしながら、この方法の場合には、モリブデンディス
クの研摩処理が必要であること、所定厚みのニッケル層
は一度のメッキ処理では形成できず、薄く形成したニッ
ケル層を熱妊理しその上に再びニッケルメッキでニッケ
ル層を形成するという操作を複数回反復して所定の厚み
にすることが必要でおること、などの問題がおる。すな
わち。
クの研摩処理が必要であること、所定厚みのニッケル層
は一度のメッキ処理では形成できず、薄く形成したニッ
ケル層を熱妊理しその上に再びニッケルメッキでニッケ
ル層を形成するという操作を複数回反復して所定の厚み
にすることが必要でおること、などの問題がおる。すな
わち。
工程数が多く、製造時間も長くなシ工業的に好ましいと
はいえない。
はいえない。
そのため、最近では、ニッケル板とモリブデン板とを圧
着して一体化した複合板、いわゆるニッケルとモリブデ
ンのクラツド板から所定形状のディスクを打抜き、これ
が基板として供用されている。このようなりラッドディ
スクは、モリブデンノ研摩処理、モリブデンへのニッケ
ルメッキ処理が省略されて有用である。
着して一体化した複合板、いわゆるニッケルとモリブデ
ンのクラツド板から所定形状のディスクを打抜き、これ
が基板として供用されている。このようなりラッドディ
スクは、モリブデンノ研摩処理、モリブデンへのニッケ
ルメッキ処理が省略されて有用である。
しかしながら、このニッケルクラッドモリブデンディス
クには次のような問題がある。すなわち、打抜き加工時
にディスクに反シが発生し易すくディスクの平坦度が低
下してシリコンウェハーとの密着性が悪くなることでめ
る。平坦度は、通常、板材表面の任意方向における単位
長さｉｂの最大反シ量（μｍ単位）で表現される。単位
長さとしては通常５０Ｂが採用されその平坦度は従来の
ディスクで約８０μＦＦ！／ ５０ｍ１程度であった。
クには次のような問題がある。すなわち、打抜き加工時
にディスクに反シが発生し易すくディスクの平坦度が低
下してシリコンウェハーとの密着性が悪くなることでめ
る。平坦度は、通常、板材表面の任意方向における単位
長さｉｂの最大反シ量（μｍ単位）で表現される。単位
長さとしては通常５０Ｂが採用されその平坦度は従来の
ディスクで約８０μＦＦ！／ ５０ｍ１程度であった。
この打抜き加工後の反りを矯正して平坦度を高めるため
には、通常、反りの部分を研摩除去するが、このニッケ
ルクラッドモリブデンディスクの場合には、ニッケルク
ランド層が高々２０μ声と極めて薄いので研摩処理を施
こすことができない。
には、通常、反りの部分を研摩除去するが、このニッケ
ルクラッドモリブデンディスクの場合には、ニッケルク
ランド層が高々２０μ声と極めて薄いので研摩処理を施
こすことができない。
このようなことから、平坦度に優れたニッケルクラッド
モリブデンディスクの開発は強く要請されている。
モリブデンディスクの開発は強く要請されている。
本発８Ａは、平坦Ｗ、に優れシリコンウェハーとの優れ
た密着性を可能にする半導体基板用のニッケルクラッド
モリブデンディスクの提供を目的とする。。
た密着性を可能にする半導体基板用のニッケルクラッド
モリブデンディスクの提供を目的とする。。
本発明者らは、上記したディスクにおける反シはディス
クをクラツド板から打抜く際に生ずるという事実に着目
した。そして、打抜き加工は、ディスクと同一面形状の
上パンチ（又は下パンチ）１個でなされておシャシたが
って、打抜き時にパンチの移動方向に反シが発生すると
いう事実を見出した。
クをクラツド板から打抜く際に生ずるという事実に着目
した。そして、打抜き加工は、ディスクと同一面形状の
上パンチ（又は下パンチ）１個でなされておシャシたが
って、打抜き時にパンチの移動方向に反シが発生すると
いう事実を見出した。
したがって、後述する打抜き法を採用することによシデ
ィスクの反９発生を解消し、その結果、極めて平坦度に
優れ九ディスクを開発するに到った。
ィスクの反９発生を解消し、その結果、極めて平坦度に
優れ九ディスクを開発するに到った。
すなわち、本発明の半導体基板用モリブデンディスクは
、ニッケルとのクラツド板構造であって。
、ニッケルとのクラツド板構造であって。
平坦度が５０ｍ１当シ３０μｍ以下であることを特徴と
する。
する。
本発明のディスクは次のようにして製造することができ
る。すなわち、まず、従来のニッケルクラッドモリブデ
ン板の製造と同様にして、所定厚みのモリブデンの板材
と所定厚みのニッケルの板材とを重ね合わせたシ、又は
モリブデンの板材をニッケル板材で包みこんだのち、全
体に熱間圧延又は、冷間圧延を施して両板材を圧着接合
し、更に所定温度に焼鈍してディスクを打抜く前のクラ
ツド板とする。゛ 次に、このクラツド板から所定形状のディスクを打抜く
。本発明における特徴は、上、下画パンチでクラツド板
を挾持した状態でそのまま打抜くというところにある。
る。すなわち、まず、従来のニッケルクラッドモリブデ
ン板の製造と同様にして、所定厚みのモリブデンの板材
と所定厚みのニッケルの板材とを重ね合わせたシ、又は
モリブデンの板材をニッケル板材で包みこんだのち、全
体に熱間圧延又は、冷間圧延を施して両板材を圧着接合
し、更に所定温度に焼鈍してディスクを打抜く前のクラ
ツド板とする。゛ 次に、このクラツド板から所定形状のディスクを打抜く
。本発明における特徴は、上、下画パンチでクラツド板
を挾持した状態でそのまま打抜くというところにある。
すなわち、型本体と下パンチとのレベルを同一にし、こ
こに前記したクラツド板をのせ、ついで上パンチを下降
させてクラツド板に当接し下パンチとの間でクラツド板
を挾みつける。この状態の壕ま、上パンチと下パンチと
を同一速度で下降させて該パンチと同一面形状のディス
クを打抜くのである。このような方法によれば、ディス
ク社打抜き過程中、常時間パンチで圧着挾持されている
ので、大きな反シの発生することが抑制されることにな
る。
こに前記したクラツド板をのせ、ついで上パンチを下降
させてクラツド板に当接し下パンチとの間でクラツド板
を挾みつける。この状態の壕ま、上パンチと下パンチと
を同一速度で下降させて該パンチと同一面形状のディス
クを打抜くのである。このような方法によれば、ディス
ク社打抜き過程中、常時間パンチで圧着挾持されている
ので、大きな反シの発生することが抑制されることにな
る。
か・くして、平坦度が３０μｌ＠／ ５ Ｑ ｌｅ以下
好ましくは、２５μｍ／ ５ Ｑ ｍｌ以下、更に好ま
しくは。
好ましくは、２５μｍ／ ５ Ｑ ｍｌ以下、更に好ま
しくは。
２０μｍ１５０■以下のディスクが得られる。この平坦
度の値は小さけれに小さい程有用であるが。
度の値は小さけれに小さい程有用であるが。
実際のシリコン整流ダイオードの基板としては上記した
程度の平坦度であれば全く問題を生じない。
程度の平坦度であれば全く問題を生じない。
板厚１０１Ｂのモリブデン板の片面に板厚０．２ ｍｓ
のニッケル板を重ね合わせ、全体を水素炉中で約１００
０℃に加熱したのち圧延し板厚２−のクランド板とした
。圧下本釣８０％。
のニッケル板を重ね合わせ、全体を水素炉中で約１００
０℃に加熱したのち圧延し板厚２−のクランド板とした
。圧下本釣８０％。
ついで、このクラツド板を冷間圧延して板厚ｌ−とし、
これを水素炉中で、９５０℃、約２０分間焼鈍した。得
られたクラツド板の平坦度は１８μｍ７５０課であった
。
これを水素炉中で、９５０℃、約２０分間焼鈍した。得
られたクラツド板の平坦度は１８μｍ７５０課であった
。
つぎに、パンチ径３０ｍの上、下バンチを備える打抜き
機を用い、上、下パンチで約１５ Ｋ９／ｍｍ’の圧力
でクラツド板を挾みつけつつ打抜き加工をし、山径５０
１Ｅｌｌ厚み１ｍｓのディスクを約２００個製造し瓦。
機を用い、上、下パンチで約１５ Ｋ９／ｍｍ’の圧力
でクラツド板を挾みつけつつ打抜き加工をし、山径５０
１Ｅｌｌ厚み１ｍｓのディスクを約２００個製造し瓦。
これらディスクの平坦度を測定したところ、その平均値
は１９μｍｌ ５０１１Ｂ（バランキー１９〜＋７μｍ
７５０ｍ）であった。なお、打抜時の挟持力は５〜３０
Ｋｇ／ｍｍ’、好ましくはｌＯ〜２０Ｋｙ／ｍｍ’がよ
い。
は１９μｍｌ ５０１１Ｂ（バランキー１９〜＋７μｍ
７５０ｍ）であった。なお、打抜時の挟持力は５〜３０
Ｋｇ／ｍｍ’、好ましくはｌＯ〜２０Ｋｙ／ｍｍ’がよ
い。
比較のために、下パンチを取シ除いた状態で同様のディ
スクを打抜きその平坦度の平均値をめたところ、２３μ
ｍ／ ５０１６（バラツキ−２２〜＋１５μｍ１５０１
１Ｂ ）であった。
スクを打抜きその平坦度の平均値をめたところ、２３μ
ｍ／ ５０１６（バラツキ−２２〜＋１５μｍ１５０１
１Ｂ ）であった。
以上の説明で明らかなように、本発明のモリブデンディ
スクは反シが＃１とんどなくその平坦度が従来のものに
比べて極めて優れていて半、導体用の基板として有用で
おる。
スクは反シが＃１とんどなくその平坦度が従来のものに
比べて極めて優れていて半、導体用の基板として有用で
おる。
Claims (1)
- ニッケルとのクラクド板構造であって、平坦度が長さ５
０１１１当シ３０μｍ 以下であることを特徴とする半
導体基板用モリブデンディスク。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8009084A JPS60225436A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 半導体基板用モリブデンデイスク |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8009084A JPS60225436A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 半導体基板用モリブデンデイスク |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60225436A true JPS60225436A (ja) | 1985-11-09 |
Family
ID=13708497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8009084A Pending JPS60225436A (ja) | 1984-04-23 | 1984-04-23 | 半導体基板用モリブデンデイスク |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60225436A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119242A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Toshiba Corp | 基板 |
| US5370837A (en) * | 1990-10-30 | 1994-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature heat-treating jig |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440569A (en) * | 1977-09-06 | 1979-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and its manufacture |
| JPS5821346A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS58181490A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-24 | Toshiba Corp | モリブデン−ニツケル複合材の製造方法 |
-
1984
- 1984-04-23 JP JP8009084A patent/JPS60225436A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5440569A (en) * | 1977-09-06 | 1979-03-30 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor device and its manufacture |
| JPS5821346A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Toshiba Corp | 半導体装置 |
| JPS58181490A (ja) * | 1982-04-20 | 1983-10-24 | Toshiba Corp | モリブデン−ニツケル複合材の製造方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63119242A (ja) * | 1986-11-07 | 1988-05-23 | Toshiba Corp | 基板 |
| US5370837A (en) * | 1990-10-30 | 1994-12-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High temperature heat-treating jig |
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