JPH03190103A - 厚膜抵抗 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、絶縁基板上に印刷形成された厚膜抵抗に関す
る。

従来の技術 従来、混成集積回路に使用されるこの種の厚膜抵抗は、
第３図に示すように、図示されないセラミック基板上に
予め印刷された二つの引き出し電ｌｊｌと２の間に目的
とする抵抗値に対応した平面矩形状の抵抗膜３をマスク
を用いてスクリーンまたは描画印刷することにより形成
される。

セラミック基板上に形成された抵抗膜３は、予め所要の
抵抗値より低くなるように形成される。

そして、厚膜抵抗単体の製造工程における抵抗値のばら
つきまたは混成集積回路に実装される他の回路部品等の
ばらつきを補正するため、抵抗膜３をトリミングという
作業で抵抗値を観測しながら徐々に抵抗値を上げて行き
、所要の抵抗値になるように修正される。

トリミング方法としては、直径が５０〜２５０μｍ程度
に集光されたＮｄ、ＹＡＧ、ＣＯ２，Ｘｅ等のレーザビ
ームにより、所定の抵抗値になるまで抵抗膜３を蒸発さ
せて行なうレーザ法と、粒子径が３０〜６０ａｍのアル
ミパウダーを圧縮空気と一緒に抵抗膜３に吹き付け、機
械的に削り取るサンドブラスト法とがあり、最近ではト
リミング速度の速いレーザ法が主流になっている。

第４図および第５図には、上記方法で行なったトリミン
グの異なる態様が示されている。第４図におけるトリミ
ング４は抵抗膜３の一方の側面から進入し、ある程度目
的とする抵抗値に近づいた所で９０度方向転換して微調
整を行なうＬ型を示しており、第５図のトリミング５は
抵抗膜３の両側面から進入するＳ型を示している。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、上記従来のトリミング方法では、レーザ
装置の分解能やレーザビームと印刷された抵抗膜３との
温度差等により、トリミング終了点て抵抗膜３にマイク
ロクラック６を発生させることがあった。このマイクロ
クラック６は、トリミング方向に沿って延びる傾向があ
り、トリミングを抵抗膜３中を流れる電流方向に対して
横切る方向に行なう場合、発生したマイクロクラック６
が電流路を横切ってドリフト特性を悪化させ、この厚膜
抵抗を使用した回路に大きな支障を来たすという問題が
あった。

本発明は、このような従来の問題を解決するものであり
、抵抗膜にマイクロクラックを発生させずに抵抗値の調
整を行なうことのできる優れた厚膜抵抗を提供すること
を目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は、上記目的を達成するために、二つの引き出し
電極間隔を実効的に調整可能に構成することにより、抵
抗膜自体のトリミングを行なわずに抵抗膜の長さを変え
て抵抗値を調整するようにしたものである。

作用 したがって本発明によれば、抵抗膜をトリミングするこ
となく、抵抗値を決定する他の要素の一つである引き出
し電極間の距離を実効的に変えることにより抵抗値の調
整を行なうようにしたので、抵抗膜をトリミングするこ
とにより発生するマイクロクラックの弊害を除去するこ
とができ、信頼性の高い厚膜抵抗を実現することができ
る。

実施例 第１図は本発明の一実施例を示すものである。

第１図において、１１および１２は図示されない絶縁セ
ラミック基板上に予め印刷された二つの分離された引き
出し電極である。一方の引き出し電極１２は、他方の引
き出し電極１１に対面する電極部１２ａの他に、他方の
引き出し電極１１に向けて直角に曲がる延長部１２ｂと
、ここからさらに内側に直角に曲がる複数の櫛歯状電極
１３ａを有する補助電極１３を一体に備えている。１４
は二つの引き出し電極１１　、’１２間にマスクを用い
てスクリーンまたは描画印刷された平面矩形状の抵抗膜
である。１５は抵抗膜１４に設けられた導体ランドであ
り、補助電極１３の各櫛歯状電極１３ａのそれぞれの先
端部に対向するように、櫛歯状電極１３ａと同じ数、線
幅、ピッチのラグ１５ａを備えている。補助電極１３の
各櫛歯状電極１３ａおよび導体ランド１５の各ラグ１５
ａは、その数が多いほど調整範囲が広く取れ、またその
ピッチ間隔が小さいほど微細な調整を行なうことができ
る。

次に上記実施例の動作について説明する。上記実施例に
おいて、補助電極１３の各櫛歯状電極１３ａおよび導体
ランド１５の各ラグ１５ａを線幅１００μｍ、ピッチ間
隔２００１１ｍとし、計算式から導いた目的の抵抗値に
対する長さを引き出し電極１１のＡ点から補助電極１３
のＢ点までとした場合、Ｂ点の両側に櫛歯状電極１３ａ
およびラグ１５ａを３本ずつ配置し、抵抗値の調整を各
櫛歯状電極１３ａとこれに対向するラグ１５−ａとをボ
ンディング装置によりワイヤ１６で接続するか、または
半田付けすることにより行なう。例えば、櫛歯状電極１
３ａおよびラグ１５ａの６本全てをワイヤ１６により接
続すれば、目的の抵抗値１にΩの抵抗値に対して約９４
０Ω〜１１０ｏΩの調整が可能である。

第２図は本発明の第２の実施例を示すものである。上記
第１の実施例では、補助電極１３および導体ランド１５
が抵抗膜１４の一方の側面にのみ配置されていたが、第
２図に示す実施例においては、抵抗膜１４の両方の側面
に補助電極１３および導体ランド１５が配置され、それ
ぞれの櫛歯状電極１３ａの先端部にラグ１５ａが対向し
ている。抵抗膜１４の両側においてそれぞれ対向する線
幅１００１１ｍ、ピッチ間隔２００μｍの櫛歯状電極１
３ａおよびラグ１５ａは、それぞれ抵抗膜１４の両側に
おいて、互いにピッチを１００μｍずつずらして形成さ
れており、全体における実質的なピッチ間隔は１１００
ｔ１になっている。

第１の実施例においては、補助電極１３の櫛歯状電極１
３ａと導体ランド１５のラグ１５ａとを引き出し電極１
２側から１組ずつ接続することにより、抵抗膜１４の長
さは２００μｍずつ短くなり、抵抗値は約２０Ω変化す
る。これに対し、第２の実施例では、抵抗膜１４の両側
に配置された補助電極１３の各櫛歯状電極１３ａと導体
ランド１５のラグ１５ａとを抵抗膜１４の両側において
交互に１組ずつ接続することにより、抵抗膜１３の長さ
を１１００ｕずつ短くすることができ、抵抗値をさらに
微細に調整することができる。この実施例では、櫛歯状
電極１３ａとラグ１５ａとを１組接続することにより約
４Ωの調整が可能である。

櫛歯状電極１３ａとラグ１５ａとのピッチ間隔は、製造
技術上の問題からあまり細かくすることができないので
、上記のように各櫛歯状電極１３ａとラグ１５ａのピッ
チを抵抗膜１４の両側において互いにずらすことにより
ピッチ間隔を実質的狭くすることは極めて有用である。

発明の効果 本発明は、上記各実施例から明らかなように、厚膜抵抗
の抵抗値の調整を、一方の引き出し電極に一体に設けた
櫛歯状の補助電極とこれに対向するように抵抗膜に設け
た導体ランドとを接続することにより行なうので、抵抗
膜をトリミングすることにより発生するマイクロクラッ
クの弊害を除去することができ、信頼性の高い厚膜抵抗
を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における厚膜抵抗の概略平面
図、第２図は本発明の他の実施例における厚膜抵抗の概
略平面図、第３図は従来の厚膜抵抗の概略平面図、第４
図および第５図は従来の厚膜抵抗のトリミング状態を示
す概略平面図である。 １１．１２・・・引き出し電極、１２ａ・・・対面電極
部、１２ｂ・・・延長部、１３・・・補助電極、１３ａ
・・・櫛歯状電極、１４・・・・・・抵抗膜、１５・・
・導体ランド、１５ａ・・・ラグ、１６・・・ワイヤ。 第１図 １２図

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）絶縁基板上に印刷形成された二つの分離された引
   き出し電極の間を接続する抵抗膜を備え、前記引き出し
   電極の一方に一体に形成されて前記抵抗膜の長手方向の
   少なくとも一方の側面に沿って形成された複数の櫛歯状
   電極を有する補助電極と、前記抵抗膜に設けられて前記
   櫛歯状電極のそれぞれに対向する導体ランドとを備えた
   厚膜抵抗。
2. （２）絶縁基板上に印刷形成された二つの分離された引
   き出し電極の間を接続する抵抗膜を備え、前記引き出し
   電極の一方に一体に形成されて前記抵抗膜の長手方向の
   両方の側面に沿って形成された複数の櫛歯状電極を有す
   る補助電極と、前記抵抗膜に設けられて前記櫛歯状電極
   のそれぞれに対向する導体ランドとを備え、前記互いに
   対向する各櫛歯状電極および導体ランドのピッチを前記
   抵抗膜の両側で相互にずらして形成した厚膜抵抗。