JP2005522023A - デバイスのアレイを高速かつ正確にマイクロマシニング加工する方法及びシステム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 デバイスのアレイを高速かつ正確にマイクロマシニング加工する方法及びシステムが開示され、処理能力及び抵抗器トリミング精度のような精度の改善がもたらされる。抵抗測定の数は、非測定カットの使用により、不連続の共線カットの使用により、スポットが扇形に広がる平行カットの使用により、及びより高速の共線カットに対する逆行走査技術の使用により制限される。熱的な影響を管理するために不連続カットも使用され、精度を改善するために較正されたカットが使用される。抵抗器の損傷を回避するために試験電圧が制御される。
Description
本出願は、2002年3月28日出願の「レーザベースのマイクロマシニング方法及びシステムとチップ構成要素及び同様の構造の高速レーザトリミングへの応用」という名称の米国特許仮出願一連番号第60/368,421号の恩典を主張する。本出願はまた、現在は米国特許出願第2002/0162973号として公告されている2002年3月27日出願の「デバイスを処理する方法、それをモデリングする方法及びシステム、及びデバイス」という名称の米国特許出願一連番号第10/108,101号に対する優先権を主張し、またその一部継続出願である。「ディザリングによってレーザビーム強度プロフィールを成形する方法及び装置」という名称の本発明の譲渡人に譲渡された本発明人による米国特許第6,341,029号は、本明細書においてその全内容が引用により援用される。本出願はまた、同じく本発明の譲渡人に譲渡された「レーザシステムにおけるパルス制御」という名称の米国特許第6,339,604号に関連している。本出願はまた、同じく本発明の譲渡人に譲渡され、現在は米国特許出願第2002/0170898号として公告された、2002年3月27日出願の「フィールド内の1つ又はそれ以上の目標の材料を処理する高速レーザベースの方法及びシステム」という名称の現在特許出願中の米国特許出願一連番号第10/107,027号に関連している。
本発明は、デバイスのアレイの高速で正確なマイクロマシニング加工のための方法及びシステムに関する。本発明はまた、抵抗器のトリミング、特に薄膜ブロック構造上の蛇行抵抗器のトリミングの分野に関連する。レーザ抵抗器トリミングは、導体間の抵抗材料区域のレーザ処理カットを伴う。
米国特許第4,429,298号は、蛇行トリミングの多くの態様に関連する。基本的に、蛇行抵抗器は、連続プランジカットで形成され、最終トリムカットは、最終プランジからの抵抗器のエッジに対して平行に為される。それは、抵抗器上で一端から交互に「漸進的に」プランジカットを形成すると説明され、最大及び最小のプランジカット長さ、トリムカットに対するプランジカットの抵抗閾値、プランジカットのより高速のカット速度、及び様々な抵抗及びカット長さ試験で構造化された処理流れを考慮する。
厚膜回路からウェーハトリミングに至る全ての作動スケールでの正確なトリミングのような改良型高速マイクロマシニング加工に対する必要性が依然として存在する。
本発明の上記及び他の目的を達成する上で、デバイスのアレイを高速で正確にマイクロマシニング加工する方法が提供される。デバイスの各々は、少なくとも1つの測定可能な特性を有する。本方法は、(a)測定可能な特性の値を変化させるためにアレイ内のデバイスを選択的にマイクロマシニング加工する段階と、(b)選択的にマイクロマシニング加工する段階を中断する段階と、(c)選択的にマイクロマシニング加工する段階が中断されている間に、測定可能な特性の値を変化させるためにアレイ内の少なくとも1つの他のデバイスを選択的にマイクロマシニング加工する段階と、(d)デバイスの測定可能な特性をその値が望ましい範囲に入るまで変化させるために、中断された選択的にマイクロマシニング加工する段階を再開する段階とを含む。
抵抗器は、薄膜抵抗器とすることができる。
選択的にマイクロマシニング加工する段階は、デバイスをカットする少なくとも1つのレーザビームで実行することができる。
本方法は、測定値を取得するために、デバイスのうちの少なくとも1つの1つの測定可能な特性を測定する段階を更に含むことができる。
本方法は、比較を得るために測定値を所定の閾値と比較する段階と、その比較に基づいて他のデバイスの少なくとも1つをマイクロマシニング加工する段階とを更に含むことができる。
本方法は、測定値に基づいて、他のデバイスの少なくとも1つの測定可能な特性を測定しないことを判断する段階を更に含むことができる。
本方法は、抵抗器のアレイを高速かつ正確にレーザトリミングするためのものとすることができ、測定可能な特性の1つは、抵抗であるとすることができる。
選択的にマイクロマシニング加工する段階の各々は、材料を選択的に除去する段階を含むことができる。
アレイは、1つ又はそれ以上の行及び1つ又はそれ以上の列の少なくとも一方を含むことができる。
選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、複数の集束レーザパルスを用いて実行することができる。本方法は、集束レーザパルスを分配する段階を更に含むことができる。
分配する段階は、複数のレーザビームを用いて分布パターンを生成する段階と、レーザビームを集束させる段階とを含むことができる。
選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、マイクロマシニング加工されるデバイスの各々の位置にレーザビームを位置決めする段階と、マイクロマシニング加工されるデバイスの各々の少なくとも一部分を、少なくとも1つのレーザパルスで選択的に照射する段階とを含むことができる。
選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、レーザビームを生成してアレイのフィールド内の第1の方向に移動するように相対的に位置決めする段階と、フィールド内の少なくとも1つのデバイスの少なくとも一部分を、少なくとも1つのレーザパルスで選択的に照射する段階とを含むことができる。
選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、レーザビームを生成してデバイスを横切る第1の走査パターンで移動するように相対的に位置決めする段階と、第2の走査パターンを第1の走査パターンに重ね合わせる段階と、少なくとも1つのデバイスを少なくとも1つのレーザパルスで照射する段階とを含むことができる。
第2の走査パターンは、第1のデバイスから第2のデバイスへのジャンプを含むことができる。
選択的にマイクロマシニング加工する段階は、複数のレーザパルスを用いて実行することができ、パルスの少なくとも1つは、0.1マイクロジュールから25ミリジュールの範囲のエネルギを有することができる。
測定値は、測定温度値とすることができる。
デバイスは、実質的に同一とすることができる。
本システムは、デバイスのうちの少なくとも1つの測定可能な特性の1つを測定するための測定サブシステムを更に含むことができる。
マイクロマシニング加工は、レーザトリミングとすることができ、アレイは、抵抗器のアレイであり、測定サブシステムは、プローブアレイとすることができる。
コントローラは、サブシステムが制御されてデバイスの少なくとも1つに対してマイクロマシニング加工中にデバイス温度を下げるトリミングシーケンスを発生するように、サブシステムに結合することができる。
本発明の上記及び他の目的、特徴、及び利点は、添付図面と共に以下の本発明を実施するための最良の態様の詳細説明から容易に明らかになる。
抵抗器トリミングでは、カットは、電流を抵抗経路に沿った抵抗材料を通って流れるように方向付ける。カットの大きさ及び形状を精密に制御して調節することにより、図1a−1cに示すように抵抗を望ましい値に変化させることができる。一般的に、チップ抵抗器は、基板上の行と列に配置される。図2aは、抵抗器R1、R2、...RNの行が処理される構成を示す。プローブ200を有し、図2aの矢印で示すプローブアレイは、抵抗器の行の導体と接触202させられる。マトリックスの切換は、第1の対の導体(例えば、R1に亘る接点)に関する接触に対処し、導体の対の間の抵抗を望ましい値に変化させるために、一連のカット及び測定が実行される。抵抗器のトリミングが終了すると、マトリックスは、次の行要素(例えば、R2)での第2の組の接点に切り換え、トリミング処理が繰り返される。抵抗器(R1...RN)の行全体がトリミングされた時に、接点及びプローブアレイ間の接触が壊れる。基板は、次に別の行に対して相対的に位置決めされ、プローブアレイが接触させられ、前の行と同様の方法で第2の行が処理される。
測定数の制限及び共線トリム軌道の維持は、両方ともトリム速度を増大させる。
少なくとも一実施形態では、カットする段階は、所定の情報に基づいて実行することができる。一例として、いくつかの種類の抵抗器に対して、抵抗値が測定される前に第1の一連の要素をカットすることができ、そのシーケンスは、抵抗器の所定のパラメータ(例えば、幾何学形状)及び/又は既知の薄膜特性(例えば、シートの抵抗値)に基づく。同様に、いくつかの非測定カットを第1の抵抗器において学習モードで判断することができる(例えば、少なくとも1つの測定又は反復測定を含む)。1つの学習モードでは、反復測定が行われ、非トリムカットの数は、測定値と材料特性に基づいて判断される。少なくとも一実施形態では、非測定カットの数を計算することができる。
繰返し測定によって所定の情報が取得される一実施形態では、事前にトリミングされた値が提供される。それらの値は、オペレータやプロセスエンジニアによって指定されるか、又はその他の方法で取得することができる。ソフトウエアは、印加された試験電圧及び/又は電流が制御されるように、事前にトリミングされた目標値を指定又は使用する能力を提供する。この機能は、蛇行トリミングに付随する広範囲の抵抗変動に亘って部品を損傷させるほど高い電圧を回避するのに有用である。本発明の一実施形態において高速抵抗器測定システムを使用する場合、測定のために抵抗器に印加された電圧は、初期の低い抵抗値カットに対しては減少し、通過する電流と抵抗器に対する損傷の可能性とを制限する。引き続きカットが行われて抵抗値が減少するので、測定電圧は増加する。
例えば、本発明の少なくとも一実施形態では、測定されたトリムカットが目標値に到達し、長さが最大許容カット長さの所定限界内である時は、付加的な段階を利用することができる。その限界内では、材料特性の変動は、目標値に足りないいくつかのトリムカットを残す場合があり、追加のカットを必要とする。
第2のモードでは、値までトリミングされた第1の要素の長さに基づいて、カット長さが減らされて目標値が達成されるのを防止し、行を完成させるために非測定カットが処理される。その後のトリムカットは、行の全ての要素を目標値にする。
第3のモードでは、1つの要素に対する以前の少なくとも1回のカットの長さは、その後のカットが限界条件に該当しないように修正される。
第1のモードでは、トリムカットは1行の要素で順次行われ、目標値に達しない要素の位置が記憶される。その後のトリムカットにより、記憶された位置に残っている要素は、目標値にトリミングされる。
第2のモードでは、第1の要素で測定された値に基づいて、カット長さが減らされて目標値が達成されるのを防止し、行を完成させるために非測定カットが処理される。その後のトリムカットは、行の全ての要素を目標値にする。
第3のモードでは、1つの要素に対する以前の少なくとも1回のカットの長さは、その後のカットが限界条件に該当しないように修正される。
更に、各抵抗器は、レーザが発生したエネルギから回復するための付加的な時間を有する。カットのシーケンスは、要素の温度変化を管理するように決めることができる(例えば、カット中の最大要素温度の低減)。例えば、図4aを参照すると、シーケンス405を逆にすることができ、それによって一組のカットは、要素の中心付近で開始され、導体及びプローブに接近して要素の端部に進行するように行われる。他のシーケンスや適切なシーケンスを使用することができる(例えば、熱を管理する上で有利な非隣接カットの任意のシーケンス)。好ましくは、第2の要素は、測定の追加段階の前にカットすることができる。
蛇行カットに対する抵抗変化の範囲は、ほぼ1桁の大きさ(例えば、10X)から、一般的に2桁の大きさ(100X)、そして現在の材料のほぼ500Xまで変化する。
本発明の少なくとも一実施形態では、「レーザトリミング装置の較正方法」という名称の米国特許第4,918,284号に説明した方法を使用して、レーザトリミングシステムを最初に較正することができる。この第4,918,284号特許は、レーザビームを基板領域上の望ましい公称レーザ位置に移動させるためのレーザビーム位置決め機構を制御し、実際のレーザ位置を確立するために媒体上にマークを刻み(例えば、線をカットする)、実際のレーザ位置を検出するために刻まれたマークを走査し、実際のレーザ位置を望ましい公称位置と比較することによるレーザトリミング装置の較正方法を教示している。好ましくは、レーザビームは、1波長上で作動し、マークは、別の波長上で作動する検出装置で走査される。検出装置は、基板領域全体の一部分を含むフィールドを見て、フィールド内のマークの位置を判断する。第4,918,284号特許は、カメラの視野に対してビーム位置がどこにあるかを判断する方法を更に教示している。
第4,918,284号特許から一部援用された図6aを参照すると、改良レーザトリミングシステムは、レーザビーム位置決め機構605まで及びそれを通って基板領域606まで光路604に沿ってレーザビーム603を出力する、一般的に波長が約1.047ミクロンから1.32ミクロンの赤外線レーザ602を含むことができる。薄膜アレイのトリミングに応用するために、当業技術で公知の市販されている様々な技術を使用してIRレーザの出力周波数を2倍にすることにより、約0.532ミクロンの好ましい波長を得ることができる。
抵抗器アレイの薄膜トリミングに本発明を適用する上で、少なくとも1つの薄膜アレイが基板によって支持される。上述のように取得された較正データは、好ましくは、自動化機械視覚アルゴリズムと組み合わせて使用され、アレイの要素(例えば、抵抗器R1)を探し出し、図6bの要素620の少なくとも1つの幾何学的特徴の位置を測定する。例えば、この特徴は、利用可能な数多いエッジ検出アルゴリズムの1つを使用して、メモリ内のピクセルデータの解析によって見出された水平エッジ621(例えば、X方向に平行なエッジ)の1つ、及び垂直エッジ622(例えば、Y方向に平行なエッジ)の1つとすることができる。これらのエッジは、抵抗器の全周囲に沿う多重エッジ測定値、エッジのサンプル、又はアレイの多くの抵抗器からのエッジを含むことができる。次に、抵抗器の幅が判断され、これは、一般的に幅の所定の百分率としてカット長さを定めるために使用することができる。好ましくは、エッジの情報は、自動的に取得され、例えば行R1...RN内の各カット長さを制御するために較正データと共に使用される。他の測定アルゴリズム、例えば画像相関アルゴリズム又は斑点検出法もまた、適切であれば使用することができる。
好ましくは、図2及び4の複数のカットの長さ及び開始点が補正されることになる。
最も好ましくは、図2a及び4aの全てのカットの長さ及び開始点が補正されることになる。
完全な自動化が好ましい。しかし、オペレータが介在する半自動アルゴリズムを使用してもよく、それは、例えば、アレイ要素620がフィールド内にあるように検流器が配置され、次に、ビームが要素に沿って順次インタラクティブに位置決めされ、強度プロフィール(又は、強度の微分)がオペレータによってディスプレイ630上で観測されるような場合である。
本発明の少なくとも一実施形態では、以下に説明する技術の1つ又はそれ以上を使用して有効走査速度を増すことにより、処理能力を更に改善することができる。
共線トリムによる処理速度の更なる増加は、行の抵抗器間のトリム間隙に亘るより高速のジャンプによって実現することができる。そのような1つの間隙216を図2aに示す。図7を参照すると、本発明の少なくとも一実施形態では、単軸の「音響光学ビームデフレクタ(AOBD)」は、検流計が行に亘って一定速度702で走査する時にのこ歯状線形走査パターン701を重ね合わせる。トリミング中は、「AOBD」は逆行運動703で走査し、トリム間で次のカットへの高速ジャンプ704をもたらす。これによって、検流計は一定速度で走査することができ、全処理時間に対するジャンプの寄与を最小にする。
速度を改善するために音響光学デフレクタを検流計と組み合わせて使用することは、当業技術では公知である。例えば、米国特許第5,837,962号は、加工物を加熱、溶融、蒸発、又はカットするための改良型装置を開示している。二次元音響光学デフレクタは、マーク付け速度において約5倍の改善をもたらした。
好ましくは、第6,341,029号特許の構成は、光学構成要素及び走査制御プロフィールの修正をもたらすように利用可能な技術を使用して容易に適応させられ、好ましくは付加的なハードウエア較正手順を使用して、本発明の逆行走査技術を実行することができる。
一実施形態では、一度に2つまでの抵抗器をトリミングするために(例えば、ゼロ、1、又は2回カット)、単一のレーザパルスが使用される。図8を参照すると、単一平行レーザビーム803を2つの発散平行ビーム804及び805に空間的に分割することにより、2つのカットに対して2つの集束スポット801及び802が形成される。差動周波数の微調節は、スポットの分離を制御する。材料処理用途においてビームを空間的に分離するための音響光学装置の使用は、当業技術で公知である。例えば、日本特許要約JP53152662は、選択可能な周波数f1...fNを有する多重周波数デフレクタを使用して微小な孔を穿孔するための1つの装置を示している。
「AOM」808を出た後で、ビームは、任意選択のビーム回転制御モジュール809に通って進み、ビームがX又はYのいずれかの方向に向くようにビームを90度回転させる。一実施形態では、この回転に対してプリズムが使用されるが、関連の米国特許公告第2002/0170898号に説明されているように、多くの回転技術が公知である。
更に、処理速度又は品質を更に改善するために、伸長した又は楕円形スポットを形成するための技術を本発明と共に利用することができる。スポット成形に付随するトリミング速度の改善は、現在特許出願中の公告された米国特許出願第2002/0170898号に説明されている。
1.本システムは、コンピュータ制御のスポットサイズ及び/又は焦点調節をもたらすことができる。本発明の譲渡人に譲渡された米国特許第6,483,071号は、レーザベースメモリを修復するためのスポットサイズ制御及び動的集束の両方をもたらす光学サブシステムを示している。
2.別の代替案は、可変ビーム減衰器を使用するビームエネルギの制御である。減衰器は、音響光学デフレクタ(又は、モジュレータ)でもよい。手動又は自動調節に関わらず、減光フィルタ又は偏光ベース減衰器を使用することができる。米国特許第6,518,540号では、回転半位相差板及び極性感受性ビーム分割装置を有する適切な可変減衰器が一例として示されている。
3.パルス幅は、当業者に公知の方法を使用して変えることができ、qスイッチレーザのエネルギは、繰返し数、特に高い繰返し数で変動することになると理解されている。パルス間で測定が行われる動的トリミングに対しては、実質的に一定のパルスエネルギを維持することが好ましい。パルスエネルギ制御の方法は、抵抗値が所定の目標値に近づく時の精密測定の期間に対応する、トリミング速度の減少時に(例えば、パルスのより大きな時間的間隔)、目標におけるエネルギの変動を減少させる第6,339,604号特許に開示されている。
4.少なくとも一実施形態では、抵抗器アレイをトリミングするために、ダイオード活性で周波数倍増の「YAG」レーザが使用される。532nmの出力波長は、他の波長と比較すると、低ドリフト、微小亀裂の欠如、及び無視することができる熱影響区域をもたらした。約25〜45nsのパルス幅が望ましく、30nsよりも小さいものが一般的であろう。好ましい最大レーザ繰返し数は、少なくとも10KHzである。厚膜システムに対して一般的なものよりも大幅に小さなパルス幅は、比較的高い繰返し数での薄膜材料の除去をもたらす。好ましくは、減少パルス幅での最大利用可能パルスエネルギ及び高繰返し数は、多重スポットが形成されるように、回折光学素子(例えば、回折格子又は「AOBD」)に付随する損失を考慮することになる。
5.レーザは、近似的で回折が制限されたスポットサイズに集束させることができる。スポットサイズは、一般的に30ミクロンよりも小さいことになり、好ましいスポットサイズは、約20ミクロンよりも小さく、最も好ましいスポットサイズは、約6〜15ミクロン、例えば10〜15ミクロンの範囲である。
6.本発明の説明した実施形態では、一連の平行な互いに入り込んだカットとして蛇行カットが示されている。しかし、本発明を適用は、平行カットの形成に制約されないことは理解されるものとする。測定数が少ない複数の非交差カットを生成するようにトリミング又はマイクロマシニング加工することは、本発明の範囲であると考えられる。
7.更に、本発明の実施形態は、薄膜抵抗器の測定に限定されるものではなく、物理特性が測定可能である他のマイクロマシニング加工の用途にも適用可能である。測定は、電気的測定に限定されるものではなく、温度モニタリング(例えば、赤外線センサを使用する)、応力、振動、又は他の特性の測定とすることができる。
200 プローブ
205 初期レーザ位置
Claims (30)
- 各々が少なくとも1つの測定可能な特性を有するデバイスのアレイを高速かつ正確にマイクロマシニング加工する方法であって、
測定可能な特性の値を変化させるために、アレイ内のデバイスを選択的にマイクロマシニング加工する段階と、
前記選択的にマイクロマシニング加工する段階を中断する段階と、
前記選択的にマイクロマシニング加工する段階を中断している間に、測定可能な特性の値を変化させるために、前記アレイ内の少なくとも1つの他のデバイスを選択的にマイクロマシニング加工する段階と、
前記デバイスの測定可能な特性をその値が望ましい範囲内に入るまで変化させるために、前記中断した選択的にマイクロマシニング加工する段階を再開する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記デバイスは、抵抗器であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記抵抗器は、薄膜抵抗器であることを特徴とする請求項2に記載の方法。
- 前記選択的にマイクロマシニング加工する段階は、前記デバイスをカットする少なくとも1つのレーザビームで実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 測定値を取得するために前記デバイスのうちの少なくとも1つの1つの測定可能な特性を測定する段階を更に含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 比較を得るために前記測定値を所定の閾値と比較する段階と、該比較に基づいて他のデバイスの少なくとも1つをマイクロマシニング加工する段階とを更に含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記測定値に基づいて他のデバイスの少なくとも1つを選択的にマイクロマシニング加工する段階を更に含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 前記測定値に基づいて他のデバイスのうちの少なくとも1つの測定可能な特性を測定しないことを判断する段階を更に含むことを特徴とする請求項5に記載の方法。
- 抵抗器のアレイを高速かつ正確にレーザトリミングするための方法であり、
前記測定可能な特性の1つは、抵抗である、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記選択的にマイクロマシニング加工する段階の各々は、選択的に材料を除去する段階を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記アレイは、1つ又はそれ以上の行及び1つ又はそれ以上の列の少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、複数のデバイスを実質的に同時に照射するために複数の集束レーザパルスを用いて実行されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、複数の集束レーザパルスを用いて実行され、
前記集束レーザパルスを分配する段階を更に含む、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記分配する段階は、複数のレーザビームを用いて分配パターンを生成する段階と、該レーザビームを集束させる段階とを含むことを特徴とする請求項13に記載の方法。
- 前記レーザトリミングは、抵抗材料の前記抵抗器の導体間の区域に一連の交互に入り込んだカットを生成することを特徴とする請求項9に記載の方法。
- 前記選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、マイクロマシニング加工される前記デバイスの各々の位置にレーザビームを位置決めする段階と、マイクロマシニング加工される該デバイスの各々の少なくとも一部分を少なくとも1つのレーザパルスを用いて選択的に照射する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、前記アレイのフィールド内の第1の方向に進行するようにレーザビームを生成して相対的に位置決めする段階と、該フィールド内の少なくとも1つのデバイスの少なくとも一部分を少なくとも1つのレーザパルスで選択的に照射する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記フィールド内の前記第1の方向と実質的に反対の第2の方向に進行するようにレーザビームを生成して相対的に位置決めする段階と、前記フィールド内の少なくとも1つのデバイスの少なくとも第2の部分を少なくとも1つのレーザパルスで選択的に照射する段階とを更に含むことを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記選択的にマイクロマシニング加工する段階の少なくとも1つは、前記デバイスに亘って第1の走査パターンで進行するようにレーザビームを生成して相対的に位置決めする段階と、第2の走査パターンを該第1の走査パターンに重ね合わせる段階と、少なくとも1つのデバイスを少なくとも1つのレーザパルスで照射する段階とを含むことを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 前記第2の走査パターンは、逆行走査であり、
前記少なくとも1つのデバイスを照射する前記少なくとも1つのレーザパルスの走査速度は、前記第1の走査パターンの対応する走査速度よりも遅く、
レーザエネルギは、前記第1の走査パターンのみに付随する期間よりも長い期間の間前記少なくとも1つのデバイスに集中され、それによって処理能力が向上する、
ことを特徴とする請求項19に記載の方法。 - 前記第2の走査パターンは、第1のデバイスから第2のデバイスへのジャンプを含むことを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記選択的にマイクロマシニング加工する段階は、複数のレーザパルスを用いて実行され、
前記パルスの少なくとも1つは、0.1マイクロジュールから25ミリジュールまでの範囲のエネルギを有する、
ことを特徴とする請求項1に記載の方法。 - 前記測定値は、測定温度値であることを特徴とする請求項7に記載の方法。
- 前記デバイスは、実質的に同一であることを特徴とする請求項1に記載の方法。
- 各々が少なくとも1つの測定可能な特性を有するデバイスのアレイを高速かつレーザベースで正確にマイクロマシニング加工するためのシステムであって、
パルスレーザサブシステムと、
デバイスの一部分をレーザパルスで選択的に照射するために前記パルスレーザシステムに結合された光学サブシステムと、
測定可能な特性の値を変化させるために、アレイ内のデバイスを選択的にマイクロマシニング加工し、
前記選択的マイクロマシニング加工を中断し、
前記選択的マイクロマシニング加工を中断している間に、測定可能な特性の値を変化させるために、前記アレイ内の少なくとも1つの他のデバイスを選択的にマイクロマシニング加工し、
前記デバイスの測定可能な特性をその値が望ましい範囲に入るまで変化させるために、前記選択的マイクロマシニング加工を再開する、
ように前記サブシステムを制御するために該サブシステムに結合されたコントローラと、
を含むことを特徴とするシステム。 - 前記光学サブシステムは、ビームデフレクタと、マイクロマシニング加工される前記デバイスの各々を含む第1の走査パターンに沿ってレーザビームを走査するように該ビームデフレクタを制御するためのビームデフレクタコントローラとを含むことを特徴とする請求項25に記載のシステム。
- 前記デバイスのうちの少なくとも1つの前記測定可能な特性の1つを測定するための測定サブシステムを更に含むことを特徴とする請求項25に記載のシステム。
- 前記マイクロマシニング加工は、レーザトリミングであり、前記アレイは、抵抗器のアレイであり、
前記測定サブシステムは、プローブアレイである、
ことを特徴とする請求項27に記載のシステム。 - 前記光学サブシステムは、より高速の第2の走査パターンを前記第1の走査パターンに重ね合わせ、それによってシステムの処理能力を向上させるための第2のビームデフレクタを含むことを特徴とする請求項26に記載のシステム。
- 前記コントローラは、前記サブシステムが制御されてマイクロマシニング加工中にデバイス温度を下げる前記デバイスの少なくとも1つに対するトリミングシーケンスを生成するように、該サブシステムに結合されることを特徴とする請求項25に記載のシステム。
Applications Claiming Priority (3)
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