JPH03102803A - 薄膜抵抗体のトリミング方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、レーザ光による薄膜抵抗体の抵抗値トリミン
グ方法及びその装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の技術は、特公昭６０−２７１６４号公報に記載の
ようにレーザ光を用いて抵抗体を低温度に加熱して抵抗
体材質の化学変化をゆるやかに促し，抵抗値を増加させ
ることによって１−リミングを行っていた。即ち、レー
ザ光で抵抗体を除去することによって起こる、トリミン
グ直後の抵抗体材質変化に伴う抵抗値の増加を防ぐため
、抵抗体を除去することなく該抵抗体の材質変化を生じ
せしめるエネルギーのレーザ光で抵抗体の一点あるいは
一定領域を徐々に加熱して抵抗体材質の酸化を主体とし
た化学変化を促し，トリミング終了後の時間遅れを伴っ
た抵抗値の経時変化を最小限におさえて高性度に抵抗値
を調整するといった手段をとっていた。

あるいは、抵抗体の抵抗値を予めトリミング後の目標と
なる抵抗値と比較して充分低く設定しておき、抵抗値を
測定しつつ抵抗体の一部にレーザ光を照射して抵抗体を
除去することにより、抵抗値を増加させていき、目標と
なる抵抗値となったところでトリミングを終了させると
いう方法がとられていた。

〔発明が解決しようとする課題〕

上記従来技術では、抵抗体の製造工程において、抵抗体
の抵抗値を目標値より予め充分低く設定しておき、その
後のトリミングによって抵抗値を目標の値まで増加させ
て抵抗値の調整を行う必要があり、例えば１つのハイブ
リッドＩＣに含まれる抵抗体全部についてトリミングを
行わなければならず、そのためトリミングに長時間を要
するといった問題もあった。そこで、製造工程後の抵抗
値が予め目標となる抵抗値になる様に設定すれば、目標
の抵抗値の許容範囲外の抵抗体だけを対象にしてトリミ
ングを行うことにより１・リミングに要する時間を大幅
に短縮できる。なお、この場合のトリミングでは抵抗値
を減少・増加の両方に調整する必要がある。

本発明の第１の目的は、抵抗体を除去することなく抵抗
体上の一点あるいは一定領域をレーザ光で走査しながら
、抵抗体の温度を徐々に上昇させ、抵抗値を減少させる
ことにある。

本発明の第２の目的は、製造工程後の抵抗値が目標の値
よりも高い場合は、抵抗体上にレーザ光を照射して抵抗
体を除去することなく抵抗体の温度を上昇させることに
より抵抗値を減少させ、製造工程後の抵抗値が目標の値
より低い場合は、抵抗体の一部を除去することにより抵
抗値を増加させて、抵抗値を減少・増加の両方に調整で
きる様にすることで、例えばハイブリッドＩＣ等に用い
られている抵抗体を製造する時に、製造工程後の目標と
なる抵抗値より予め低く設定しておく必要をなくシ，製
造工程後に目標値になる様に設定した抵抗体の内、目標
値の許容範囲外の抵抗体だけをトリミングして，トリミ
ングに要する時間を大幅に短縮することである。

本発明の第３の目的は、抵抗体の抵抗値を測定してトリ
ミングが必要であるかどうか判断し、必要であれば、抵
抗値を減少・増加の両方に調整するトリミング装置を提
供することである。

〔課題を解決するための手段〕

上記第１の目的を達成するためには、抵抗体上にレーザ
光を照射して抵抗体を除去することなく抵抗体の温度を
上昇させることによって，抵抗体材質の化学変化を促す
と同時に結晶欠陥を回復させて抵抗値を減少させるもの
である。

また、第２の目的を達成するためには、製造工程後の抵
抗値が目標の値になる様に設定された抵抗体について、
抵抗値が目標値の許容範囲外の抵抗体１０′）“・その
製造工程後の抵抗イ直力１君午容範囲よりも高い場合は
抵抗値を減少させて、許容範囲よりも低い場合は抵抗値
を増加さ、せてトリミングを行うものである。

さらに，第３の目的を達或するためには、抵抗体の抵抗
値を測定する測定手段と、測定した抵抗値と目標の抵抗
値を比較して、トリミングが必要であるかどうかを判断
するための演算手段を備えた装置を提偶するものである
。

〔作用〕

抵抗体膜として，金属と酸化物・炭化物等の複合体であ
るサーメット系の材料を使用する。上記材料をスパッタ
蒸着等の手段で成膜し、所定の形状を有する抵抗体に形
成する。通常、この種の抵抗体は多数の結晶欠陥を有し
，熱処理により抵抗値が低減する。即ち、サーメット系
の抵抗体を形成している金属酸化物あるいは炭化物が熱
処理によって金ｇｃ原子単体に還元されることにより，
あるいは抵抗体を形成している結晶格子の欠陥が熱処理
を行うことで回復することにより抵抗値が低滅する。

また、製造工程後の抵抗体の抵抗値が目標値となる様に
予め設定しておき、抵抗値が許容範囲外の抵抗体のみを
対象として、抵抗値が目標値の許容範囲より低い場合は
レーザ加工を応用して抵抗体の一部を除去することによ
り、抵抗値を増加させ，抵抗値が目標値の許容範囲より
高い場合は抵抗体上にレーザ光を照射して抵抗体を除去
することなく温度を上昇させて抵抗値を減少させるため
、抵抗値を増加・減少の両方に調整でき、１−リミング
に要する時間を大幅に短縮できる。

〔実施例〕

以下、本発明の一実施例であるトリミング装置の構成を
第１図に示す。Ａｒレーザ発振器１０１から発振したレ
ーザ光１０２はダイクロイックミラ−１０３により９０
″曲げられ、レーザ光１０２を任意の寸法の矩形に成形
するためのスリット１０４により矩形に成形され、対物
レンズ１０５によりステージ１０６上に載置された抵抗
体を有する基板１０７上に、スリット１０４の投影像と
して照射される。スリット１０４は位置検出器１０８に
より開口寸法を検出しつつ岨動モータ１０９により任意
の大きさに設定する６基板１０７上のパターンは撮像レ
ンズ１１０，モニタカメラ１１１により画像信号として
画像処理装置１１２に入力し、処理される。またトリミ
ングの対象となる抵抗体の抵抗値、あるいは上記抵抗体
を含む回路特性は触針ｌ１３，測定回路１１４で測定さ
れる。

ここで１１５は観察用照明光源、１１６はレーザ照射位
置、寸法を参照するための光源である。

また、必要に応じて、ＣＷ励起ＱスイッチＹＡＧレーザ
発振器１２０から発振したＹＡＧレーザ光１２１はミラ
ー１２２および必要時に揮入されるミラー１２３により
，Ａｒレーザ光１０２と同一光軸でスリット１０４の投
影像として基板１０７上に照射することができる。

また、Ａｒレーザ光１０２およびＹＡＧレーザ光１２１
のいずれも，スリット１０４を開放状態にし，，リレー
レンズ１２５を挿入した状態で、ステージ１０６あるい
は対物レンズ１０５の光軸方向への移動により基板１０
７表面を奴察しながら、いわゆるガウス型のパワー密度
分布を持つスポットとして、レーザ光１０２，１２１を
照射することもできる。

さらに、レーザ光１０２，１２１のＯＮ−　ＯＦＦ，ス
リット↓０４の寸法設定，ステージ１０６の制御，画像
処理装置１１２および測定回路１１４の制御，さらには
ミラー１２３およびレンズ１２５の出入れ等、装置全体
の制御を行うコン１−ローラ１３０を備えている。

また、第２図においてｌ４はモニタカメラ１１１からの
信号を画像処理装置↓１２で処理した後のモニタ画面で
、レーザ光はスリット１０４を介してこの画面の中央に
照射される．，１５は矩形薄膜抵抗体，１６は矩形薄膜
抵抗体１５の雷極である。

次に第１図から第３図を用いて本トリミング袋置の動作
を説明する。まず、例えばキーボード，磁気テープ，磁
気ディスク，光ディスク等の入力手段に、それぞれの矩
形抵抗体の基板１０７上でのＸＹ座標とトリミング後の
目標の抵抗値及び予め実験によって求められている、抵
抗値を減少させる場合の抵抗体膜及び基板に損傷を与え
ないレーザパワー条件と抵抗値を増大させる場合のレー
ザパルスエショットで抵抗体膜を除去して基板に損傷を
与えないレーザパワー条件を入力しておく。

前記入力手段によりこれにの情報がコントローラ１３０
に入力されると、基板１０７の表面をＫｌ　？，１する
モニタカメラ１１１によって基板１０７上の座標の基Ｉ
メとなるパターンを見つけ出し，そのパターンが画像処
理装置１１２で得られるモニタ画面１４の中央にくる様
にコントローラ１３０でステージ１０６の位置を修正し
、その後ＸＹ座標のカウンタをリセットして原点を合わ
せる。次にコントローラ１３０は前述した入力手段から
読み込んだ、一番最初に加工する矩形抵抗体の基板１０
７上でのＸＹ座標に従って、その抵抗体の中心が画像処
理装置１１２から得られるモニタ画面工４の中央部と一
致する様にステージ１０６を移動させる。そして矩形抵
抗体の両側電極１６が第２図（ａ）の如くモニタカメラ
１１１の視野内にとらえられたら、コントローラ１３０
内の演算手段により、モニタ画面１４の水平走査線の輝
度を縦と横別々にたし合わせた、画素の輝度の頻度分布
を形成する。（この他パターンマッチングでも良い）即
ち、抵抗体の電極には比較的光の反射率の高い材質（例
えばＡ１など）が用いられているため、モニタカメラ１
１１で撮像した際にはｍＲの部分は他の部分より明るく
写ることを利用して，正確にモニタ画面１４と抵抗体ｌ
５の中心を合わせるために、水平走査線の輝度を縦にた
し合わせた波形（画素の輝度の頻度分布波形）をモニタ
画面ｌ４の横に対応させて波形の中心位置とモニタ画面
１４の横の中心位置との差をみれば横方向のずれが検出
でき、同様に水平走査線の輝度を横にたし合わせた波形
をモニタ画面１４の縦に対応させて波形の中心位置とモ
ニタ画面１４の縦の中心位置との差を見れば縦方向のず
れが検出できる。

このずれをコントローラ１３０で検出し、ステージ１０
６を移動させて第２図（ｂ）の如く位置合わせを行う。

その後、位置合わせをした抵抗体１５の両側電極１６に
抵抗値測定回路１１４の触針１１３を接触させて抵抗値
を測定する。ここで抵抗体はスパッタ蒸着で形威された
Ｃｒ−Ｓｉｎ，薄膜である。

上記材料は成膜後熱処理を行うことによりａｓｄｅｐｏ
よりシート抵抗値が低減する。即ち第３図に示す様に熱
処理前に８００Ω／口であったシート抵抗値は、３５０
℃の熱処理により５５０Ω／口に低下する。この処理後
の膜を抵抗体として使用し、数Ｗの出力のレーザ光で抵
抗体膜及び基板に損傷が生じな−い範囲で加熱すると、
レーザ照射部のみ抵抗値が低減し抵抗体としての全体の
抵抗値が低減できる。レーザ照射部の面積を増加するこ
とにより抵抗体全体の抵抗値はより低減する。

また、数＋Ｗのレーザ出力で抵抗体の一部を除去加工す
ることにより抵抗値は増加する。コントローラ１３０は
，測定した抵抗値と入力手段から入力された目標の抵抗
値とを比較し、測定した抵抗値が目標の抵抗値よりも高
い場合は、例えば抵抗体１５の寸法が縦２００μｍ，横
４００μｍで，対物レンズ５の倍率が１０倍であれば、
スリット１０４の開口寸法を縦２　ｍ　ｍ　，横４　ｍ
　ｍになる様にスリット位置検出器１０８でスリット１
０４の位置を検出しながらスリット駆動モータ１０９で
寸法を調節する。そして抵抗体ｌ５の全体にレーザが照
射される様にして、入力手段によってコントローラ１３
０に入力された、抵抗体膜及び基板に損傷を与えること
のないパワーのレーザ光を一定時間あるいは１ショット
抵抗体１５全体に照射することにより抵抗体１５全体を
加熱し、抵抗値を減少させる。その後コントローラ１３
０は、抵抗値測定回路１１４によって、レーザを照射し
た後の抵抗体１５の抵抗値とトリミング後の目標となる
抵抗値とを再度比較し、レーザを照射した後に測定した
抵抗値が目標となる抵抗値より高ければレーザを照射す
る処理へ戻り，２つの抵抗値が等しく、あるいは２つの
抵抗値の差が一定値以下になったら処理を終了させる。

コントローラ１３０はまた、位置合わせをした直後に測
定した抵抗体１５の抵抗値と入力手段から入力された目
標の抵抗値とを比較し、測定した抵抗値が目標の抵抗値
よりも低い場合は，例えば抵抗体１５の寸法が縦２００
μｍ，横４００μｍで、加工寸法を０１０Ｐｍにしたと
すれば，コントローラ１３０はステージ１０６をＹ軸方
向に１０５μｍだけ移動させる。それと同時にコントロ
ーラ１３０は、例えば対物レンズ１０５の倍率が４０倍
ならば、加工寸法が口１０μｍになる様にスリット１０
４の寸法をスリット位置検出器１０８で検出しながらス
リット銀動モータ１０９で口０．４ｍｍに調節する。そ
の後コントローラ１３０はステージ７をＹ！ＦＩＩ１方
向に例えば■ｐｍだけ戻し、レーザをｌショット照射し
て抵抗体１５を幅１０μｍ，長さ１μｍだけ除去して抵
抗値を増大させる。更にその後コントローラ１３０は、
抵抗値測定回路１１４によって、レーザを照射した後の
抵抗体ｌ５の抵抗値とトリミング後の目標となるなる抵
抗値とを再度比較し、レーザを照射した後に測定した抵
抗値が目標となる抵抗値より低ければ、更にステージ７
をｌμｍだけＹ軸方向に戻して、レーザを１ショット照
射し、幅１０Ｐｍ，長さｌμｍの抵抗体を除去する処理
へ戻り，２つの抵抗値が等しく，あるいは２つの抵抗値
の差が一定値以下になったら処理を終了させるものであ
る。

更にコントローラ１３０は、次に加工すべき抵抗体があ
るかどうか判断し、ある場合は必要な情報を読み込んで
抵抗体の抵抗値を測定する処理へ戻り、ない場合は処理
を終了させる。

なお、第１図に示したトリミング装置では、抵抗値を減
少するためのレーザとしてＡｒレーザを、抵抗体の除去
加工を行うレーザとしてＹＡＧレーザの２１ａ類を搭載
した場合について述べたが、それらに限定されるもので
はない。即ち、抵抗値を低減するためのレーザとしてＡ
ｒレーザの他にＫｒレーザ，連続発振およびパルス発振
のＹＡＧレーザ基本波およびその高調波，金属蒸気レー
ザ等のいずれかを、また除去加工を行うためのレーザと
してパルス発振のＹＡＧレーザ基本波およびその高調波
を使用可能であり、たとえばアークランプ励起超音波Ｑ
スイッチＹＡＧレーザおよびその高調波を採ｍすること
により、ｌ台のレーザ発振器で抵抗値の低減と除去加工
を行うことが可能である。

また、照射位置を移動あるいは走査させるために、ステ
ージの移動で説明して来たが，これに限定されるもので
はなく、スリット１０４の位置の移動あるいはガウス型
の分布を持つスポットで処理を行う場合にはガルバノメ
ータ，ＡＯあるいはＥ○モジュレー夕を応用した偏向素
子の使用、あるいはそれらの組合せにより実現できるこ
とは明らかであり、ここではこれ以上触れない。

次に本発明の一実施例である、抵抗体のトリミング方法
について図に従って説明する。第４図に典型的なＭ膜抵
抗体の構造を示す。第４図（ａ）には平面図を、第４図
（ｂ）にはその断面図を示してある。第４図において、
１７は薄膜抵抗体，工８はＡＪ２などで形成された電極
，１９は基板である。抵抗体１７は、例えばＣｒ−Ｓｉ
○２，Ｔａ−Ｓｉ○２，Ｔａ−ＳｉＣなどのサーメット
系材料で構成されており，スパッタ蒸着などの方法によ
り通常１００〜１０００ｎｍの膜淳でＡｎ２０，等の基
板１９上に形成され、電極１８と配，ｌ（図示せず）を
介して基板１９上の他の部分と接続されている。ここで
第４図には基板ｌ９上に直接抵抗体１７を形威した場合
を示したが、基板１９上に他の絶縁膜，例えばポリイミ
ド膜，Ｓ　ｉ　Ｏ２膜，導体膜が複数層形成され、その
上に抵抗体膜が形成される場合もあるがここでは特に触
れない。まず、抵抗体を有する基板を例えば図１に示し
たトリミング装置に搭載し、一番最初に加工する抵抗体
の位置の調整を行った後、その両側の電極ｌ８に触針を
接触して抵抗値を測定する。なお、ここでは抵抗値の変
化を直接ｉ１＋’Ｊ定することで説明するが、それに限
定されず、回路全体の、あるいは一部の特性を測定しな
がら抵抗値の調整を行うことでも良い。まず、対象とす
る抵抗体の抵抗値が目標となる抵抗値より高い場合につ
いて説明する。第１の方法は第５図（ａ）の示す様に抵
抗体１７のほぼ全面にレーザ光が照射される様にステー
ジ位置とスリット開口寸法を調整する。第５図（ａ）に
おいて、２０はレーザ光の照射領域である。上記１！１
整が終了した後、発振器をＯＮ（シャッタを開にして良
い）し、レーザ光を無射する。運続発振レーザの場合に
は照射パワーの増大、及び照射時間の増大とともに照射
部分の抵抗値は低減する。また、パルス発振レーザの場
合には魚射パルス数及び、照射パワーの増大とともに抵
抗値が低減するため、抵抗値測定回路で測定した抵抗値
あるいは回路特性が、目標値（設計値）となった時点で
レーザ照射を停止し、トリミングを終了させる。次に第
２の方法について説明する。第５図（ｂ）に示す様に、
レーザ光の照射領域２０を抵抗体１７より充分小さく設
定して、抵抗体工７の一端に位置決めしレーザを照射す
る。

そして、レーザ光の順射領域をＸ−Ｙに走査し、レーザ
光が照射される面積を増大させることにより抵抗値が低
減するため、抵抗値１１’ｌ定回路で測定した抵抗値、
あるいは回路特性が目標値となった時点でレーザ照射を
停止し、１−リミングを終了させる。また，第３の方法
は第５図（Ｑ）に示す様に，レーザ光の照射領域２０を
抵抗体１７の幅方向には充分広く、電極方向には狭く設
定し、レーザ光を照射しつつ、照射領域２０を矢印で示
した方向に移動させる。これにより、レーザ光が照射さ
れる面積が増大し抵抗値は低減するため、抵抗値測定回
路で測定した抵抗値あるいは回路特性が目標値となった
時点でレーザ照射を停止し、トリミングを終了させる。

また、第４の方法は第５図（ｄ）に示す様に、レーザ照
射領域２ｏを集光スポットとし、抵抗体１７の一端に位
置決めしレーザを照射する。モしてレーザスポットをＸ
−Ｙに走査してレーザ光の照射される面積を増大させる
ことにより抵抗値は低減するため、抵抗値測定回路で測
定した抵抗値あるいは回路特性が目標値となった時点で
レーザ照射を停止し、トリミングを終了させる。なお、
これらの方法においてレーザ光としては連続発振でもパ
イロット信号する発振でも良いが、抵抗体ｌ７上に照射
するレーザの出カは、抵抗体１７上で抵抗体膜がダメー
ジを生じない範囲に限定されるのは当然である。上記し
た方法では、抵抗値測定回路等により抵抗値単体、ある
いは回路特性を測定しながらトリミングを行ったが、予
め抵抗体の抵抗値、あるいは回路特性を測定し、目標値
との差から、第１の方法においてはレーザの出力，ある
いはパルス数を標準的な抵抗値の変化特性から算出して
、第２から第５の方法においてはレーザの出力あるいは
レーザを照射する面積を標準的な抵抗値の変化特性から
算出してレーザを照射しても良い。

次に、対象とする抵抗体の抵抗値が、目標とする抵抗値
（設計値）より低かった場合について説明する。第１の
方法は第６図（ａ）の如く、スリットを介して矩形に成
形したレーザ照射領域２１を抵抗体上から外して位置決
めし、矢印の方向に一定量ずつ走査しながらレーザを照
射して抵抗体膜を除去加工することによって抵抗値を増
大させるため、抵抗値測定回路で測定した抵抗値あるい
は回路特性が目標値となったところでレーザ照射を停止
し、トリミングを終了させる。また、第２の方法として
は、第６図（ｂ）の如くレーザ照射領域２１を集光スポ
ットとし、抵抗体上から外して位置決めして矢印の方向
に一定量ずつ走査しなからレーザを照射して抵抗体膜を
除去加工することによって抵抗値を増大させるため、抵
抗値測定回路で測定した抵抗値あるいは回路特性が目標
値となったところでレーザ照射を停止し、トリミングを
終了させる。また，第３の方法としては、第６図（Ｃ）
の如く、予め抵抗値測定回路で測定した抵抗値あるいは
回路特性と目標値とを比較し、必要な切断長を算出して
からレーザを照射する寸法を決定し、トリミング中に抵
抗値測定回路等で抵抗値あるいは回路特性を測定するこ
となく一括して抵抗体膜の一部を除去する方法である。

ここで，抵抗体１７の下地が例えばポリイミドの様に，
抵抗体１７より加工され易い場合について、第７図を用
いて説明する。第７図は、加工形状による薄膜抵抗体の
下地膜に与えるダメージの違いについて説明したもので
ある。第７図（ａ）は、スポット加工もしくは矩形に成
形したレーザ光で、一定の長さになるまで加工部を少し
ずつ重ね合わせて加工した場合である。この場合，レー
ザ光を重ね合わせていることにより、重なりの部分（ハ
ツチングで示す）が非常に広くなる。すなわち、すでに
レーザ光を照射して薄膜抵抗体が除去され下地膜が露出
している状態の場所を再び加工した場合、この重・なり
の部分の下地膜にダメージが発生する。そこで第７図（
ｂ）の如く、抵抗体上に照射するレーザ光をスリットで
必要な形に成形して抵抗体の一部を一括して１ショッ１
・で加工する。

あるいは第７図（ｃ）の如く、レーザ光をスリットで矩
形に成形して、１ショソ１・で加工する長さだけシフト
させながら加工を行なうので、レーザ光の重なりの部分
を旭くす、あるいは最小にする事ができ、下地膜へのダ
メージを無くす事ができるという効果がある。

次に、特殊な形状であるディスク形蒲膜抵抗体のトリミ
ング方法について説明する。ディスク形抵抗体は例えば
第８図（ａ），（ｂ）に示す様な？造になっている。第
８図（．）は平面図，第８図（ｂ）はその断面図である
。抵抗体２４は、例えばＣｒ−Ｓ　ｉｏ，，Ｔａ−Ｓｉ
○２，Ｔａ−ＳｉＣのサーメット系の材料で構成された
Ｗｌ膜抵抗体で、スパッタ蒸着等の方法で成膜されてお
り、その中央と周辺にそれぞれＡｎなどからなる内側電
極２２及び外側電極２３が形成され、この電極と配線（
図示せず）を介して基板２５上の他の部分と接続されて
いる。ここで第８図には、２！！板２５上に直接抵抗体
２４を形成した場合を示したが、基板２５上に他の絶縁
膜、例えばポリイミド膜，ＳｉＯ■膜が形成され、その
上に抵抗体膜が形成される場合もあるがここでは特に触
れない。

また、抵抗値測定回路等の触針をディスク形抵抗体の内
側電極、外側電極にそれぞれ接触させて抵抗値あるいは
回路特性を測定しながらトリミングを行う場合、内側電
極に接触している触針で抵抗体上をさえぎる部分が発生
するため、ディスク形抵抗体をトリミングする際には、
トリミング前に予め抵抗値を測定しておく必要がある。

まず、対象とするディスク形抵抗体の抵抗値が、目標と
なる抵抗値に比べて高い場合について説明する。第１の
方法は、第９図（ａ）に示す様に抵抗体全面にレーザ光
が照射される様にステージ位置とスリノ［一開口寸法を
調整する。第９図（ａ）において、２６はレーザ光の照
射領域である。上記調整が終了した後、予め測定されて
いたディスク形抵抗体の抵抗値と１−リミング後の目標
となる抵抗値とを比較し、連２）２発振レーザの場合に
は照射パワーと、照射時間、パルスレーザの場合には、
照射パルス数と照射パワーの最適値を決定する。その後
、発振器をＯＮ（シャソタを開にして良い）し、レーザ
光を照射する。連続発振レーザの場合には、照射パワー
と照射時間の増大とともに照射部分の抵抗値は減少する
。また、パルスレーザの場合には、照射パルス数と照射
パワーの増大とともに抵抗値が減少する。そして、ディ
スク形抵抗体の電極に触針を接触させて抵抗値を測定す
ることなく、決定された最適トリミング条件に基いてレ
ーザを照射し、トリミングを終了させる。次に第２の方
法について説明する。第９図（ｂ）に示す様に、レーザ
光の照射領域を抵抗体より充分小さく設定して抵抗体上
に位置決めし、レーザを照射する。モしてレーザ光の照
射領域２６をＸ−Ｙに走査し、レーザ光の照射される面
積を増大させることにより抵抗値は減少する。そして、
ディスク形抵抗体の電極に触針を接触させて抵抗値を測
定することなく、決定された最適トリミング条件に基い
てレーザを照射し，トリミングを終了させる。また、第
３の方法は、第９図（ｃ）に示す様に、レーザ光の照射
領域２６を細長く設定し、照射領域２６を矢印で示した
方向に移動する。これによりレーザ光が照射される面積
が増大し抵抗値は減少する。

そして、ディスク形抵抗体の電極に触針を接触させるこ
となく、決定された最適トリミング条件に基いてレーザ
を照射し、トリミングを終了させる。

また、第４の方法は、第９図（ｄ）に示す様に、レーザ
照射領域２６を集光スポットとし、抵抗体上に位置決め
しレーザを照射する。モしてレーザスポットをＸ−Ｙに
走査して，レーザ光の照射される面積を増大させること
により抵抗値は減少する。そして、ディスク形抵抗体の
電極に触針を接触させることなく、決定された最適トリ
ミング条件に基いてレーザを照射し、トリミングを終了
させる。なお、これらの方法において、レーザ光として
は連続発振でもパルス発振でも良いが、照射するレーザ
の出力は、抵抗体膜と電極及び下地がダメージを生じな
い範囲に限定されることは当然である。

次に、対象とする抵抗体の抵抗値が目標となる抵抗値に
比べて低い場合について説明する。まず、予め測定され
ていたディスク形抵抗体の抵抗値と目標となる抵抗値と
を比較し、抵抗値を目標値と等しくするために、ディス
ク形抵抗体の一定位置での必要な切断長を決定する。そ
の後、第１の方法としては、第１０図（ａ）に示す様に
レーザ照射領域２７をディスク形抵抗体の一定位置上に
おいて、決定された切断長の一端に位置決めし、連続発
振レーザを照射して矢印の方向に走査する、あるいはパ
ルスレーザを照射して矢印の方向に少しずつ走査する、
あるいはパルスレーザをエショットだけ照射して、加工
した長さだけ矢印の方向にレーザ照射位置２７を移動さ
せて、決定された切断長になるまで加工をくり返してト
リミングする。また、第２の方法としては、・第１０図
（ｂ）に示す様に、ディスク形抵抗体の一定位置上にお
いて、決定された切断長にレーザ照射位置を合わせ、パ
ルスレーザを１ショット照射して抵抗体の一部を除去す
ることにより、抵抗値を目標の値まで増加させ、ｌ・リ
ミングを行う。

以上説明したディスク形抵抗体のトリミングについては
、抵抗値のみに注目してＩ−リミングを行った例につい
て述べたが、それだけに限らず回路全体の特性をみてト
リミングを行ってもよい。

〔発明の効果〕

本発明によれば、抵抗体上にレーザ光を照射して、抵抗
体を除去することなく抵抗体材質の温度を上昇させて従
来は不可能であった抵抗値を減少することによる調整が
できる効果がある。

また，製造工程後の抵抗値が予め目標値に設定された抵
抗体について、抵抗値が目標値の許容範囲より低い場合
は抵抗体の一部を除去して抵抗値を増加させ、抵抗値が
目標値の許容範囲より高い場合は抵抗体上にレーザ光を
照射して抵抗体材質の温度を上昇させて抵抗値を減少さ
せることによってトリミングを行うので、トリミングに
要する時間を大幅に短縮できる効果もある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例であるトリミング装置の構成
図、第２図はモニタ画面による矩形抵抗体の位置検出の
方法を示した説明図、第３図は本発明で対象にした薄膜
抵抗体についての熱処理温度と抵抗値の関係を示したグ
ラフ、第４図は矩形薄膜抵抗体の構成図、第５図は矩形
抵抗体の抵抗値を減少させる際のレーザ照射方法を示し
た説明図、第６図は矩形抵抗体の抵抗値を増大させる際
のレーザ照射方法を示した説明図、第７図はレーザの照
射形状による加工方法の違いを示した説明図、第８図は
ディスク形薄膜抵抗体の構成図、第９図−はディスク形
抵抗体の抵抗値を減少させる際のレーザ照射方法を示し
た説明図、第１０図はディスク形抵抗体の抵抗値を増大
させる際のレーザ照射方法を示した説明図である。 １０１・・・Ａｒレーザ発振器， １１１・・・モニタカメラ， １１２・・・画像処理装置， １１４・・・測定回路， １２０・・・ＣＷ励起ＱスイッチＹＡＧレーザ，１３０
・・・制御装置。 稟　ｌ　ロ 稟２聞 １１４−−一濁１更日ヌＬ ／３０−一一制御娘髭 集 Ｊ 図 栴 ５ 図 （α） 嶌 ヰ 図 （ｂ） 察 ６ ロ （０−） （ｂ） （０） 集 ７ 図 （α） （ｂ） 口］＝口］ 稟 ｑ 区 （Ｃ） （ｃＬ） 稟 ８ 図 （Ｑ−） ＜ｂ） 島 １０ 図 （α） （ｂ）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １．　薄膜抵抗体のトリミング方法において、抵抗体の
   抵抗値を減少あるいは増加せしめて調整することを特徴
   とする薄膜抵抗体のトリミング方法。