CN115621403A - 一种低翘曲度键合片的键合方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低翘曲度键合片的键合方法，涉及半导体制造领域，包括以下步骤：在外延层、硅衬底的预键合面形成第一、第二键合材料，对准后置入具有弧面的石墨盘中进行键合；使其升温至第一温度并对其施加第一压力，保持第一时间以使键合材料熔化融合；使温度从第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时将压力从第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间。本发明的方法通过使用具有弧面的石墨盘进行键合，而且控制温度与压力阶段性同时降低且每阶段保持一定时间，能减小键合结构中的应力，降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种低翘曲度键合片的键合方法。
背景技术
垂直LED芯片的制作工序中需要用到键合工艺实现外延层从蓝宝石衬底转移到硅衬底，图1示出了现有键合结构的示意图，包括蓝宝石衬底10、外延层20、键合层30和硅衬底40，其中蓝宝石衬底10的厚度为500～700um，硅衬底40的厚度为450～550um，这两种衬底的大小为2寸或者4寸；键合前，需要分别在外延层20、硅衬底40上蒸镀金属材料作为键合材料，然后使用带平坦石墨盘100的键合机将其键合在一起(如图2所示)，键合材料形成键合层30。
但由于蓝宝石衬底10和硅衬底40之间的热膨胀系数相差比较大，键合后冷却时会产生比较大的内应力，导致键合结构产生翘曲且翘曲度在400um以上，会导致后续加工困难，而且翘曲度过大会容易导致硅衬底40破裂。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，本发明提供了一种低翘曲度键合片的键合方法，通过使用具有一定弧面的石墨盘进行键合处理，而且控制温度与压力阶段性同时降低且每阶段保持一定时间，减小键合片中的应力，降低键合片的翘曲度。
本发明提供了一种低翘曲度键合片的键合方法，包括以下步骤：
提供硅衬底和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上生长有外延层；
在所述外延层的预键合面形成第一键合材料，在所述硅衬底的预键合面形成第二键合材料；
将所述第一键合材料与所述第二键合材料对准贴合组成预键合结构，置入具有一定弧面的石墨盘中进行键合处理；
在键合处理的过程中，使所述预键合结构升温至第一温度并对所述预键合结构施加第一压力，保持第一时间以使所述第一键合材料与所述第二键合材料熔化融合形成键合层；
所述键合层形成后，使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间，获得键合结构。
具体的，所述硅衬底的厚度为H1，所述蓝宝石衬底的厚度为H2，所述H1和所述H2的关系为：H1≥2H2。
具体的，所述硅衬底的厚度为800～1500um；所述蓝宝石衬底的厚度为250～400um。
具体的，在所述外延层的预键合面蒸镀形成1～2um厚的所述第一键合材料；在所述硅衬底的预键合面蒸镀形成1～2um厚的所述第二键合材料。
具体的，所述第一键合材料为金、镍、锡、金锡或镍锡；所述第二键合材料为金、镍、锡、金锡或镍锡；所述第一键合材料为金或镍时，所述第二键合材料为锡；所述第一键合材料为锡时，所述第二键合材料为金或镍；所述第一键合材料为金锡时，所述第二键合材料为金锡；所述第一键合材料为镍锡时，所述第二键合材料为镍锡。
具体的，将所述第一键合材料与所述第二键合材料对准贴合组成预键合结构，置入具有一定弧面的石墨盘中进行键合处理包括：将所述硅衬底与所述石墨盘的上凸盘接触，所述上凸盘的中心凸起高度为50～100um；将所述蓝宝石衬底与所述石墨盘的下凹盘接触，所述下凹盘的中心凹陷深度为50～100um。
具体的，所述第一温度为250～320℃。
具体的，所述第一压力为2000～5000kgf。
具体的，所述第一时间为5～30min。
具体的，所述预设温度为40～80℃，所述预设压力为0kgf，所述预设时间值为5～20min；
所述使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度包括：通过公式计算温度差值和各阶段温度，所述公式为：
ɑ＝(T0-TN)/N；
Tn＝T0-nɑ；
其中：ɑ为温度差值，T0为第一温度，TN为预设温度，N为总阶段数，N为自然数且4≤N≤6，n表示总阶段数N中的第n个阶段，Tn表示第n个阶段的温度；
所述对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力包括：通过公式计算压力差值和各阶段压力，所述公式为：
β＝(P0-PN)/N；
Pn＝P0-nβ；
其中：β为压力差值，P0为第一压力，PN为预设压力，N为总阶段数，N为自然数且4≤N≤6，n表示总阶段数N中的第n个阶段，Pn为第n个阶段的压力。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：
通过调整硅衬底和蓝宝石衬底的厚度，使硅衬底的厚度≥2倍蓝宝石衬底的厚度，能有效降低键合结构的翘曲度，也能有效降低硅衬底破裂的风险；
在具有一定弧面的石墨盘中对预键合结构进行键合处理，使预键合结构先形成和翘曲方向相反的球形弯曲，预先补偿键合结构的翘曲量，降低获得的键合结构的翘曲度；
在键合层形成后，控制温度与压力按照一定差值以等差数列的形式阶段性同时降低并且每阶段保持一定时间，能释放和减小键合结构中的应力，从而降低键合结构的翘曲度；
使用本发明的方法能降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片，便于后续蓝宝石衬底的剥离、硅衬底的抛光研磨等加工处理。
附图说明
图1是现有键合结构的示意图；
图2是使用平坦石墨盘进行键合的过程示意图；
图3是本发明实施例中一种低翘曲度键合片的键合方法的流程图；
图4是本发明实施例中键合结构的示意图；
图5是本发明实施例中使用具有一定弧面的石墨盘进行键合的过程示意图；
图6是本发明实施例中键合过程的时间-温度曲线及时间-压力曲线示意图。
附图中，10、蓝宝石衬底；11、减薄蓝宝石衬底；20、外延层；30、键合层；40、硅衬底；41、加厚硅衬底；100、平坦石墨盘；200、具有一定弧面的石墨盘；210、上凸盘；220、下凹盘。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例一：
图3示出了本发明实施例中一种低翘曲度键合片的键合方法的流程图，包括以下步骤：
S1、提供硅衬底和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上生长有外延层；
S2、在所述外延层的预键合面形成第一键合材料，在所述硅衬底的预键合面形成第二键合材料；
S3、将所述第一键合材料与所述第二键合材料对准贴合组成预键合结构，置入具有一定弧面的石墨盘中进行键合处理；
S4、在键合处理的过程中，使所述预键合结构升温至第一温度并对所述预键合结构施加第一压力，保持第一时间以使所述第一键合材料与所述第二键合材料熔化融合形成键合层；
S5、所述键合层形成后，使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间，获得键合结构。
在使用键合工艺将外延层从蓝宝石衬底转移到硅衬底时，蓝宝石衬底和硅衬底承受了温度从低到高，又从高到低的变化，由于两种衬底的热膨胀系数相差较大，两种衬底的变形量也相差较大，两种衬底在膨胀的状态下被键合层连接成整体，当温度从高到低变化时，由于两种衬底被键合层连接为一个整体，就不能进行自由收缩变形，导致在键合结构内部产生较大应力，收缩变形大的蓝宝石衬底会将收缩变形量小的硅衬底拉向它那一侧，使整个键合结构向蓝宝石衬底侧弯曲，即发生翘曲。
在具有一定弧面的石墨盘中对预键合结构进行键合处理，使预键合结构先形成和翘曲方向相反的球形弯曲，预先补偿键合结构的翘曲量，降低获得的键合结构的翘曲度；
进一步地，在键合层形成后，控制温度与压力按照一定差值以等差数列的形式阶段性同时降低并且每阶段保持一定时间，一方面能使蓝宝石衬底和硅衬底的收缩变形逐渐趋于平衡，释放应力；一方面能使蓝宝石衬底和硅衬底的强度逐渐恢复，抵抗应力；另一方面能使蓝宝石衬底和硅衬底产生一定的塑性形变，消减应力；最终降低了键合结构中的应力，从而降低键合结构的翘曲程度，获得低翘曲度的键合片。
实施例二：
图3示出了本发明实施例中一种低翘曲度键合片的键合方法的流程图，包括以下步骤：
S1、提供硅衬底和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上生长有外延层；
图4示出了本发明实施例中键合结构的示意图，本发明实施例提供的是加厚硅衬底41和减薄蓝宝石衬底11，所述加厚硅衬底41的厚度为H1，所述减薄蓝宝石衬底11的厚度为H2，所述H1和所述H2的关系为：H1≥2H2。
加厚硅衬底41的强度更佳，在键合后的冷却过程中能有效地抵抗来自减薄蓝宝石衬底11的拉扯，避免被减薄蓝宝石衬底11拉弯崩裂；相应地，减薄蓝宝石衬底11的强度较弱，从而降低其在键合后的冷却过程中对加厚硅衬底41的拉扯力度；通过使用加厚硅衬底41和减薄蓝宝石衬底11，可以有效降低键合结构的翘曲度，还可以有效降低硅衬底破裂的风险。
所述加厚硅衬底41是根据需要的厚度预先制作的标准件；所述减薄蓝宝石衬底11可以是根据需要的厚度预先制作的标准件，也可以是将现有蓝宝石衬底10研磨减薄形成的加工件。
为加厚硅衬底41和减薄蓝宝石衬底11选择合适的厚度可以有效地控制翘曲，所述加厚硅衬底41的厚度为800～1500um，所述减薄蓝宝石衬底11的厚度为250～400um，在允许的范围内，应尽量选择较厚的加厚硅衬底41和较薄的减薄蓝宝石衬底11，降低衬底间的应力对键合片翘曲的影响；优选地，所述加厚硅衬底41的厚度为1150～1500um，所述减薄蓝宝石衬底11的厚度为250～325um。
S2、在所述外延层的预键合面形成第一键合材料，在所述硅衬底的预键合面形成第二键合材料；
S3、将所述第一键合材料与所述第二键合材料对准贴合组成预键合结构，置入具有一定弧面的石墨盘中进行键合处理；
S4、在键合处理的过程中，使所述预键合结构升温至第一温度并对所述预键合结构施加第一压力，保持第一时间以使所述第一键合材料与所述第二键合材料熔化融合形成键合层；
S5、所述键合层形成后，使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间，获得键合结构。
通过提供加厚的硅衬底和减薄的蓝宝石衬底，使硅衬底的厚度≥2倍蓝宝石衬底的厚度，能有效降低键合结构的翘曲度，也能有效降低硅衬底破裂的风险；
在具有一定弧面的石墨盘中对预键合结构进行键合处理，使预键合结构先形成和翘曲方向相反的球形弯曲，预先补偿键合结构的翘曲量，降低获得的键合结构的翘曲度；
在键合层形成后，控制温度与压力按照一定差值以等差数列的形式阶段性同时降低并且每阶段保持一定时间，能释放并降低键合结构中的应力，从而降低键合结构的翘曲程度；最终获得具有低翘曲度的键合片，便于后续蓝宝石衬底的剥离、硅衬底的抛光研磨等加工处理。
实施例三：
图3示出了本发明实施例中一种低翘曲度键合片的键合方法的流程图，包括以下步骤：
S1、提供硅衬底和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上生长有外延层；
图4示出了本发明实施例中键合结构的示意图，本发明实施例提供的是加厚硅衬底41和减薄蓝宝石衬底11，所述加厚硅衬底41的厚度为H1，所述减薄蓝宝石衬底11的厚度为H2，所述H1和所述H2的关系为：H1≥2H2。
加厚硅衬底41的强度更佳，在键合后的冷却过程中能有效地抵抗来自减薄蓝宝石衬底11的拉扯，避免被减薄蓝宝石衬底11拉弯崩裂；相应地，减薄蓝宝石衬底11的强度较弱，从而降低其在键合后的冷却过程中对加厚硅衬底41的拉扯力度；通过使用加厚硅衬底41和减薄蓝宝石衬底11，可以有效降低键合结构的翘曲度，还可以有效降低硅衬底破裂的风险。
所述加厚硅衬底41是根据需要的厚度预先制作的标准件；所述减薄蓝宝石衬底11可以是根据需要的厚度预先制作的标准件，也可以是将现有蓝宝石衬底10研磨减薄形成的加工件。
为加厚硅衬底41和减薄蓝宝石衬底11选择合适的厚度可以有效地控制翘曲，所述加厚硅衬底41的厚度为800～1500um，所述减薄蓝宝石衬底11的厚度为250～400um，在允许的范围内，应尽量选择较厚的加厚硅衬底41和较薄的减薄蓝宝石衬底11，降低衬底间的应力对键合片翘曲的影响；优选地，所述加厚硅衬底41的厚度为1150～1500um，所述减薄蓝宝石衬底11的厚度为250～325um。
S2、在所述外延层的预键合面形成第一键合材料，在所述硅衬底的预键合面形成第二键合材料；
在所述外延层20的预键合面蒸镀形成1～2um厚的所述第一键合材料；在所述硅衬底40的预键合面蒸镀形成1～2um厚的所述第二键合材料；所述第一键合材料为金、镍、锡、金锡或镍锡；所述第二键合材料为金、镍、锡、金锡或镍锡；所述第一键合材料为金或镍时，所述第二键合材料为锡；所述第一键合材料为锡时，所述第二键合材料为金或镍；所述第一键合材料为金锡时，所述第二键合材料为金锡；所述第一键合材料为镍锡时，所述第二键合材料为镍锡。
键合材料不需要太厚，1～2um较为适合，如果太薄，键合时产生熔融液体不足会导致键合层30产生空洞，连接不良；如果太厚，键合时产生熔融液体过多会溢出流到非键合区，造成浪费；键合材料中有锡，锡的熔点相对较低，键合时容易快速熔化，熔融液体扩散快，并且能很好地融合金或镍，连接效果好。
S3、将所述第一键合材料与所述第二键合材料对准贴合组成预键合结构，置入具有一定弧面的石墨盘中进行键合处理；
图5示出了本发明实施例中使用具有一定弧面的石墨盘进行键合的过程示意图，将所述加厚硅衬底41与所述具有一定弧面的石墨盘200的上凸盘210接触，所述上凸盘210的中心凸起高度为50～100um；将所述减薄蓝宝石衬底11与所述具有一定弧面的石墨盘200的下凹盘220接触，所述下凹盘220的中心凹陷深度为50～100um。
将预键合结构置入具有一定弧面的石墨盘200中，所述加厚硅衬底41在上与所述上凸盘210接触，所述减薄蓝宝石衬底11在下与所述下凹盘220接触，这样在对所述预键合结构施加压力时，所述预键合结构就会形成和翘曲方向相反的球形弯曲，预先补偿键合结构的翘曲量，降低获得的键合结构的翘曲度；
所述预键合结构形成的球形弯曲弧度要适宜，如果球形弯曲弧度太大则会补偿过度，导致获得的键合结构朝加厚硅衬底41侧弯曲，甚至会使加厚硅衬底41崩裂；如果球形弯曲弧度太小则无法有效补偿翘曲量，达不到降低键合结构翘曲度的目的；
使所述预键合结构形成中心与边缘相差50～100um高度的球形弯曲比较适宜，通过设置所述上凸盘210的中心凸起高度为50～100um，所述下凹盘220的中心凹陷深度为50～100um来实现，所述上凸盘210和所述下凹盘220要完全匹配，即所述上凸盘210的中心凸起高度要和所述下凹盘220的中心凹陷深度一致，所述凸起高度和所述凹陷深度可以为50um，也可以是75um，还可以是100um等等。
S4、在键合处理的过程中，使所述预键合结构升温至第一温度并对所述预键合结构施加第一压力，保持第一时间以使所述第一键合材料与所述第二键合材料熔化融合形成键合层；
所述第一温度为250～320℃，这是共晶熔融的温度，使键合材料熔化；所述第一压力为2000～5000kgf，能促进第一键合材料与第二键合材料接触融合，促进熔融的键合材料在外延层20和加厚硅衬底41之间充分扩散，避免产生键合空洞；所述第一时间为5～30min，在达到共晶熔融温度后保持5～30min能使键合材料充分熔融，时间保持太短则键合材料熔化效果不良，容易形成键合空洞，时间保持过长，则键合材料形成的熔融液体会溢出，还会影响生产效率。
S5、所述键合层形成后，使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间，获得键合结构。
所述预设温度为40℃～80℃，所述预设压力为0kgf，所述预设时间值为5～20min，降温的速率为3～8℃/min；
图6示出了本发明实施例中键合过程的时间-温度曲线及时间-压力曲线示意图，所述使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度包括：通过公式计算温度差值和各阶段温度，所述公式为：
ɑ＝(T0-TN)/N；
Tn＝T0-nɑ；
其中：ɑ为温度差值，T0为第一温度，TN为预设温度，N为总阶段数，N为自然数且4≤N≤6，n表示总阶段数N中的第n个阶段，Tn表示第n个阶段的温度；
所述对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力包括：通过公式计算压力差值和各阶段压力，所述公式为：
β＝(P0-PN)/N；
Pn＝P0-nβ；
其中：β为压力差值，P0为第一压力，PN为预设压力，N为总阶段数，N为自然数且4≤N≤6，n表示总阶段数N中的第n个阶段，Pn为第n个阶段的压力。
作为示例，当第一温度T0为250℃，预设温度TN为50℃，第一压力P0为2000kgf，预设压力PN为0kgf，总阶段数N为4段，预设时间值为5min时，获得的温度差值ɑ为50℃，压力差值β为500kgf；即使所述预键合结构的温度从250℃按照50℃的温度差值以等差数列的形式分4段递减降至预设温度50℃，同时对所述预键合结构施加的压力从2000kgf按500kgf的压力差值以等差数列的形式分4段递减降至预设压力0kgf，且每阶段保持5min，获得键合结构。
具体的，将温度从250℃降至200℃，同时将压力从2000kgf降至1500kgf，在200℃和1500kgf下保持5min；
然后，将温度从200℃降至150℃，同时将压力从1500kgf降至1000kgf，在150℃和1000kgf下保持5min；
接着，将温度从150℃降至100℃，同时将压力从1000kgf降至500kgf，在100℃和500kgf下保持5min；
最后，将温度从100℃降至50℃，同时将压力从500kgf降至0kgf，完成键合，获得低翘曲度的键合结构。
在键合层形成后，控制温度与压力按照一定差值以等差数列的形式阶段性同时降低并且每阶段保持一定时间，一方面能使蓝宝石衬底和硅衬底的收缩变形逐渐趋于平衡，释放应力；一方面能使蓝宝石衬底和硅衬底的强度逐渐恢复，抵抗应力；另一方面能使蓝宝石衬底和硅衬底产生一定的塑性形变，消减应力；最终降低了键合结构中的应力，从而降低键合结构的翘曲程度，获得低翘曲度的键合片。
综上所述，本发明实施例所提供的一种低翘曲度键合片的键合方法，通过提供加厚的硅衬底和减薄的蓝宝石衬底，使硅衬底的厚度≥2倍蓝宝石衬底的厚度，能有效降低键合结构的翘曲度，也能有效降低硅衬底破裂的风险；在具有一定弧面的石墨盘中对预键合结构进行键合处理，使预键合结构先形成和翘曲方向相反的球形弯曲，预先补偿键合结构的翘曲量，降低获得的键合结构的翘曲度；在键合层形成后，控制温度与压力按照一定差值以等差数列的形式阶段性同时降低并且每阶段保持一定时间，能释放并降低键合结构中的应力，从而降低键合结构的翘曲程度；使用本发明的方法能降低键合结构的翘曲度，获得具有低翘曲度的键合片，便于后续蓝宝石衬底的剥离、硅衬底的抛光研磨等加工处理。
以上对本发明实施例所提供的一种低翘曲度键合片的键合方法进行了详细介绍，本文中应采用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供硅衬底和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底上生长有外延层；
在所述外延层的预键合面形成第一键合材料，在所述硅衬底的预键合面形成第二键合材料；
将所述第一键合材料与所述第二键合材料对准贴合组成预键合结构，置入具有一定弧面的石墨盘中进行键合处理；
在键合处理的过程中，使所述预键合结构升温至第一温度并对所述预键合结构施加第一压力，保持第一时间以使所述第一键合材料与所述第二键合材料熔化融合形成键合层；
所述键合层形成后，使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度，同时对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力，且每阶段按照预设时间值保持一段时间，获得键合结构。
2.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，所述硅衬底的厚度为H1，所述蓝宝石衬底的厚度为H2，所述H1和所述H2的关系为：H1≥2H2。
3.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，所述硅衬底的厚度为800～1500um；所述蓝宝石衬底的厚度为250～400um。
4.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，在所述外延层的预键合面蒸镀形成1～2um厚的所述第一键合材料；在所述硅衬底的预键合面蒸镀形成1～2um厚的所述第二键合材料。
5.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，所述第一键合材料为金、镍、锡、金锡或镍锡；所述第二键合材料为金、镍、锡、金锡或镍锡；所述第一键合材料为金或镍时，所述第二键合材料为锡；所述第一键合材料为锡时，所述第二键合材料为金或镍；所述第一键合材料为金锡时，所述第二键合材料为金锡；所述第一键合材料为镍锡时，所述第二键合材料为镍锡。
6.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，将所述第一键合材料与所述第二键合材料对准贴合组成预键合结构，置入具有一定弧面的石墨盘中进行键合处理包括：将所述硅衬底与所述石墨盘的上凸盘接触，所述上凸盘的中心凸起高度为50～100um；将所述蓝宝石衬底与所述石墨盘的下凹盘接触，所述下凹盘的中心凹陷深度为50～100um。
7.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，所述第一温度为250～320℃。
8.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，所述第一压力为2000～5000kgf。
9.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，所述第一时间为5～30min。
10.如权利要求1所述的低翘曲度键合片的键合方法，其特征在于，所述预设温度为40～80℃，所述预设压力为0kgf，所述预设时间值为5～20min；
所述使所述预键合结构的温度从所述第一温度按温度差值以等差数列的形式分段递减降至预设温度包括：通过公式计算温度差值和各阶段温度，所述公式为：
ɑ＝(T0-TN)/N；
Tn＝T0-nɑ；
其中：ɑ为温度差值，T0为第一温度，TN为预设温度，N为总阶段数，N为自然数且4≤N≤6，n表示总阶段数N中的第n个阶段，Tn表示第n个阶段的温度；
所述对所述预键合结构施加的压力从所述第一压力按压力差值以等差数列的形式分段递减降至预设压力包括：通过公式计算压力差值和各阶段压力，所述公式为：
β＝(P0-PN)/N；
Pn＝P0-nβ；
其中：β为压力差值，P0为第一压力，PN为预设压力，N为总阶段数，N为自然数且4≤N≤6，n表示总阶段数N中的第n个阶段，Pn为第n个阶段的压力。
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN117038479A (zh) * | 2023-08-22 | 2023-11-10 | 中环领先半导体材料有限公司 | 一种衬底及其制备方法 |
| CN117133637A (zh) * | 2023-10-26 | 2023-11-28 | 青禾晶元(天津)半导体材料有限公司 | 提升碳化硅复合衬底有效面积的方法及碳化硅复合衬底 |
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2022
- 2022-10-25 CN CN202211314579.XA patent/CN115621403A/zh active Pending
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