JPS60157202A - 膜抵抗体のトリミング方法 - Google Patents
膜抵抗体のトリミング方法Info
- Publication number
- JPS60157202A JPS60157202A JP59012768A JP1276884A JPS60157202A JP S60157202 A JPS60157202 A JP S60157202A JP 59012768 A JP59012768 A JP 59012768A JP 1276884 A JP1276884 A JP 1276884A JP S60157202 A JPS60157202 A JP S60157202A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trimming
- film resistor
- cut
- resistance value
- resistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の対象〕
本発明は、膜抵抗体のトリミング方法に関するものであ
る。
る。
膜抵抗体のトリミング方法については、特開昭57−3
5304号゛膜抵抗体のトリミング方法の公報があり、
この膜抵抗体のトリミング方法にはコの字形膜抵抗体の
一方の辺で粗調整を、他方の辺で前記粗調整時より残り
膜幅を広くした後調整を行うトリミング方法について記
載しである。
5304号゛膜抵抗体のトリミング方法の公報があり、
この膜抵抗体のトリミング方法にはコの字形膜抵抗体の
一方の辺で粗調整を、他方の辺で前記粗調整時より残り
膜幅を広くした後調整を行うトリミング方法について記
載しである。
〔従来技術の問題点及びその技術的分析〕この従来のト
リミング方法は、コの字形バクーンの膜抵抗体の一辺で
レザー光を照射して膜除去により粗調整を行い、さらに
他方の辺で膜除去により、微調整を行うもので、ラフな
値を決める抵抗と高精度な値を決める抵抗の2つを用い
ているので、必要面積が増加するという問題点がある。
リミング方法は、コの字形バクーンの膜抵抗体の一辺で
レザー光を照射して膜除去により粗調整を行い、さらに
他方の辺で膜除去により、微調整を行うもので、ラフな
値を決める抵抗と高精度な値を決める抵抗の2つを用い
ているので、必要面積が増加するという問題点がある。
そこで本発明は1つの抵抗体のみで、トリミングするこ
とにより高精度な抵抗体を有するl−リミング方法を、
その技術的課題とするものである。
とにより高精度な抵抗体を有するl−リミング方法を、
その技術的課題とするものである。
上記技術的課題を解決するために講じた技術的手段は、
膜抵抗体の抵抗パターンを形成し、アルミナ粉末を吹付
けて行う、サンドブラスト法により、2回以上のトリミ
ングを行う場合に、第1回のトリミングの軌跡より少し
位置をずらせて、第1のトリミングに平行に行うもので
ある。
膜抵抗体の抵抗パターンを形成し、アルミナ粉末を吹付
けて行う、サンドブラスト法により、2回以上のトリミ
ングを行う場合に、第1回のトリミングの軌跡より少し
位置をずらせて、第1のトリミングに平行に行うもので
ある。
上記技術的手段は、次のように作用する。すなわち膜抵
抗体の抵抗パターンの形成において、2回目のトリミン
グを第1回目のトリミングの軌跡により少しずらせ、部
分的に第1のトリミングの軌跡中を増すことにより、抵
抗値を増加させるものである。第1回目のトリミング後
、XYテーブルを使用して、5〜50μ鰭の中で体1回
目のトリミングと同じ長さだけ、トリミングを行った場
合は、抵抗値の変化量は1%程度であり、第1回のトリ
ミングの場合は、カットの長さが同じでも抵抗値の変化
量が数十%変化するが、第2回目以降も本トリミング方
法で行えば1カツトだけに比べて1桁以上の精度が向上
するものである。
抗体の抵抗パターンの形成において、2回目のトリミン
グを第1回目のトリミングの軌跡により少しずらせ、部
分的に第1のトリミングの軌跡中を増すことにより、抵
抗値を増加させるものである。第1回目のトリミング後
、XYテーブルを使用して、5〜50μ鰭の中で体1回
目のトリミングと同じ長さだけ、トリミングを行った場
合は、抵抗値の変化量は1%程度であり、第1回のトリ
ミングの場合は、カットの長さが同じでも抵抗値の変化
量が数十%変化するが、第2回目以降も本トリミング方
法で行えば1カツトだけに比べて1桁以上の精度が向上
するものである。
〔本発明によって生じた特有の効果〕
本発明は、次の特有の効果を生じる。すなわち、1種類
のみの膜抵抗体にて高精度の抵抗値を得ることができ、
さらに抵抗調整のために2回以上トリミングを行っても
、切り口が増加しないために、経時変化が、他の方法に
比較して極めて少ないものである。
のみの膜抵抗体にて高精度の抵抗値を得ることができ、
さらに抵抗調整のために2回以上トリミングを行っても
、切り口が増加しないために、経時変化が、他の方法に
比較して極めて少ないものである。
以下、上記技術的手段の位置具体例を示す実施例につい
て説明する。
て説明する。
1は膜抵抗体パターンでペースト印刷膜体よりなり、R
u系厚膜抵抗ペーストの印刷焼成により形成されており
、2及び3は電極である。
u系厚膜抵抗ペーストの印刷焼成により形成されており
、2及び3は電極である。
膜体1の抵抗調整について斜線4に示す第1回目のトリ
ミングを行う、トリミングの方法は数μのアルミナの粉
末を内径約0.4熊φのノズルよりエヤーにて吹付けて
削り取るものである。前記膜体の一部をカットした端部
を4a及び4bとし、4bと電極3の距離をαとし、ト
リミング部分の長手寸法をlとすれば、第2回目のトリ
ミングについては、僅かずつ、例えば20μ(α150
)程度ずらしてトリミングして、抵抗の微調整を行うの
である。
ミングを行う、トリミングの方法は数μのアルミナの粉
末を内径約0.4熊φのノズルよりエヤーにて吹付けて
削り取るものである。前記膜体の一部をカットした端部
を4a及び4bとし、4bと電極3の距離をαとし、ト
リミング部分の長手寸法をlとすれば、第2回目のトリ
ミングについては、僅かずつ、例えば20μ(α150
)程度ずらしてトリミングして、抵抗の微調整を行うの
である。
第2図内は他のパターン構成で、5はブリッジ回路のア
ンバランス補正に使用する膜体の構成で、6及び7は膜
体であり、8.9’、10は電極を示す、11及び12
は第1回目のトリミングを示し11.8は第2回目のト
リミングを示し第1回に平行に50a程度ずらして直線
的にカットした。
ンバランス補正に使用する膜体の構成で、6及び7は膜
体であり、8.9’、10は電極を示す、11及び12
は第1回目のトリミングを示し11.8は第2回目のト
リミングを示し第1回に平行に50a程度ずらして直線
的にカットした。
このようにして高精度の抵抗比のブリッジを構成してい
る。
る。
このブリッジ構成において、同じ種類のペースト抵抗を
用いた場合、TCR経時変化が似かよっているために、
2つの抵抗値の比を考えた場合に、同じ量だけが変化し
、打消し合い、その結果抵抗値の比の変化は非密に小さ
くなる、第2図(ロ)は実際にブリッジに組み込んだ回
路図を示す。
用いた場合、TCR経時変化が似かよっているために、
2つの抵抗値の比を考えた場合に、同じ量だけが変化し
、打消し合い、その結果抵抗値の比の変化は非密に小さ
くなる、第2図(ロ)は実際にブリッジに組み込んだ回
路図を示す。
13はハツトタイプパターンの膜体で、14゜15は電
極であり、抵抗値の変化は直線的な距離に比例するため
、13aの如くトリミングが可能で微調整には最適であ
る。
極であり、抵抗値の変化は直線的な距離に比例するため
、13aの如くトリミングが可能で微調整には最適であ
る。
次に、ハツトタイプパターンA、B、Cにおいてa >
a >a で他の寸法は同一な膜体を本トリミング方法
でカットした例を第1表に示す。
a >a で他の寸法は同一な膜体を本トリミング方法
でカットした例を第1表に示す。
16は第1回目のトリミングであり、その後S=第 1
表 ト −− ト 1−貢 [− − 1」 芽 (− 1; 100μmの間隔にてトリミングした抵抗値を示す。
表 ト −− ト 1−貢 [− − 1」 芽 (− 1; 100μmの間隔にてトリミングした抵抗値を示す。
上記において初期とは膜抵抗体の初期の抵抗を示し、第
1カツト後とは第1回目の16に示すようトリミングを
実施した後の抵抗値を示し、第2カツト後とは5=10
0μmの間隔で同し長さeだけ第2回目のトリミングを
行った結果の抵抗値を示すものである。第1表より陽1
〜11h5の資料において、本トリミング方法は極めて
高精度に微調整ができていることが分る。
1カツト後とは第1回目の16に示すようトリミングを
実施した後の抵抗値を示し、第2カツト後とは5=10
0μmの間隔で同し長さeだけ第2回目のトリミングを
行った結果の抵抗値を示すものである。第1表より陽1
〜11h5の資料において、本トリミング方法は極めて
高精度に微調整ができていることが分る。
第1図は本実施差の説明図で(イ)は実施例(r:I)
は実施後の平面図である。 第2図は変形実施例で(イ)は平面図、(ロ)は回路図
であり、第3図〜第4図は他の変形実施例の平面図であ
る。 1.6,7.13・・・膜抵抗体パターン・特許出願人 ・Pイレン梢楢株式会社 代表者中井令夫
は実施後の平面図である。 第2図は変形実施例で(イ)は平面図、(ロ)は回路図
であり、第3図〜第4図は他の変形実施例の平面図であ
る。 1.6,7.13・・・膜抵抗体パターン・特許出願人 ・Pイレン梢楢株式会社 代表者中井令夫
Claims (1)
- 膜抵抗体パターンに、サンドブラスト法にて2回以上ト
リミングを施して抵抗値を調整するトリミング方法にお
いて、第2回以降のトリミングは、第1回目のカットに
平行で、第1カツトの削り中以下だけ、ずらして第1カ
ツトに重なるように直線的にトリミングすることにより
、膜抵抗体パターンの抵抗値を調整する、膜抵抗体のト
リミング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59012768A JPS60157202A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 膜抵抗体のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP59012768A JPS60157202A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 膜抵抗体のトリミング方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS60157202A true JPS60157202A (ja) | 1985-08-17 |
Family
ID=11814576
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59012768A Pending JPS60157202A (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 膜抵抗体のトリミング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS60157202A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63149503U (ja) * | 1987-03-20 | 1988-10-03 |
-
1984
- 1984-01-25 JP JP59012768A patent/JPS60157202A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63149503U (ja) * | 1987-03-20 | 1988-10-03 |
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