TWI414382B - 用於半導體鏈結處理中對準雷射光束之系統與方法 - Google Patents

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Description

用於半導體鏈結處理中對準雷射光束之系統與方法
相關申請案 本申請案主張2006年7月5日申請之美國專利申請案第11/481,562號的優先權，該美國專利申請案為2005年2月4日申請且標題為「利用具有同軸偏移的多個橫向間隔開的雷射光束點之半導體結構處理」之美國專利申請案第11/051,265號的部份接續案，而該案主張2004年6月18日申請，標題為「多光束半導體鏈路處理」之美國專利臨時申請案第60/580,917號的優先權。茲將所有前述申請案依參考方式併入本案。
下列其他美國專利申請案亦於2005年2月4日申請，且亦按參考方式併入本案：－申請案第11/051,262號，標題為「利用傳送多次擊發的多個橫向間隔開的雷射光束點之半導體結構處理」；－申請案第11/052,014號，標題為「利用具有聯合速度描述特徵的多個橫向間隔開的雷射光束點之半導體結構處理」；－申請案第11/051,500號，標題為「利用同時傳遞的多個同軸間隔開的雷射光束點之半導體結構處理」；－申請案第11/052,000號，標題為「利用多個同軸間隔開的雷射光束點之半導體結構處理以增進單次擊發的產出」；－申請案第11/051,263號，標題為「在不相鄰的結構上利用多個同軸間隔開的雷射光束點之半導體結構處理」；－申請案第11/051,958號，標題為「利用具有橫軸偏移的多個同軸間隔開的雷射光束點之半導體結構處理」；以及－申請案第11/051,261號，標題為「利用多個縱長地重疊在一結構上的雷射光束點之半導體結構處理」。
本發明大致是有關於製造半導體積體電路，並且更特別是利用雷射光束以處理在一半導體積體電路之上或之內的結構。
在IC(積體電路)製造處理的過程中，IC經常因各種原因而招致瑕疵。為此理由，IC元件經常被設計成含有備援電路構件，像是在半導體記憶體元件，即如DRAM(動態隨機存取記憶體)、SRAM(靜態隨機存取記憶體)或嵌入式記憶體之內的記憶體胞格的備用列與行。此等元件亦經設計以在該等備援電路構件的電接點之間含有特定的雷射可切斷的鏈路。可將此等鏈路移除，以例如斷開一瑕疵的記憶體胞格，並代換為一替換備援胞格。類似技術亦運用以切斷鏈路，藉此程式化或組態設定邏輯產品，像是閘極陣列或ASIC(特殊應用積體電路)。在製造出IC之後，會對其電路構件進行測試有無瑕疵問題，並且可將瑕疵的位置記錄在一資料庫內。而結合有關該IC之佈局以及其電路構件之位置的位置資訊，即可運用一雷射式鏈路處理系統以移除選定鏈路，藉此令該IC為可用的。
雷射可切斷的鏈路通常厚度約為0.5－1微米(μm)，寬度約0.5－1μm且長度約8μm。在IC內的電路構件以及因此在該等構件之間的鏈路，通常是按一規則的幾何排置方式，像是按規則的列所排設的。在一典型的鏈路列裡，於鄰近鏈路之間的中心至中心間距約為2－3μm。這些維度僅為代表性並且隨著技術演進日漸縮小，可供製造出具更小特性之工件，同時發展出具有更高精確度及更小聚焦雷射光束點的雷射處理系統。儘管多數的普遍使用鏈路材料為多晶矽等等的複合物，然記憶體製造廠商近來已採用各種多個的導電金屬鏈路材料，這些包含(然不限於)鋁、銅、金、鎳、鈦、鎢、鉑及其他金屬、金屬合金、金屬氮化物，像是氮化鈦或氮化鉭、金屬矽化物，像是矽化鎢、或是其他的類金屬材料。
傳統的雷射式半導體鏈路處理系統是將一具有約4到30奈秒(ns)之脈衝寬度的單一雷射輸出脈衝聚焦在各鏈路上。該雷射光束係入射於該IC上，而具有一足夠寬到以每次移除一條且僅一條鏈路的跡印或光點大小。當雷射脈衝衝擊到一位於一矽基板上方，並且是在一含一頂置鈍化層，其厚度通常為2000－10,000埃()，以及一底置鈍化層之鈍化層堆疊的多個組成疊層間的多晶矽或金屬鏈路時，該矽基板吸收掉相當微小比例的紅外線輻射量，並且該等鈍化層(二氧化矽或氮化矽)對於IR輻射具有相當高度的通透性。紅外線(IR)及可見雷射波長(即如0.522μm、1.047μm、1.064μm、1.321μm以及1.34μm)已被運用超過20年以移除電路鏈路。
雷射處理系統傳統上是運用一經聚焦至一微小光點之單一雷射脈衝以進行鏈路移除作業。待予移除的鏈路排通常是按直列方式而排置於該晶圓上，即如在圖1中所舉例者。該列並不需為完美直線，然通常會是相當平直的。該等鏈路是由該系統在一鏈路行程(run)120中所處理，此者又稱為「行進間(OTF)」的行程。在該鏈路行程120的過程中，當一平台(stage)定位器跨於一經聚焦的雷射光點位置110而通過該鏈路列時，即脈衝發射該雷射光束。該平台通常是一次沿一單一軸線而移動，並且不會停留在各個鏈路位置處。如此，該鏈路行程120是一種在概為長度方向上(水平跨於所示頁面)穿過一列之鏈路的處理。此外，該鏈路行程120的長度方向並不需為精確直線或是垂直於該等組成該列之個別鏈路的長度方向，然此通常大致為真。雷射光束衝擊到該鏈路行程120內的選定鏈路，而其傳播路徑係沿一軸線。該軸線交會於該工件的位置會繼續沿該鏈路行程120前進，而同時脈衝發射該雷射以選擇性地移除鏈路。該雷射被觸發以發射出一脈衝，並且在當該晶圓及光學元件具有一相對位置而使得該脈衝能量將衝擊到該鏈路上時(即如當該雷射光點110符合一觸發位置130時)，即將一鏈路切斷。部分的鏈路未被照射到，並被維持為未經處理的鏈路140，而其他則被照射且成為經切斷的鏈路150。雖稱該雷射光束點110係沿該鏈路列前進，然此為一語言簡述。更確切地說，當一雷射光束為開啟時可自該雷射光束獲致一光點。而在一間歇性雷射光束的情況下，像是一脈衝化雷射光束，在IC工件上所獲的光點會隨著雷射光束開啟及關閉而出現與消失。然而，該雷射光束沿一具有一傳播軸線之傳播路徑傳播，並且該路徑及軸線總是存在，無論該光束為開啟或關閉皆然。因此，精確地說，一雷射光束路徑或軸線是沿該鏈路行程而移動。在該鏈路行程過程中的任意時點處，該軸線是在一鏈路上或是在兩個鄰近鏈路之間交會於該IC工件。當一雷射光束軸線交會於一既經選定予以移除的鏈路150時，該雷射光束會被激勵以切斷該鏈路150。當該雷射軸線沿一排規則性間隔的鏈路(具有大約均勻的間距)而移動時，該雷射光束可為按一等同且相位同步於該軸線交叉鏈路的速率來週期性地發射脈衝。可選擇性地穿通或阻擋該雷射脈衝以切斷一給定鏈路或保持完整的。該光點110在圖1和其他圖式中雖顯示為具有一圓形形狀，然其可具有一雷射光束能夠產生出的任意形狀。
圖2說明一典型的鏈路處理系統，此者可藉由在一靜止光學桌台210之下於一XY平面上移動一晶圓240以調整該光點位置。該光學桌台210支撐一雷射220、一反射鏡225、一聚焦透鏡230以及可能的其他光學硬體。而藉由將該晶圓240放置在一夾塊250上，其中該夾塊是由一移動平台260所載荷，可在該XY平面之下移動該晶圓240。或另者，可握固該晶圓240不動，而是該光學桌台210上的光學設備移動。又如另一替代方式，可移動該晶圓240及該光學桌台210上的光學設備兩者，藉以施予一所欲相對移動。
圖3A描繪該晶圓240之一俯視圖表示，此者包含數個晶粒242。該等晶粒242通常係按一規則性幾何排置方式所佈置。一組通常按一長方形樣式之連續晶粒係構成一對齊範圍244，而位在或靠近範圍的角落處可為專屬對齊目標246。在各晶粒之上或接近處可有額外的對齊目標(未顯示)。該等對齊目標246可用以將該雷射光束點110對齊於該晶圓240。自一對齊範圍244之各個角落處的該等對齊目標246所收集到的對齊資料可用來算出在該對齊範圍244裡於各個晶粒內待予處理之鏈路的位置。例如，可將表面擬合(fitting)演算法施用於已知的角落對齊的目標資料，藉此將一表面模型擬合於該對齊範圍。此處理有時稱為位置幾何校正(PGC)。
圖3B係一跨於一半導體晶粒242之鏈路行程的說明。圖中顯示X方向鏈路行程(沿X方向軌道310)以及Y方向鏈路行程(沿Y方向軌道320)兩者。在一給定晶粒內的電路構件(這些在一給定晶圓上通常皆為相同的)通常是按一規則性幾何排置方式所排設，即如在該等構件之間的鏈路般。該等鏈路經常是以群組而按規則列方式所放置，這些稱為「鏈路排(bank)」，具有一大致均勻的中央至中央間距間隔，並且是在正交X及Y方向上延伸。為移除在一鏈路排內的選定鏈路，該光束點110是按一近似均勻的速度連續地沿該鏈路排前進，而同時該雷射110發射脈衝以選擇性地移除鏈路。該雷射110被觸發以發射一脈衝，並藉以當該雷射光束點位在一選定目標位置上時可在該選定目標位置處切斷一鏈路。因此，有些鏈路並未被照射而保留為未經處理的鏈路，其它則獲照射而經切斷或另經實體變動。跨於部分或所有晶圓240行進並以雷射照射來處理選定鏈路之處理稱為「鏈路行程」，而尤其是稱為一「處理鏈路行程」(或簡為「處理行程」)，即如在前文圖1中所詳細繪示者。
傳統的循序鏈路熔斷處理程序需要對於各次鏈路行程而跨於該晶圓240掃描該XY移動平台260一次。重複地跨於該晶圓240而往返掃描以獲致完整的晶圓處理。一機器通常會在處理一批次的Y軸鏈路行程320之前，先往返掃描處理眾多的X軸鏈路行程310(或反之亦然)。此範例僅為示範性質。其他的鏈路行程組態及處理模型亦屬可行。例如，鏈路排及鏈路行程可並非直線列，同時亦能不以連續移動方式進行處理。
而光學路徑內的較微小變化，例如因熱膨脹或收縮所造成的細微維度變化，可顯著地消除所欲之聚焦雷射光束點性質。
在本半導體鏈路處理系統中，該雷射光束係最初地經對齊，然後由一人工處理程序偶爾進行重新對齊，其需要打開該系統之殼體及其他遮蓋或覆蓋，進行診斷測試以觀察雷射光束或雷射光點性質，決定(多項)適當調整，並按人工方式對在該雷射光束路徑內的可調整光學構件進行這些調整。此處理並不完美、耗費時間並且需要熟稔的技師。例如，由於移除該系統的殼體、遮蓋及覆蓋以進行調整，所以該系統是在異於典型操作條件的熱性狀態下。因為熱性條件可能影響到雷射光束對齊，故該調整可能會固有地不正確。
利用具高脈衝重複頻率(PRF)之雷射可能會讓此對齊問題劣化。該等雷射雖可獲致提高的處理產出量，然該等雷射亦將多個熱量引入至該系統環境內，導致多個的熱膨脹，並因此光束對齊移偏多個。此外，高PRF雷射固有的指向穩定性與脈衝穩定性特徵並非總是如較低PRF雷射般良好。這些因素合併使得在高PRF系統裡光束對齊作業是既具挑戰性又具關鍵性。
其他的對齊偏離原因可包含機械爬行(creep)及失效；因光學桌台移動與震動所致生的元件移動；運送中出現的衝擊；元件磨損；落沾於承載表面上的殘屑；可造成應力之反覆的加熱及冷卻循環，而此應力可致使用螺栓固定的元件改變位置；以及雷射和光學元件因使用所產生的長期變化。該等任一項原因與其他未列出的原因的出現都會不樂見地劣化系統光束對齊。
隨著半導體鏈路上的特徵持續縮小，這要求處理光點的大小降低，對齊容忍度將減少，使得雷射光束對齊更具挑戰性。
根據一實施例，一種方法可對一機器內之雷射光束的靜態對齊作業進行離散調整，藉以利用該雷射光束選擇性地照射在一半導體基板之上或之內的導電鏈路。該雷射光束係沿一具有一軸線的光束路徑傳播，此軸線係自一雷射延伸至一在該半導體基板之上或之內之一位置處的雷射光束點。該方法根據該雷射光束之至少一所測得的特徵來產生至少一信號，藉以控制該機器裡達成該雷射光束路徑的可調整光學構件。該方法亦可將該至少一信號發送至該可調整光學構件。然後該方法響應於該至少一信號以調整該可調整光學構件，藉此改善該雷射光束軸線的靜態對齊作業。
根據另一實施例，一種機器利用一雷射光束選擇性地照射在一半導體基板之上或之內的導電鏈路。該機器包含一雷射，其產生該雷射光束；以及一光束路徑，而該雷射光束係沿此路徑傳播。該光束路徑具有一軸線，其係自該雷射延伸至一在該半導體基板之上或之內之一位置處的雷射光束點，其中該射束路徑係受到一或多個的未受控制的變異項目。該機器亦含有一可調整光學構件，其可達成該光束路徑的軸線；以及一處理器，其係電連接於該可調整光學構件，並經組態設定以根據該雷射光束之至少一所測得特徵產生至少一電子信號，俾調整該可調整光學構件，藉此補償該等一或多個未受控制的變異項目之至少一者，並藉此對該光束路徑的靜態對齊作業進行離散性改善。
又根據另一實施例，一種系統可利用複數個雷射光束以選擇性地照射在一半導體基板之上或之內的結構。該等結構係按一或多個列所設置，此等列大致按長度方向上而延伸。該系統含有一雷射源、一第一雷射光束傳播路徑、一第一致動器、一第二雷射光束傳播路徑、一第二致動器以及一控制系統。該雷射源係產生至少一第一雷射光束及一第二雷射光束。該第一雷射光束係沿該第一雷射光束傳播路徑而朝向該半導體基板傳播，此路徑具有一第一雷射光束軸線，而該軸線則在一第一光點處交會於該半導體基板。該第一致動器係經組態設定以調整該第一雷射光束軸線。該第二雷射光束係沿該第二雷射光束傳播路徑而朝向該半導體基板傳播，此路徑具有一第二雷射光束軸線，而該軸線則在一第二光點處交會於該半導體基板。該第二致動器係經組態設定以調整該第二雷射光束軸線。該控制系統係經組態設定以啟動該第一致動器及該第二致動器之至少一者，藉此調整該等第一及第二雷射光束傳播路徑之至少一者，藉此改善該等路徑之至少一者的對齊作業。
即如本文所使用者，該詞彙「在...之上」不僅是意味直接在其上方，而亦可為在其頂端處、之上、其高處或覆蓋，且為部分或完整的任何方式；而該詞彙「大致」係一廣義化詞彙，其意味著大約地或近似地，然並不意味一高度的接近性。
在後載章節中，參照於隨列圖式，陳述出有關特定實施例之建構及操作的額外細節。
 A.概要
參照於所列的圖式，本節說明特定實施例及其詳細的建構與操作。該等本文揭露的實施例僅係按舉例方式所陳述。熟諳本項技藝之人士經本教示的啟發將能認知到確可對本文揭露的所述實施例進行變化，並且其他實施例亦為可能。並未嘗試窮列所有可能實施例以及所述實施例的所有可能變化。為便於簡潔之目的，部分實施例的一些元件或步驟的特點係被呈現而無非必要細節，其中該等非必要細節是對於熟諳本項技藝之人士經本教示啟發將為顯見者、及/或其中或許會混淆瞭解一或多個實施例的適切特點者。
熟諳本項技藝之人士經本揭示啟發將能瞭解到一些實施例能夠達到較佳於已知先前技藝的部份優點，其包含部分或所有的下列項目：(1)較優的對齊作業和所獲之改良處理正確度、以及經改良的雷射光點品質；(2)較快速的對齊作業；(3)對於機器較少的中斷問題，特別是熱性及大氣中斷；(4)在一封閉的熱性及大氣環境下進行對齊作業，並因此更為穩定且更近似於一處理環境；(5)降低對於熟稔技師以人工方式進行對齊調整的依賴性；(6)對於系統堅硬度、震動及熱穩定性的較寬鬆要求；(7)相較於人工的元件調整作業，藉由經啟動之調整作業自動化以更直觀地控制光束路徑調整作業；(8)更簡易地進行多個光學構件之協調調整作業的最佳化，而該等構件在光束對齊作業上具有互相關的影響性；以及(9)對在多重光束鏈路處理系統裡及其他複雜光學佈置內之對齊作業的改良的控制。而經閱讀本節其餘部分之後，將能顯知各式實施例的該等優點和其他優點。
圖4係一根據一實施例之方法400的流程圖。該方法400測量(410)一雷射光束的一或多個特徵；根據該(等)所測得的特徵以產生(420)一控制信號；以及將該控制信號發送(430)至一達成該雷射光束路徑的可調整光學構件。響應於該控制信號，該方法400係調整(440)該可調整光學構件，並藉此對該雷射光束的調整作業進行一離散、靜態改良。即如在此所使用者，該參照於一雷射光束之「對齊作業」之詞彙是指影響該雷射光束之傳播軸線，並且對齊調整作業是指在該雷射光束路徑之軸線上的任何蓄意更動，藉此為利用該雷射光束之目的而改善該射束路徑。對齊調整作業的範例包含改變該雷射光束之指向方向/斜度以及軸線轉至一新的平行置放。
該測量步驟410對於該方法400係選擇性的，因為該測量資料可為預先已知，或是與該方法400分開地決定。所測量之光束特徵可例如包含在位於該雷射光束終端處之晶圓240上的光點位置；在一沿該雷射光束路徑之中介點處的位置、入射於該晶圓240上或是在一中介點處之光束路徑斜度、光點大小、橢圓性、光點形狀、散光度、光束腰部形狀、焦點深度、光點大小可調性、具有光點大小調整的光點平移、具有焦點調整的光點平移、一光束或光點的淨度、幻光點的出現性、偏光性、脈衝能量、脈衝功率、衰減度、光束波前扭曲以及其他。系統診斷測試以及其他用來測量該等和其他光束特徵的方法與儀器確為業界已知。後文中將詳細說明用以測量光束/光點位置以及在該晶圓240上且在該光束路徑裡中介點處之斜率的特定技術。
該測量步驟410之一範例為跨於一對齊目標，像是在該晶圓240上的對齊目標246(即如圖3A所示)，以掃描一雷射光束點。藉由以不同的焦點深度反覆地掃描一對齊目標，焦點及/或光束斜率的資訊可被測量出。對於專用的對齊目標246而言是替代或是額外地，可以在晶粒242中利用例如是未處理的鏈路140之鏈路用於對齊，即如美國專利申請案號11/213,329以及11/365,468中所揭露者，兩個申請案均納入於此作為參考。該測量步驟410之另一範例是利用分束器與位置感測偵測器(PSD)或是象限光偵測器(有時簡稱為“象限偵測器”)，在沿著路徑的中介點處感測雷射光束的位置。
除了光束傳播特性的光學測量之外，例如是溫度或應變計感測器的其它類型的感測器也可被用來偵測影響光束路徑的現象。例如，若在光束路徑移位與構件溫度或系統環境之間找到強相關性，則光束移位補償可以是根據感測器的測量結果而定。
該測量步驟410可以全部或部份手動或自動地加以執行。
該產生步驟420以及發送步驟430可能需要產生與發送一或多個信號以控制達成該雷射光束路徑的一或多個調整光學構件。該等信號可以是電氣信號及/或其它形式(例如，氣動、光學)。
而響應於該(等)控制信號，該方法400調整(440)該(等)可調整光學構件，藉此改善該雷射光束路徑，特別是其軸線的對齊作業。此等可調整光學構件的範例包含可導向反射鏡(即如快速導向反射鏡(FSM))、可導向傾斜平板、聲光調變器(AOM)、聲光偏折器(AOD)、電子－光學調變器(EOM)、電子－光學偏折器(EOD)、可變形反射鏡等等。一可調整光學構件可包含一致動器，像是一機械致動器。存在有許多可商購而得的致動器。有些致動器牽涉到馬達驅動或步進馬達驅動螺絲、壓電致動器、檢流計裝置或音圈馬達。多家製造廠商銷售馬達化之平移平台、光學置架、傾斜平板、旋轉平台、反射鏡及其他元件。致動光學置架之一範例為可自美國加州San Jose市之Bookham Inc.公司所購得的New FocusTM PicomotorTM 致動光學置架。這些致動器可用於開放及封閉迴路兩者組態而有具不同的驅動器介面，像是Ethernet、TTL(電晶體電晶體邏輯)或類比單元。其他製造廠商，像是美國加州Irvine市的Newport Corp.，則提供依據其他像是直接壓電驅動、步進馬達驅動等等之技術的類似產品。替代性致動器亦包含像是由Newport或是德國Karlsruhe市Polytech PI所製造之導引反射鏡以及檢流計裝置。亦可將線性平移平台、旋轉平台及傾斜平台運用在光學路徑調整作業。
可根據預設的標準以評估對齊及/或其改善作業。此等標準的範例為該光束軸線在一些參考平面內之位置，或是其相對於該平面的方向。一參考平面即為該晶圓240的平面，晶圓240通常係一平面物體。
該方法400適合於對一雷射光束之靜態對齊作業的偶爾、離散、開－關、開放迴路或離線調整作業。換言之，該方法400最好是運用在對一雷射光束之平均、基準線或DC對齊作業的緩慢或低頻率的調整作業。此等調整作業通常出現在一短暫時段內，然後在一段時間上並未對該對齊作業進行刻意調整。亦即，對於一短暫時段或一系列相當快速的重複性調整作業之動態、封閉迴路或連續調整作業可在一較大時間刻度上為「離散」及「靜態」，即如在本文所使用的這些詞彙。一些其中可執行該方法400之示範性可能時間點為在系統開機啟動或初始化時；當一像是光點大小之系統參數改變時；於處理間隔間，像是於晶圓間、於X及Y鏈路行程間、於個別鏈路行程間或是於要求不同間距之鏈路行程節段的處理間；或者是週期方式，例如像是每日不超過一次、每小時一次或每分鐘一次。一般說來，由該方法400操作進行之調整作業所按照的時間刻度最好是類似於可能造成對齊偏離之熱影響或者其他系統擾動的時間規模。
該方法400通常是在當該機器並未進行鏈路處理時執行。在步驟440中經靜態或離散調整的相同可調整光學元件亦可在處理過程中或是在其他時刻，用以對該雷射光束路徑進行動態或連續調整作業。例如，美國專利第6,816,294號及美國專利申請案第10/985,840號案文中即揭示一種利用一快速導向反射鏡(FSM)，以實作在一鏈路行程過程中該雷射光點110沿該晶圓240的軌道之行進間校正作業的方式，茲依參考方式將等專利案併入本案。
可按數種方式來決定調整哪些光學構件、以及該調整作業的大小與極性。該問題可為一單一變數或是一多變數問題，此係根據可測量特徵的數量和可調整光學構件的數量而定(此為自由度的數量)。對於任何給定的一可測量特徵及一可調整構件之組對，其關係可為基於數學物理模型、解析的等式、實驗方式決定、或是由一適應性或其他學習系統所得知。數學物理模型或解析的等式可為自製造廠商輕易可得或是可測量而得之系統組態資訊以及裝置資料所導出。而一給定之可測量特徵－可調整構件的組對關係以及因此的控制或調整規則可決定一次，接著對所有類似系統皆假定為相同的，或者其可以是具有機器特定性並因此對一特定系統之各個實例為唯一者，或是甚至可為根據操作點而定。
一般說來，任何調整規則都具有兩種特點。其一特點為一給定可調整構件之控制信號與其調整作業之間的關係。該關係經常是由該構件製造廠商所指定，或者可藉由測試處理而特徵化。另一特點為對該構件的調整作業是如何地影響到該光束路徑。這可由該系統的數學分析所決定(例如，分析或會顯露出對於一給定系統架構，對一可調整反射鏡的＋α角變化會造成該晶圓上之光點大小在該晶圓之X方向上移動＋β)。或另者，該關係可為藉由測試而按實驗方式所決定。
在一具有多個可測量特徵或多個可調整自由度或兩者的多變數系統裡，分析或測試作業可顯露出哪些可測量特徵是被哪些自由度所影響以及這些關係的本質。
在一多變數系統裡，可按如下方式將在可測量特徵與可調整自由度之間的關係數學模型化：△P sys ＝T △A pos ，其中△P sys 為可測量特徵自一初始狀態的變化(亦即)，△A pos 為可調整構件狀態自一初始狀態的變化(亦即)，而T為轉換矩陣。P sys 為一具如下形式的向量 其中此向量的各元素係一可測量特徵。A pos 為一具如下形式的向量 其中此向量的各元素係對一可調整光學構件的一可控制參數或輸入。該矩陣T 係一N乘M矩陣，其可由測試及/或分析作業所預先設定。
前述數學模型係假定關於該等初始狀態及的線性關係。可藉由運用多個此等線性模型，而各者係對於不同的操作點，以達到較細緻的準確性。更廣義地說，可運用一非線性模型。
給定一如前述之數學模型，則可將決定所進行之調整作業化簡為對一給定轉換矩陣T ，從該等式解出產生一所欲△P sys 的△A pos 。可運用任何用以解出此一等式的技術，而許多已為業界所廣知者。例如，利用T 的反矩陣或虛擬反矩陣可產生一解。其中一特定求解技術即為選擇一個可將一成本函數最小化的解。可根據想要付出何種代價而選擇各種成本函數。例如，成本函數貢獻因素可能的代價是由最後人工對齊作業所建立之位置的致動器位移；自可接受或所欲系統限制所偏移的組合；自理想設定(像是一光束撞擊一反射鏡或透鏡進入透孔之中央處)的偏移；或者任何其他所不樂見的系統性質。直觀上可對各個個別貢獻因素以公式列出一成本函數，並且將所有此等成本函數加總以獲一整體成本函數。一對於一個別成本函數的可能公式如下 其中X 0 係x 的標稱或理想(零成本)值，R 為範圍，c 為比例因數，而P 為次方。不同的公式確為可能的。給定一成本函數，可存在有許多眾所週知最佳化技術，藉以決定一能夠承受於要滿足△P sys ＝T △A pos 之限制，而將該成本函數最小化或近似最小化的解△A pos 。
一旦已知一調整關係或規則之後，即可在進行該方法400時藉由各種技術予以實作，其包含計算或是對於各種情況而預先算出之調整值的查找表。
該方法400之一項好處是其可在一接近於操作處理條件之熱條件下於一封閉系統中簡便地執行。藉由維持一封閉系統，該方法亦可調整對齊作業而不致於擾亂大氣條件，藉此在該機器裡能夠使用密封殼體。從而，可例如將一鏈路處理機器或其一部分密封在一真空或惰性氣體(即如N2 )氛圍內，並且能夠讓其對齊作業仍可調整的。
亦可較快速、更方便且更可靠地令以由一命令信號進行調整，而非由一技師按人工方式移動光學構件。亦可將該方法400合併於人工調整作業。例如，可進行一初始人工對齊作業，並且將各可調整光學構件的所產生的位置加以儲存，俾以在一災難性系統失效後進行重置之情況下作為未來參考，因此所有構件可一次性地返回至一已知為良好的狀態下。之後即可進行自動調整作業。
該方法400適用於運用單一或多個雷射光束的系統。單一光束和多重光束系統兩者皆可能需要對齊作業。在任一情況下，可在機器設定過程中調整該(等)雷射光束路徑的對齊作業，而然後即無需進一步調整。不過，可能會有一些情況，像是校正聚焦光點之熱性漂移，而在此會希望進行靜態、週期性或其他的光束調整作業(包含在一多光束系統內的動態光束調整)。可將致動器放置在系統內以作為光束調整致動器，而可放置一控制系統，藉此根據來自對齊目標的掃描資料或是光束位置的PSD測量資料以組態設定這些致動器。在如前所參照之美國專利申請案第60/580,917、11/051,265、11/051,262、11/052,014、11/051,500、11/052,000、11/051,263、11/051,958及11/051,261號案之文中更完整地說明多重光束鏈路處理系統。多光束系統對於對齊的需求可能更高，不僅是因為需要對齊多個光束，同時亦由於要維護多個光束之間的所欲關係會使得對齊問題更具挑戰性。後文中為在單一光束及多重光束系統內之前揭與相關原理的一些實施例。
B.單一光束系統
圖5係根據一實施例之單一光束鏈路處理系統500的方塊圖，其具有一光束對齊功能。該系統500測量一雷射光束路徑510在該晶圓240之上的一或多個光點位置或入射斜率，並且據此控制一或多個可導向反射鏡，以對齊該雷射光束路徑510。更詳細地說，該系統500含有該雷射220，其可將該雷射光束傳送至一切換器550，而該切換器可為任何光學快門，像是一AOM，藉以選擇性地阻擋該雷射光束、或是令以傳通至一第一可導向反射鏡555，然後再至一第二可導向反射鏡560。最好，該等反射鏡555及560在兩個正交軸上為可導向的，然該等並非必須如此。當該雷射光束自該反射鏡560反射出時，其在撞擊到該最終迴轉反射鏡225之前會先穿過一分光器565以及一個四分之一波板570。亦可出現有其他未經說明的光學元件。自該最終迴轉反射鏡225處，在該雷射光束於一聚焦光束點110處撞擊到該晶圓240之前會先穿過該最終聚焦透鏡230。一離開一對齊目標或是該晶圓240上之其他反射性結構的反射會返回穿過該最終聚焦透鏡230離開該最終迴轉反射鏡225，經過該四分之一波板570並且進入該分光器565，其係經組態設定以將所反射信號導引至一反射能量感測器575，其可例如為一光偵測器。
可在一測量模式過程中，利用該分光器565及該反射能量感測器575以收集來自於該晶圓240的反射能量，藉此測量出該能量。在一典型X或Y對齊掃描裡(有時稱為光束至運作(BTW)掃描)，該雷射光束點110掃描跨於該晶圓240上之一對齊特性。離開該晶圓240的反射係被該反射能量感測器575所感測，而其係將其讀數載送至一控制器580。該等反射能量讀數係對應於距一位置感測器(未顯示)、或是距發送至該移動平台260(圖5中未顯示)之位置命令的眾多位置座標。該控制器580可將當該雷射光點落在該對齊特性上以及在環繞於該對齊特性的區域之所接收到的反射功率的差值、連同該等位置座標加以解譯，藉此導算出該對齊特性在該移動平台260之座標系統裡相對於該雷射光束點110的位置。通常，該對齊特性比起環繞於該對齊特性之區域具有較高度的反射性，導致當該雷射光束點110與該對齊特性相重疊時，該反射能量感測器575可接收到增高的光學功率。藉由按超過一個焦點高度以掃描對齊特性，即可判斷出該光束510在交會於該晶圓240時的斜率。若該光束510具有一非零斜率(零為垂直於該晶圓240的平面)，則當該焦點高度改變時，該特性會在該系統500的座標系統之內橫向移動。
根據由該BTW掃描所測得的光束斜率，該控制器580可計算出對該等可導向反射鏡555及560之其一或兩者的所欲調整，藉此獲致或改善基於一些預設標準，像是所欲斜率的對齊作業。該控制器580將一適當命令信號發送至該等可導向反射鏡555及/或560，俾達成此項調整作業。在一替代性實施例裡，可將一或多個的可調整傾斜平板併入在該光束路徑510內並另為控制。又在另一替代實施例裡，則是運用並控制該等可導向反射鏡及可導向傾斜平板兩者。一給定光學構件可為在X及Y兩者方向上皆為可調整，或者是運用兩個分別光學構件－一個是僅在X方向可調整，而一個是僅在Y方向可調整－以達相同效果。
該控制器580可為任何形式的控制器或處理器，並且最好是一數位處理器，例如像是一個一般目的微處理器或數位信號處理器(DSP)。該控制器580可為由軟體輕易地加以程式設計；硬體接線，像是一特殊應用積體電路(ASIC)；或可在特殊環境下經程式設計，例如像是可程式化邏輯陣列(PLA)或現場可程式化閘陣列(FPGA)。用於該控制器580的程式記憶體可整合於該控制器580之內，或可為一外部記憶體(未顯示)，或可兩者。該控制器580可執行一或多個程式或模組以執行各種功能。該控制器580可含有或執行其他程式或模組(未顯示)，像是用以控制該移動平台260(圖5中未顯示)；用以控制該雷射220的發射；以及用以控制該切換器550的狀態；用以傳送資料；用以將來自於各種元件的資料關聯在一起(且最好是按一適當資料結構)；用以利用該等資料執行計算作業；用以另行處理該資料；並且用以對一使用者或另一處理器呈現結果。
圖6A及6B進一步詳細說明利用該等對齊目標246的BTW測量掃描作業。在圖6A裡，該對齊雷射光束點610係在一X對齊路徑620內跨於該對齊目標246往返橫越。該光束點610按數個不同焦點高度往返橫越此路徑620，並且利用產生最尖銳邊緣轉變的焦點高度以註記該對齊目標246的邊緣位置。在圖6B裡，在Y方向上沿一Y對齊路徑630重複相同的處理程序。該對齊雷射光束點610可以或無須與該處理雷射光束點110者相同。例如，該對齊雷射光束相較於該處理雷射光束可具有較低的功率，藉此不致對該對齊目標246或是環繞材料造成損害。即如另一範例，該對齊雷射光束可為一連續波雷射光束而非一脈衝式雷射光束。
圖6C係圖6A之側視圖，其中顯示如何測量入射光束斜率。一對齊雷射光束640沿一入射光束路徑軸線650而傳播至該對齊雷射光束點610，自此產生一反射雷射光束660而離開該對齊目標246。該入射光束路徑軸線650係距一法線670(垂直於該晶圓240的平面)而角位移一角度θ。當該對齊光束點按一給定焦點高度而掃跨(sweep)於該對齊目標246時，該反射光束660的出現及消失可表示該對齊目標的邊緣。而當按相同光束斜率θ而在不同的焦點高度重複掃跨時，該對齊目標的邊緣將會在不同X位置處出現及消失。可利用眾所週知的三角函數關係，根據已知的焦點高度差和X位置差計算出未知的光束斜率。
可藉由各種光學構件更改光束位置及光束斜率。反射鏡可令光束方向及光束斜率產生變化。傾斜平板係根據折射原理而運作，且可理想地更改光束位置而非方向，這是表示該光束路徑軸線被一傾斜平板平移至一平行位置。一聚焦透鏡，像是該最終聚焦透鏡230，可將入射的光束斜率差轉換成光束點位置差，並且反之亦然。可利用該系統500以對入射於該晶圓240上之光點位置或光束斜率或是兩者進行調整，然通常有用的是調整光束斜率，其原因在於一像是該系統500之單一光束系統較不易受到純粹平移光束點對齊偏離問題的影響，因為BTW掃描和PGC通常對於純粹位置光束點對齊偏離具有強健性。
圖7A係根據另一實施例之單一光束鏈路處理系統700A的方塊圖，其具有光束對齊功能。該系統700A在沿其雷射光束傳播路徑之兩個不同點處測量該雷射光束的位置特徵。藉由以位置靈敏的偵測器沿該路徑測量光束位置，在一些實例裡將可比起利用診斷BTW掃描而更快速地偵測到光束對齊偏離問題。
該系統700A包含該雷射220，其產生一雷射光束，此雷射沿一具有一軸線之雷射光束傳播路徑而傳播，此軸線定義該光束路徑710。該光束路徑710自該雷射220延伸至一可變光束放大器(VBE)715，然後是一第一馬達化反射鏡720及一第二馬達化反射鏡730。該等第一及第二馬達化反射鏡720及730為可調整的，藉以根據這些反射鏡的傾斜角改變該光束路徑710(或其軸線)。在該第二可迴轉反射鏡730之後，該光束路徑710進入一第一分光器750，其將一部分的雷射光束能量偏折至一第一四分偵測器760，其可測量該雷射光束在該點處的位置。自該第一分光器750，該雷射光束路徑710延伸至一第二分光器770，其可將一部分的光束能量偏折至一第二四分偵測器780。自該第二分光器770，該光束路徑710延伸至該最終迴轉反射鏡225、該聚焦透鏡230，並在該聚焦雷射光束點110處到該晶圓240上。
該控制器790自該四分偵測器760及780取得資料，並根據該資料控制該等馬達化反射鏡720及730。該控制器790可為類似於該系統500內的控制器580。
可調整該VBE 715以改變該光束寬度，並因此改變在該晶圓240上的光點大小。該VBE 715為類似於一馬達化望遠鏡。一理想VBE會僅影響到光束寬度，而不是該雷射光束路徑710的軸線。然而，由於真實世界的不完美性，一VBE調整作業可對於該光束之軸線的指向產生些微、寄生性效應。而若該VBE 715是不良對齊的，則這些效應更為劣化。理想上，該系統700A應對齊而使得該光束不會在VBE可調整性的整個範圍上游移。這會高度地要求精確地放置該VBE 715。本文所揭之對齊技術可放寬這些要求。
圖7B係根據另一實施例之單一光束鏈路處理系統700B的方塊圖，其具有光束對齊功能。該系統700B類似於該系統700A，然無該第二分光器770及該第二四分偵測器780。該系統700B可在一沿該光束路徑的點處測量該光束的位置，而該系統700A可在兩個不同位置處測量該光束路徑710的位置，並亦藉此導算出光束斜率資訊。
圖7C係根據另一實施例之單一光束鏈路處理系統700C的方塊圖，其具有光束對齊功能。該系統700C異於該系統700B之處在於是利用固定反射鏡722及732以取代該馬達化反射鏡720及730，並且在於納入馬達化傾斜平板744及746。該等傾斜平板744及746可例如由玻璃或是其他透明或半透明材料所製成。
C.多重光束系統
圖8係根據一實施例之雙式光束鏈路處理光學系統800的方塊圖，其具有光束對齊功能。該系統800包含該雷射220，其產生一雷射光束，經導引穿過一半波平板802並且進入一分光器804。自該分光器804之一輸出，一雷射光束穿過一聲光調變器(AOM)806、一反射鏡808及一偏光器810並且進入一光束合併器812。而自該分光器804之另一輸出，一雷射光束穿過或離出一AOM 814、一反射鏡816及一偏光器818，並且進入該光束合併器812。而自該光束合併器812，經合併之雷射光束反射離出一反射鏡820，然後進入一VBE 822及一分光器824。一來自該分光器824的第一光束穿過一半波平板826、一光學功率偵測器830、一焦點調整器834、一第一可迴轉反射鏡836、一第一可調整傾斜平板838、一第二可迴轉反射鏡840、一反射鏡842並進入一光束合併器844。而一來自該分光器824的第二光束撞擊一反射鏡846然後穿過一光學功率偵測器850、一第二可調整傾斜平板854至一反射鏡856上，穿過一半波平板858而且進入一第三可迴轉反射鏡860，穿過一中繼透鏡862，並且進入該光束合併器844。而離開該光束合併器844，經合併光束穿過一四分之一波平板864，離出該最終反射鏡225，穿過該最終透鏡230而到該晶圓240上。
該系統800係一分光－再合併－分光－再合併架構。一第一光束路徑通過或穿過該等元件220、802、804、806、808、810、812、820、822、824、826、830、834、836、838、840、842、844、864、225、230及240。一第二光束路徑則是通過或穿過該等元件220、802、804、814、816、818、812、820、822、824、846、850、854、856、858、860、862、844、864、225、230及240。該系統800是運用一單一雷射220，然一替代性實施例可運用兩個雷射。
該等光學功率偵測器830及850含有分光器及光偵測器，以用於入射(按實線所顯示)脈衝能量偵測和反射連續波(按虛線所顯示)能量偵測。
在該第一光束路徑內之可迴轉反射鏡836及840係馬達化雙軸迴轉反射鏡，且最好是用以執行離散、靜態調整作業。該可調整傾斜平板838係一馬達化雙軸傾斜平板，其亦可用於對該第一光束路徑執行一離散、靜態調整作業。這些構件可一起調整，因而在當該等可迴轉反射鏡860及225位於其零(即如中央)位置時，該第一光束路徑可擁有一相對於該第二光束路徑的所欲對齊結果。例如，可調整該等可迴轉反射鏡836及840及該可調整傾斜平板838，藉以相對於該第二雷射光束點並在該晶圓240上具一所欲入射斜率，在該晶圓上之一所欲位置處遞送該第一雷射光束點。在這兩個光點之間的所欲關係經常是精確地重疊於相同的光點處，並且該所欲光束斜率係垂直於該晶圓240的平面。
該可調整傾斜平板854可用來例如調整入射於該晶圓240上之第二光束路徑的斜率。在一多光束系統裡，其中該等光束相對於彼此為可導向的，光束斜率的差異會使得要在該工件上獲得該等多個光束點之所欲空間排置若非全然不可能，也非易事。當所有光束皆具有一入射於該工件上的垂直斜率時，多個光束的位置控制是最為簡便。為此原因，該系統800含有該可調整傾斜平板以獨立地調整該第二光束路徑的斜率。該傾斜平板854會影響到該第二雷射光束是在何處衝擊到該聚焦透鏡230，並因此影響入射於該晶圓240的光束斜率。對於在該第一光束路徑內的可調整傾斜平板838而言此亦為真，然該等可迴轉反射鏡836及840亦可影響該第一光束之斜率。在各光束位置及斜率內之所欲的調整是關聯於在該最終聚焦透鏡230之進入透孔處的所欲光束斜率及位置，而這可又關聯於透過眾所週知光學與幾何原理的必要的反射鏡或傾斜平板調整。
該可迴轉反射鏡860最好是馬達化雙軸迴轉反射鏡，像是一FSM或壓電XY頂斜反射鏡。該可迴轉反射鏡860可用以相對於該第一雷射光束點，將所欲位移施加至該第二雷射光束點。該可迴轉反射鏡860通常具有一有限的可調整範圍，像是在X及Y方向上各為±10 μm。本發明人已觀察到在沒有令人滿意的對齊技術時，對齊漂移會造成兩個雷射光束點分開一足夠量，而使得無法藉有限的可迴轉反射鏡860範圍以將兩個光束點帶入一所欲配置。因此，本文所揭之對齊技術特別適用於多光束系統，像是該系統800者。
該最終迴轉反射鏡225最好是一馬達化雙軸迴轉反射鏡，像是一FSM或壓電XY頂斜透鏡，類似該可迴轉反射鏡860，然或許具一較小的可調整範圍。該最終迴轉反射鏡225可用來連同導向在該晶圓240上的兩者雷射光束點。
一控制器(未顯示)控制該系統800的操作，包含該等傾斜平板838及854、該可迴轉反射鏡836及840的調整作業，以供對雷射光束對齊進行靜態、離散調整作業。此控制器亦可控制該系統800的其他特點。
可按照等式(1)及(2)來陳述來自該系統800的變數，其中該系統800的向量△P sys 及△A pos 可為按如下方式所定義： 並且 可將其他項，像是光點性質以及其一或兩者光點的XY位置增入至P sys 。可藉由例如測量在該向量P sys 內的系統性質，而在向量A pos 內的所有致動器是位於其初始位置處，一次移動一個致動器且重新測量系統性質，按各個致動器位置之足夠微小步階繼續進行，並且對於各個致動器重複此處理程序，以決定出相對應的轉換矩陣T 。作為一種數學上的簡化方式為，獨立的光學元件－量測配對可被解除耦合且個別予以描述特徵，即如先前段落所述。
該系統800最好是經組態設定以執行一對齊檢查，並且若有必要，每當對該VBE 822進行一調整作業時即進行一對齊調整作業。該系統800亦可經程式化以執行一對齊檢查，並且若有必要，週期性地每x小時進行一調整作業，其中x係一由使用者選定的參數。一典型值可為x＝12小時。
為了在一像是該系統800之多光點或多光束系統內聚焦，可在多個焦點高度處掃描一目標，並且利用在這些焦點高度處的對比或光點大小測量結果以預測並反覆地細化該聚焦光束腰部。由於一牽涉到一單一透鏡的多光點系統一次僅具有一個透鏡至鏈路結構或對齊目標分離，因此可能有必要預先對齊一多光點系統的所有聚焦光點，因而該等皆具有大致相同的焦點高度。一種達此目的之方法牽涉到導引將多個雷射光束於位在一或多個焦點深度處的目標上，取得對於各種光束的焦點深度測量結果，根據這些焦點深度測量結果判斷相對焦點深度差，以及響應於該相對焦點深度差以調整該雷射光束的路徑，而最好是降低該相對焦點深度差。可反覆地重複該處理程序，或是藉由一回饋控制系統以獲致相對聚焦預對齊。之後，可利用該等經聚焦雷射光點中之僅一者來達成在一現場晶圓處理環境裡的焦點。可藉在一焦點領域內之單一目標或是利用在一焦點領域內之多個目標(例如三或四個目標)來達成該聚焦處理。然後可在不同的焦點高度位置處，自該等焦點高度計算出在該焦點領域內之XY位置處的焦點高度距離。
亦可藉由利用一焦點控制光學元件，像是該焦點調整器834，在Z方向上自其他聚焦光光束腰部位移一或多個的聚焦光點光束腰部，藉以強化在一像是該系統800之多光點系統內的焦點。
除作為一有用的獨立焦點機制以外，一像是該焦點調整器834之焦點控制光學元件可相對於其他光點而施加一聚焦光束腰部的已知Z焦點位移，藉此強化該聚焦方法。藉由以這兩個或以上的Z位移光點來掃描一對齊目標，即可知悉必須行經Z方向俾抵達該焦點。可利用三個或以上的Z位移光點以預測不僅該焦點方向，而同時預測至該焦點的距離。
在一具有多個最終焦點透鏡的多光束系統裡，另一聚焦技術牽涉到在各透鏡上的微小範圍行經焦點調整器，以及單一粗略Z調整作業，其可經近似地對齊於一晶圓厚度且固鎖定位。這最好是經實作於一具大致平坦且水平夾塊的系統上，因而在處理鏈路行程時，該等透鏡並不需上下移位以校正晶圓傾斜。這可大幅地減少必須完成的聚焦工作量。然後焦點僅須追蹤因晶圓厚度變異性、夾塊拓樸變異性、該晶圓與該夾塊之間的粒子等等而出現的微小(一般是低於約10 μm)偏移。由於各個透鏡可聚焦於該夾塊之不同部分上，因此可在各個透鏡上實作一壓電致動器，讓其能夠被垂直移動一微量以調整焦點。可藉由這些壓電致動器調整焦點，因而經聚焦的光束腰部係追蹤在各透鏡下的局部晶圓拓樸。當然，此聚焦技術之替代性實作也是可行的，像是利用音圈或其他致動器而非壓電致動器者。
對於像是該系統800的多光點系統之對齊程序係牽涉到判斷所有光點相對於對齊目標的位置，以及此關係的任何Z高度相關性。在最簡單的實作裡，首先是由該系統內的所有光點掃描並測量一XY對齊目標，以判斷這些光點相對於彼此的XY及潛在Z位移。然後，亦可在不同焦點高度處測量相對位移。可對單一目標，或者是對在該晶圓上或在一校調格點上之不同位置處的多個焦點目標進行此程序。可由一或多個控制該機器之電腦對所收集到有關於在多個工件處理位置處之光點的相對位置之資訊進行處理，藉以在處理該晶圓的不同區域時可校調並校正光點位置的差異。
既已將該多個光點相對於彼此特徵化，即可按一類似於該單一光點系統對齊作業之方式，實作出在不同對齊領域內的晶圓XY對齊作業。可掃描一或多個目標以判斷於一聚焦光點與該目標鏈路結構之間的幾何關係，並且可施用一該等光點位置之間的已知對映，俾精確地判斷該系統之其餘聚焦光點的位置。然後，可發送定位命令至該XY光束導向機制及該聚焦位移機制，以將所有的聚焦雷射光點精確地定位在鏈路行程及鏈路行程節段的所欲位置處。這最好是藉由建立三維參考表面而運行，而此等表面可在該工件之一範圍內定義出雷射至工件的校調作業。可自鏈路切劃位置、該等參考表面及任何額外校調資訊之CAD資料產生出平台、射束導向機制和焦點位移機制的目標鏈路座標與軌道命令。
可一次藉多個光點中之僅一者執行部份的XY及焦點校調作業。然而，存在有其他的程序，其中可有利地以多個經同時遞送之光點來掃描目標。例如，在相同時刻利用所有的光點以掃描一XY對齊目標可確認所有光點確經聚焦，並且確認已藉由該XY光束導向機制至該校調程序來移除光點之間的相對位移。然後離出該所掃描目標之反射信號可看似擁有一具緊密焦點之單一光點的反射特徵。若任何光束並未經適切對齊或是離焦，則將會觀察到多個可能重疊的反射特徵，或者可觀察到重疊有多個微小光點之大型光點的反射特徵。
另一利用多個經同時遞送至該晶圓之光點的校調程序是利用一平均化技術以改善掃描測量作業的品質。此技術係描繪於圖9中，其說明可如何地利用像是該系統800之雙式光束系統，以及其兩個經標註為「A」及「B」的雷射光束點，來執行BTW掃描。圖9係該對齊目標246之平面視圖，其中顯示兩個用以測量X位置及/或相對位移的雷射光束點A及B。若於該等兩個光點之間的位移關係為已知並且可精確設定，則可設定兩個(或以上)光點以具有一沿著將掃描該對齊目標246之軸線(圖9所顯示的X方向)的微小橫向位移(即如數微米)。然後利用該對齊目標的單一掃描，此可收集所反射的感測器資料及平台位置資料，以判斷這兩個光點的位置。此項資訊可經合併於所命令之光點位移，俾藉由平均兩個光點位置以判斷具強化的正確度的目標位置。此項技術可用來將該等光點在掃描方向上相對於彼此的正確度予以細緻化。即如一範例，假設在該掃描方向上的位移距離為5 μm。進一步假設光點1於該對齊目標810上之掃描在該X位置為10,005.020 μm時產生一最大反射強度，並且光點2於該對齊目標810上之掃描在該X位置為10,000.000 μm時產生一最大反射強度。接著在考量到已知位移並且平均兩個位置測量資料之後，所得的位置為10,000.010 μm。由於該均值係依據較單一測量資料還多的資料，因此為一較可靠的結果。
在一可判斷是由哪一入射聚焦光點造成哪些反射的系統裡，有可能藉完全重疊光點以實作出此平均程序。時間切劃以及運用像是偏光或波長的不同光點性質即為一些技術，而可藉此將一反射光點關聯於一入射光點。當光點為部分地重疊或完全重疊而使得該相對位移為零時，即可適用這些技術。
在圖9中所述之第二情況下，兩個經掃描光點A及B兩者具有軸線上及跨軸線位移。這可提供該對齊目標246之位置的兩個估計值，而測量作業是在沿該對齊目標246的不同點處所進行。可利用該等多個測量資料以決定該晶圓上的絕對定位，即使是當該對齊目標246並非均勻或並不完美時亦然。
其次，由於一多重光點系統的光束可配備即時性XY光束導向機制，像是該可迴轉反射鏡860或該最終迴轉反射鏡225，因此可利用這些機制，而非該XY平台，以跨於該對齊目標246來掃描該聚焦的光點。然後該校調程序可將反射離開該對齊目標246之信號能量關聯於所感測到的XY光束導向機制位置，並且將此合併於該XY平台位置，俾決定光點定位。由於可將獨立的XY光束導向機制放置在各條光束路徑內，因此有可能藉不同具焦光點以獨立地掃描該XY對齊目標246。一目標可為按X掃描，而另一對齊目標246則為按Y掃描，而藉一適當方法以決定何者為X信號而何者為Y信號。這可藉由利用一AOM或其他衰減器按特定頻率抖動(dithering)在光點內的功率以改變該能量，然後利用該頻率資訊決定哪一反射信號是來自各個光點所完成。或另者，可利用藉由光點按不同速度移動以對該對齊目標246進行掃描，以將一反射信號之成份關聯於一特定光點。光點亦可按一高速率所時間切劃或調變，使得一次僅一光點為開啟的。然後可利用時間切劃以直接分離反射信號，以供掃描多個目標，或同時一X及一Y目標。時間切劃可讓該系統能夠將該等目標對齊於兩個反射信號偵測器(各光束一個)，或者對齊於捕捉到來自任一光點之反射能量的僅一個反射信號偵測器。根據像是偏光或波長之光學性質的劃分方式亦可適用於一些實作方式。
若在一半導體鏈路處理系統上使用多個雷射源，則適當的對齊作業將產生最高品質的鏈路處理。一項用以對齊多個雷射頭的技術需要自雷射頭產生出連續波或脈衝式發射，測量光束相對於彼此的傳播，並且將光束調整至一所欲重疊或相對位置。可利用聚焦雷射光點藉由掃描晶圓上之對齊目標246、或可牽涉到將PSD或是其他的光學偵測器放置在光束路徑內的不同位置處，以相對於彼此對光束進行測量。一替代性技術為將一PSD對齊工具放置在該光束路徑之內，以取代該最終聚焦透鏡230。然後測量光束位置而同時利用該Z平台以改變該PSD的位置，並且可調整像是傾斜平板及反射鏡之光學構件俾校正光束位置。可藉由所有雷射頭個別地或同時地發射來進行光束或聚焦光點位置的測量作業。
一種所欲之光束對齊作業係為讓來自各雷射頭的發射精確地重疊。如此，所獲得的單一光束系統將會在相同位置處具有聚焦光束腰部，而無論是由哪一雷射頭產生該脈衝皆然。同樣地，一雙式光束系統可在相同位置處產生兩個聚焦光點，無論是由哪一雷射頭產生出該脈衝皆然。
另一所欲光束對齊作業係為引入一由不同雷射頭所產生之聚焦光點的所意欲之軸線上及/或跨軸線相對位移。可實作此一位移，使得來自一雷射頭的脈衝撞擊到一鏈路列上，而同時來自另一雷射頭的脈衝撞擊到其他的鏈路列。
亦可利用在一像是該系統800的多光束系統內之光束路徑內的致動器以在晶圓製造過程中或於其過程間，重新組態設定由不同雷射頭所產生之光束的對齊作業。例如，或許會希望在處理X及Y軸線鏈路行程之間、或是在要求不同間隔之處理鏈路行程的節段間，將發射自不同雷射頭之聚焦光點的位置加以位移。此外，當以多個光點而經由相同透鏡進行處理時，或許會希望在一整個鏈路行程上對光點的相對或絕對位置進行細微調整。例如，可存在有一些根據Z高度之聚焦光點XY位置的相關性。若因一斜化夾塊或是夾塊和晶圓拓樸上之變化而光束為斜化，從而在不同高度聚焦，則可能會造成光點游移。可藉由利用多個光束致動器及/或光束導向機制，像是反射鏡、傾斜平板、AOM、EOM等等，以校正此等誤差。此等致動器可為以機械方式、電子方式或其他方式所啟動。
另一多光束系統可如圖10所示，其係根據一實施例之N光束鏈路處理系統1000的方塊圖，而具光束對齊功能。該系統1000包含該雷射源220，其產生一雷射光束；一N式分光器1010，其係將該雷射光束劃分成N個不同光束；以及N個切換器1020，此等係運作如光學快門，藉以分別地選擇性阻擋或傳通該等N個光束。同時在各條光束路徑內有一對齊機制1030，其可為一傾斜平板、反射鏡等等。而來自該對齊機制1030的各個光束輸出會入射在一分光器1040上，其將一部分的雷射光束傳通至該聚焦透鏡230，並且將一部分的雷射光束轉向至一個別光束感測器1050，其可為PSD、四分偵測器等等。由該等光束感測器1050所感測之資料係由一對齊控制模組1060取得，而其即據此來命令該對齊機制1030。請注意到一種對於該單一雷射源220及N式分光器1010的替代方式為N個不同雷射源。
該系統1000感測在沿各條雷射光束路徑之個別中介點處的光束對齊作業。或另者，即如前述，該系統可經組態設定以藉由感測一離開該雷射光束點位於其上之晶圓或其他工件的反射，以在該光束的終端點處感測光束對齊作業。
本文所揭之方法及系統可按主動及被動兩者之各種形式而存在。例如，該等可按一或多個軟體、韌體或其他程式而存在，其中含有按原始程式碼、物件程式碼、可執行程式碼或其他格式的程式指令。任何前述格式皆可經具體實作於一電腦可讀取媒體上，這些包含按壓縮或未經壓縮形式的儲存裝置及信號。示範性電腦可讀取儲存裝置係包含傳統的電腦系統RAM(隨機存取記憶體)、ROM(唯讀記憶體)、EPROM(可抹除可程式化ROM)、EEPROM(電子可抹除可程式化ROM)、快閃記憶體及磁性或光學碟片或條帶。示範性電腦可讀取信號，無論是否利用一載波所調變，其係容置或運行一電腦程式之電腦系統可加以組態設定以進行存取的信號，包含透過網際網路或是其他網路所下載的信號。前文之實際範例係包含在CD－ROM上或透過網際網路下載以發送軟體。在某方面，網際網路本身作為一抽象個體，即為一電腦可讀取媒體。一般說來電腦網路亦為如此。
例如，該方法400可由在一像是該控制器580、790或1060之處理器或控制器上運行的軟體所執行。該軟體可對人類操作者呈現一使用者介面，此操作者可啟動一調整程序或是閱讀歷史對齊操作的日誌。
前文所使用之詞彙及說明僅係為範例而列述，且非為具有限制性。熟諳本項技藝之人士將能認知可對前述實施例的細節進行許多變化，而不致悖離本發明的基礎原理。例如，本文所揭之原理、方法、機器和系統具有一般適用性，藉以為任何目的利用雷射照射來處理一半導體基板之上或之內的任何結構。後隨之範例與實施例雖係按一其中該等結構為一IC(即如記憶體裝置；邏輯裝置；光學或光電裝置，包含LED在內；以及微波或RF裝置)之上或之內的雷射可切斷鏈路之情境所說明，然除雷射可切斷鏈路以外的其他結構可按相同或類似方式所處理，並且本文所揭之教示等同地適用於其他結構類型的雷射處理，像是因雷射照射而成為具有導電性的電子結構、其他電子結構、光學或光電結構、以及機械性或電子機械結構(即如MEMS(微機電結構))或MOEMS(微光機電結構)。即如另一範例，並非所有的鏈路處理皆係為切斷一鏈路以令其不具導電性之目的；有時該雷射照射之目的係為切割、劈裂、製作、加熱、更改、擴散、退火、鑽鑿、修裁、拉線或測量一結構或其材料。例如，雷射照射可在一結構之材料裡引生出一狀態變化、令摻質遷移或是更改磁性性質－該等任者皆可用以連接、斷切、諧調、修改或修復電子電路或是其他結構。因而本發明範圍應僅由後載申請專利範圍－及其等同項－所決定，其中除另表述外，所有詞彙皆應按其最廣泛之合理意義所理解。
110．．．雷射光束點
120．．．鏈路行程
130．．．觸發位置
140．．．未經處理的鏈路
150．．．經切斷的切斷鏈路
210．．．光學桌台
220．．．雷射
225．．．反射鏡
230．．．聚焦透鏡
240．．．晶圓
242．．．晶粒
244．．．對齊範圍
246．．．專屬對齊目標
250．．．夾塊
260．．．移動平台
310．．．X方向軌道
320．．．Y方向軌道
500．．．機器
510．．．雷射光束路徑
550．．．切換器
555．．．第一可導向反射鏡
560．．．第二可導向反射鏡
565．．．分光器
570．．．四分之一波板
575．．．反射能量感測器
580．．．處理器
610．．．雷射光束點
620．．．X對齊路徑
630．．．Y對齊路徑
640．．．雷射光束路徑
650．．．軸線
660．．．反射雷射光束
670．．．法線
700．．．系統
710．．．光束路徑
715．．．可變光束放大器(VBE)
720．．．第一馬達化反射鏡
722．．．固定反射鏡
730．．．第二馬達化反射鏡
732．．．固定反射鏡
744．．．馬達化傾斜平板
746．．．馬達化傾斜平板
750．．．第一分光器
760．．．第一四分偵測器
770．．．第二分光器
780．．．第二四分偵測器
790．．．控制器
800．．．機器
802．．．半波平板
804．．．分光器
806．．．聲光調變器(AOM)
808．．．反射鏡
810．．．偏光器
812．．．光束合併器
814．．．聲光調變器(AOM)
816．．．反射鏡
818．．．偏光器
820．．．反射鏡
822．．．可變光束放大器(VBE)
824．．．分光器
826．．．半波平板
830．．．光學功率偵測器
834．．．焦點調整器
836．．．第一可迴轉反射鏡
838．．．第一可調整傾斜平板
840．．．第二可迴轉反射鏡
842．．．反射鏡
844．．．光束合併器
846．．．反射鏡
850．．．光學功率偵測器
854．．．第二可調整傾斜平板
856．．．反射鏡
858．．．半波平板
860．．．第三可迴轉反射鏡
862．．．中繼透鏡
864．．．四分之一波平板
1000．．．機器
1010．．．N式分光器
1020．．．切換器
1030．．．對齊機制
1040．．．分光器
1050．．．光束感測器
1060．．．對齊控制模組
圖1係藉一雷射光點選擇性地照射之鏈路列或排的略圖，該光點係沿該排之長度方向而掃描；圖2係鏈路處理系統之略圖；圖3A係半導體晶圓之說明；圖3B係在圖3A的半導體晶圓上之一晶粒上的鏈路行程之說明；圖4係根據一實施例之方法的流程圖；圖5係單一光束鏈路處理系統之方塊圖，其具一根據一實施例的光束對齊功能；圖6A係一對齊目標之平面視圖，其顯示出一雷射光束點，而用以測量該光束點的X位置；圖6B係一對齊目標之平面視圖，其顯示出一雷射光束點，而用以測量該光束點的Y位置；圖6C係一雷射光束的側視圖，此光束入射於一用以測量入射光束斜率的對齊目標之上；圖7A係單一光束鏈路處理系統之方塊圖，其具一根據一實施例的光束對齊功能；圖7B係單一光束鏈路處理系統之方塊圖，其具一根據另一實施例的光束對齊功能；圖7C係單一光束鏈路處理系統之方塊圖，其具一根據另一實施例的光束對齊功能；圖8係雙式光束鏈路處理光學系統之方塊圖，其具一根據一實施例的光束對齊功能；圖9係對齊目標之平面視圖，其顯示兩個雷射光束點，而用以測量XY位置及/或相對位移；圖10係N式光束鏈路處理系統之方塊圖，其具一根據一實施例的光束對齊功能。
400．．．方法
410．．．測量雷射光束的特徵
420．．．產生控制信號
430．．．發送信號至可調整光學構件
440．．．調整光學構件

Claims (32)

  1. 一種用以對一機器(500、700A、700B、700C、800、1000)內之雷射光束(510、640、710)的靜態對齊作業進行離散調整的方法(400)，藉以利用該雷射光束選擇性地照射一半導體基板(240)之上或之內的導電鏈路，該雷射光束係沿一具有一軸線(650)的光束路徑(510、640、710)傳播，此軸線係自一雷射(220)至一在該半導體基板(240)之上或之內之一位置處的雷射光束點(110、610)而延伸，該方法(400)係包含：根據該雷射光束之至少一所測得的特徵產生(420)至少一信號，藉以控制該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)裡達成該雷射光束路徑(510、640、710)的可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)；將該至少一信號發送(430)至該可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)；以及響應於該至少一信號以調整(440)該可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)，並且藉此更改該雷射光束路徑(510、640、710)的軸線(650)，俾改善該雷射光束路徑(510、640、710)的靜態對齊作業，其中該雷射光束路徑係在尺寸尺度上被對齊於符合在半導體基板上之中或之上的導電鏈路，使得該雷射光束可照射所選擇的導電鏈路。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其進一步包含：由該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)自動地測量(410)該所測得的特徵。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該至少一所測得的特徵包含該雷射光束點(110、610)在該半導體基板(240)之上或之內的一位置。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之方法(400)，進一步包含：在該半導體基板(240)之上或之內的一對齊目標(246)上掃描該雷射光束點(110、610)；以及偵測一離開該對齊目標(246)的雷射光束反射。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該至少一所測得的特徵包含一斜率(θ)，而該雷射光束係按此斜率(θ)入射於該半導體基板(240)上。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之方法(400)，其進一步包含：在該半導體基板(240)之上或之內的一對齊目標(246)上，按一第一焦點高度掃描該雷射光束點(110、610)；以及偵測該雷射光束按該第一焦點高度離開該對齊目標(246)的一第一反射樣式；以及在該半導體基板(240)之上或之內的一對齊目標(246)上，按一第二焦點高度掃描該雷射光束點(110、610)；以及偵測該雷射光束按該第一焦點高度離開該對齊目標 (246)的一第二反射樣式；以及比較自該第一及該第二反射樣式所導算出的資料以決定該斜率(θ)。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)含有一機蓋，其覆蓋至少一部分的光束路徑(510、640、710)，並且在未移除該機蓋之下執行該調整步驟(440)。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)之特徵在於一相關於其操作之熱性狀態，藉以利用該雷射光束選擇性地照射在一平面半導體基板(240)之上或之內的結構，並且執行該方法(400)而同時該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)係至少近似地在該熱性狀態下。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)含有一反射鏡及一致動器，其中該致動器係經組態設定以調整一該反射鏡按此所指向的角度。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)含有一光學傾斜平板及一致動器，其中該致動器係經組態設定以調整一該傾斜平板按此所指向的角度。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、 840、854、860、225)係自含有如下項目組成之群組所選出：聲光調變器、聲光偏折器、電子-光學調變器、電子-光學偏折器以及可變形反射鏡。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)包含一致動器，其接收該至少一信號，以及一連接於該致動器的光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該調整作業係一開放迴路調整作業。
  14. 如申請專利範圍第1項所述之方法(400)，其中該雷射光束係一第一雷射光束，該光束路徑(510、640、710)係一第一光束路徑，該雷射光束點(110、610)係一第一雷射光束點，該至少一所測得的特徵係至少一第一所測得的特徵，該構件係一第一構件，該電子信號係一第一電子信號，該致動器係一第一致動器，並且其中，在一給定時間，該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)利用一第二雷射光束選擇性地照射在該半導體基板(240)之上或之內的結構，該第二雷射光束係沿著一第二光束路徑所傳播，而此路徑係自一雷射延伸至一在該半導體基板(240)之上或之內的位置處之第二雷射光束點，該方法(400)進一步包含：根據該第二雷射光束之至少一第二所測得的特徵來產生(420)至少一第二信號，藉以控制該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)裡達成該第二雷射光束路徑的第 二構件；將該至少一第二信號發送(430)至一連接於該第二構件的第二致動器；以及響應於該至少一第二信號以藉由該致動器來調整(440)該第二構件，藉此改善該第二雷射光束路徑的靜態對齊作業。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之方法(400)，其中該第一及第二預設標準之至少一者包含一在該第一與該第二雷射光束點之間的所欲空間關係。
  16. 一種用以利用一雷射光束選擇性地照射在一半導體基板(240)之上或之內的導電鏈路之機器(500、700A、700B、700C、800、1000)，該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)係包含：一雷射(220)，其係產生該雷射光束；一光束路徑(510、640、710)，而該雷射光束係沿此光束路徑所傳播，該光束路徑(510、640、710)具有一軸線(650)，其係自該雷射延伸至一在該半導體基板(240)之上或之內的一位置處之雷射光束點(110、610)，其中該射束路徑(510、640、710)係受於一或多個的未受控制的變異所影響；一可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)，其可達成該光束路徑(510、640、710)的軸線(650)；以及一處理器(580、790、1060)，其係電連接於該可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、 854、860、225)，並經組態設定以根據該雷射光束之至少一所測得的特徵產生至少一電子信號俾調整該可調整光學構件(555、560、720、730、744、746、836、838、840、854、860、225)，藉此補償該等一或多個未受控制的變異項目之至少一者，並藉此對該光束路徑(510、640、710)的靜態對齊作業進行離散性改善；以及一機蓋，其覆蓋至少一部分的光束路徑，並且其中該可調整光學構件係被調整而未移除該機蓋。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之機器(500、700A、700B、700C、800、1000)，其中該等一或多個未受控制的變異項目包含會影響該光束路徑(510、640、710)的熱性漂移。
  18. 如申請專利範圍第16項所述之機器(500、700A、700B、700C、800、1000)，其中，該至少一個所測得的特徵包含一斜率，而該雷射光束係按此斜率入射於該半導體基板上。
  19. 如申請專利範圍第16項所述之機器(500、700A、700B、700C、800、1000)，其中該處理器(580、790、1060)係經進一步組態設定以令該機器(500、700A、700B、700C、800、1000)自動地測量該所測得的特徵。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之機器，其中該至少一所測得的特徵包含該雷射光束點在該半導體基板之上或之內的一位置。
  21. 如申請專利範圍第16項所述之機器，其中該至少 一所測得的特徵包含在該半導體基板之上或之內的一對齊目標上掃描該雷射光束點並且偵測一離開該對齊目標的雷射光束反射。
  22. 如申請專利範圍第16項所述之機器，其中該機器之特徵在於一相關於其操作之熱性狀態，藉以利用該雷射光束選擇性地照射在一平面半導體基板之上或之內的結構，並且執行該方法而同時該機器係至少近似地在該熱性狀態下。
  23. 如申請專利範圍第16項所述之機器，其中該可調整光學構件含有一反射鏡及一致動器，其中該致動器係經組態設定以調整一該反射鏡按此所指向的角度。
  24. 如申請專利範圍第16項所述之機器，其中該可調整光學構件含有一光學傾斜平板及一致動器，其中該致動器係經組態設定以調整一該傾斜平板按此所指向的角度。
  25. 如申請專利範圍第16項所述之機器，其中該可調整光學構件係自含有如下項目組成之群組所選出：聲光調變器、聲光偏折器、電子-光學調變器、電子-光學偏折器以及可變形反射鏡。
  26. 如申請專利範圍第16項所述之機器，其中該可調整光學構件包含一致動器，其接收該至少一信號，以及一連接於該致動器的光學構件。
  27. 如申請專利範圍第16項所述之機器，其中該調整作業係一開放迴路調整作業。
  28. 一種用以利用複數個雷射光束以選擇性地照射在一 半導體基板(240)之上或之內的結構之系統(500、700A、700B、700C、800、1000)，該等結構係按一或多個列所設置，此等列概按長度方向上而延伸，該系統包含：一雷射源(220)，其產生至少一第一雷射光束及一第二雷射光束；一第一雷射光束傳播路徑(510、640、710)，該第一雷射光束係沿此路徑而朝向該半導體基板(240)所傳播，此第一雷射光束傳播路徑(510、640、710)具有一第一雷射光束軸線(650)，而此軸線則在一第一光點處交會於該半導體基板(240)；一第一致動器，其係經組態設定以調整該第一雷射光束軸線(650)；一第二雷射光束傳播路徑(510、640、710)，該第二雷射光束係沿此路徑而朝向該半導體基板(240)所傳播，此第二雷射光束傳播路徑(510、640、710)具有一第二雷射光束軸線，而該軸線則在一第二光點處交會於該半導體基板(240)；一第二致動器，其係經組態設定以調整該第二雷射光束軸線；以及一控制系統，其係經組態設定以啟動該第一致動器及該第二致動器之至少一者，藉此調整該等第一及第二雷射光束傳播路徑之至少一者，藉此改善該等路徑之至少一者的對齊作業。
  29. 如申請專利範圍第20項所述之系統(500、700A、 700B、700C、800、1000)，其中該控制系統係根據來自在該半導體基板(240)之上或之內的至少一對齊目標(246)之掃描資料，啟動該第一致動器及該第二致動器的至少一者。
  30. 如申請專利範圍第20項所述之系統(500、700A、700B、700C、800、1000)，其進一步包含：一第一位置感測裝置(760、780、830、850)，其係設置以感測該第一雷射光束在該第一雷射光束傳播路徑之內的位置；以及一第二位置感測裝置(760、780、830、850)，其係設置以感測該第二雷射光束在該第二雷射光束傳播路徑之內的位置；其中該控制系統係根據由該第一及該第二位置感測裝置所感測的資料，啟動該第一致動器及該第二致動器的至少一者。
  31. 如申請專利範圍第20項所述之系統(500、700A、700B、700C、800、1000)，其中該控制系統係調整一斜率(θ)，而該第一及該第二雷射光束之至少一者係按此斜率(θ)入射於該半導體基板(240)上。
  32. 如申請專利範圍第20項所述之系統(500、700A、700B、700C、800、1000)，其中該控制系統對該第一及該第二雷射光束傳播路徑(510、640、710)之至少一者進行一離散調整作業，藉此改善該等光束路徑(510、640、710)之至少一者的靜態對齊作業。
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