JPH03114204A - 超小型チップ抵抗器の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は超小型のチップ抵抗器及びそれに通したチップ
抵抗器の製造方法に関する。

〔従来技術〕

チップ抵抗器は自動機による電子回路基板への実装が可
能であるために電子機器の回路基板に多く使用され、欠
くことのできない電子部品となっている。

第４図（ａ）は従来のチップ抵抗器の斜視図であり、第
４図（ｂ）はその縦断面図であり、第４図（ｃ）は概略
工程の流れ図である。

チップ抵抗器はセラミック基板４１対向しあう端部に表
面電極４２ａ、端面電極４２ｂ及び裏面電極４２ｃ及び
該表面電極４２ａに両端が重なるように形成された抵抗
体４３から構成され、抵抗体４３上には保護ガラス４４
、表面電極４２ａ、端面電極４２ｂ及び裏面電極４２ｃ
の表面にはめっき層４５が夫々被覆されている。

具体的な製造方法はスクライブ溝によってチップ抵抗器
単位領域に多数区画された大型のセラミック基板４０の
単位領域毎（上記セラミック基板４１に対応）に電極４
２ａ、４２ｃを形成し、この電極４２ａの一部に重畳す
る抵抗体４３を形成した後、前記抵抗体４３に第１次ガ
ラス層４６を形成する。この第１次ガラス層４６が被覆
された抵抗体４３にレーザトリミングを施し、所定抵抗
値となるようにトリミング溝４７を形成する。

その後さらに第２層のガラス被膜（上記保護ガラス４４
に対応）を形成し、１次基板分割を施した後、端面電極
４２ｂの印刷焼成し、２次基板分割を施した後、最後に
電極めっき４５被覆を行うことにより製造していた（特
開昭５９−８３０２号）。

そして、近時、電子機器の小型化に伴って、チップ抵抗
器の一層の小型化が強く要求されてきている。具体的に
は従来のチップ抵抗器の基本的な寸法は両端子電極まで
の抵抗器の長さが約２゜０關、幅が約１．２〜１．５ｍ
ｍであったが、この大きさを例えば面積で４分の１以下
の、長さが約１．０＋ａｍ＋、幅が約０．５ｍｍにまで
小型化した超小型のチップ抵抗器である。

〔従来技術の問題点〕

従来のチップ抵抗器及びその製造方法において、寸法を
単に小型化しただけでは以下のような問題点が生じるこ
とになり、単に転用できなかった。

その理由は、各チップ抵抗器の抵抗値の調整は、表面電
極４２ａを形成した後にレーザ照射により、抵抗体４３
を横断する方向に所定長さのトリミング溝４７を形成し
て行うが、レーザ照射の距離、即ちトリミング溝４７の
長さは、リアルタイムで抵抗値を測定しながら適宜決定
される。実際には表面電極４２ａに抵抗値測定器の計測
端子（接触針（プローブ））を当てなからレーザ照射が
行われる。このプローブは一方の表面電極４２ａに、電
流を測定するプローブと電圧を測定するプローブの２つ
を接触させる必要があるが、従来の構造で単に小型化し
たチップ抵抗器では２本のプローブが表面電極４２ａに
完全に接触させるだけの充分な面積が得られず、抵抗値
測定の信頼性が極めて低下する。

いま一つはレーザトリミングにおいて、レーザ照射によ
り発生する熱が、隣接する単位領域の抵抗体４３へ悪影
響を及ぼすことである。

トリミングは１次分割される前、即ち第４図（ｄ）に示
すように大型基板４０上の一対の表面電極方向と直交す
る方向の並ぶ一列の単位領域（チップ抵抗器）がレーザ
照射の０Ｎ−ＯＦＦＬながらの一回の走査により行われ
る。具体的には表面電極方向と直交する方向の並ぶ一列
の単位領域・・・ｖＳｗ、ｘ、、ｙ、ｚを単にレーザの
走査を行い、同一方向側（図では下から上に向けて）か
らトリミング溝４７が形成さｈる。そして、従来の大型
基板４０の単位領域を小型化すると、隣接しあう単位領
域内に形成した抵抗体４３間の間隔が狭くなる。しかし
、単位領域・・・Ｖ、Ｗ。

ｘ、ｙ、ｚの抵抗体４３間の間隔が余りにも狭いと、例
えば第４図（ｅ）の単位領域Ｘ、Ｙのように、レーザの
走査により単位領域Ｘの抵抗体４３Ｘにトリミング溝４
７ｘを形成した後、次のレーザの走査すべき隣接する単
位領域Ｙの抵抗体４３ｙにトリミング溝４７ｙを形成す
べくレーザを照射すると、局部的に数千℃まで温度上昇
してしまい、このレーザ照射による熱が単位領域Ｘにま
で及んでしまい、単位領域Ｘの抵抗体４３ｘの開口部４
８ｘが形成されていない側の一部を焼失させてしまい（
焼失部Ａ）、トリミング溝４７ｘを形成し：既に抵抗値
を調整した抵抗体４３ｘの抵抗値を変化させてしまう。

また、トリミング溝４７Ｘの深さによってはトリミング
溝４７ｘと除去部Ａとが貫通し、抵抗が無限大と成って
しまうなどの問題点があった。

本発明者らは隣接しあう単位領域、例えば単位領域Ｘ、
Ｙの抵抗体４３ｘ、４３ｙの間隔と、レーザ照射による
熱による隣接する単位領域Ｘの抵抗体４３ｘの焼失状態
を調べた。

尚、抵抗体４３ｘ、４３ｙの膜厚は８μｍとし、照射す
るレーザはＹＡＧ　（波＆１−０６μｍ）、出力３〜４
Ｗ、走査速度３０　＋ｎｏ＋／　ｓｅｃとし、２つの抵
抗体４３ｘ、４３ｙの間隔を０．１〜０．５ｍｎ１まで
変化させ、一方の抵抗体３ｙのみにレーザ照射によるト
リミング溝４７ｙを形成した時、他方の抵抗体３Ｘの焼
失状況を調べた。表中、×はサンプルの全数（５００個
）において他方の抵抗体４３ｘの一部に焼失部分Ａが生
じたことを示し、△はサンプルの半数以上において他方
の抵抗体４３Ｘの一部に焼失部分Ａが生じたことを示し
、○は他方の抵抗体４３ｘに全く影響を及ぼさないこと
を示す。

表１ 以上の結果から、隣接しあう単位領域Ｘ、Ｙの抵抗体４
３ｘ、４３ｙ間の距離を０．４ｍｍ以上に離す必要があ
った。

しかし、抵抗体４３ｘ、４３ｙ間の距離を一定以上に設
定することは、超小型化を目指すチップ抵抗器に対する
制約であり、極端な場合は分割工程を増やして抵抗体４
３ｘ、４３ｙ間の不要基板部分を削除してチップ抵抗器
の小型化を図らなくてはならなかった。

また、レーザ照射による隣接単位領域の抵抗体４３への
熱ダメージを軽減するために、レーザ照射の出力を３〜
４ＷからＩＷ以下などに低下させることも考えられる。

しかし、出力を低下分、走査の時間を遅くしなくてはな
らず、生産性の低下を招いてしまう。

〔本発明の目的〕

本発明は上述した従来の問題点を解決するために案出し
たものであり、小型化されたチップ抵抗器に適した製造
方法を提供するものであり、その一つの目的は抵抗値測
定用のプローブと完全に接触させるに充分な面積を有す
る表面電極をもつチップ抵抗器の製造方法を提供するも
のである。

また、他の発明の目的は抵抗値の調整でおこなうレーザ
トリミング時に隣接する単位領域の抵抗体に熱ダメージ
を軽減依願るチップ抵抗器の製造方法を提供するもので
ある。

〔問題点を解決するための具体的な手段〕上述の問題点
を解決するために、本発明は縦横のスクライブ溝によっ
て分割自在となり、且つ前記縦横のスクライブ溝によっ
てチップ抵抗器の単位領域に多数区画された大型セラミ
ック基板上に、酸化ルテニウム系高温焼成用の抵抗ペー
ストを印刷・乾燥・焼成して抵抗体を単位領域毎に形成
する工程と、 前記抵抗体の両端の一部に重畳するように低温焼成用の
導電ペーストを印刷・乾燥・焼成して表面電極を形成す
る工程と、 前記抵抗体の特性を所定値に修正するための抵抗値修正
工程と、 前記基板の一方向のスクライブ溝に沿って短冊状に基板
分割する工程と、 この分割した基板の端面に前記表面電極と導通する端面
電極を、低温焼成用の導電ペーストで印刷・乾燥・焼成
して形成する工程と、 前記端面電極が形成された短冊状基板を基板の他方向の
スクライブ溝に沿って単位領域毎に再分割する工程と、 を含むことを特徴とする超小型チップ抵抗器の製造方法
である。

他の本発明は、縦横のスクライブ溝によって分割自在と
され、且つ前記縦横のスクライブ溝によってチップ抵抗
器単位領域に多数区画された大型の基板の、前記単位領
域毎に独立した抵抗体及び抵抗体の両端に互いに向かい
合って対をなす表面電極を印刷・乾燥・焼成により形成
する工程、前記電極に抵抗測定用接触針を当接しながら
抵抗体の一部にトリミング溝を形成し、抵抗値を調整す
る工程、を少なくとも含む超小型チップ抵抗器の製造方
法において、前記抵抗値を調整する工程で形成されるト
リミング溝が、前記電極が向かい合う方向と略直交方向
に抵抗体の端部から中央方向に向かって形成されるとと
もに、該抵抗体の端部のトリミング溝開口部が隣接し合
う単位領域毎で対向しあうよう形成されることを特徴と
する超小型チップ抵抗器の製造方法である。

以上の製造方法で形成された超小型チップ抵抗器によれ
ば、抵抗体の端部の一部を表面電極が覆うため、表面電
極の面積を極大化させることができる。また、抵抗体が
平面上の基板に直接印刷できることからその膜厚が安定
し、抵抗体の抵抗値のばらつきが極めて小さくなる。ま
た抵抗体を印刷焼成した後に表面電極などの導電膜を印
刷焼成するので、表面電極、端面電極及び裏面電極にそ
れぞれ低温焼成用（例えば５５０〜６００℃）の導電ペ
ーストが使用できる。

また、他の発明による製造方法によれば、レーザ照射で
発生する熱による隣接単位領域の抵抗体への熱ダメージ
が、トリミング溝の開口部を隣接単位領域毎で対向させ
ることにより低減した。

〔実施例〕

以下、本発明を図面にもとづいて詳説する。

第１図（ａ）は本発明の製造方法によって装造される超
小型チップ抵抗器の斜視図であり、第１図（ｂ）は縦断
面図である。　同図において、１はセラミック基板、２
はセラミック基板１上に印刷・焼成により形成された抵
抗体、３ａは抵抗体２の端部の一部を重畳するように印
刷・焼成により形成された一対の表面電極、３ｂは基板
１の端面に表面電極３ａと導通するように印刷・焼成に
より形成された一対の端面電極、３ｃは基板１の裏面に
表面電極３ａと対応する位置に表面電極３ａ及び端面電
極３ｂと導通するように印刷・焼成により形成された裏
面電極、４は抵抗体２を覆うように形成された保護ガラ
ス、５は各電極３ａ、３ｂ、３ｃの表面を被覆するはめ
つき層である。

具体的な製造方法は以下の通りである。

先ずスクライブ溝１１によってチップ抵抗器となる単位
領域に多数区画された大型のセラミ基板１０（第２図（
ａ））を準備する。次に単位領域（上記セラミ７り基板
１に対応）毎に抵抗体２・・・を厚膜手法、即ち印刷・
乾燥・焼成により形成する（第２図（ｂ））。次いで抵
抗体２・・・の端部を重畳するように互いに対向しあう
一対の表面電極３ａ・・・を厚膜手法により形成する（
第２図（Ｃ））。さらに抵抗体２・・・上に一次保護ガ
ラス層４ａ・・・を形成した後、表面電極３ａ・・・の
対向方向と直交する方向に隣接する一列の単位領域・・
・ｖ、ｗ、ｘ、ｙ、ｚの抵抗体２・・・にレーザ照射を
０Ｎ−ＯＦＦさせながら走査させ、トリミング溝６・・
・を形成する（第２図（ｄ））。さらにトリミング溝６
・・・から露出する抵抗体２・−・を被覆する二次保護
ガラス４ｂ・・・を形成した後、レーザ照射しながら走
査した列毎にスクライブ溝１１に沿って一次基板分割を
行う（第２図（ｅ））。さらに端面電極３ｂ・・・を印
刷・乾燥・焼成により形成し、スクライブ溝１１に沿っ
て二次基板分割を行う（第２図（ｆ））。尚、裏面電極
３Ｃは端面電極３ｂと同時に形成するか又は表面電極３
ａの形成工程で同時に形成する。また、保護ガラス４は
上述の１次保護ガラス４ａと２次保護ガラス４ｂとから
構成される。

このように個々分割されたチップ抵抗器は夫々の電極３
ａ〜３ｃの表面にめっき層５を被覆してチップ抵抗器が
製造される。

本発明は、基板１０上に厚膜手法により形成された抵抗
体２・・・上に、その端部を重畳するように表面電極３
ａ・・・が形成される。即ち抵抗体２・・・上に表面電
極３ａ・・・が覆われるため、表面電極３ａ・・・の露
出面積が極大化する。

特に超小型化されたチップ抵抗器において、この表面電
極３ａ・・・の露出面積の極大化は、抵抗値調整を行う
べくレーザ照射しながらの抵抗値を測定する接触針（プ
ローブ）が充分に接触できる面積を確保するものである
。特に抵抗値を信頼性高く抵抗値を測定する４端子測定
法（片側の表面電極３ａに電圧と電流とを測定する２本
のプローブを接触させ、都合４本のプローブを利用して
抵抗値を測定する）においても２本のプローブを同時に
接触させるに充分な面積が確保される。

また、従来に比較して厚膜手法によって形成される抵抗
体２の後に、厚膜手法によって形成されるそれぞれの電
極３ａ、３ｂ、３ｃが形成されるため、抵抗体２の焼成
温度よりも低い焼成温度で全ての電極３ａ、３ｂ、３ｃ
が形成できるので、製造における１コスト（電気焼成炉
のランニングコスト）が安価となる。例えば抵抗体２を
酸化ルテニウムとガラスフリットの主成分として高融点
ガラスフリフト（例えば軟化点６００〜７００℃）を用
いた高温焼成用抵抗ペーストを用い、印刷・乾燥後、８
５０℃前後に焼成する。また、表面電極３ａ、端面電極
３ｂ、裏面電極３Ｃを金属粉末（銀など）とガラスフリ
フトの主成分として低融点ガラスフリフト（例えば軟化
点５００〜５５０℃）からなる低温焼成用導電ペースト
を用い、印刷・乾燥後、６００℃前後に焼成することが
できる。

また、抵抗体２を平滑度の高い基板１０上に直接印刷す
ることができるので、その膜厚は安定し、レーザ照射に
よるトリミング前の抵抗値が安定する。

また、本発明の別の発明は、抵抗体２・−・上に一次保
護ガラス４ａ・・・を被覆した後、所定抵抗値に調整す
るためのレーザトリミングを施すが、このトリミングの
よって形成されるトリミング溝６の方向に関する。

第３図に示すように、表面電極３ａ・・・の対向方向と
直交する方向に隣接する一列の単位領域・・・■、Ｗ、
Ｘ、Ｙ、Ｚの抵抗体２・・・にレーザ照射を０Ｎ−ＯＦ
Ｆさせなからレーザ光を走査させ、トリミング溝６ｖ、
６ｗ、６ｘ、６ｙ、６ｚを形成するが、トリミング溝６
ｖ、６ｗ１６ｘ、６ｙ、６ｚの開口部６１ｖ、６１ｗ、
６１ｘ。

６１ｙ、６１ｚが、隣接する単位領域・・・■、Ｗ、Ｘ
ＸＹ、Ｚによってその方向が逆向きとなるように設定さ
れている。即ち、第３図に示すように単位領域Ｖ、単位
領域Ｘ、単位領域Ｚのトリミング溝６ｖ、６ｘ、６ｚの
開口部６１ｖ、６１ｘ、６１ｚは図中上向きに、単位領
域Ｗ、単位領域Ｙのトリミング溝６ｗ、６ｙの開口部６
１ｗ、６１ｙは図中下向きに夫々形成され、隣接しあう
単位領域Ｗのトリミング溝６ｗの開口部６１ｗと単位領
域Ｖのトリミング溝６ｖの開口部６１ｖとが、また単位
領域Ｙのトリミング溝６ｙの開口部６１ｙと単位領域単
位領域Ｘのトリミング溝６Ｘの開口部６１ｘとが互いに
対向しあって位置されている。

上述の位置関係をなすトリミング溝６ｖ、６ｗ、６ｘ、
６ｙ、６Ｚは一列の単位領域−−−Ｖ、Ｗ、ｘ、ｙ、ｚ
に対するレーザ照射の往復の走査により達成される。即
ち、単位領域Ｖ、単位領域Ｘ、単位領域Ｚのトリミング
溝６は図中において上から下に向けて走査することによ
り達成され、また単位領域Ｗ、単位領域Ｙのトリミング
溝６は下から上に向けて走査することにより達成される
。このように、例えば隣接しあう単位領域Ｘ、Ｙにおけ
るトリミング溝６ｘ、６ｙの開口部６１ｘ、６１ｙとが
互いに対向している。また、単位領域ｖ１Ｗにおけるト
リミング溝６ｖ、６ｗの開口部６１Ｖ、６１ｗとが互い
に対向していることになる。

これにより、例えば単位領域Ｘ１Ｙにおいて、単位領域
Ｘの抵抗体２Ｘの抵抗値を調整すべく、トリミング溝６
Ｘを形成した時、該トリミング溝６Ｘの開口部６１ｘに
近接する単位領域Ｙの抵抗体２ｙに熱による悪影響（熱
による一部焼失）を与えるももの、単位領域Ｙの抵抗体
２ｙの抵抗値を調整するトリミング溝６ｙの開口部６１
ｙは、単位領域Ｘに近接する側（単位領域Ｘのトリミン
グの際に熱による悪影響を受け、その一部焼失している
側）から形成されるため、単位領域Ｘのトリミング時の
影響部分は当該単位領域Ｙの抵抗体２ｙのトリミング溝
６ｙの開口部６１ｙとなる。

このため、単位領域Ｘのトリミング時の熱影響は全（考
慮する必要がなくなる。尚、単位領域Ｙのレーザ照射に
よるトリミングの際の熱による単位領域Ｘへの悪影響は
、逆に単位領域Ｙに近接する側の単位領域Ｘの抵抗体２
Ｘには既に開口部６１Ｘが形成されているため、実質的
な悪影響は全くないのである。

このように、隣接しあう単位領域同志でレーザトリミン
グでの熱影響を相殺できるので、超小型のチップ抵抗器
の製法に極めて適することになる。

即ち、超小型のチップ抵抗器の製造方法によれば、大型
基板１０に形成されたスクライブ溝１１によって区画さ
れる単位領域・・・ｖ、ｗＳｘ、ｙ、Ｚの面積は小さく
なり、これに伴い各単位領域・・・■、ｗＳｘ、ｙ、ｚ
の印刷された抵抗体２・・・の間隔も狭くなる。しかし
、隣接しあう単位領域−−−Ｖ、Ｗ、Ｘ、Ｙ、Ｚの開口
部６１ｖ。

６１ｗ、６１ｘ、６１ｙ、６１ｚが互いに対向し合うよ
うに設定すれば、互いの単位領域・・・Ｖ、ｗ、ｘ、ｙ
、ｚの抵抗体２の抵抗値を調整すべく、トリミング溝６
ｖ、６ｗ、６ｘ、６ｙ、６ｚを形成しても、隣接する他
方の単位領域・・・ｖ、Ｗ、ｘ、ｙ、ｚの抵抗体２にレ
ーザ照射による熱影響を全く考慮する必要がない。

実際、単位領域の寸法を、長さ１．０ｍａ＋、幅０゜５
順、抵抗体をその中心に幅０．３０１１ＩＩに形成した
。

即ち、隣接する単位領域の抵抗体間の間隔は０゜２０１
１１となる。大型基板１０に先の実験と同様の条件、抵
抗体の膜厚は８μｌとし、照射するレーザはＹＡＧ　（
波長１．０６μＩＩＩ）　％出力３〜４Ｗ。

走査速度３０ｍｖａ／ｓｅｃとして、他方の抵抗体２の
焼失状況を調べたが、抵抗体間の間隔は０．２順（上述
の表１では不可であった間隔）であっても他方の抵抗体
２に全く影響は相殺され、特性上支障のない超小型チッ
プ抵抗器が達成された。

尚、実施例では、レーザ照射の走査を往復走査により、
隣接単位領域間でのトリミング溝の対向開口部を達成し
たが、片側走査のレーザ照射機に向きを変え２回走査さ
せるなどその形成方法は如何なる方法で形成してもよい
。

〔発明の効果〕

以上のように、セラミック基板上に厚膜手法で形成した
抵抗体の両端を一部重畳するように表面電極が形成され
ているため、表面電極の面積が最大限大きくすることが
でき、全体形状を小型化しても、充分抵抗値測定接触針
を表面電極に接触させることができる。

また、４平滑度の高いセラミック基板上に直接、抵抗体
を形成するため、抵抗値調整前の抵抗体の抵抗値のばら
つきが少な（することができる。

さらに他の発明によれば、抵抗体を主成分として高融点
ガラスを含む高温焼成用抵抗ペーストで、表面電極、端
面電極、裏面電極を全て主成分として低融点ガラスを含
む高温焼成用導電ペーストで、抵抗体を形成した後に夫
々形成するため、抵抗体に＠履歴を与えることがな（、
低温焼成で全ての電極が形成でき、製造コストが安価と
なる。

抵抗体のトリミング溝の切削方向が前記表面電極が向か
い合う方向と略直交する方向であり、該トリミング溝の
開口部が隣接し合う単位領域毎で対向しあうようにレー
ザ照射が行われるため、レーザ照射による熱の影響を及
ぼす部分は互い単位領域の開口部であり、既に特性を調
整した抵抗体の抵抗値特性を変化させることなく、抵抗
体間、即ち単位領域間を狭めることができるため、超小
型のチップ抵抗器が容易に且つ信頼性高く製造できる。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）は本発明の製造方法によって製造された超
小型チップ抵抗器の斜視図であり、第１図（ｂ）は縦断
面図である。また、第２図（ａ）乃至（ｆ）は本発明の
超小型チップ抵抗器の製造方法を説明するための主要工
程における大型基板の一部を示す概略図である。 第３図はレーザ照射によるトリミング溝の開口部分の拡
大平面図である。 第４図は（ａ）は従来のチップ抵抗器の斜視図であり、
第４図（ｂ）はその縦断面図であり、第４図（ｃ）は概
略工程の流れ図であり、第４図（ｄ）、（ｅ）は夫々隣
接しあう単位領域部分の拡大平面図である。 １．４１・・・・・　セラミック基板 ２．４３・・・・・　抵抗体 ３ａ、４２ａ・・・　表面電極 ３ｂ、４２ｂ・・・　端面電極 ３ｃ、４２ｃ・・・　裏面電極 ６．６ｖ、６ｗ、６ｘ、６ｙ、６ｚ、４７−　・・）リ
ミング溝６１．６１ｖ、６１ｗ、６１ｘ、６１ｙ、６１
ｚ、４８・・・開口部１０．４０　・・・　大型基板

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）縦横のスクライブ溝によって分割自在となり、且
   つ前記縦横のスクライブ溝によってチップ抵抗器の単位
   領域に多数区画された大型セラミック基板上に、酸化ル
   テニウム系高温焼成用の抵抗ペーストを印刷・乾燥・焼
   成して抵抗体を単位領域毎に形成する工程と、 前記抵抗体の両端の一部に重畳するように低温焼成用の
   導電ペーストを印刷・乾燥・焼成して表面電極を形成す
   る工程と、 前記抵抗体の特性を所定値に修正するための抵抗値修正
   工程と、 前記基板の一方向のスクライブ溝に沿って短冊状に基板
   分割する工程と、 この分割した基板の端面に前記表面電極と導通する端面
   電極を、低温焼成用の導電ペーストで印刷・乾燥・焼成
   して形成する工程と、 前記端面電極が形成された短冊状基板を基板の他方向の
   スクライブ溝に沿って単位領域毎に再分割する工程と、 を含むことを特徴とする超小型チップ抵抗器の製造方法
   。
2. （２）縦横のスクライブ溝によって分割自在とされ、且
   つ前記縦横のスクライブ溝によってチップ抵抗器単位領
   域に多数区画された大型の基板の、前記単位領域毎に独
   立した抵抗体及び抵抗体の両端に互いに向かい合って対
   をなす表面電極を印刷・乾燥・焼成により形成する工程
   、前記電極に抵抗測定用接触針を当接しながら抵抗体の
   一部にトリミング溝を形成し、抵抗値を調整する工程、
   を少なくとも含む超小型チップ抵抗器の製造方法におい
   て、 前記抵抗値を調整する工程で形成されるトリミング溝が
   、前記電極が向かい合う方向と略直交方向に抵抗体の端
   部から中央方向に向かって形成されるとともに、該抵抗
   体の端部のトリミング溝開口部が隣接し合う単位領域毎
   で対向しあうよう形成されることを特徴とする超小型チ
   ップ抵抗器の製造方法。