CN109087764A - 一种镍制薄膜电阻调阻方法及镍制薄膜电阻 - Google Patents

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罗彦军
王成
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Abstract

本发明公开了一种镍制薄膜电阻调阻方法及镍制薄膜电阻，涉及电阻技术领域。该镍制薄膜电阻调阻方法包括：对镍制薄膜电阻的备调电阻片进行预设调节范围内的激光初调，以得到初调电阻片；将初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间；对初调电阻片进行激光精调，得到具有预设的目标阻值的目标电阻片。本发明提供的镍制薄膜电阻调阻方法很好的解决了激光调阻产生的热量对调阻精度的影响，为镍制薄膜电阻的生产提供了一种高精度的调阻方法。

Description

一种镍制薄膜电阻调阻方法及镍制薄膜电阻
技术领域
本发明涉及电阻技术领域，具体而言，涉及一种镍制薄膜电阻调阻方法及镍制薄膜电阻。
背景技术
对于温度敏感的电阻器又称之为热敏电阻，热敏电阻作为一种基础的电子元件被广泛的应用，它可以通过感受温度的变化改变自身的电阻阻值。由于科技的不断进步，热敏电阻的制备方式越来越多，最早的热敏电阻器的制备由于工艺的原因无法进行激光调组来进行阻值精度的调整，通常是通过后期的阻值筛选将热敏电阻的阻值分为多种规格，对于实际的需求阻值其产出率却是很低，热敏电阻的阻值精度的实现是热敏电阻制备中的一个很大的难题。贴片热敏电阻发展到如今，已经具备了利用薄膜技术制作热敏电阻的程度，所以对于热敏电阻的精度调整再一次的备受关注。
同时，镍制薄膜电阻应用广泛，市场需求较大，在生产加工的过程中，激光调阻产生的热量会对镍制薄膜电阻的阻值产生较大影响，调阻精度较低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种镍制薄膜电阻调阻方法，其能够避免激光调阻产生的热量对镍制薄膜电阻的阻值产生影响。
本发明的另一目的在于提供一种镍制薄膜电阻，其具备高精度阻值。
本发明提供一种技术方案：一种镍制薄膜电阻调阻方法，包括以下步骤：
对镍制薄膜电阻的备调电阻片进行预设调节范围内的激光初调，以得到初调电阻片；
将所述初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间；
对所述初调电阻片进行激光精调，得到具有预设的目标阻值的目标电阻片。
进一步地，所述预设调节范围为所述目标阻值-5％至-1％。
进一步地，所述第一预设温度为190℃～210℃。
进一步地，所述第一预设时间为23～25小时。
进一步地，所述将所述初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间的步骤包括：将所述初调电阻片置于190℃～210℃的烘箱内23～25小时。
进一步地，所述将所述初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间的步骤之前，所述的镍制薄膜电阻调阻方法还包括：
用绝缘值在2MΩ以上的去离子水对所述初调电阻片进行清洗。
进一步地，所述将所述初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间的步骤之前，所述镍制薄膜电阻调阻方法还包括：
将清洗后的初调电阻片置于第二预设温度的环境中第二预设时间。
进一步地，所述第二预设温度为145℃～155℃。
进一步地，所述第二预设时间为30～40分钟。
本发明提供另一种技术方案：一种镍制薄膜电阻，所述镍制薄膜电阻通过所述的镍制薄膜电阻调阻方法调阻得到。
相比现有技术，本发明提供的镍制薄膜电阻调阻方法，对镍制薄膜电阻备调电阻片进行了预设调节范围的调阻得到初调电阻片，将初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间来降低激光调阻产生的热量对其阻值的影响程度以及精确调阻得到目标电阻片等步骤，提供了一种高精度的镍制薄膜电阻调阻方法。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍。应当理解，以下附图仅示出了本发明的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定。对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他相关的附图。
图1为本发明的第一实施例提供的镍制薄膜电阻调阻方法的流程示意框图；
图2为本发明的第一实施例提供的镍制薄膜电阻调阻方法的步骤S104的子步骤流程示意框图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。通常在此处附图中描述和示出的本发明实施例的组件可以以各种不同的配置来布置和设计。
因此，以下对在附图中提供的本发明的实施例的详细描述并非旨在限制要求保护的本发明的范围，而是仅仅表示本发明的选定实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
此外，术语“第一”、“第二”等仅用于区分描述，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
下面结合附图，对本发明的具体实施方式进行详细说明。
第一实施例
图1为本发明的第一实施例提供的一种镍制薄膜电阻调阻方法的流程示意框图，请参阅图1，该镍制薄膜电阻调阻方法包括以下步骤：
步骤S101，对镍制薄膜电阻的备调电阻片进行预设调节范围内的激光初调，以得到初调电阻片。
其中，备调电阻片指的是用此方法进行调阻的镍制薄膜电阻原件。
步骤中的激光初调即是采用镍制薄膜电阻的激光调阻方法即可，需满足在预设调节范围内进行调节。
在此步骤中，需在调阻工艺方面对调阻范围进行硬性规定，即预设调节范围，同时，预设调节范围为目标阻值-5％至-1％，经过调阻后得到初调电阻片。
进一步地，该镍制薄膜电阻调阻方法还包括：
步骤S102，用绝缘值在2MΩ以上的去离子水对初调电阻片进行清洗。
本实施例中，采用去离子水对初调电阻片进行清洗，去除初调电阻片表面的干扰杂质，防止其对电阻阻值产生影响。
在其他实施例中，可以将去离子水进行替换，使用其他清洁介质或方法，在能达到清洁效果的同时不会对初调电阻片的阻值产生影响即可。
进一步地，该镍制薄膜电阻调阻方法还包括：
步骤S103，将清洗后的初调电阻片置于第二预设温度的环境中第二预设时间。
在将初调电阻片进行清洁之后，将其置于第二预设温度的环境中第二预设时间。
其中，第二预设温度为145℃～155℃，考虑到生产实际，可以采用烘箱，烘箱能准确设定温度情况下还能满足提供足够的高温空间，因此，本实施例中，将清洗后的初调电阻片置于145℃～155℃的烘箱中第二预设时间。
同时，与第二预设温度相对应的，第二预设时间为30～40分钟，即在本实施例中，将清洗后的初调电阻片置于145℃～155℃的烘箱中30～40分钟。
在其他实施例中，也可采用能容置初调电阻片并保持145℃～155℃高温30～40分钟的其他装置和设备。
进一步地，该镍制薄膜电阻调阻方法还包括：
步骤S104，将初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间。
本步骤为热存储步骤，其中，初调电阻片置于的第一预设温度为190℃～210℃。
同样的，与第一预设温度190℃～210℃相对应的，第一预设时间为23～25小时。
请参照图2所示，步骤S104的子步骤S1041，将初调电阻片置于190℃～210℃的烘箱内23～25小时。
即，同样的，采用烘箱进行容置并加热。
在其他实施例中，也可采用能容置初调电阻片并保持190℃～210℃高温23～25小时的其他装置和设备。
在镍制薄膜电阻加工调阻过程中，激光调阻不可避免的会产生调阻热量，这部分调阻热量会使电阻的阻值发生变化，而阻值测量系统会采集到这一部分的阻值，从而与电阻本身的实际阻值不相符，导致阻值调节差错，即便是采用冷光源调阻，同样会不可避免的产生一部分热量。
因此面对镍制薄膜电阻调阻，经过S104步骤，初调电阻片完成热存储，初调电阻片的热应力得到充分释放，经过此步骤的初调电阻片在极大程度上避免了后续的调阻测试过程中产生的调阻热量导致其阻值改变，使得调阻的结果更加精确。
进一步地，该镍制薄膜电阻调阻方法还包括：
步骤S105，对初调电阻片进行激光精调，得到具有预设的目标阻值的目标电阻片。
对初调电阻片进行热存储后进行激光精调，同理于S101中的激光初调，本步骤中直接将初调电阻片的阻值调至目标阻值，得到具有预设的目标阻值的目标电阻片。
本发明提供的镍制薄膜电阻调阻方法，通过对备调电阻片进行预设范围内的激光初调得到初调电阻片，再用绝缘值在2MΩ以上的去离子水对初调电阻片进行清洗，并在第二预设温度环境中干燥第二预设时间，之后在烘箱中进行第一预设温度及第一预设时间的热存储，最后进行激光精调，使其达到目标阻值，得到目标电阻片。
本发明提供的镍制薄膜电阻调阻方法，对镍制薄膜电阻备调电阻片进行了预设调节范围的调阻得到初调电阻片，将初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间来降低激光调阻产生的热量对其阻值的影响程度以及精确调阻得到目标电阻片等步骤，提供了一种高精度的镍制薄膜电阻调阻方法，同时对镍制薄膜电阻的生产加工，在阻值的一致性和投入产出率上有较大的积极作用。
第二实施例
本实施例提供了一种镍制薄膜电阻，该镍制薄膜电阻通过第一实施例提供的镍制薄膜电阻调阻方法调阻得到。
本实施例提供的镍制薄膜电阻，具有较高的阻值精度。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，包括以下步骤：
对镍制薄膜电阻的备调电阻片进行预设调节范围内的激光初调，以得到初调电阻片；
将所述初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间；
对所述初调电阻片进行激光精调，得到具有预设的目标阻值的目标电阻片。
2.根据权利要求1所述的镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，所述预设调节范围为所述目标阻值-5％至-1％。
3.根据权利要求1所述的镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，所述第一预设温度为190℃～210℃。
4.根据权利要求3所述的镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，所述第一预设时间为23～25小时。
5.根据权利要求4所述的镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，所述将所述初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间的步骤包括：将所述初调电阻片置于190℃～210℃的烘箱内23～25小时。
6.根据权利要求1所述的镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，所述将所述初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间的步骤之前，所述的镍制薄膜电阻调阻方法还包括：
用绝缘值在2MΩ以上的去离子水对所述初调电阻片进行清洗。
7.根据权利要求6所述的镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，所述将所述初调电阻片置于第一预设温度的环境中第一预设时间的步骤之前，所述镍制薄膜电阻调阻方法还包括：
将清洗后的初调电阻片置于第二预设温度的环境中第二预设时间。
8.根据权利要求7所述的镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，所述第二预设温度为145℃～155℃。
9.根据权利要求7所述的镍制薄膜电阻调阻方法，其特征在于，所述第二预设时间为30～40分钟。
10.一种镍制薄膜电阻，其特征在于，所述镍制薄膜电阻通过如权利要求1-9任一项所述的镍制薄膜电阻调阻方法调阻得到。
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