JPH04261058A - 半導体素子のトリミング方法 - Google Patents
半導体素子のトリミング方法Info
- Publication number
- JPH04261058A JPH04261058A JP3007413A JP741391A JPH04261058A JP H04261058 A JPH04261058 A JP H04261058A JP 3007413 A JP3007413 A JP 3007413A JP 741391 A JP741391 A JP 741391A JP H04261058 A JPH04261058 A JP H04261058A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- trimming
- temperature compensation
- compensation resistor
- semiconductor device
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000009966 trimming Methods 0.000 title claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 10
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は半導体素子、例えばハ
イブリッドＩＣの特性を調整する場合などに用いられる
レーザートリミング方法に関し、特に温度補償用抵抗を
もつ素子に適用されるトリミング方法に関する。
イブリッドＩＣの特性を調整する場合などに用いられる
レーザートリミング方法に関し、特に温度補償用抵抗を
もつ素子に適用されるトリミング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来行われているこの種のトリミング方
法を図２を用いて説明する。同図において１はハイブリ
ッドＩＣの厚膜基板、２はその上に形成された温度補償
用抵抗、３は同じく厚膜基板１の上に形成されたトリミ
ング用の厚膜抵抗を示す。
法を図２を用いて説明する。同図において１はハイブリ
ッドＩＣの厚膜基板、２はその上に形成された温度補償
用抵抗、３は同じく厚膜基板１の上に形成されたトリミ
ング用の厚膜抵抗を示す。
【０００３】トリミングに際しては、はじめにこのハイ
ブリッドＩＣを動作状態としておき、調整箇所の電圧値
をモニターしつつ、トリミング用の厚膜抵抗３の端部を
レーザーにより少しだけ焼き切る。これにより厚膜抵抗
３の抵抗値が増大し出力電圧値が変化する。このとき同
時に、レーザーの熱により温度補償用抵抗２が熱せられ
特性に変動が起こる。そこで厚膜基板１の温度が下がり
その影響が小さくなるのを待って再び厚膜抵抗３を焼き
切る。以上の作業を繰り返し行い、出力電圧値が所定の
目標値になったところでトリミングを終了する。
ブリッドＩＣを動作状態としておき、調整箇所の電圧値
をモニターしつつ、トリミング用の厚膜抵抗３の端部を
レーザーにより少しだけ焼き切る。これにより厚膜抵抗
３の抵抗値が増大し出力電圧値が変化する。このとき同
時に、レーザーの熱により温度補償用抵抗２が熱せられ
特性に変動が起こる。そこで厚膜基板１の温度が下がり
その影響が小さくなるのを待って再び厚膜抵抗３を焼き
切る。以上の作業を繰り返し行い、出力電圧値が所定の
目標値になったところでトリミングを終了する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のレーザ
ートリミング方法では、少しトリミングを行っては基板
の温度が下がるのを待ち、また少しトリミングを行うと
いうことの繰り返しによるため、長時間を要し、しかも
なお温度補償用抵抗の影響を完全には除去し切れず精度
も良くなかった。この発明の目的は、レーザーの熱によ
る特性の変動を極力抑えて、特性が安定するまでの時間
を短縮するとともにトリミング精度を向上させることに
ある。
ートリミング方法では、少しトリミングを行っては基板
の温度が下がるのを待ち、また少しトリミングを行うと
いうことの繰り返しによるため、長時間を要し、しかも
なお温度補償用抵抗の影響を完全には除去し切れず精度
も良くなかった。この発明の目的は、レーザーの熱によ
る特性の変動を極力抑えて、特性が安定するまでの時間
を短縮するとともにトリミング精度を向上させることに
ある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この発明は、トリミング
に際し素子基板上の温度補償用抵抗を回路から切り離し
、代わりの温度補償用抵抗を外付けした状態でトリミン
グを行うものである。
に際し素子基板上の温度補償用抵抗を回路から切り離し
、代わりの温度補償用抵抗を外付けした状態でトリミン
グを行うものである。
【０００６】
【作用】トリミングの間、回路に接続されている温度補
償用抵抗は、外付けされたものであるためレーザーの熱
の影響を直接受けることがなく、素子の特性を大きく変
化させることがない。一方、素子基板上の温度補償用抵
抗は回路から切り離されており、その影響は除外できる
。
償用抵抗は、外付けされたものであるためレーザーの熱
の影響を直接受けることがなく、素子の特性を大きく変
化させることがない。一方、素子基板上の温度補償用抵
抗は回路から切り離されており、その影響は除外できる
。
【０００７】
【実施例】図１はこの発明の一実施例を示すハイブリッ
ドＩＣの構成図であり、図２と同一符号は同一もしくは
相当部分を示す。本実施例では、厚膜基板１上に形成さ
れた温度補償用抵抗２は回路から切り離すことが可能な
構成を有し、またその代わりに温度補償用抵抗４を外部
から接続できるようにしてある。トリミング処理は次の
ように行われる。
ドＩＣの構成図であり、図２と同一符号は同一もしくは
相当部分を示す。本実施例では、厚膜基板１上に形成さ
れた温度補償用抵抗２は回路から切り離すことが可能な
構成を有し、またその代わりに温度補償用抵抗４を外部
から接続できるようにしてある。トリミング処理は次の
ように行われる。
【０００８】厚膜基板１上の温度補償用抵抗２を図示の
ようにオープンにし、同じく図示のように外部回路とし
て温度補償用抵抗３を接続する。この状態でＩＣを動作
状態とし、調整箇所の電圧値をモニターしつつ厚膜抵抗
３の端部を少しだけレーザーで焼き切る。これにより厚
膜抵抗３の抵抗値が増大し、出力電圧値が変化する。こ
のとき温度補償用抵抗４は厚膜基板１上にないため、レ
ーザーの熱による特性の変動はあまりない。一方、厚膜
基板１上の温度補償用抵抗２は回路から切り離されてい
るため特性に影響を及ぼさない。このため、従来のよう
に基板が冷えるのを待つことなく続けて上述した作業を
繰り返し行い、しかも精度の良いトリミングが行える。
ようにオープンにし、同じく図示のように外部回路とし
て温度補償用抵抗３を接続する。この状態でＩＣを動作
状態とし、調整箇所の電圧値をモニターしつつ厚膜抵抗
３の端部を少しだけレーザーで焼き切る。これにより厚
膜抵抗３の抵抗値が増大し、出力電圧値が変化する。こ
のとき温度補償用抵抗４は厚膜基板１上にないため、レ
ーザーの熱による特性の変動はあまりない。一方、厚膜
基板１上の温度補償用抵抗２は回路から切り離されてい
るため特性に影響を及ぼさない。このため、従来のよう
に基板が冷えるのを待つことなく続けて上述した作業を
繰り返し行い、しかも精度の良いトリミングが行える。
【０００９】出力電圧値が目標となったところでトリミ
ングを終了する。その後で本来の温度補償用抵抗２を回
路に接続するとともに外付けの温度補償用抵抗４を外す
。
ングを終了する。その後で本来の温度補償用抵抗２を回
路に接続するとともに外付けの温度補償用抵抗４を外す
。
【００１０】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、素子基
板上の温度補償用抵抗を回路から切り離し、代わりの温
度補償用抵抗を外付けした状態でトリミングを行うこと
により、短時間にしかも精度の良いトリミングが行える
効果がある。
板上の温度補償用抵抗を回路から切り離し、代わりの温
度補償用抵抗を外付けした状態でトリミングを行うこと
により、短時間にしかも精度の良いトリミングが行える
効果がある。
【図１】ハイブリッドＩＣのトリミング回路を示した構
成図である。
成図である。
【図２】この発明によらない従来のトリミング方法に係
わるトリミング回路の一例を示した構成図である。
わるトリミング回路の一例を示した構成図である。
１ 厚膜基板
２，４ 温度補償用抵抗
３ トリミング用の厚膜抵抗
Claims (1)
- 【請求項１】 素子を動作状態にし、調整箇所の出力
電圧値をモニターしながら調整箇所の回路パターンにレ
ーザー加工を施し、上記出力電圧値が目標値になるまで
トリミングを行う半導体素子のトリミング方法において
、素子基板上の温度補償用抵抗を回路から切り離し、代
わりの温度補償用抵抗を外付けした状態でトリミングを
行うことを特徴とする半導体素子のトリミング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007413A JPH04261058A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体素子のトリミング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3007413A JPH04261058A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体素子のトリミング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04261058A true JPH04261058A (ja) | 1992-09-17 |
Family
ID=11665182
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3007413A Pending JPH04261058A (ja) | 1991-01-25 | 1991-01-25 | 半導体素子のトリミング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04261058A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008512872A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-04-24 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 抵抗器へのレーザートリミングの間の熱電気ポテンシャルの解析方法 |
-
1991
- 1991-01-25 JP JP3007413A patent/JPH04261058A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008512872A (ja) * | 2004-09-13 | 2008-04-24 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 抵抗器へのレーザートリミングの間の熱電気ポテンシャルの解析方法 |
| JP4785854B2 (ja) * | 2004-09-13 | 2011-10-05 | エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド | 抵抗器へのレーザートリミングの間の熱電気ポテンシャルの解析方法 |
| TWI405222B (zh) * | 2004-09-13 | 2013-08-11 | Electro Scient Ind Inc | 用來降低雷射感應熱電效應所致的電阻數值偏差之方法 |
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