JP4785854B2 - 抵抗器へのレーザートリミングの間の熱電気ポテンシャルの解析方法 - Google Patents
抵抗器へのレーザートリミングの間の熱電気ポテンシャルの解析方法 Download PDFInfo
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims description 83
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 title description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 101
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 88
- 239000000523 sample Substances 0.000 claims description 37
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 34
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 26
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 claims description 21
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 12
- 230000005676 thermoelectric effect Effects 0.000 claims description 12
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 claims description 2
- WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N alstonine Natural products C1=CC2=C3C=CC=CC3=NC2=C2N1C[C@H]1[C@H](C)OC=C(C(=O)OC)[C@H]1C2 WYTGDNHDOZPMIW-RCBQFDQVSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000004088 simulation Methods 0.000 claims 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 24
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 18
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 7
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 6
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 6
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 5
- 238000004093 laser heating Methods 0.000 description 5
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 230000036278 prepulse Effects 0.000 description 3
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 3
- 241000501667 Etroplus Species 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000012854 evaluation process Methods 0.000 description 2
- 238000013213 extrapolation Methods 0.000 description 2
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 241000257303 Hymenoptera Species 0.000 description 1
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009372 YVO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000005350 fused silica glass Substances 0.000 description 1
- 238000012812 general test Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 238000012956 testing procedure Methods 0.000 description 1
Images
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-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/0006—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring taking account of the properties of the material involved
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/062—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
- B23K26/0622—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
- B23K26/0624—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/02—Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
- B23K26/06—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
- B23K26/064—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
- B23K26/066—Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms by using masks
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/351—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for trimming or tuning of electrical components
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K26/00—Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
- B23K26/36—Removing material
- B23K26/361—Removing material for deburring or mechanical trimming
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
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- H—ELECTRICITY
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- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/22—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming
- H01C17/24—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material
- H01C17/242—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for trimming by removing or adding resistive material by laser
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
- B23K2103/50—Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K2103/00—Materials to be soldered, welded or cut
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- B23K2103/52—Ceramics
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Description
(C)2005 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーション(Electro Scientific Industries, Inc.)本特許明細書の開示部分は、著作権保護を受ける材料を含む。著作権者は、それが米国特許庁のファイルまたは記録に表れるような特許文書または特許開示の如何なる複製にも異存がないが、それ以外については、すべての著作権を保留する。37CFR セクション1.71(d)
図1は、一般的な抵抗器20の2つの導電パッド16aおよび16b間に位置する抵抗材料(一般的にはペーストまたはフィルム)14上の異なる領域すなわち位置18a、18bおよび18c(全体的な位置18)にレーザーパルスのスポット12の連鎖によって形成された3つの選択的なプランジカット10a、10bおよび10cを示す。図1および2Aに関して、抵抗器20a〜20jは、一般的には、行22中で相互に接続されるように作られる。図2Aは列オリエンテーションにおける行22を描く。測定プローブ24は、一般的に、プローブカード(図示せず)に結合されており、また、一般的に、抵抗器20を横切る電気接点を提供する導電パッド16あるいはそれに代わるテストパッド(図示せず)に接触するように配置されている。
そのような典型的なシミュレーションされた調整および評価プロセスは、同様な抵抗器20の列、プレートまたはバッチ中の単一の抵抗器20にのみ実行することができる。これに代えて、そのような典型的なシミュレーションされた調整および評価プロセルは、すべての抵抗器20、または適切な時間または数間隔で各列またはプレートあるいは抵抗20毎に一つの抵抗器20に実行することができる。抵抗器20の大多数が、個々に評価される場合、抵抗器20の列全体またはプレートが、レーザーパワーと他のパラメータとを各抵抗器20間で切り換える必要がないように、調整の実行が列またはプレート中のすべての抵抗器20で行われる前に、最初の評価の実行で評価できるかもしれない。しかしながら、当業者は、所定の抵抗器20は、引き続く抵抗器20を評価しかつ処理する前に、評価し処理することができることを理解するであろう。一以上の列評価が、プローブの配置数を最小とするために、独立した抵抗器20毎の最も速いシナリオを供給することは予測可能である。上記したように、好適な調整位置18はソフトウェアまたはハードウェアに保存することができる。
徹底的な方式(exhaustive fashion)で実行できることをさらに理解するであろう。これに代えて、熱中立位置18がある所望の確実性の範囲で決められると、評価が終わることができるように、データは、集められて、そのままに評価されよう。例えば、単一の抵抗器20上で頂部位置18aから底部位置18cのような複数位置18が評価されるとき、前記評価は、熱中立位置18が十分な数の底部位置18c上にあったと決定するに十分な数の底部位置18cが評価されると同時に、終わるかもしれない。同様に頂部位置18aから底部位置18cへの複数の抵抗器20が異なる位置18で評価されるとき、追加の抵抗器20の評価は、予め評価された底部位置18c上に熱中立位置18があったことを決定するに十分な数の底部位置18cが異なる抵抗器20上で評価されると同時に、終わるかもしれない。
好ましくは行22または列の頂部、中間および底部の近傍の抵抗器20を含む。次に、前記プロセスは、第2のセットの頂部の第1の抵抗器20等で繰り返えされる。
非励起状態の測定値が正確に自動零測定を与えるところで補間することができ、この自動測定は励起された状態で測定されたときのベースライン値である。
ビーム位置決めしステム74によって方向付けられ、スキャンレンズ80を通して出力72がワークピース40上の画像面で所望のレーザーターゲット位置82を目標とする。レーザー出力72は、オプションで、先端を切られ(切り取られ)、焦点を合わせて切り取られ、形成され、または形成されて切り取られるかもしれない。
約40μmより小さな直径が好ましく、より好適には、約20μmより小さな直径であり、最も好ましいのは約15μmより小さな直径である。UVレーザー出力のスポットサイズが出力を調整している従来のレーザーのスポットサイズより小さいので、また、均一な出力72は切り口10が直線の均一な壁またはエッジを有し、従って、より小さなHAZを有することを可能とするので、抵抗器20は、従来の切り口トリミング技術で可能な許容範囲より厳しい許容範囲でトリミングできることを当業者は高く評価するであろう。
18 熱中立位置
20 抵抗器
Claims (38)
- 抵抗器の初期抵抗値を公称抵抗値に変えるべく該抵抗器から抵抗材料を除去するためにレーザー出力を使用する、トリミングに関するレーザーによって引き起こされる熱電効果に起因する抵抗値偏差を減少させる方法であって、
前記抵抗材料は、電気接点間に位置する表面領域を有しまた基板上に支持されており、前記抵抗材料に適用されるレーザー出力は、前記抵抗器への適用直後の真のまたは定常状態での該抵抗器の抵抗値の正確な測定を妨げるように、前記レーザー出力が無い間に測定される真のまたは定常状態での抵抗値から逸脱した誤りのまたは一時的な抵抗値を表示させる熱電効果を前記抵抗器に引き起こし、
前記トリミングに関するレーザーによって引き起こされる熱電効果に起因する抵抗値偏差を減少させるための方法は、
単一の抵抗器または一組の抵抗器の各抵抗器に接続されるように計測器のプローブを配置すること、
前記計測器からの電流値を基準値または零値に設定すること、
各シミュレーション経路に沿って一つ以上の評価パルスを含む複数の評価レーザーパルス集合を導き、前記単一の抵抗器または前記各抵抗器の前記表面領域上の異なる各位置に熱を適用すること、
前記複数の評価レーザーパルス集合のそれぞれの後に前記単一抵抗器または各を横切る電圧値を測定し、異なるそれぞれの位置毎で評価に関連する電圧偏差情報を得ること、
前記評価に関連する電圧偏差情報を用いて最小の電圧偏差を表す単一の抵抗又は各抵抗器のそれぞれの表面領域上の好適位置を決定すること、および
レーザー出力のトリミングパルスによって引き起こされる熱電抵抗偏差を減少させるべく、前記単一の抵抗器の前記表面領域上の好適位置で、または前記一組の抵抗器のいくつかまたはそのすべての表面上の好適位置で、前記抵抗器のいくつかまたはすべてから抵抗材料を除去してそれらの初期抵抗値を公称抵抗値に変えるためにレーザー出力の前記トリミングパルスをトリム経路に沿って導くことを含む方法。 - 評価レーザーパルス集合は単一レーザーパルスから成る、請求項1に記載の方法。
- 前記抵抗材料の前記表面領域上の異なる位置に形成される前記シミュレーション経路はほぼ同一である、請求項1に記載の方法。
- 前記シミュレーション経路は前記単一の抵抗器の前記表面領域の部分的ラスタ走査から成る、請求項1の方法。
- 前記評価レーザーパルスは、抵抗材料を大きく除去するに不充分なパラメータを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記トリミングレーザーパルスはトラッキングトリムプロセスに適用され、抵抗測定値は前記各トリミングレーザーパルス後に得られかつ所望の抵抗値に比較され、前記抵抗測定値が前記所望の抵抗値についての予め決められた所定の範囲の中になると、前記トリミングレーザーパルスの適用が停止される、請求項1に記載の方法。
- 前記トリミングレーザーパルスは予測トリムプロセスに適用される、請求項1に記載の方法。
- 前記好適な位置は前記接点間で相対的に熱平衡の位置である、請求項1に記載の方法。
- さらに、それぞれが同様な構成および規格を有する抵抗器から成る複数の行または列を各好適位置でトリミングすることを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記熱電効果は抵抗効果の温度係数を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記熱電効果はゼーベック効果またはemf効果を含む、請求項1に記載の方法。
- さらに、前記単一の抵抗器または各抵抗器上の前記好適位置を決定した後、トリミングパルスを前記単一の抵抗器に導く前に、または任意の各抵抗器に導く前に、前記計測器から適用される電流の値を零でない所望の値に設定することを含む、請求項1に記載の方法。
- 印加平衡電圧値は、前記評価パルスを前記抵抗器に導く前に、零または基準値に設定される、請求項1に記載の方法。
- 前記印加平衡電圧値は、前記トリミングパルスを前記単一の抵抗器に導く前に、または任意の各抵抗器に導く前に、所望の値に設定される、請求項13に記載の方法。
- 前記評価レーザーパルスは、レーザーによって引き起こされた熱電効果が終息した後、単一の抵抗器の初期抵抗値に、またはすべての各抵抗器の初期抵抗値に、大きな変更をもたらすに不十分なパラメータを有する、請求項1に記載の方法。
- 前記電圧値は、測定されている抵抗器から離れている前記計測器のプローブを介して測定される、請求項1に記載の方法。
- 前記各抵抗器はその特定の好適位置毎に独立的に評価される、請求項1に記載の方法。
- 任意の前記一組の抵抗器がトリミングを受ける前に、各抵抗器は独立して評価される、請求項17に記載の方法。
- 前記各抵抗器は、独立して評価され、また引き続く評価の前にトリミングを受ける、請求項17に記載の方法。
- 隣接しない前記抵抗器が逐次評価される、請求項1に記載の方法。
- 前記一組の抵抗器のそれぞれは、そのいくつかのまたはすべてが接続された一組の抵抗器を含む、請求項1に記載の方法。
- 抵抗器の初期抵抗値を公称抵抗値に変えるべく該抵抗器から抵抗材料を除去するためにレーザー出力を使用する、トリミングに関するレーザーによって引き起こされる熱電効果に起因する抵抗値偏差を減少させる方法であって、
抵抗材料は電気接点間に位置する表面を有し基板上に支持されており、前記抵抗材料に適用されるレーザー出力は、前記抵抗器への適用直後の真のまたは定常状態での該抵抗器の抵抗値の正確な測定を妨げるように、前記レーザー出力が無い間に測定される真のまたは定常状態での抵抗値から逸脱した誤りのまたは一時的な抵抗値を表示させる熱電効果を前記抵抗器に引き起こし、前記トリミングに関するレーザーによって引き起こされる熱電効果に起因する抵抗値偏差を減少させるための方法が、
抵抗器に接続されるように計測器のプローブを配置すること、
前記計測器からの電流値を基準値または零値に設定すること、
シミュレーション経路に沿ってレーザー低出力パルスを導き、前記抵抗器の前記表面上の複数の位置に逐次熱を適用すること、
レーザーパルスのそれぞれの連続した一組のそれぞれの後に前記抵抗器を横切る電圧値を繰り返し測定して前記多数の位置のいくつかまたはそのすべての位置毎で評価に関する電圧偏差情報を得ること、
電圧偏差情報を用いて最小の電圧偏差を表す前記抵抗器の前記表面上の好適位置を決定すること、および
前記抵抗器の前記表面上の好適位置で、または同一基板上または同一バッチからの各抵抗器の好適な位置で、該各抵抗器から抵抗材料を除去してその初期抵抗値を公称抵抗値に変えるために前記レーザー出力のトリミングパルスによって引き起こされた熱電気の抵抗偏差を減少させるべく、高出力レーザーパルスをトリム経路に沿って導くことを含む方法。 - 前記単一のレーザーパルス、複数のレーザーパルスまたはレーザー出力は、プランジカットプロファイル、Lカットプロファイル、蛇行カットプロファイルまたは表面除去プロファイルから成るトリム経路に沿って適用される、請求項1ないし22のいずれか一項に記載の方法。
- 前記トリミングパルスまたは高出力レーザーパルスはトラッキングトリムプロセスに適用され、抵抗測定値は前記各トリミングパルスまたは高出力レーザーパルス後に得られかつ所望の抵抗値に比較され、前記抵抗測定値が前記所望の抵抗値についての予め決められた所定の範囲の中になると、前記レーザーパルスの適用が停止される、請求項1ないし23のいずれか一項に記載の方法。
- 前記トリミングパルスまたは高出力レーザーパルスは予測トリムプロセスに適用される、請求項1ないし24のいずれか一項に記載の方法。
- 前記抵抗器はチップR抵抗器から成る、請求項1ないし25のいずれか一項に記載の方法。
- 前記抵抗器は、0402または0201のチップ抵抗器から成る、請求項1ないし26のいずれか一項に記載の方法。
- 前記基板はセラミック材料から成る、請求項1ないし27のいずれか一項に記載の方法。
- 前記抵抗材料は、酸化ルテニウムを含む厚膜抵抗材料から成る、請求項1ないし28のいずれか一項に記載の方法。
- 前記抵抗材料は、ニッケルクロム合成物またはタンタル窒化合成物を含む、請求項1ないし29のいずれか一項に記載の方法。
- 前記抵抗器は低オーム抵抗器から成る、請求項1ないし30のいずれか一項に記載の方法。
- 前記抵抗器は0.1オーム以下の所望の抵抗値を有する、請求項1ないし31のいずれか一項に記載の方法。
- 前記抵抗器は4本のリード線を含む、請求項1ないし32のいずれか一項に記載の方法。
- 前記計測器はケルビン測定法を用いる、請求項1ないし33のいずれか一項に記載の方法。
- 真の抵抗値は所望の抵抗値の0.1%以内にある、請求項1ないし34のいずれか一項に記載の方法。
- 前記レーザー出力は200nmおよび2000nm間の波長で生成される、請求項1ないし35のいずれか一項に記載の方法。
- 前記抵抗器は前記基板に予め成形されたスクライブラインによって分離される、請求項1ないし36のいずれか一項に記載の方法。
- 前記評価パルスは、前記初期抵抗値の前記真の抵抗値または前記初期抵抗値の前記定常状態での抵抗値を変化させるように不適当な抵抗材料を除去する、請求項1に記載の方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US60985204P | 2004-09-13 | 2004-09-13 | |
US60/609,852 | 2004-09-13 | ||
PCT/US2005/031909 WO2006031577A2 (en) | 2004-09-13 | 2005-08-31 | Reduction of thermoelectric effects during laser trimming of resistors |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008512872A JP2008512872A (ja) | 2008-04-24 |
JP2008512872A5 JP2008512872A5 (ja) | 2008-10-09 |
JP4785854B2 true JP4785854B2 (ja) | 2011-10-05 |
Family
ID=35502498
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007531314A Expired - Fee Related JP4785854B2 (ja) | 2004-09-13 | 2005-08-31 | 抵抗器へのレーザートリミングの間の熱電気ポテンシャルの解析方法 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20060055504A1 (ja) |
JP (1) | JP4785854B2 (ja) |
KR (1) | KR101225024B1 (ja) |
CN (1) | CN101023500B (ja) |
DE (1) | DE112005002164T5 (ja) |
GB (1) | GB2434253A (ja) |
TW (1) | TWI405222B (ja) |
WO (1) | WO2006031577A2 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008244361A (ja) * | 2007-03-28 | 2008-10-09 | Hitachi Via Mechanics Ltd | プリント基板のレーザ加工方法 |
US8076605B2 (en) * | 2007-06-25 | 2011-12-13 | Electro Scientific Industries, Inc. | Systems and methods for adapting parameters to increase throughput during laser-based wafer processing |
JP2009274104A (ja) * | 2008-05-15 | 2009-11-26 | Fujitsu Component Ltd | 座標検出装置の製造装置 |
EP2409808A1 (de) | 2010-07-22 | 2012-01-25 | Bystronic Laser AG | Laserbearbeitungsmaschine |
CN101997546B (zh) * | 2010-11-10 | 2013-05-01 | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 | 数模转换电路零位和量程参数高精度微调方法 |
EP2883647B1 (de) | 2013-12-12 | 2019-05-29 | Bystronic Laser AG | Verfahren zur Konfiguration einer Laserbearbeitungsvorrichtung |
KR101771817B1 (ko) * | 2015-12-18 | 2017-08-25 | 삼성전기주식회사 | 칩 저항기 |
US10502550B2 (en) * | 2016-12-21 | 2019-12-10 | Kennametal Inc. | Method of non-destructive testing a cutting insert to determine coating thickness |
EP3456698B1 (en) * | 2017-09-13 | 2022-11-16 | Infineon Technologies AG | Method for manufacturing metal-ceramic substrate with trimmed resistors |
CN109087764A (zh) * | 2018-08-30 | 2018-12-25 | 中国振华集团云科电子有限公司 | 一种镍制薄膜电阻调阻方法及镍制薄膜电阻 |
WO2020230713A1 (ja) * | 2019-05-15 | 2020-11-19 | ローム株式会社 | 抵抗器 |
JP7443053B2 (ja) * | 2019-12-26 | 2024-03-05 | 株式会社ディスコ | レーザー加工装置 |
JP2021118281A (ja) * | 2020-01-27 | 2021-08-10 | Koa株式会社 | 抵抗器の製造方法及び抵抗器 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS539538B2 (ja) * | 1972-06-13 | 1978-04-06 | ||
JPS56115960A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-11 | Shinku Riko Kk | Electric resistance measuring apparatus |
JPS63207105A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | 三菱電機株式会社 | 厚膜抵抗体の抵抗値調整方法 |
JPH03114204A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Kyocera Corp | 超小型チップ抵抗器の製造方法 |
JPH03131005A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Nec Corp | レーザトリミング装置 |
JPH04261058A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子のトリミング方法 |
JPH0543502U (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-11 | 菊水電子工業株式会社 | 電流検出用抵抗器 |
JPH09180917A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ抵抗器の抵抗値修正方法 |
JPH10293144A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Adetsukusu Kk | インピーダンス測定装置 |
JP2001066334A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Hioki Ee Corp | 低抵抗測定装置および回路基板検査装置 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4429298A (en) | 1982-02-22 | 1984-01-31 | Western Electric Co., Inc. | Methods of trimming film resistors |
DE3319605A1 (de) * | 1983-05-30 | 1984-12-06 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Sensor mit polykristallinen silicium-widerstaenden |
JPH01300592A (ja) * | 1988-05-28 | 1989-12-05 | Murata Mfg Co Ltd | 厚膜多層配線基板 |
US4935694A (en) | 1988-09-20 | 1990-06-19 | Electro Scientific Industries, Inc. | Probe card fixture |
JPH05135911A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-06-01 | Tateyama Kagaku Kogyo Kk | サーミスタのトリミング方法 |
US5420515A (en) | 1992-08-28 | 1995-05-30 | Hewlett-Packard Company | Active circuit trimming with AC and DC response trims relative to a known response |
US5685995A (en) | 1994-11-22 | 1997-11-11 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method for laser functional trimming of films and devices |
JPH09171911A (ja) * | 1995-12-18 | 1997-06-30 | Rohm Co Ltd | 抵抗器におけるレーザートリミング方法 |
US6100815A (en) | 1997-12-24 | 2000-08-08 | Electro Scientific Industries, Inc. | Compound switching matrix for probing and interconnecting devices under test to measurement equipment |
US6664500B2 (en) * | 2000-12-16 | 2003-12-16 | Anadigics, Inc. | Laser-trimmable digital resistor |
US6534743B2 (en) * | 2001-02-01 | 2003-03-18 | Electro Scientific Industries, Inc. | Resistor trimming with small uniform spot from solid-state UV laser |
US6639177B2 (en) | 2001-03-29 | 2003-10-28 | Gsi Lumonics Corporation | Method and system for processing one or more microstructures of a multi-material device |
US6452478B1 (en) | 2001-09-19 | 2002-09-17 | California Micro Devices | Voltage trimmable resistor |
US6875950B2 (en) * | 2002-03-22 | 2005-04-05 | Gsi Lumonics Corporation | Automated laser trimming of resistors |
US6759892B2 (en) | 2002-03-25 | 2004-07-06 | Texas Instruments Incorporated | Temperature compensation trim method |
US6951995B2 (en) * | 2002-03-27 | 2005-10-04 | Gsi Lumonics Corp. | Method and system for high-speed, precise micromachining an array of devices |
DE10214885C1 (de) | 2002-04-04 | 2003-11-20 | Infineon Technologies Ag | Verfahren und Teststruktur zur Bestimmung von Widerstandwerten an mehreren zusammengeschalteten Widerständen in einer integrierten Schaltung |
US6674316B2 (en) | 2002-04-12 | 2004-01-06 | Texas Instruments Incorporated | Methods and apparatus for trimming electrical devices |
US6686726B1 (en) | 2002-08-08 | 2004-02-03 | Innoveta Technologies, Inc. | Tracking or independent output voltage adjustment for multiple output supplies |
US6664837B1 (en) | 2002-09-18 | 2003-12-16 | Xilinx, Inc. | Delay line trim unit having consistent performance under varying process and temperature conditions |
US6972391B2 (en) | 2002-11-21 | 2005-12-06 | Hadco Santa Clara, Inc. | Laser trimming of annular passive components |
WO2004049401A2 (en) * | 2002-11-21 | 2004-06-10 | Sanmina-Sci Corporation | Laser trimming of resistors |
US6949449B2 (en) * | 2003-07-11 | 2005-09-27 | Electro Scientific Industries, Inc. | Method of forming a scribe line on a ceramic substrate |
JP4777817B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2011-09-21 | 釜屋電機株式会社 | チップサーミスタの製造方法 |
-
2005
- 2005-08-31 DE DE112005002164T patent/DE112005002164T5/de not_active Withdrawn
- 2005-08-31 CN CN2005800306567A patent/CN101023500B/zh active Active
- 2005-08-31 KR KR1020077005706A patent/KR101225024B1/ko active IP Right Grant
- 2005-08-31 WO PCT/US2005/031909 patent/WO2006031577A2/en active Application Filing
- 2005-08-31 US US11/218,302 patent/US20060055504A1/en not_active Abandoned
- 2005-08-31 US US11/218,283 patent/US7667159B2/en active Active
- 2005-08-31 JP JP2007531314A patent/JP4785854B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-05 TW TW094130238A patent/TWI405222B/zh active
-
2007
- 2007-03-06 GB GB0704317A patent/GB2434253A/en not_active Withdrawn
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS539538B2 (ja) * | 1972-06-13 | 1978-04-06 | ||
JPS56115960A (en) * | 1980-02-19 | 1981-09-11 | Shinku Riko Kk | Electric resistance measuring apparatus |
JPS63207105A (ja) * | 1987-02-24 | 1988-08-26 | 三菱電機株式会社 | 厚膜抵抗体の抵抗値調整方法 |
JPH03114204A (ja) * | 1989-09-28 | 1991-05-15 | Kyocera Corp | 超小型チップ抵抗器の製造方法 |
JPH03131005A (ja) * | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Nec Corp | レーザトリミング装置 |
JPH04261058A (ja) * | 1991-01-25 | 1992-09-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体素子のトリミング方法 |
JPH0543502U (ja) * | 1991-11-14 | 1993-06-11 | 菊水電子工業株式会社 | 電流検出用抵抗器 |
JPH09180917A (ja) * | 1995-12-26 | 1997-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | チップ抵抗器の抵抗値修正方法 |
JPH10293144A (ja) * | 1997-04-18 | 1998-11-04 | Adetsukusu Kk | インピーダンス測定装置 |
JP2001066334A (ja) * | 1999-08-27 | 2001-03-16 | Hioki Ee Corp | 低抵抗測定装置および回路基板検査装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2006031577A2 (en) | 2006-03-23 |
TWI405222B (zh) | 2013-08-11 |
US7667159B2 (en) | 2010-02-23 |
WO2006031577A3 (en) | 2006-06-01 |
US20060055504A1 (en) | 2006-03-16 |
DE112005002164T5 (de) | 2007-08-16 |
GB0704317D0 (en) | 2007-04-11 |
JP2008512872A (ja) | 2008-04-24 |
CN101023500B (zh) | 2011-12-07 |
US20060065646A1 (en) | 2006-03-30 |
GB2434253A8 (en) | 2007-07-18 |
TW200614282A (en) | 2006-05-01 |
KR20070051896A (ko) | 2007-05-18 |
CN101023500A (zh) | 2007-08-22 |
KR101225024B1 (ko) | 2013-01-23 |
GB2434253A (en) | 2007-07-18 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
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R250 | Receipt of annual fees |
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|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |