JPS6011849A - 静電潜像担持体 - Google Patents
静電潜像担持体Info
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- JPS6011849A JPS6011849A JP58112094A JP11209483A JPS6011849A JP S6011849 A JPS6011849 A JP S6011849A JP 58112094 A JP58112094 A JP 58112094A JP 11209483 A JP11209483 A JP 11209483A JP S6011849 A JPS6011849 A JP S6011849A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08214—Silicon-based
- G03G5/0825—Silicon-based comprising five or six silicon-based layers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
ピ）産業上の利用分野
本発明は、アモルファスシリコンを生成分とＴ。
／−／′
る光導電層が形成された静電潜像担持体に関−Ｔるもの
である。
である。
１０１従来技術
アモルファスシリコンを生成分とする静電潜像担持体は
、セレンや硫化カドミウムを生成分とするものに比較し
て、ｌＴ１熱性や耐摩耗性に富み、無害であるとともに
高光感度であること等の種々の長所を有している。
、セレンや硫化カドミウムを生成分とするものに比較し
て、ｌＴ１熱性や耐摩耗性に富み、無害であるとともに
高光感度であること等の種々の長所を有している。
また、長波長光に対しても充分な感度を有Ｔるので、複
写機やレーサプリンタを用いたインテリジェントコピア
にも使用できる特長を存している。
写機やレーサプリンタを用いたインテリジェントコピア
にも使用できる特長を存している。
しかしながら、静電潜像担持体の特性上、帯電を繰り返
丁ことによって、表面が劣化し、その結果静電潜像が流
れるという現象が生じる。
丁ことによって、表面が劣化し、その結果静電潜像が流
れるという現象が生じる。
その原因は明確ではないが、元来光導電層にはその暗抵
抗を高めるＴこめ酸素や窒素等の添加物が若干ドーピン
グされており、この添加物が帯電な繰返Ｔことにより発
生下る窒素イオン等と結合し、その結果暗抵抗が低下Ｔ
るためであると考えられる。かといって、この添加物を
多くドーピング下ると抵抗が大きくなりＴぎ、今度は感
度が低下下るという問題が生じる。
抗を高めるＴこめ酸素や窒素等の添加物が若干ドーピン
グされており、この添加物が帯電な繰返Ｔことにより発
生下る窒素イオン等と結合し、その結果暗抵抗が低下Ｔ
るためであると考えられる。かといって、この添加物を
多くドーピング下ると抵抗が大きくなりＴぎ、今度は感
度が低下下るという問題が生じる。
そのＴこめ、表面硬度の高いアモルファスシリコンを静
電潜像担持体として使用Ｔる場合、複写プロセスを数千
回動作させる毎に、その表面を研削し低抵抗化した部分
を削り落丁心細があつ１こ。この点、静電潜像担持体が
セレンや硫化カドミウムにて形成されているものは、表
面硬度が低いので、複写プロセスを繰返Ｔうちに、クリ
ーニング手段等によりその表面が徐々に研削され、あら
Ｔこめて研削Ｔる必要はない。
電潜像担持体として使用Ｔる場合、複写プロセスを数千
回動作させる毎に、その表面を研削し低抵抗化した部分
を削り落丁心細があつ１こ。この点、静電潜像担持体が
セレンや硫化カドミウムにて形成されているものは、表
面硬度が低いので、複写プロセスを繰返Ｔうちに、クリ
ーニング手段等によりその表面が徐々に研削され、あら
Ｔこめて研削Ｔる必要はない。
し→ 発明の目的
本発明は上記従来技術の難点に鑑みてなされたもので、
複写プロセスを多数回実行させτも、劣化しない静電潜
像担持体を実現４ｔんとＴるものである。
複写プロセスを多数回実行させτも、劣化しない静電潜
像担持体を実現４ｔんとＴるものである。
に）発明の構成
本発明は、光導電層が、アモルファスシリコンを高抵抗
化Ｔる物質がドーピングされず低抵抗の基層と、この基
層よりも肉薄で＠紀物質がドーピングされた高抵抗層と
、前記基層よりも肉薄で前記物質がドーピングされない
低抵抗層とにより形成され、前記高抵抗層と低抵抗層が
基層の表面上に交互に積層されていることを特徴とＴる
静電潜像担持体である。
化Ｔる物質がドーピングされず低抵抗の基層と、この基
層よりも肉薄で＠紀物質がドーピングされた高抵抗層と
、前記基層よりも肉薄で前記物質がドーピングされない
低抵抗層とにより形成され、前記高抵抗層と低抵抗層が
基層の表面上に交互に積層されていることを特徴とＴる
静電潜像担持体である。
（ホ）実施例
第１Ｎは本発明の一実施例を示Ｔ部分拡大断面因である
。この図において、（１声はアルミニウム製の支持体で
、この支持体ｉｌｌ上には、低抵抗のアモルファスシリ
コンにて形成され１こ厚さが２０μｍの基層＋２１が形
成されている。そして、この基層＋２１の上部には、ア
モルファスシリコンを高抵抗化下る物質である窒素がド
ーピングされ１こ、＠１の高抵抗層（３ａ）が１１層さ
れている。この第１の高抵抗層の上部には窒素がドーピ
ングされない、第１の低抵抗層（＋ａ）が積層されてい
る。この第７の低抵抗＃（斗ａ）の上部には、前記第１
の高抵抗層（５ａ）よりも多量の窒素がドーピングされ
た。第２の高抵抗層（３ｂ）が積層され、この第２の高
抵抗層（３ｂ）の上部には、前記と同様な第２の低抵抗
層（４ｂ）が積層されている。そして、第２の低抵抗Ｉ
Ｉ（４ｂ）の上部には、第２の高抵抗層（３ｂ）より更
に多量の窒素がドーピングされ１こ第３の高抵抗層（６
Ｃ）が積層されている。なお前記各高抵抗層（３ａ）（
３ｂ）（５０）と、各低抵抗層（４ｍ）（４ｂ）の厚さ
は。
。この図において、（１声はアルミニウム製の支持体で
、この支持体ｉｌｌ上には、低抵抗のアモルファスシリ
コンにて形成され１こ厚さが２０μｍの基層＋２１が形
成されている。そして、この基層＋２１の上部には、ア
モルファスシリコンを高抵抗化下る物質である窒素がド
ーピングされ１こ、＠１の高抵抗層（３ａ）が１１層さ
れている。この第１の高抵抗層の上部には窒素がドーピ
ングされない、第１の低抵抗層（＋ａ）が積層されてい
る。この第７の低抵抗＃（斗ａ）の上部には、前記第１
の高抵抗層（５ａ）よりも多量の窒素がドーピングされ
た。第２の高抵抗層（３ｂ）が積層され、この第２の高
抵抗層（３ｂ）の上部には、前記と同様な第２の低抵抗
層（４ｂ）が積層されている。そして、第２の低抵抗Ｉ
Ｉ（４ｂ）の上部には、第２の高抵抗層（３ｂ）より更
に多量の窒素がドーピングされ１こ第３の高抵抗層（６
Ｃ）が積層されている。なお前記各高抵抗層（３ａ）（
３ｂ）（５０）と、各低抵抗層（４ｍ）（４ｂ）の厚さ
は。
夫々１００ＣＡである。
第２図および第３図は５本発明静電潜像担持体の製造方
法を具体化ＴるためのプラズマＣＶＤ装置を示すもので
、第２図は模式図、第３図は一部断面斜視図である。こ
れらの図において、（５）は、静電潜像担持体および各
種のガスを封入Ｔる中空円筒状の容器である。この容器
（５］には内部のガスを吸引排気ＴるＴこめの、ロータ
リーポンプ（６）およびメカニカルブースターポンプ（
７）が直列接続されている。なお、場合によってはデュ
フユージョンボンブが備えられ１いてもよい。容器（５
）の内部（二は円柱状でかつ断面がコ字状のプラズマシ
ールド部は（８）が備えられている。そしてこのプラズ
マシールド部材（８）の内部には円柱状でかつ中空環状
の電極（９）が備えられ、この電極（９１の内■１１に
は、静電潜像担持体の支持体としての円筒体（１）が内
挿されている。この円筒体（ＩＩは、モータ（１〔の回
転ｍｕに固着されＴこホルダ（１７Ｊ上に装置され、そ
の上端には、開孔を閉塞Ｔるカバー任）が装着されてい
る。（１４１は容器（５１、プラズマシールド部材（８
）および電極（９１の外側壁を軸線と直交方向に貫通下
るガス供給用パイプである。そしてこのガス供給用パイ
プ（１４１の内部には、電極（９）に高周波電力を印加
Ｔるための導電線（１５１が挿通されている。また、電
極（９（の内側壁には、ガスを噴出Ｔるための複数個の
貫通孔（９ａ）・・・が、回転軸線と平行して連続的に
開設されている。なお、この貫通孔（９ａ）・・・は、
電極（９；の内側壁の全（４）（二わたって開設されて
かてもよいし、また部分的ｆ二開設されていてもよい。
法を具体化ＴるためのプラズマＣＶＤ装置を示すもので
、第２図は模式図、第３図は一部断面斜視図である。こ
れらの図において、（５）は、静電潜像担持体および各
種のガスを封入Ｔる中空円筒状の容器である。この容器
（５］には内部のガスを吸引排気ＴるＴこめの、ロータ
リーポンプ（６）およびメカニカルブースターポンプ（
７）が直列接続されている。なお、場合によってはデュ
フユージョンボンブが備えられ１いてもよい。容器（５
）の内部（二は円柱状でかつ断面がコ字状のプラズマシ
ールド部は（８）が備えられている。そしてこのプラズ
マシールド部材（８）の内部には円柱状でかつ中空環状
の電極（９）が備えられ、この電極（９１の内■１１に
は、静電潜像担持体の支持体としての円筒体（１）が内
挿されている。この円筒体（ＩＩは、モータ（１〔の回
転ｍｕに固着されＴこホルダ（１７Ｊ上に装置され、そ
の上端には、開孔を閉塞Ｔるカバー任）が装着されてい
る。（１４１は容器（５１、プラズマシールド部材（８
）および電極（９１の外側壁を軸線と直交方向に貫通下
るガス供給用パイプである。そしてこのガス供給用パイ
プ（１４１の内部には、電極（９）に高周波電力を印加
Ｔるための導電線（１５１が挿通されている。また、電
極（９（の内側壁には、ガスを噴出Ｔるための複数個の
貫通孔（９ａ）・・・が、回転軸線と平行して連続的に
開設されている。なお、この貫通孔（９ａ）・・・は、
電極（９；の内側壁の全（４）（二わたって開設されて
かてもよいし、また部分的ｆ二開設されていてもよい。
１１６）は電極（９１に高周波電力な印加Ｔるための高
周波電源である。
周波電源である。
前記円筒体（１；の内部には棒状のヒータ（１７）が挿
入され、このヒータａηの下端は前記ホルダ（１２１上
に固設されている。なお、回転軸（１１１には前記ヒー
タ任りに給電するブラシ（＋８１（１８１が備えられて
いる。
入され、このヒータａηの下端は前記ホルダ（１２１上
に固設されている。なお、回転軸（１１１には前記ヒー
タ任りに給電するブラシ（＋８１（１８１が備えられて
いる。
（Ｉ９は酸素（０２）ガスボンベ、■は水素（Ｈ２）ガ
スボンベ、ｅＪはモノシラン（ＳｉＨ４）ガスボンベ、
ｔａはジボラン（８２Ｈ６）ガスボンベ、儲はアルゴン
（Ａｒ）ガスボンベ、そして０４はアンモニア（Ｎ Ｈ
Ｓ ｂトチ）カスボンベである。（至）（２６１（２７
）（２８）０１ Ｇｌ ハ、各ホｙ ヘ（１９（２Ｈ１
１（２２１Ｗ’１（２４１カラ（Ｄ Ｎ スのｉ量をコ
ントロールするマスプローコントローラである。ｃｔｎ
ｙｚいしく４３は各ガスの通路を開閉下るパルプである
。
スボンベ、ｅＪはモノシラン（ＳｉＨ４）ガスボンベ、
ｔａはジボラン（８２Ｈ６）ガスボンベ、儲はアルゴン
（Ａｒ）ガスボンベ、そして０４はアンモニア（Ｎ Ｈ
Ｓ ｂトチ）カスボンベである。（至）（２６１（２７
）（２８）０１ Ｇｌ ハ、各ホｙ ヘ（１９（２Ｈ１
１（２２１Ｗ’１（２４１カラ（Ｄ Ｎ スのｉ量をコ
ントロールするマスプローコントローラである。ｃｔｎ
ｙｚいしく４３は各ガスの通路を開閉下るパルプである
。
上記のようなプラズマＣＶＤ装置にて、静電潜像担持体
を製造Ｔるには、次のような工程にでこれを行なえばよ
い。
を製造Ｔるには、次のような工程にでこれを行なえばよ
い。
先ず、アルミニウム製の円筒体（１）をホルダ（１２１
上に載置Ｔる。なお、この円筒体Ｈ１の外側壁は超仕上
がされている。次いで、カバー（１３Ｉで閉塞し１こ彎
、容器（５）内の空気を、２種類のポンプｆ（ｉｌｆ７
１等で１×１０ ’ ＴＯｒｒ程度まで吸引排気Ｔる。
上に載置Ｔる。なお、この円筒体Ｈ１の外側壁は超仕上
がされている。次いで、カバー（１３Ｉで閉塞し１こ彎
、容器（５）内の空気を、２種類のポンプｆ（ｉｌｆ７
１等で１×１０ ’ ＴＯｒｒ程度まで吸引排気Ｔる。
そして円筒体＋１１内に挿入されたヒータｆ＋７１にて
、これを２００℃〜３００℃まで昇温Ｔる。この際円筒
体１１１はモータ（１０１によりＩＱｒｐｍで回転して
いる。
、これを２００℃〜３００℃まで昇温Ｔる。この際円筒
体１１１はモータ（１０１によりＩＱｒｐｍで回転して
いる。
その後、容器（４１内にアルゴンガスな充満させて１Ｔ
ｏｒｒに保持し、電極（９）と円筒体ＩＩＩとの間（＝
電力が５０１Ｆ％局波数が１８．５６ＭＨ２％電圧が５
ＫＶの高周波電力を印加して、約２０分間プラズマ放電
を生起させる。下ると円筒体（１１の表面に極微細な凹
凸が形成される。このように円筒体ｆｌｌの表面に凹凸
を形成下るのは、その上に光導電層＋２１を被着させや
Ｔ＜Ｔるためである。円筒体＋１１の表面に凹凸を形成
した後、前記ポンプ＋６１［７１にてアルゴンガスを排
出して、容器（５）内の圧力を再度１ｘ１Ｑ Ｔｏｒｒ
ＣＴる。
ｏｒｒに保持し、電極（９）と円筒体ＩＩＩとの間（＝
電力が５０１Ｆ％局波数が１８．５６ＭＨ２％電圧が５
ＫＶの高周波電力を印加して、約２０分間プラズマ放電
を生起させる。下ると円筒体（１１の表面に極微細な凹
凸が形成される。このように円筒体ｆｌｌの表面に凹凸
を形成下るのは、その上に光導電層＋２１を被着させや
Ｔ＜Ｔるためである。円筒体＋１１の表面に凹凸を形成
した後、前記ポンプ＋６１［７１にてアルゴンガスを排
出して、容器（５）内の圧力を再度１ｘ１Ｑ Ｔｏｒｒ
ＣＴる。
次いで、容器（５１内にモノシランガスを２００ｅｃ／
分、水素ガスを１０１！ｃ／分、ジボランガスを５００
ｘ１０ ｅｅ／分、酸素ガスを１０鴬／分の流量で導入
して、圧力をＩＴｏｒｒに保持Ｔる。
分、水素ガスを１０１！ｃ／分、ジボランガスを５００
ｘ１０ ｅｅ／分、酸素ガスを１０鴬／分の流量で導入
して、圧力をＩＴｏｒｒに保持Ｔる。
このように各ガスを導入しつつ前記と同様に６００Ｗの
電力で約３時間プラズマ放電を生起させる。
電力で約３時間プラズマ放電を生起させる。
この際、未反応のガスは図示せぬパルプから排出され、
容器（５）内の圧力は常にＩＴｏｒｒに保持さ◆ れる。七うＴると、円筒体Ｉｌ＋の表面に厚さが２０μ
ｍの水素化アモルファスシリコンで形成された基層Ｃ２
１が形成される。
容器（５）内の圧力は常にＩＴｏｒｒに保持さ◆ れる。七うＴると、円筒体Ｉｌ＋の表面に厚さが２０μ
ｍの水素化アモルファスシリコンで形成された基層Ｃ２
１が形成される。
その後、前記と同様にして、容器（５１内の残留がスを
排気する。次いで、容器＋５１内にモノシランガスな１
０’Ｏａｅ／分、水素ガスを！１５ｅｃ／分、アンモニ
アガスを１５伽／分、ジボランガスな２５０ｘｉＱ ｅ
ｅ／分の流量で導入して、圧力を１Ｔｏｒｒに保持しつ
つ５０Ｗの電力で、１分間プラズマ放電を生起させる。
排気する。次いで、容器＋５１内にモノシランガスな１
０’Ｏａｅ／分、水素ガスを！１５ｅｃ／分、アンモニ
アガスを１５伽／分、ジボランガスな２５０ｘｉＱ ｅ
ｅ／分の流量で導入して、圧力を１Ｔｏｒｒに保持しつ
つ５０Ｗの電力で、１分間プラズマ放電を生起させる。
七うＴると、窒素がドーピングされた第１の高抵抗層（
３ａ）が形成される。
３ａ）が形成される。
次いで、容器（５）内の残留ガスを排気し、モノシラン
ガスを１００１！１！／分、水素ガスを５閏／分、ジボ
ランガスを２５０Ｘ１０ ”７分の流量で導入して、前
述と同様に５０Ｗの電力で１分間プラズマ放電を生起さ
せると、窒素がドーピングされない第１の低抵抗層（４
ａ）が形成される。
ガスを１００１！１！／分、水素ガスを５閏／分、ジボ
ランガスを２５０Ｘ１０ ”７分の流量で導入して、前
述と同様に５０Ｗの電力で１分間プラズマ放電を生起さ
せると、窒素がドーピングされない第１の低抵抗層（４
ａ）が形成される。
その後、＠述と同様にして第２の高抵抗Ｒ（′５ｂ）を
形成Ｔるのであるが、この際アンモニアガスの流量のみ
を増加させて２５ｅ１！／分とＴる。
形成Ｔるのであるが、この際アンモニアガスの流量のみ
を増加させて２５ｅ１！／分とＴる。
次いで、前述と同様にして第２の低抵抗層（４ｂ）を形
成下る。
成下る。
最後に、第３の高抵抗層（５ｃ）を形成下るのであるが
、この際アンモニアガスの流量のみを５０ば７分に増加
させる。
、この際アンモニアガスの流量のみを５０ば７分に増加
させる。
而して、円筒体ｉｌ＋を徐々に冷却し、容ａ（５＋から
取り出せば静電潜像担持体の完成品を得ることができる
。
取り出せば静電潜像担持体の完成品を得ることができる
。
次に他の実施例について説明下る。第４図は他の実施例
を示Ｔ部分拡大断面図である。この実施例は前記実施例
と類似下る構造となっているが、異なる点は、＠１％第
２、第５の高抵抗層（３ａ）（５ｂ）（３０）の窒素の
ドーピング量が同一で、かつその厚さが表面に近い程肉
厚に形成されていることである。異体的には、第１の高
抵抗層（３ａ）の厚さは１００ Ｘ 、 第２の高抵抗
層（３ｂ）の厚さは３００ＣＡ、そして第３の高抵抗層
（３ｃ）の厚さは７００スである。
を示Ｔ部分拡大断面図である。この実施例は前記実施例
と類似下る構造となっているが、異なる点は、＠１％第
２、第５の高抵抗層（３ａ）（５ｂ）（３０）の窒素の
ドーピング量が同一で、かつその厚さが表面に近い程肉
厚に形成されていることである。異体的には、第１の高
抵抗層（３ａ）の厚さは１００ Ｘ 、 第２の高抵抗
層（３ｂ）の厚さは３００ＣＡ、そして第３の高抵抗層
（３ｃ）の厚さは７００スである。
このようＩ：高抵抗層Ｃ５ａ）（！１ｂ）（３ｃ）の厚
さを変えるには、プラズマ放電をさせる時間を変えれば
よい。
さを変えるには、プラズマ放電をさせる時間を変えれば
よい。
なお、アモルファスシリコンを高抵抗化させるための物
質としては、窒素の他に炭素、酸素、硼素を挙げること
ができる。第１の実施例において基層（２１に酸素が若
干ドーピングされているが、これは基層（２（の抵抗を
適当な値に調整Ｔるためのもので、高抵抗層（３ａ）（
、！１ｂ）（３ｃ）の抵抗よりは充分に低い。
質としては、窒素の他に炭素、酸素、硼素を挙げること
ができる。第１の実施例において基層（２１に酸素が若
干ドーピングされているが、これは基層（２（の抵抗を
適当な値に調整Ｔるためのもので、高抵抗層（３ａ）（
、！１ｂ）（３ｃ）の抵抗よりは充分に低い。
に）発明の効果
本発明では、基層の上部に高抵抗の薄肉の層と、低抵抗
の薄肉の層とが、交互に積層されているので、多層間の
相互作用により、高感度を維持しつつ長寿命の静電潜像
担持体を実現Ｔることかできる。
の薄肉の層とが、交互に積層されているので、多層間の
相互作用により、高感度を維持しつつ長寿命の静電潜像
担持体を実現Ｔることかできる。
この理由は明確ではないが、本発明の実施例と、従来例
とを比較実験した結果、本発明の実施例が従来例の５倍
以上の寿命を有Ｔることが確認で六た。
とを比較実験した結果、本発明の実施例が従来例の５倍
以上の寿命を有Ｔることが確認で六た。
また、高抵抗層は表面に近い程、７′モルファスシリコ
ンを高抵抗化Ｔる物質の含仔率が高いので、複写プロセ
スを多数回実行しても、抵抗は低下し難い。この効果は
、表面に近い高抵抗層が厚い場合にも同様に現われる。
ンを高抵抗化Ｔる物質の含仔率が高いので、複写プロセ
スを多数回実行しても、抵抗は低下し難い。この効果は
、表面に近い高抵抗層が厚い場合にも同様に現われる。
図面はいずれも本発明の実施例？、説明下るもので、＠
１図は一実施例を示Ｔ部分拡大断面図、第２図および梁
６図はプラズマＣＶＤ装置を示Ｔ模式図、および部分断
面斜視図、第４図は他の実施例を示す部分拡大断面図で
ある。 （１）・・・支持体（円筒体） 、 ＋２１・・・基層
、（３ａ）（３ｂ ） （５ｃ ）−高抵抗層、（４ａ
） （４ｂ ） −低抵抗層、（５）・・・容器、（
９）・・・電極、（］６１・・・高司波電源、（１，９
（２０（２１１（２卸１４１・・・各種ガスボンベ。 昭和５９年８月７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１１２０９４号 ２、発明の名称 静電潜像担持体 ６、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１８８）三洋電機株式会社 ４、代 理 人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 連絡先：電話（東京） ８３５−１１１１特許センター
駐在中川５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の瀾。 ６、補正の内容 明細書の第２ページの第１７行ないし第１８行に「イン
テリジェントコピア」とあるのを「インテリジェント複
写機」と補正する。 以」ニ
１図は一実施例を示Ｔ部分拡大断面図、第２図および梁
６図はプラズマＣＶＤ装置を示Ｔ模式図、および部分断
面斜視図、第４図は他の実施例を示す部分拡大断面図で
ある。 （１）・・・支持体（円筒体） 、 ＋２１・・・基層
、（３ａ）（３ｂ ） （５ｃ ）−高抵抗層、（４ａ
） （４ｂ ） −低抵抗層、（５）・・・容器、（
９）・・・電極、（］６１・・・高司波電源、（１，９
（２０（２１１（２卸１４１・・・各種ガスボンベ。 昭和５９年８月７日 特許庁長官殿 １、事件の表示 昭和５８年特許願第１１２０９４号 ２、発明の名称 静電潜像担持体 ６、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （１８８）三洋電機株式会社 ４、代 理 人 住所 守口市京阪本通２丁目１８番地 連絡先：電話（東京） ８３５−１１１１特許センター
駐在中川５、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の瀾。 ６、補正の内容 明細書の第２ページの第１７行ないし第１８行に「イン
テリジェントコピア」とあるのを「インテリジェント複
写機」と補正する。 以」ニ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、導電性の支持体上にアモルファスシリコンを主成分
とＴる光導電層が形成された静電潜像担持体において、 光導電層は、低抵抗のアモルファスシリコンにて形成さ
れた基層と、この基層よりも薄肉でアモルファスシリコ
ンを高抵抗化Ｔる物質がドーピングされた高抵抗層と、
前記基層よりも薄肉で前記物質がドーピングされない低
抵抗層とよりなり、前記高抵抗層と低抵抗層が基層の表
面上に交互に積層されていることを特徴とＴる静電潜像
担持体。 ２、 アモルファスシリコンを高抵抗化Ｔる物質が、窒
素、炭素、酸素のうちのいずれかである特許請求の範囲
第１項記載の静電潜像担持体。 ８、高抵抗層が少なくとも２層設けられ、それらの層は
表面に近い程、アモルファスシリコンを高抵抗化Ｔる物
質の含宵率が高い特許請求の範囲９１１項若しくは第２
項記載の静電潜像担持体。 ４ 高抵抗層が少なくとも２層設けられ、それらの層は
表面に近い程肉厚に形成される特許請求の範囲第１項な
いし第６項のいずれかに１載の静’Ｊ［ｉ’＃像担持体
。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112094A JPS6011849A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 静電潜像担持体 |
| US06/621,087 US4568622A (en) | 1983-06-21 | 1984-06-15 | Electrophotographic photosensitive member and method for making such a member containing amorphous silicon |
| US06/820,985 US4670367A (en) | 1983-06-21 | 1986-01-21 | Electrophotographic photosensitive member and method for making such a member |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58112094A JPS6011849A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 静電潜像担持体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6011849A true JPS6011849A (ja) | 1985-01-22 |
| JPH0456303B2 JPH0456303B2 (ja) | 1992-09-08 |
Family
ID=14577962
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58112094A Granted JPS6011849A (ja) | 1983-06-21 | 1983-06-21 | 静電潜像担持体 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4568622A (ja) |
| JP (1) | JPS6011849A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62154673A (ja) * | 1985-12-27 | 1987-07-09 | Canon Inc | 光受容部材 |
| JPS62166352A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-22 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS62166354A (ja) * | 1986-01-18 | 1987-07-22 | Canon Inc | 超薄膜積層横造層を有する光受容部材 |
| JPS62169164A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS62169165A (ja) * | 1986-01-22 | 1987-07-25 | Canon Inc | 超薄膜積層構造を有する光受容部材 |
| JPS632058A (ja) * | 1986-06-23 | 1988-01-07 | Canon Inc | 超薄膜積層構造層を有する光受容部材 |
| JPS6364054A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-22 | Sanyo Electric Co Ltd | 静電潜像担持体 |
| JPS6468010A (en) * | 1987-09-08 | 1989-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Correcting circuit |
| JPH02211709A (ja) * | 1989-02-10 | 1990-08-23 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 減衰装置 |
| JPH04332215A (ja) * | 1991-05-08 | 1992-11-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | オフセット除去装置 |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0789232B2 (ja) * | 1985-05-17 | 1995-09-27 | 株式会社リコー | 電子写真感光体 |
| US4885226A (en) * | 1986-01-18 | 1989-12-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Electrophotographic photosensitive sensor |
| US6974629B1 (en) * | 1999-08-06 | 2005-12-13 | Cardinal Cg Company | Low-emissivity, soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6964731B1 (en) * | 1998-12-21 | 2005-11-15 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6660365B1 (en) * | 1998-12-21 | 2003-12-09 | Cardinal Cg Company | Soil-resistant coating for glass surfaces |
| US6652974B1 (en) | 1999-05-18 | 2003-11-25 | Cardinal Ig Company | Hard, scratch-resistant coatings for substrates |
| CA2550331A1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-07-14 | Cardinal Cg Compagny | Graded photocatalytic coatings |
| EP1765740B1 (en) * | 2004-07-12 | 2007-11-07 | Cardinal CG Company | Low-maintenance coatings |
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| TW200802858A (en) * | 2006-06-26 | 2008-01-01 | Tatung Co Ltd | Structure of semiconductor with low heat carrier effect |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| EP2261186B1 (en) | 2007-09-14 | 2017-11-22 | Cardinal CG Company | Low maintenance coating technology |
| EP3541762B1 (en) | 2016-11-17 | 2022-03-02 | Cardinal CG Company | Static-dissipative coating technology |
Citations (4)
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| JPS57115551A (en) * | 1981-01-09 | 1982-07-19 | Canon Inc | Photoconductive material |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4484809B1 (en) * | 1977-12-05 | 1995-04-18 | Plasma Physics Corp | Glow discharge method and apparatus and photoreceptor devices made therewith |
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-
1983
- 1983-06-21 JP JP58112094A patent/JPS6011849A/ja active Granted
-
1984
- 1984-06-15 US US06/621,087 patent/US4568622A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-01-21 US US06/820,985 patent/US4670367A/en not_active Expired - Lifetime
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4670367A (en) | 1987-06-02 |
| JPH0456303B2 (ja) | 1992-09-08 |
| US4568622A (en) | 1986-02-04 |
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