JPS6012737A - 窒化シリコン膜の製造方法 - Google Patents
窒化シリコン膜の製造方法Info
- Publication number
- JPS6012737A JPS6012737A JP58118079A JP11807983A JPS6012737A JP S6012737 A JPS6012737 A JP S6012737A JP 58118079 A JP58118079 A JP 58118079A JP 11807983 A JP11807983 A JP 11807983A JP S6012737 A JPS6012737 A JP S6012737A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- sin film
- sin
- internal stress
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 title claims description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 11
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims abstract description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 66
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 15
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 11
- -1 tungsten halogen Chemical class 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 4
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 4
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 238000001552 radio frequency sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/0217—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material being a silicon nitride not containing oxygen, e.g. SixNy or SixByNz
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明はスパッタリング法によって窒化シリコン（以下
ＳｉＮと略記する）膜を作製するための製造方法に関す
るもので、特に薄膜の安定化処理に関するものである０ 〈従来技術〉 近年ＳｉＮ膜は、集積回路素子における選択酸化時のマ
スクとして、或は表面保護膜等として広く利用されてい
る。従来から用いられているこれ等のＳｉＮ膜は通常各
種ＣＶＤ法によって作製されるが、低温で作製された膜
は膜密度が低く、また膜作製後め熱処理で膜の内部応力
が大きく変化したり、なかには被着されるべき基板から
剥離して所期の目的を達成し得ない事態がしばしば生じ
ていた。
ＳｉＮと略記する）膜を作製するための製造方法に関す
るもので、特に薄膜の安定化処理に関するものである０ 〈従来技術〉 近年ＳｉＮ膜は、集積回路素子における選択酸化時のマ
スクとして、或は表面保護膜等として広く利用されてい
る。従来から用いられているこれ等のＳｉＮ膜は通常各
種ＣＶＤ法によって作製されるが、低温で作製された膜
は膜密度が低く、また膜作製後め熱処理で膜の内部応力
が大きく変化したり、なかには被着されるべき基板から
剥離して所期の目的を達成し得ない事態がしばしば生じ
ていた。
ＳｉＮ膜を上述のように選択酸化時のマスクや、１〜２
層程度の比較的少ない積層構造からなる多層配線用の層
間絶縁膜として利用している限りでは、上記のような従
来方法によって作製した膜でも利用することができる。
層程度の比較的少ない積層構造からなる多層配線用の層
間絶縁膜として利用している限りでは、上記のような従
来方法によって作製した膜でも利用することができる。
しかし集積度の飛躍的な向上のもとに開発が進められて
いる積層高密度集積回路素子デバイス間に介挿する絶縁
層としては、上記従来方法によって作製したＳｉＮ膜で
は問題がある。
いる積層高密度集積回路素子デバイス間に介挿する絶縁
層としては、上記従来方法によって作製したＳｉＮ膜で
は問題がある。
即ち第１図は従来から提案されている積層高密度集積回
路素子の断面図で、実際には更に多層に積層されるが、
図が複雑になるのを避けるため集積回路デバイス１０．
２０を２層に積層した例を示す。シリコン基板１１に不
純物拡散領域１２を作製し、適宜配線１８によって電気
的接続を施こした第１層目のデバイス１０上に、第２層
目デバイス２０を積層するが、両デバイス１０．２０間
にはデバイス間の電気的絶縁を図るために絶縁膜８０を
介挿する。回路を作製した第１層目デバイス１０上に絶
縁膜３０を被着した後、第２層目デバイス２０のための
ポリシリコン膜２１を形成し、該ポリシリコン膜２１内
の一部の領域にレーザー光を照射してレーザーアニール
によってポリシリコンを単結晶化する。単結晶化した領
域にＰ或いはＮ型の不純物を導入して回路素子２２を作
製し、第２層目デバイス２０を作製する。同様に第２層
目デバイス２０上にも絶縁膜を介して順次集積回路デバ
イスを積層し、少なくとも５層以上にデバイスを積層し
て非常に集積度の高い三次元回路素子とする。
路素子の断面図で、実際には更に多層に積層されるが、
図が複雑になるのを避けるため集積回路デバイス１０．
２０を２層に積層した例を示す。シリコン基板１１に不
純物拡散領域１２を作製し、適宜配線１８によって電気
的接続を施こした第１層目のデバイス１０上に、第２層
目デバイス２０を積層するが、両デバイス１０．２０間
にはデバイス間の電気的絶縁を図るために絶縁膜８０を
介挿する。回路を作製した第１層目デバイス１０上に絶
縁膜３０を被着した後、第２層目デバイス２０のための
ポリシリコン膜２１を形成し、該ポリシリコン膜２１内
の一部の領域にレーザー光を照射してレーザーアニール
によってポリシリコンを単結晶化する。単結晶化した領
域にＰ或いはＮ型の不純物を導入して回路素子２２を作
製し、第２層目デバイス２０を作製する。同様に第２層
目デバイス２０上にも絶縁膜を介して順次集積回路デバ
イスを積層し、少なくとも５層以上にデバイスを積層し
て非常に集積度の高い三次元回路素子とする。
上記積層高密度集積回路素子において、デバイス間忙介
挿する絶縁膜８０はＳｉＮ膜や酸化シリコン膜が用いら
れるが、デバイス間の電気的絶縁を確実に行うものでな
ければならず、また順次デバイスを積層してゆぐ過程で
熱処理やその他の作業環境に晒しても変形したシブバイ
ス表面から剥離してはならない。しかし上述のような従
来方法によって作製したＳｉＮ膜Ｉｆｉ膜密度が低く、
そのために電気的絶縁性が充分ではなく、また薄膜中の
内部応力が熱処理中に変化してそのためにシリコン基板
が変形する等の不都合があった。
挿する絶縁膜８０はＳｉＮ膜や酸化シリコン膜が用いら
れるが、デバイス間の電気的絶縁を確実に行うものでな
ければならず、また順次デバイスを積層してゆぐ過程で
熱処理やその他の作業環境に晒しても変形したシブバイ
ス表面から剥離してはならない。しかし上述のような従
来方法によって作製したＳｉＮ膜Ｉｆｉ膜密度が低く、
そのために電気的絶縁性が充分ではなく、また薄膜中の
内部応力が熱処理中に変化してそのためにシリコン基板
が変形する等の不都合があった。
〈発明の目的〉
本発明は上記従来の製造方法によって作製したＳｉＮ膜
の問題点に鑑みてなされたもので、たとえ熱処理を施こ
したとしても内部応力がほとんど変化しない熱的に安定
なＳｉＮ膜を得ることができるＳｉＮ膜の製造方法を提
供するもので、スパッタ成膜に引き続き加熱処理するこ
とよシ膜の安定化を図る。
の問題点に鑑みてなされたもので、たとえ熱処理を施こ
したとしても内部応力がほとんど変化しない熱的に安定
なＳｉＮ膜を得ることができるＳｉＮ膜の製造方法を提
供するもので、スパッタ成膜に引き続き加熱処理するこ
とよシ膜の安定化を図る。
〈実施例〉
マグネトロンスパッタリング装置の反応槽に設けられた
相対向する電極の一方に被スパツタ材料をセットし、他
方の電極にＳｉＮ膜を堆積すべき集積回路デバイス基板
をセットする。各電極に夫々の部材をセットした後反応
槽内に所定の不活性ガスを導入し、電極何に電圧を供給
する。スパッタリング装置の稼動によって高周波電圧が
電極間に印加され、被スパツタ材料から飛び出したＳｉ
Ｎ膜作製のだめの分子或いは原子が基板表面に堆積 −
し、ＳｉＮ薄膜を生成する。
相対向する電極の一方に被スパツタ材料をセットし、他
方の電極にＳｉＮ膜を堆積すべき集積回路デバイス基板
をセットする。各電極に夫々の部材をセットした後反応
槽内に所定の不活性ガスを導入し、電極何に電圧を供給
する。スパッタリング装置の稼動によって高周波電圧が
電極間に印加され、被スパツタ材料から飛び出したＳｉ
Ｎ膜作製のだめの分子或いは原子が基板表面に堆積 −
し、ＳｉＮ薄膜を生成する。
尚本実施例におけるＳｉＮ膜の成膜条件は、次に施こす
安定化熱処理の効果を確認し易、くするため、比較的低
い膜密度のＳｉＮ膜にならざる得ない条件、即ち、基板
温度を室温に保持し、スパッタ時のパワー密度を８．５
Ｗ／ｃｄ以下に設定して成膜させる。このような成膜条
件で／ｆｉ膜密度が低くなるが、基板温度を室温以上に
高めることによシ、またパワー密度を８．５Ｗ／１！以
上に選んで成膜することによシ膜密度は高くなる。後者
の成膜条件によって生成したよシ膜密度の高いＳｉＮｇ
に勿いては、前者の条件によって生成したＳｉＮ膜に比
べて緻密度が増すため、次に述べる安定化の熱処理は前
者の膜密度の低いＳｉＮ膜で確認できるならば、後者の
条件で成膜したＳｉＮ膜でも安定化の効果は得ることが
できる。
安定化熱処理の効果を確認し易、くするため、比較的低
い膜密度のＳｉＮ膜にならざる得ない条件、即ち、基板
温度を室温に保持し、スパッタ時のパワー密度を８．５
Ｗ／ｃｄ以下に設定して成膜させる。このような成膜条
件で／ｆｉ膜密度が低くなるが、基板温度を室温以上に
高めることによシ、またパワー密度を８．５Ｗ／１！以
上に選んで成膜することによシ膜密度は高くなる。後者
の成膜条件によって生成したよシ膜密度の高いＳｉＮｇ
に勿いては、前者の条件によって生成したＳｉＮ膜に比
べて緻密度が増すため、次に述べる安定化の熱処理は前
者の膜密度の低いＳｉＮ膜で確認できるならば、後者の
条件で成膜したＳｉＮ膜でも安定化の効果は得ることが
できる。
前述のように基板を室温に保持し、３．５Ｗ／ｃＪ以下
のパワー密度でスパッタリングによ膜作製したＳｉＮ膜
について、次に緻密化と内部応力安定化のためにタング
ステンハロゲンランプ光照射を試料両面から行うことに
よシ熱処理を行った。第２図は上記熱処理に用いたタン
グステンハロゲンランプ光照射装置で、上述のようにス
パッタリングによって成膜されたＳｉＮ膜を有する集積
回路基板４４が保持器具４３に支持されて透光性のケー
ス４２内に納められ、基板４４０両面に配置されたタン
グステンハロゲンランプ４０の光が照射される。４１は
ランプ光の効率化を図るための反射板である。
のパワー密度でスパッタリングによ膜作製したＳｉＮ膜
について、次に緻密化と内部応力安定化のためにタング
ステンハロゲンランプ光照射を試料両面から行うことに
よシ熱処理を行った。第２図は上記熱処理に用いたタン
グステンハロゲンランプ光照射装置で、上述のようにス
パッタリングによって成膜されたＳｉＮ膜を有する集積
回路基板４４が保持器具４３に支持されて透光性のケー
ス４２内に納められ、基板４４０両面に配置されたタン
グステンハロゲンランプ４０の光が照射される。４１は
ランプ光の効率化を図るための反射板である。
第３図はスパーツタ成膜した厚さ約２４００人のＳｉＮ
膜に、試料温度が６００℃になるようなパワでタングス
テンハロゲンランプ光を照射する処理を施こした時の、
照射時間（秒）とＳｉＮ膜のエツチング速度（１７分）
との関係を示す実験結果である。エツチング液としては
４９％フッ酸を用い、液温３０℃でエツチングを行った
。第３図より５秒間の照射でエツチング速度は急激に減
少し、それ風上照射時間を長くしてもエツチング速度の
減少は見られないことがわかる。これ／／ｉ５秒間の照
射でＳｉＮ膜の緻密化が完了していることを示している
。
膜に、試料温度が６００℃になるようなパワでタングス
テンハロゲンランプ光を照射する処理を施こした時の、
照射時間（秒）とＳｉＮ膜のエツチング速度（１７分）
との関係を示す実験結果である。エツチング液としては
４９％フッ酸を用い、液温３０℃でエツチングを行った
。第３図より５秒間の照射でエツチング速度は急激に減
少し、それ風上照射時間を長くしてもエツチング速度の
減少は見られないことがわかる。これ／／ｉ５秒間の照
射でＳｉＮ膜の緻密化が完了していることを示している
。
第４図はスパッタ成膜した厚さ約２４００スの３ｉＮ膜
にタングステンハロゲンランプ光照射した時の、照射時
間（秒）とＳｉＮ膜の内部応力との関係を示す実験結果
である。第４図において実線Ａはスパッタリング後のＳ
ｉＮ膜に試料温度が６００℃になるようなパワーでタン
グステンハロゲンランプ光照射した場合の照射時間（秒
）とＳｉＮ膜の内部応力（Ｘ１０９ｄｙｎＡＪ）との関
係を示し、照射開始の初期５秒間で内部応力は大きく変
化し、２０秒照射後はほぼ一定値を示して変化がなく、
内部応力が安定化したことを示す。第４図の破線ＢＦｉ
同ＳｉＮ膜を８００℃になるようなパワーでタングステ
ンハロゲンランプ光照射した場合で、１０秒照射で内部
応力の安定化が達成されるただし１５秒以上照射を続け
ると基板シリコンに欠陥が発生し、見かけ上ＳｉＮ膜の
内部応力が減少する。第４図の一点偵線Ｃは同ＳｉＮ膜
を１０００℃になるようなパワーでタングステンハロゲ
ンランプ光照射した場合で、内部応力の安定化が達成さ
れる前に基板シリコンに欠陥が発生し始めることがわか
る。以上の結果から６００℃では２０秒以上、８００℃
では１０〜１５秒タングステンハロゲンランプ光照射を
行えば緻密で内部応力の安定化したスパッタＳｉＮ膜が
得られることがわかる。この膜を８００℃以下の温度で
通常の電気炉等で再度熱処理しても膜の内部応力はほと
んど変化が見られなかった。
にタングステンハロゲンランプ光照射した時の、照射時
間（秒）とＳｉＮ膜の内部応力との関係を示す実験結果
である。第４図において実線Ａはスパッタリング後のＳ
ｉＮ膜に試料温度が６００℃になるようなパワーでタン
グステンハロゲンランプ光照射した場合の照射時間（秒
）とＳｉＮ膜の内部応力（Ｘ１０９ｄｙｎＡＪ）との関
係を示し、照射開始の初期５秒間で内部応力は大きく変
化し、２０秒照射後はほぼ一定値を示して変化がなく、
内部応力が安定化したことを示す。第４図の破線ＢＦｉ
同ＳｉＮ膜を８００℃になるようなパワーでタングステ
ンハロゲンランプ光照射した場合で、１０秒照射で内部
応力の安定化が達成されるただし１５秒以上照射を続け
ると基板シリコンに欠陥が発生し、見かけ上ＳｉＮ膜の
内部応力が減少する。第４図の一点偵線Ｃは同ＳｉＮ膜
を１０００℃になるようなパワーでタングステンハロゲ
ンランプ光照射した場合で、内部応力の安定化が達成さ
れる前に基板シリコンに欠陥が発生し始めることがわか
る。以上の結果から６００℃では２０秒以上、８００℃
では１０〜１５秒タングステンハロゲンランプ光照射を
行えば緻密で内部応力の安定化したスパッタＳｉＮ膜が
得られることがわかる。この膜を８００℃以下の温度で
通常の電気炉等で再度熱処理しても膜の内部応力はほと
んど変化が見られなかった。
上記ＳｉＮ膜を積層高密度集積素子のデバイス間絶縁膜
とすることによシ、電気的絶縁性にすぐれ、しかも製造
工程中に割れたり変形することのない絶縁膜を得ること
ができ、多数のデバイスを積層してより高密度な装置を
得ることができる０上記実施例はマグネトロンスパッタ
リング法を利用した場合を挙げたが、通常のＲＦス／Ｎ
６ツタリング法を利用する場合でも本発明を適用するこ
とができる。
とすることによシ、電気的絶縁性にすぐれ、しかも製造
工程中に割れたり変形することのない絶縁膜を得ること
ができ、多数のデバイスを積層してより高密度な装置を
得ることができる０上記実施例はマグネトロンスパッタ
リング法を利用した場合を挙げたが、通常のＲＦス／Ｎ
６ツタリング法を利用する場合でも本発明を適用するこ
とができる。
く効果〉
以上本発明によれば、スパッタリング法によってＳｉＮ
膜を作製した後、６００〜８ｏｏ℃になるようなパワー
でタングステンハロゲンランプ光照射を、基板シリコン
に欠陥が発生しない時間内で行うことによシ、緻密で熱
的に内部応力の安定したＳｉＮ膜を得ることができる。
膜を作製した後、６００〜８ｏｏ℃になるようなパワー
でタングステンハロゲンランプ光照射を、基板シリコン
に欠陥が発生しない時間内で行うことによシ、緻密で熱
的に内部応力の安定したＳｉＮ膜を得ることができる。
第１図は積層高密度集積素子の概略断面図、第２図は本
発明における熱処理に用いたタングステンハロゲンラン
プ光照射装置の模式図、第３図は本発明によるスパッタ
ＳｉＮ膜の特性を説明するためのタングステンハロゲン
ランプ光照射時間とスパッタＳｉＮ膜のエツチング速度
の関係を示す図、第４図は本発明によるスパッタＳｉＮ
膜のタングステンハロゲンランプ光照射時間と膜の内部
応力の関係を示す図である。 ｌＯ：第１層目デバイス ２０：第２層目デバイス ３
０ヱ絶縁層 第１図 卯 卯 第２図 照射時ｒｌｌ ＜ｖ＞ 厘射埼聞 け〉 ＣＯ−
発明における熱処理に用いたタングステンハロゲンラン
プ光照射装置の模式図、第３図は本発明によるスパッタ
ＳｉＮ膜の特性を説明するためのタングステンハロゲン
ランプ光照射時間とスパッタＳｉＮ膜のエツチング速度
の関係を示す図、第４図は本発明によるスパッタＳｉＮ
膜のタングステンハロゲンランプ光照射時間と膜の内部
応力の関係を示す図である。 ｌＯ：第１層目デバイス ２０：第２層目デバイス ３
０ヱ絶縁層 第１図 卯 卯 第２図 照射時ｒｌｌ ＜ｖ＞ 厘射埼聞 け〉 ＣＯ−
Claims (1)
- １、 スパッタリング法によってシリコン基板上に窒化
シリコン膜を作製する方法において、スノ々ツタ成膜後
、６００〜８００℃の温度で、且つシリコン基板にほと
んど欠陥を生じさせない時間加熱処理１．て内部応力の
値を安定化せしめることを特徴とする窒化シリコン膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118079A JPS6012737A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 窒化シリコン膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58118079A JPS6012737A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 窒化シリコン膜の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6012737A true JPS6012737A (ja) | 1985-01-23 |
| JPH0456453B2 JPH0456453B2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=14727472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58118079A Granted JPS6012737A (ja) | 1983-07-01 | 1983-07-01 | 窒化シリコン膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6012737A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634624A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4948482A (en) * | 1987-12-29 | 1990-08-14 | Hoya Corporation | Method for forming silicon nitride film |
| US5264724A (en) * | 1989-02-13 | 1993-11-23 | The University Of Arkansas | Silicon nitride for application as the gate dielectric in MOS devices |
| JPH06333922A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nippondenso Co Ltd | 装置保護膜および装置保護膜の製造方法 |
| WO2002047170A1 (fr) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
| JP2021147678A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 株式会社アルバック | 誘電体膜の形成方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830789A (ja) * | 1971-08-23 | 1973-04-23 |
-
1983
- 1983-07-01 JP JP58118079A patent/JPS6012737A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4830789A (ja) * | 1971-08-23 | 1973-04-23 |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS634624A (ja) * | 1986-06-25 | 1988-01-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
| US4948482A (en) * | 1987-12-29 | 1990-08-14 | Hoya Corporation | Method for forming silicon nitride film |
| US5264724A (en) * | 1989-02-13 | 1993-11-23 | The University Of Arkansas | Silicon nitride for application as the gate dielectric in MOS devices |
| JPH06333922A (ja) * | 1993-05-19 | 1994-12-02 | Nippondenso Co Ltd | 装置保護膜および装置保護膜の製造方法 |
| WO2002047170A1 (fr) * | 2000-12-08 | 2002-06-13 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur |
| JP2021147678A (ja) * | 2020-03-23 | 2021-09-27 | 株式会社アルバック | 誘電体膜の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0456453B2 (ja) | 1992-09-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000030996A (ja) | Ｓｏｉウエーハの製造方法及びｓｏｉウエーハ | |
| JPH0563205A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS59169121A (ja) | 半導体デバイスの製造方法 | |
| JPS6012737A (ja) | 窒化シリコン膜の製造方法 | |
| JPS59114829A (ja) | 窒化シリコン膜の製造方法 | |
| JPH0745475A (ja) | 薄膜コンデンサ及びその製造方法 | |
| JP3142457B2 (ja) | 強誘電体薄膜キャパシタの製造方法 | |
| JPH0964319A (ja) | Ｓｏｉ基板およびその製造方法 | |
| JPH11177048A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
| JPS59114853A (ja) | 積層集積回路素子の製造方法 | |
| JPS62261128A (ja) | Ｍｏｓ型半導体装置の製造方法 | |
| JPH0223030B2 (ja) | ||
| JPS59114830A (ja) | 窒化シリコン膜の製造方法 | |
| JPH03225829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59191354A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0355829A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH0281421A (ja) | 多結晶シリコン膜の形成方法 | |
| JP2504558B2 (ja) | 熱酸化膜の形成方法 | |
| JPH029449B2 (ja) | ||
| JPS63291485A (ja) | 酸化物超電導回路の製造方法 | |
| JPS622654A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS58175844A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS59188957A (ja) | 半導体装置用キヤパシタの製造方法 | |
| JPS61135156A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS6252923A (ja) | 誘電体による半導体層の絶縁分離方法 |