JP3710884B2 - レーザダイオード - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本願発明は、第1クラッド層、発光層、および第2クラッド層から構成される積層部が形成されているレーザダイオード、特に青色の光を発光することのできるレーザダイオードに関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、赤外線、あるいは近赤外線を発振する半導体レーザが様々な用途に利用されている。たとえば、赤外線半導体レーザは、コンパクトディスクやレーザーディスクの光ピックアップとして、または講演などにおいてスライド画面に光点を映して指示棒の役割をするレーザーポインターとして利用されている。また、近赤外線半導体レーザは、バーコードの読み取りを行うバーコードリーダーとして利用されている。
【0003】
現在、高品位テレビ(HDTV)の実現に向けて光ディスクの記録密度の高密度化が要求されている。このため、赤外線、あるいは近赤外線を発振する半導体レーザよりも波長の短いレーザ光を発振できる半導体レーザの開発が欲されている。特に、400nm〜430nmの波長のレーザ光を発振することのできる半導体レーザは、現状において使用されている光ディスクの材料、レンズ系などがそのまま使用できるので有望視されており、その早期実用化が望まれている。
【0004】
そこで、図9に示すような窒化物系の半導体を利用した半導体レーザ1が提案されている。上記半導体レーザ1は、基本的には、サファイヤ(Al2 O3 )からなる絶縁基板10上にn型半導体層2、発光層3、およびp型半導体層4から構成される積層部が形成されている。上記n型半導体層2は、n型GaN層20およびn型AlGaN層21などを備えており、上記p型半導体層4は、p型GaN層41およびp型AlGaN層40などを備えている。
【0005】
さらに、上記積層部8の一部がエッチングによりn型GaN層20の表面部分まで除去されており、この層20の表面部分にN側の電極パッド50が形成されている。これに対して、上記積層部8の非排除部分の最上層であるp型GaN層41の表面部分にP側の電極パッド5が形成されている。
【0006】
上記発光層4は、上記n型半導体層2および上記p型半導体層4よりも屈折率の高いInGaN層3により形成されており、上記p型半導体層4は比較的バンドギャップエネルギー差の大きい材料により形成されている。このように、上記構成の半導体レーザ1においては、この半導体レーザ1に対して電圧の印加が行われ、発光層3内での電子と正孔との再結合によって光(レーザ光)が生じた場合に、発光層3内で生じた光を有効に発光層3内に閉じ込めておき、効率よく光を上記発光層3内において増幅させることができるように工夫されている。そして、上記発光層3内において増幅された光は、図中の矢印方向に発振する。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記発光層において生じた光は、上記発光層から上記n型半導体層および上記p型半導体層にしみだしてしまうことがある。そのため、上記発光層からしみだした光を上記n型半導体層および上記p型半導体層において反射させ、上記発光層内に戻すことにより上記発光層内で生じた光を有効に利用するために、上記n型半導体層および上記p型半導体層の厚みを大きくしなければならない。ところが、所定の厚みをもって上記n型半導体層の抵抗値を小さくすることは比較的容易であるが、p型半導体層、たとえば比較的バンドギャップエネルギー差の大きい窒化物系のp型半導体層においては、その抵抗値を小さくすることは困難である。
【0008】
そのため、上記のような構成の半導体レーザにおいてレーザ光を発振させるためには、20〜30V程度の高電圧の印加が必要となり、半導体レーザからの発熱量、特に抵抗値の低減が困難なp型半導体層やこの層の下に位置する発光層での発熱量が大きくなってしまう。この大きな発熱量の発生にともない、上記半導体レーザの温度が上昇し、上記半導体レーザからレーザ光が発振されなくなったり、上記半導体レーザの寿命が短くなるといった不具合が生じる。また、上記のような構成の半導体レーザにおいては低電圧駆動が困難であるので、400nm〜430nmの波長のレーザ光を発振することのできる半導体レーザを実用化することは困難である。
【0009】
本願発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、低電圧駆動が可能であり、400nm〜430nmの波長の青色のレーザ光を発振することのできるレーザダイオードを提供することをその課題とする。
【0010】
【発明の開示】
上記の課題を解決するため、本願発明では、次の技術的手段を講じている。
【0011】
すなわち、本願発明の第1の側面によれば、第1クラッド層、発光層、および第2クラッド層から構成される積層部を含むレーザダイオードであって、上記第2クラッド層は、上記発光層上に積層されたp型半導体層と、上記p型半導体層上の所定位置に形成されており、かつその厚みが上記発光層から発振される光の波長の1/10以下である金属層と、上記金属層を覆うようにして上記p型半導体層および上記金属層上に積層されたn型半導体層と、を備えたことを特徴とする、レーザダイオードが提供される。
【0012】
本願発明の第2の側面によれば、第1クラッド層、発光層、および第2クラッド層から構成される積層部を含むレーザダイオードであって、上記第2クラッド層は、p型半導体層と、金属層と、第1および第2n型半導体層と、を備えて構成されており、上記p型半導体層を上記発光層上に積層し、さらに上記第1n型半導体層を積層し、上記p型半導体層の適部が露出するように上記第1n型半導体層にエッチング加工を施した状態において、露出させられたp型半導体層およびエッチング加工が施された第1n型半導体層を覆うようにしてその厚みが上記発光層から発振される光の波長の1/10以下である金属層が形成されているとともに、上記金属層上には上記第2n型半導体層が積層されていることを特徴とする、レーザダイオードが提供される。
【0013】
通常、上記いずれの側面においても、積層部の一部がエッチングによりn型GaN層の表面部分まで除去されて、この層の表面部分にN側の電極パッドが形成され、これに対して上記積層部の最上部にはP側の電極パッドが形成されている。
【0014】
本願発明の第1の側面に係るレーザダイオードは、上記第2クラッド層において、上記p型半導体層と上記n型半導体層との間に金属層を介在させることにより、上記p型半導体層と上記金属層と、および上記n型半導体層と上記金属層とが各々電気的にコンタクトをとれるように構成されている。すなわち、上記レーザダイオードに電圧が印加された場合には、上記p型半導体層と上記金属層との接触部分に電流が流れ得るのである。また、本願発明の第2の側面に係るレーザダイオードにおいても、上記第2クラッド層では、上記p型半導体層と上記金属層と、および上記第2n型半導体層と上記金属層とが各々電気的にコンタクトをとれるように構成されており、上記p型半導体層と上記金属層との接触部分に電流が流れ得るのである。
【0015】
このように構成されたレーザダイオードにおいては、上記第2クラッド層に抵抗値の低減の容易なn型半導体層が備えられているので、上記発光層からしみだした光を上記第2クラッド層のn型半導体層およびp型半導体層において反射させ、この光を上記発光層内に戻すことにより上記発光層内で生じた光を有効に利用することができる厚みを有した状態で上記第2クラッド層全体の抵抗値を低減することができる。このことにより、上記構成のレーザダイオードにおいてレーザ光を発振させるための印加電圧を、従来に比べて格段に低くするこができる。したがって、上記レーザダイオードの低電圧駆動が可能になるとともに、上記レーザダイオードからの発熱量、特に第2クラッド層のp型半導体層やこの層の下に位置する発光層での発熱量を低減することができる。これにともない、上記レーザダイオードの温度が上昇し、上記レーザダイオードからレーザ光が発振されなくなるといった事態を回避することができる。
【0016】
上記いずれの側面においても、好ましい実施形態においては、上記金属層は、AuまたはAu合金、あるいはCuまたはCu合金により形成されており、上記金属層の厚みは、50Å以下である。
【0017】
上記金属層は、上記構成のレーザダイオードの発光層において生じる光に対する透過性が高いAuまたはAu合金、あるいはCuまたはCu合金によって形成されているとともに、その膜厚が極めて薄く形成されいるので、上記発光層からしみだした光をほとんど吸収することなく上記第2クラッド層のn型半導体層およびp型半導体層においてその大部分を反射させることができる。そして、反射した光を上記発光層内に戻すことにより上記発光層内で生じた光を有効に利用し、上記レーザダイオードからレーザ光を発振することができる。
【0018】
上記いずれの側面においても、好ましい他の実施形態においては、上記発光層から発振される光の波長は、550nm以下、好ましくは400nm〜420nmである。すなわち、本願発明に係るレーザダイオードは、青色のレーザ光を発振することのできるレーザダイオードである。
【0019】
本願発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【0020】
【発明の実施の形態】
以下、本願発明の好ましい実施の形態を、図面を参照して具体的に説明する。
【0021】
図1は、本願発明の第1の実施形態に係るレーザダイオード15の斜視図であり、図2は、その正面図である。上記レーザダイオード15は、基本的には、サファイヤ(Al2 O3 )からなる絶縁基板10上にバッファ層11を介して第1クラッド層2’、発光層30、および第2クラッド層4’から構成される積層部8’が形成されている。
【0022】
上記第1クラッド層2’は、Siなどが添加されてn型半導体化されたn型GaN層および/またはn型AlGaN層などの窒化ガリウム系化合物半導体層であり、上記第2クラッド層4’は、Mgなどが添加されてp型半導体化されたp型AlGaN層42、このp型AlGaN層42の表面を帯状に延びる金属層6、およびn型半導体層43などを備えている。
【0023】
上記n型半導体層43は、たとえばn型GaN層またはn型In2 O3 層などからなり、上記金属層6は、AuまたはAu合金、あるいはCuまたはCu合金によって形成されている。
【0024】
上記発光層30は、上記第1クラッド層2’および上記第2クラッド層4’よりも屈折率の高いInGaNにより形成されている。
【0025】
さらに、積層部8’の一部がエッチングにより第1クラッド層2’の表面部分まで除去されており、この層2’の表面部分にN側の電極パッド52が形成されている。これに対して、上記積層部8’の非排除部分の最上層であるp型半導体層43の表面部分にP側の電極パッド51が形成されている。
【0026】
このようなレーザダイオード15は、以下のようにして形成される。
【0027】
先ず、図3(a)に示すように、サファイヤ絶縁基板10上に有機金属化合物気相成長法(MOCVD法)によってInGaNを成長させてバッファ層11を形成し、GaNおよびAlGaNなどの窒化ガリウム系化合物を上記バッファ層11上に各々成長させてn型半導体層である第1クラッド層2’を形成する。さらに、上記第1クラッド層2’上にMOCVD法によってInGaNを成長させて発光層30を形成し、AlGaNなどの窒化ガリウム系化合物を上記発光層30上に成長させてp型半導体層42を形成させる。なお、上記各層の厚みは、バッファ層11、第1クラッド層2’、発光層30、p型半導体層それぞれ100〜2000Å、1〜3μm、100〜2000Å、0.05〜0.3μmに設定される。
【0028】
続いて、図3(b)〜(e)に示す順序で、上記p型半導体層42の表面に帯状に延びるように金属層6を形成する。先ず、図3(b)に示すように、上記p型半導体層上にフォトレジスト層7を形成させる。次いで、図3(c)に示すように、上記フォトレジスト層7の適部を露光、現像し、上記p型半導体層42の表面を帯状に延びるようにして露出させる。さらに、図3(d)に示すように、露光、現像により露出させられた部分44および上記p型半導体層42の表面に金属を蒸着させることにより金属層6,60を形成する。なお、この工程は、露光、現像により露出させられた部分44および上記p型半導体層42の表面に金属イオンを注入することによりこれらの表面を金属化させて上記金属層6,60を形成してもよい。続いて、図3(e)に示すように、アセトンなどの有機溶媒を用いて上記レジスト層7を取り除き、上記p型半導体層42の表面に帯状に延びるように金属層6を形成する。なお、上記金属層6の厚みは、10〜100Åに設定される。
【0029】
次に、図4に示すように、上記金属層6を覆うようにして上記金属層6および上記p型半導体層42上にn型半導体層43を形成させる。このn型半導体層は、MOCVD法によって上記金属層6および上記p型半導体層上に、たとえばGaNを成長させることにより形成される。あるいは、スパッタなどにより、In2 O3 などの透明導電膜を形成してもよい。なお、上記n型半導体層43の厚みは、1〜3μmに設定される。
【0030】
続いて、図4に点線で示した部分をArイオンやCl2 ガスを用いたドライエッチングにより上記第1クラッド層2’を露出させる。そして、露出させられた第1クラッド層2’の表面部分にN側の電極パッド52を形成し、これに対して、上記積層部4’の非排除部分の最上層であるn型半導体層43の表面部分にP側の電極パッド51を形成する。上記各々の電極パッド53,53はTiおよびAlによって形成されている。具体的には、上記露出させられた第1クラッド層2’の表面部分および上記積層部4’の非排除部分の最上層であるn型半導体層43の表面部分に蒸着またはスパッタリングによってTi層を形成させ、さらに同様の方法によってAl層を積層することにより形成される。そして、上記レーザダイオード15を500℃程度でアニール処理し、上記各層の結晶構造を安定化させる。
【0031】
このようにして形成されたレーザダイオード15は、上記第2クラッド層4’において、上記p型半導体層と上記n型半導体層との間に金属層を介在させることにより、上記p型半導体層42と上記金属層6と、および上記n型半導体層43と上記金属層6とが各々電気的にコンタクトをとれるように構成されている。すなわち、上記レーザダイオード15に電圧が印加された場合には、上記p型半導体層42と上記金属層6との接触部分に電流が流れ得るのである。
【0032】
本実施形態においては、上記第2クラッド層4’に抵抗値の低減の容易なn型半導体層43が備えられているので、上記発光層30からしみだした光を上記n型半導体層43および上記p型半導体層42において反射させ、上記発光層30内に戻すことにより上記発光層30内で生じた光を有効に利用することができる厚みを有した状態で上記第2クラッド層4’全体の抵抗値を低減することができる。このことにより、上記構成のレーザダイオード15においてレーザ光を発振させるための印加電圧を、従来に比べて格段に低くするこができる。したがって、上記レーザダイオード15の低電圧駆動が可能となるとともに、上記レーザダイオード15からの発熱量、特にp型半導体層42やこの層42の下に位置する発光層30での発熱量を低減することができる。これにともない、上記レーザダイオード15の温度が上昇し、上記レーザダイオード15からレーザ光が発振されなくなるといった事態を回避することができる。
【0033】
また、上記金属層6は、上記構成のレーザダイオード15において生じる光に対する透過性が大きいAuまたはAu合金、あるいはCuまたはCu合金によって形成されているとともに、その膜厚が極めて薄く形成されいるので、上記発光層30からしみだした光をほとんど吸収することなく上記n型半導体層43および上記p型半導体層42において反射させ、上記発光層30内に戻すことにより上記発光層30内で生じた光を有効に利用し、上記レーザダイオード15から図1に矢印で示された方向にレーザ光を発振することができる。
【0034】
図5は、本願発明の第2の実施形態に係るレーザダイオード15の斜視図であり、図6は、その正面図である。本実施形態は、サファイヤ(Al2 O3 )絶縁基板10上にバッファ層11を介して第1クラッド層2’、発光層30、および第2クラッド層4’から構成される積層部8’が形成されている点においては第1の実施形態と同様であるが、上記第2クラッド層4’の構成が上記した第1の実施形態とは異なる。
【0035】
本実施形態に係るレーザダイオード15は、図7(a)に示すように、第1の実施形態と同様にしてサファイヤ絶縁基板10上に有機金属化合物気相成長法(MOCVD法)によってGaNを成長させてバッファ層11、GaNおよびAlGaNなどの窒化ガリウム系化合物を上記バッファ層11上に各々成長させて第1クラッド層2’、上記第1クラッド層2’上にInGaNを成長させて発光層30、そしてAlGaNなどの窒化ガリウム系化合物を上記発光層30上に成長させてp型半導体層42が各々形成されている。なお、上記各層の厚みは、第1の実施形態と同様の厚みに設定される。
【0036】
図7(b)に示すように、このp型半導体層42上には、MOCVD法によってGaNを成長させてn型半導体層45が形成される。そして、図7(c)に示すように、上記p型半導体層42の表面が帯状に露出するようにしてn型半導体層45にArイオンやCl2 ガスなどを用いてドライエッチング処理を施し、図7(d)に示すように、上記n型半導体層45および露出したp型半導体層42の表面に金属を蒸着することにより金属層61が形成されている。なお、金属層61の形成工程は、第1の実施形態において説明した金属イオンの注入により行ってもよい。
【0037】
図8に示すように、上記金属層61の表面には、MOCVD法により、たとえばIn2 O3 などのn型半導体層46が形成されている。そして、上記した第1の実施形態と同様に、図8に点線で示した部分をArイオンやCl2 ガスなどを用いてドライエッチングを行うことにより上記第1クラッド層2’を露出させ、露出させられた第1クラッド層2’の表面部分にN側の電極パッド52を形成する。これに対して、上記積層部4’の非排除部分の最上層であるn型半導体層43の表面部分にP側の電極パッド51を形成する。なお、上記各電極51,52は、第1の実施形態と同様の方法により形成される。
【0038】
このようにして形成されてたレーザダイオードは、上記した第1の実施形態の効果と同様の効果を享受できる。
【0039】
もちろん、本願発明は様々に設計変更可能である。本願発明の要点とするところは、サファイヤ絶縁基板上に形成された積層部の第2クラッド層をp型半導体層およびn型半導体層によって形成し、これらの半導体の間に金属層を介在させた点である。したがって、上述した各層の成分は、上記第1および第2の実施形態に示された成分には限定されない。たとえば、各半導体層は、GaN系ではなくZnSe系であっても本願発明の適応範囲であるのはいうまでもない。また、半導体層の数も設計事項であり、その他、各層の厚みも上記第1および第2の実施形態に示された数値には限定されない。
【図面の簡単な説明】
【図1】本願発明の第1の実施形態に係るレーザダイオードの斜視図である。
【図2】本願発明の第1の実施形態に係るレーザダイオードの正面図である。
【図3】金属層を形成させるための工程を説明するための図である。
【図4】金属層上にn型半導体層を形成させた状態の図である。
【図5】本願発明の第2の実施形態に係るレーザダイオードの斜視図である。
【図6】本願発明の第2の実施形態に係るレーザダイオードの正面図である。
【図7】金属層を形成させるための工程を説明するための図である。
【図8】金属層上にn型半導体層を形成させた状態の図である。
【図9】従来例の説明図である。
【符号の説明】
2’ 第1クラッド層
4’ 第2クラッド層
6 金属層(第1の実施形態における)
8’ 積層部
15 レーザダイオード
30 発光層
42 p型半導体層
43 n型半導体層(第1の実施形態における)
45 第1n型半導体層(第2の実施形態における)
46 第2n型半導体層(第2の実施形態における)
61 金属層(第2の実施形態における)
Claims (5)
- 第1クラッド層、発光層、および第2クラッド層から構成される積層部を含むレーザダイオードであって、
上記第2クラッド層は、上記発光層上に積層されたp型半導体層と、上記p型半導体層上の所定位置に形成されており、かつその厚みが上記発光層から発振される光の波長の1/10以下である金属層と、上記金属層を覆うようにして上記p型半導体層および上記金属層上に積層されたn型半導体層と、を備えたことを特徴とする、レーザダイオード。 - 第1クラッド層、発光層、および第2クラッド層から構成される積層部を含むレーザダイオードであって、
上記第2クラッド層は、p型半導体層と、金属層と、第1および第2n型半導体層と、を備えて構成されており、
上記p型半導体層を上記発光層上に積層し、さらに上記第1n型半導体層を積層し、上記p型半導体層の適部が露出するように上記第1n型半導体層にエッチング加工を施した状態において、露出させられたp型半導体層およびエッチング加工が施された第1n型半導体層を覆うようにしてその厚みが上記発光層から発振される光の波長の1/10以下である金属層が形成されているとともに、上記金属層上には上記第2n型半導体層が積層されていることを特徴とする、レーザダイオード。 - 上記金属層は、AuまたはAu合金、あるいはCuまたはCu合金により形成されている、請求項1または2に記載の半導体レーザ装置。
- 上記金属層の厚みは、50Å以下である、請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
- 上記発光層から発振される光の波長は、550nm以下、好ましくは400nm〜430nmである、請求項1ないし4のいずれかに記載の半導体レーザ装置。
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