JPS63226005A - 膜抵抗体のレ−ザ−トリミング法 - Google Patents
膜抵抗体のレ−ザ−トリミング法Info
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- JPS63226005A JPS63226005A JP62059353A JP5935387A JPS63226005A JP S63226005 A JPS63226005 A JP S63226005A JP 62059353 A JP62059353 A JP 62059353A JP 5935387 A JP5935387 A JP 5935387A JP S63226005 A JPS63226005 A JP S63226005A
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- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 20
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 9
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 9
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000862 absorption spectrum Methods 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 238000010000 carbonizing Methods 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 210000004709 eyebrow Anatomy 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、膜抵抗体のレーザートリミング法に関するも
のである。
のである。
従来の技術
従来、膜抵抗体をレーザートリミングし、抵抗値を所定
の抵抗値に調整する場合、赤外線を放射するレーザー光
が広く用いられてきた。
の抵抗値に調整する場合、赤外線を放射するレーザー光
が広く用いられてきた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、赤外発光のレーザー光を用いて、膜抵抗
体をレーザートリミングすると、膜抵抗体の下地絶縁層
に損傷を与える場合が多かった。
体をレーザートリミングすると、膜抵抗体の下地絶縁層
に損傷を与える場合が多かった。
特に膜抵抗体が樹脂絶縁層上に形成されている場合膜抵
抗体のレーザートリミングに係るレーザー光により樹脂
絶縁層は大きな損傷を受け、その切傷の部分が炭化し、
これが原因で、基材の絶縁抵抗が下がり、また基材の抗
折強度等も劣化する。
抗体のレーザートリミングに係るレーザー光により樹脂
絶縁層は大きな損傷を受け、その切傷の部分が炭化し、
これが原因で、基材の絶縁抵抗が下がり、また基材の抗
折強度等も劣化する。
これを防止するため、レーザー光の出力調整や、特開昭
６１−２０８２５０号公報のようにレーザー光を反射さ
せるためのレーザー光反射層を膜抵抗体の下地に設ける
方法も検討されてきた。
６１−２０８２５０号公報のようにレーザー光を反射さ
せるためのレーザー光反射層を膜抵抗体の下地に設ける
方法も検討されてきた。
しかし、これらの施策だけでは、必ずしも十分ではなく
、特に樹脂絶縁層の損傷を完全に防止することはできな
い。
、特に樹脂絶縁層の損傷を完全に防止することはできな
い。
本発明はこのような問題を解決するためのものである。
問題点を解決するだめの手段
この問題を解決するために本発明は、赤外域のレーザー
光を第２高調波発生素子（以下ＳＨＧ素子という）を１
素子または複数素子用いて、より短波長のレーザー光に
変換し、このレーザー光により膜抵抗体をレーザートリ
ミングするものである。
光を第２高調波発生素子（以下ＳＨＧ素子という）を１
素子または複数素子用いて、より短波長のレーザー光に
変換し、このレーザー光により膜抵抗体をレーザートリ
ミングするものである。
作用
この構成により、黒色の膜抵抗体は、レーザートリミン
グされるが、下地の絶縁層はレーザー光による損傷を受
けなくなり、電気的特性の劣化、特に絶縁層の電気絶縁
性の低下を防止することができる。
グされるが、下地の絶縁層はレーザー光による損傷を受
けなくなり、電気的特性の劣化、特に絶縁層の電気絶縁
性の低下を防止することができる。
実施例
第１図に本発明の一実施例を示す。１は樹脂による絶縁
層あるいは、樹脂製の絶縁基板、２は導電体、３はカー
ボン系印刷による膜抵抗体である。
層あるいは、樹脂製の絶縁基板、２は導電体、３はカー
ボン系印刷による膜抵抗体である。
本実施例ではレーザー光源として、出力１０Ｗ波長１．
０６μｌのＹＡＧレーザーによるレーザー光５を用い、
これをＬｉ！ｉｂｏ ５光導波路による変換効率３ｏｔ
ｓのＳＨＣ，素子４を１素子用いて波長を変換し、出力
３Ｗ波長０．６３μｍの可視レーザー光を得る。
０６μｌのＹＡＧレーザーによるレーザー光５を用い、
これをＬｉ！ｉｂｏ ５光導波路による変換効率３ｏｔ
ｓのＳＨＣ，素子４を１素子用いて波長を変換し、出力
３Ｗ波長０．６３μｍの可視レーザー光を得る。
尚第１図においては、ＳＨＧ素子４でレーザー光の波調
変換後レンズ６を用いているが、この操作が逆になって
も側段問題ない。
変換後レンズ６を用いているが、この操作が逆になって
も側段問題ない。
第１図において、波長ムのレーザー光６は、ＳＨＧ素子
４により、短波長Ｂに変換され、膜抵抗体３上に達する
。第４図は、一般的膜抵抗体３の光の吸収スペクトルと
一般的樹脂絶縁層１の吸収スペクトルを示したものであ
るが、膜抵抗体３は、はぼ全域の波長領域で光を吸収し
、完全黒体とみなせる。一方樹脂絶縁層１は、波長ムで
は強く吸収するが、波長Ｂでは、はとんど吸収しない。
４により、短波長Ｂに変換され、膜抵抗体３上に達する
。第４図は、一般的膜抵抗体３の光の吸収スペクトルと
一般的樹脂絶縁層１の吸収スペクトルを示したものであ
るが、膜抵抗体３は、はぼ全域の波長領域で光を吸収し
、完全黒体とみなせる。一方樹脂絶縁層１は、波長ムで
は強く吸収するが、波長Ｂでは、はとんど吸収しない。
したがって波長Ｂのレーザー光は膜抵抗体３には、吸収
されるが、樹脂絶縁層１にはほとんど吸収されることは
ない。
されるが、樹脂絶縁層１にはほとんど吸収されることは
ない。
すなわち、こうして得られた、可視レーザー光を用いて
上記カーボン系の膜抵抗体３をレーザートリミングすれ
ば、膜抵抗体３の下地の絶縁層１を、全く損傷・炭化さ
せず、膜抵抗体３のみをレーザートリミングすることが
できる。
上記カーボン系の膜抵抗体３をレーザートリミングすれ
ば、膜抵抗体３の下地の絶縁層１を、全く損傷・炭化さ
せず、膜抵抗体３のみをレーザートリミングすることが
できる。
それに対して、第３図に示すように出力３Ｗ。
波長１．０６μ諺のＴＡＧレーザーをそのまま用いて膜
抵抗体３をレーザートリミングしたところ、下地の絶縁
層１は、レーザー光６が照射された部分および、その近
傍で黒く炭化し、かつ表面に大きな損傷９がみられた。
抵抗体３をレーザートリミングしたところ、下地の絶縁
層１は、レーザー光６が照射された部分および、その近
傍で黒く炭化し、かつ表面に大きな損傷９がみられた。
尚、膜抵抗体としては、本実施例のカーボン系印刷抵抗
体に限らず、ＲｕＯ２等のスパッタ薄膜抵抗体であって
もかまわない。さらに、第２図のようにチップ抵抗器７
として完成し、はんだ８により実装したものであっても
、下地の絶縁層１を損傷炭化させることなく、レーザー
トリミングできる。
体に限らず、ＲｕＯ２等のスパッタ薄膜抵抗体であって
もかまわない。さらに、第２図のようにチップ抵抗器７
として完成し、はんだ８により実装したものであっても
、下地の絶縁層１を損傷炭化させることなく、レーザー
トリミングできる。
また、上記実施例においては、！ムＧレーザー光につい
てのみ述べたが、公知の００２ガスレーザー光等にも利
用できる。
てのみ述べたが、公知の００２ガスレーザー光等にも利
用できる。
発明の効果
以上のように本発明によれば、膜抵抗体の下地絶縁層を
損傷・炭化させることなく、膜抵抗体を容易にレーザー
トリミングでき、産業上きわめて有用である。
損傷・炭化させることなく、膜抵抗体を容易にレーザー
トリミングでき、産業上きわめて有用である。
第１図は本発明の一実施例における印刷抵抗回路基板の
断面図、第２図はチップ抵抗器として完成し、実装した
状態の断面図、第３図は従来例における印刷抵抗回路基
板の断面図、第４図は樹脂絶縁層および膜抵抗体の光の
吸収スペクトルを示した特性図である。 １・・・・・・絶縁層または絶縁基板、２・・・・・・
導電体、３・・・・・・膜抵抗体、４・・・・・・ＳＨ
Ｇ素子、６・・・・・・レーザー光、６・・・・・・レ
ンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一絶縁眉よに１コ 絶縁蒸水 第１図 ２−導電体 、３−−一膜暴抗体 ４−３Ｈα幸子 第 ３ 図 ■ 第 ４１１ ｏ Ｂ ＾涙号
断面図、第２図はチップ抵抗器として完成し、実装した
状態の断面図、第３図は従来例における印刷抵抗回路基
板の断面図、第４図は樹脂絶縁層および膜抵抗体の光の
吸収スペクトルを示した特性図である。 １・・・・・・絶縁層または絶縁基板、２・・・・・・
導電体、３・・・・・・膜抵抗体、４・・・・・・ＳＨ
Ｇ素子、６・・・・・・レーザー光、６・・・・・・レ
ンズ。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名／−
−一絶縁眉よに１コ 絶縁蒸水 第１図 ２−導電体 、３−−一膜暴抗体 ４−３Ｈα幸子 第 ３ 図 ■ 第 ４１１ ｏ Ｂ ＾涙号
Claims (1)
- レーザー光の波長を１／２に変換する素子を用いてト
リミング用レーザー光の波長を変換してトリミングする
ことを特徴とする膜抵抗体のレーザートリミング法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059353A JPS63226005A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 膜抵抗体のレ−ザ−トリミング法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62059353A JPS63226005A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 膜抵抗体のレ−ザ−トリミング法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63226005A true JPS63226005A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=13110825
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62059353A Pending JPS63226005A (ja) | 1987-03-13 | 1987-03-13 | 膜抵抗体のレ−ザ−トリミング法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63226005A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005522023A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-07-21 | ジーエスアイ ルモニックス コーポレイション | デバイスのアレイを高速かつ正確にマイクロマシニング加工する方法及びシステム |
| KR100894025B1 (ko) | 2001-02-01 | 2009-04-22 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 고체-상태 ｕｖ 레이저로부터의 작은 균일한 스폿을 이용한 저항기 트리밍을 위한 방법 |
-
1987
- 1987-03-13 JP JP62059353A patent/JPS63226005A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100894025B1 (ko) | 2001-02-01 | 2009-04-22 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 고체-상태 ｕｖ 레이저로부터의 작은 균일한 스폿을 이용한 저항기 트리밍을 위한 방법 |
| JP2005522023A (ja) * | 2002-03-28 | 2005-07-21 | ジーエスアイ ルモニックス コーポレイション | デバイスのアレイを高速かつ正確にマイクロマシニング加工する方法及びシステム |
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