JPH03268329A - バンプ電極 - Google Patents
バンプ電極Info
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- JPH03268329A JPH03268329A JP6760990A JP6760990A JPH03268329A JP H03268329 A JPH03268329 A JP H03268329A JP 6760990 A JP6760990 A JP 6760990A JP 6760990 A JP6760990 A JP 6760990A JP H03268329 A JPH03268329 A JP H03268329A
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
金にてなる第１のバンプ電極の上に、金にてなる第２の
バンプ電極が搭載された２段構成のバンプ電極に関し、 同時に形成された多数のバンプ電極の高さ（上面）を揃
え、高背高のバンプ電極の形成を容易ならしめることを
目的とし、 １回目の転写によって絶縁基板に形成された該第１のバ
ンプ電極の上に、２回目の転写により該第２のバンプ電
極が形成されてなることを特徴とし構成する。
バンプ電極が搭載された２段構成のバンプ電極に関し、 同時に形成された多数のバンプ電極の高さ（上面）を揃
え、高背高のバンプ電極の形成を容易ならしめることを
目的とし、 １回目の転写によって絶縁基板に形成された該第１のバ
ンプ電極の上に、２回目の転写により該第２のバンプ電
極が形成されてなることを特徴とし構成する。
本発明は、絶縁基板に転写により多数個を同時に形成し
たバンプ電極、特に第１の金バンプ電極の上に第２の金
バンプ電極を重ねた２段構成のバンプ電極に関する。
たバンプ電極、特に第１の金バンプ電極の上に第２の金
バンプ電極を重ねた２段構成のバンプ電極に関する。
半導体装置等において、チップの新規実装方法としてフ
ィルムキャリアを使用するＴＡＢ （ＴａｐｅＡｕｔｍ
ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式および、Ｃ Ｏ Ｇ
（Ｃｉｐｅ ｏｎＧｌａｓｓ）方式が開発され、利用さ
れるようになった。
ィルムキャリアを使用するＴＡＢ （ＴａｐｅＡｕｔｍ
ａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）方式および、Ｃ Ｏ Ｇ
（Ｃｉｐｅ ｏｎＧｌａｓｓ）方式が開発され、利用さ
れるようになった。
ＣＯＧ方式は、一般に金にてなる多数の転写用バンプ電
極を転写用ガラス基板に形成したのち、そのバンプ電極
を所望の基板やＩＣチップ等に転写する方式であり、本
発明はＣＯＧ方式によって形成されバンプ電極の構成、
特に多数のバンプ電極の上面を同一面に揃え（背高を揃
え）、高背高のバンプ電極の形成を容易ならしめたもの
である。
極を転写用ガラス基板に形成したのち、そのバンプ電極
を所望の基板やＩＣチップ等に転写する方式であり、本
発明はＣＯＧ方式によって形成されバンプ電極の構成、
特に多数のバンプ電極の上面を同一面に揃え（背高を揃
え）、高背高のバンプ電極の形成を容易ならしめたもの
である。
第３図は従来のバンプ電極を転写形成した基板の側面図
、第５図は転写バンプ電極を形成したガラス基板の側面
図である。
、第５図は転写バンプ電極を形成したガラス基板の側面
図である。
第３図において、絶縁基板１の上面にはバンプ電極形成
用パッド２とパッド間の絶縁層３を形成し、一般に厚さ
２μｍ程度以下のアルミニウムにてなる各パッド２に被
着された金のバンプ電極４は、転写により形成されたも
のである。
用パッド２とパッド間の絶縁層３を形成し、一般に厚さ
２μｍ程度以下のアルミニウムにてなる各パッド２に被
着された金のバンプ電極４は、転写により形成されたも
のである。
第５図において、転写用バンプ電極を形成させるガラス
基板５は、上面にマスク６を形成し、マスク６の各透孔
部には転写用金バンプ７がめっきにより形成される。
基板５は、上面にマスク６を形成し、マスク６の各透孔
部には転写用金バンプ７がめっきにより形成される。
金バンプ７を絶縁基板１のパッド２に転写する方法は、
例えばバンプ７の形成されたガラス基板５を約１５０°
Ｃに加熱し、パッド２の形成された基板ｌを約３５０℃
に加熱し、２０ｇ程度の押圧力で各バンプ７をパッド２
に押し付ける。
例えばバンプ７の形成されたガラス基板５を約１５０°
Ｃに加熱し、パッド２の形成された基板ｌを約３５０℃
に加熱し、２０ｇ程度の押圧力で各バンプ７をパッド２
に押し付ける。
すると、パッド２とバンプ７との界面にアルミニウムと
金の合金が生成され、該合金によってバンプ７はパッド
２に被着する。
金の合金が生成され、該合金によってバンプ７はパッド
２に被着する。
そこで、ガラス基板５を絶縁基板ｌから離すようにする
と、バンプ７はガラス基板５より剥離しバンプ電極４が
絶縁基板ｌに形成される。
と、バンプ７はガラス基板５より剥離しバンプ電極４が
絶縁基板ｌに形成される。
絶縁基板ｌおよびガラス基板５の前記加熱は、例えば絶
縁基板１の固定台に収容したヒーターに通電し、ガラス
基板５を絶縁基板ｌに向けて押下する抵抗体キャピラリ
に通電する。
縁基板１の固定台に収容したヒーターに通電し、ガラス
基板５を絶縁基板ｌに向けて押下する抵抗体キャピラリ
に通電する。
以上説明した如く形成された従来のバンプ電極４は、前
記加熱および押圧力により生じる絶縁基板１．ガラス基
板５の変形等によって、同一絶縁基板ｌに形成された多
数のバンプ電極４の上面のばらつきΔｈが１μｍ以上に
なる。
記加熱および押圧力により生じる絶縁基板１．ガラス基
板５の変形等によって、同一絶縁基板ｌに形成された多
数のバンプ電極４の上面のばらつきΔｈが１μｍ以上に
なる。
かかるばらつきΔｈはバンプ電極４をその接続相手、例
えばポリイミドフィルムに形成されリードに接続させた
とき、導通不良の要因になるという問題点があった。
えばポリイミドフィルムに形成されリードに接続させた
とき、導通不良の要因になるという問題点があった。
また、従来方法によって例えば２０μｍ程度の背高のバ
ンプ電極４を形成しようとすると、ガラス基板５に形成
するバンプ７を２０μｍ以上の厚さにする必要がある。
ンプ電極４を形成しようとすると、ガラス基板５に形成
するバンプ７を２０μｍ以上の厚さにする必要がある。
しかし、バンプ７はｌＯμｍ程度以上に厚くすると、ガ
ラス基板５に対する被着力か低下し、ガラス基板５より
脱落し易いという問題点があった。
ラス基板５に対する被着力か低下し、ガラス基板５より
脱落し易いという問題点があった。
本発明の目的は、バンプ電極の上面のばらつきΔｈを低
減せしめ（高さを揃え）、バンプ電極と接続相手との接
続不良をな（すと共に、１０μｍ以上の高背高のバンプ
電極の形成を容易ならしめることである。
減せしめ（高さを揃え）、バンプ電極と接続相手との接
続不良をな（すと共に、１０μｍ以上の高背高のバンプ
電極の形成を容易ならしめることである。
上記目的は、本発明の実施例を示す第１図によれば、金
にてなる第１のバンプ電極４の上に、金にてなる第２の
バンプ電極８が搭載された２段構成のバンプ電極とし、 １回目の転写によって絶縁基板ｌに形成された第１のバ
ンプ電極４の上に、２回目の転写により第２のバンプ電
極８が形成されてなることを特徴とするバンプ電極によ
り解決される。
にてなる第１のバンプ電極４の上に、金にてなる第２の
バンプ電極８が搭載された２段構成のバンプ電極とし、 １回目の転写によって絶縁基板ｌに形成された第１のバ
ンプ電極４の上に、２回目の転写により第２のバンプ電
極８が形成されてなることを特徴とするバンプ電極によ
り解決される。
上記手段によれば、第１のバンプ電極の上に第２のバン
プ電極を搭載せしめて形成したことにより、第２のバン
プ電極の転写は、第１のバンプ電極の転写より緩やかな
条件、即ち転写時の温度。
プ電極を搭載せしめて形成したことにより、第２のバン
プ電極の転写は、第１のバンプ電極の転写より緩やかな
条件、即ち転写時の温度。
押圧力の少なくとも一方を低減できるため、バンプ電極
が形成される絶縁基板および転写バンプを形成せしめた
ガラス基板の変形が少な（なり、第２のバンプ電極上面
のばらつきは、第１のバンプ電極上面のばらつきの１７
２程度にすることが可能になる。
が形成される絶縁基板および転写バンプを形成せしめた
ガラス基板の変形が少な（なり、第２のバンプ電極上面
のばらつきは、第１のバンプ電極上面のばらつきの１７
２程度にすることが可能になる。
さらに、２段構成になる本発明のバンプ電極の高さを例
えば約２０μｍにするには、約１０μｍに形成された第
１．第２の転写用バンプを積み重ねればよい。そして、
高さ１０μｍ程度の転写用バンプは転写用ガラス基板に
対する被着力が確保されるため、本発明による構成で高
さ２０μｍのバンプ電極を形成することは、容易かつ確
実になる。
えば約２０μｍにするには、約１０μｍに形成された第
１．第２の転写用バンプを積み重ねればよい。そして、
高さ１０μｍ程度の転写用バンプは転写用ガラス基板に
対する被着力が確保されるため、本発明による構成で高
さ２０μｍのバンプ電極を形成することは、容易かつ確
実になる。
以下に図面を用いて本発明の実施例による基板を説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例によるバンプ電極を形成した
基板の断面図、第２図は本発明の他の実施例によるバン
プ電極を形成した基板の断面図、第４図（イ）〜（ハ）
は第１図に示すバンプ電極の製造工程の説明図である。
基板の断面図、第２図は本発明の他の実施例によるバン
プ電極を形成した基板の断面図、第４図（イ）〜（ハ）
は第１図に示すバンプ電極の製造工程の説明図である。
第１図において、絶縁基板ｌの上面にはバンプ電極形成
用アルミニウムパッド２とパッド間の絶縁層３を形成し
、各パッド２には金にてなる第１のバンプ電極４が転写
により形成され、バンプ電極４の上には、金にてなりバ
ンプ電極４と同一径に作成された第２のバンプ電極８が
転写により形成されてなる。
用アルミニウムパッド２とパッド間の絶縁層３を形成し
、各パッド２には金にてなる第１のバンプ電極４が転写
により形成され、バンプ電極４の上には、金にてなりバ
ンプ電極４と同一径に作成された第２のバンプ電極８が
転写により形成されてなる。
第２図において、絶縁基板１の上面にはバンプ電極形成
用アルミニウムパッド２とパッド間の絶縁層３を形成し
、各パッド２には金にてなる第１のバンプ電極４が転写
により形成され、バンプ電極４の上には、金にてなりバ
ンプ電極４より小径に作成された第２のバンプ電極９が
転写により形成されてなる。
用アルミニウムパッド２とパッド間の絶縁層３を形成し
、各パッド２には金にてなる第１のバンプ電極４が転写
により形成され、バンプ電極４の上には、金にてなりバ
ンプ電極４より小径に作成された第２のバンプ電極９が
転写により形成されてなる。
第４図（イ）において、絶縁基板１の上面にはバンプ電
極形成用アルミニウムパッド２とパッド間の絶縁層３を
形成する。
極形成用アルミニウムパッド２とパッド間の絶縁層３を
形成する。
第４図（ロ）において、多数の各パッド２の上にバンプ
電極４を転写により形成させるが、該転写は従来と同一
方法、例えば転写バンプの形成されたガラス基板を約１
５０℃に加熱し、パッド２の形成された基板１を約３５
０°Ｃに加熱し、２０μ程度の押圧力で各バンプ７をパ
ッド２に押し付け、パッド２とバンプ電極４との界面に
アルミニウムと金の合金を生成せしめる。
電極４を転写により形成させるが、該転写は従来と同一
方法、例えば転写バンプの形成されたガラス基板を約１
５０℃に加熱し、パッド２の形成された基板１を約３５
０°Ｃに加熱し、２０μ程度の押圧力で各バンプ７をパ
ッド２に押し付け、パッド２とバンプ電極４との界面に
アルミニウムと金の合金を生成せしめる。
しかるのち第４図（ハ）において、バンプ電極４の上に
バンプ電極８を転写により形成させる。
バンプ電極８を転写により形成させる。
金バンプ電極４に金バンプ電極８を転写によって形成さ
せるには、バンプ電極４をパッド２に転写形成させるよ
り温度および圧力の少なくとも一方を低くすることが可
能であり、例えば転写バンプの形成されたガラス基板を
約１５０℃に加熱し、パッド２の形成された基板１を約
３００℃に加熱し、バンプ電極８をバンプ電極４に押し
付ける圧力を１０μ程度にすることが可能である。
せるには、バンプ電極４をパッド２に転写形成させるよ
り温度および圧力の少なくとも一方を低くすることが可
能であり、例えば転写バンプの形成されたガラス基板を
約１５０℃に加熱し、パッド２の形成された基板１を約
３００℃に加熱し、バンプ電極８をバンプ電極４に押し
付ける圧力を１０μ程度にすることが可能である。
このような２段構成で形成されたバンプ電極は、バンプ
電極８の転写条件がバンプ電極４の転写条件より低温、
低圧力で行えるため、絶縁基板Ｉおよび転写用ガラス基
板の変形が少なくなり、バンプ電極８の上面のばらつき
Δｈ１を０．５μｍ以下にすることが容易である。
電極８の転写条件がバンプ電極４の転写条件より低温、
低圧力で行えるため、絶縁基板Ｉおよび転写用ガラス基
板の変形が少なくなり、バンプ電極８の上面のばらつき
Δｈ１を０．５μｍ以下にすることが容易である。
そして、バンプ電極４および８それぞれの高さを１０μ
のにすれば、バンプ電極４にバンプ電極８を搭載せしめ
た全背高は約２０μｍとなり、高さ１０μｍの転写用バ
ンプは転写用ガラス基板に対する被着力が確保されるた
め、背高２０μｍのバンプ電極の形成が容易かつ確実に
なる。
のにすれば、バンプ電極４にバンプ電極８を搭載せしめ
た全背高は約２０μｍとなり、高さ１０μｍの転写用バ
ンプは転写用ガラス基板に対する被着力が確保されるた
め、背高２０μｍのバンプ電極の形成が容易かつ確実に
なる。
さらに、第２図に示す如くバンプ電極４より小径のバン
プ電極９を転写形成するようにすれば、バンプ電極９の
形成条件はバンプ電極８の形成条件より一層の低温、低
圧力で可能であり、バンプ電極９の上面のばらつきΔｈ
２は、Δｈ＋より小さくすることが可能になる。
プ電極９を転写形成するようにすれば、バンプ電極９の
形成条件はバンプ電極８の形成条件より一層の低温、低
圧力で可能であり、バンプ電極９の上面のばらつきΔｈ
２は、Δｈ＋より小さくすることが可能になる。
以上説明したように本発明によれば、バンプ電極上面の
ばらつきが０．５μｍ以下になり、そのことによって接
続相手に対する接続不良をなくし信頼性が向上されたと
共に、１０μｍ以上の高背高のバンプ電極が容易かつ確
実に形成できるようにした効果を有する。
ばらつきが０．５μｍ以下になり、そのことによって接
続相手に対する接続不良をなくし信頼性が向上されたと
共に、１０μｍ以上の高背高のバンプ電極が容易かつ確
実に形成できるようにした効果を有する。
第１図は本発明の一実施例によるバンプ電極を形成した
基板、 第２図は本発明の他の実施例によるバンプ電極を形成し
た基板、 第３図は従来のバンプ電極を形成した基板、第４図は第
１図に示すバンプ電極の製造工程図、第５図は転写バン
プ電極を形成したガラス基板、である。 図中において、 ｌは絶縁基板、 ２はバンプ電極形成用のパッド、 ４は第１のバンプ電極、 ８．９は第２のバンプ電極、 を示す。
基板、 第２図は本発明の他の実施例によるバンプ電極を形成し
た基板、 第３図は従来のバンプ電極を形成した基板、第４図は第
１図に示すバンプ電極の製造工程図、第５図は転写バン
プ電極を形成したガラス基板、である。 図中において、 ｌは絶縁基板、 ２はバンプ電極形成用のパッド、 ４は第１のバンプ電極、 ８．９は第２のバンプ電極、 を示す。
Claims (2)
- （１）金にてなる第１のバンプ電極（４）の上に、金に
てなる第２のバンプ電極（８、９）が搭載された２段構
成のバンプ電極であり、 １回目の転写によって絶縁基板（１）に形成された該第
１のバンプ電極（４）の上に、２回目の転写により該第
２のバンプ電極（８、９）が形成されてなることを特徴
とするバンプ電極。 - （２）前記第２のバンプ電極（９）が前記第１のバンプ
電極（４）より小径の小型であることを特徴とする前記
請求項１記載のバンプ電極。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6760990A JPH03268329A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | バンプ電極 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6760990A JPH03268329A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | バンプ電極 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03268329A true JPH03268329A (ja) | 1991-11-29 |
Family
ID=13349852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6760990A Pending JPH03268329A (ja) | 1990-03-16 | 1990-03-16 | バンプ電極 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03268329A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0792463A4 (en) * | 1994-11-15 | 1998-06-24 | Formfactor Inc | ASSEMBLY OF SPRING ELEMENTS ON SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND WAFERTEST PROCEDURE |
| EP0859686A4 (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-11 | Formfactor Inc | PRODUCTION OF CONNECTIONS AND FITTINGS WITH THE USE OF SACRED SUBSTRATE |
| US8783440B2 (en) | 2011-12-28 | 2014-07-22 | Ricoh Company, Limited | Sheet member position correcting device and image forming apparatus |
-
1990
- 1990-03-16 JP JP6760990A patent/JPH03268329A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0792463A4 (en) * | 1994-11-15 | 1998-06-24 | Formfactor Inc | ASSEMBLY OF SPRING ELEMENTS ON SEMICONDUCTOR COMPONENTS AND WAFERTEST PROCEDURE |
| EP0859686A4 (en) * | 1995-05-26 | 1998-11-11 | Formfactor Inc | PRODUCTION OF CONNECTIONS AND FITTINGS WITH THE USE OF SACRED SUBSTRATE |
| US8783440B2 (en) | 2011-12-28 | 2014-07-22 | Ricoh Company, Limited | Sheet member position correcting device and image forming apparatus |
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