JPH0461073B2 - - Google Patents
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- JPH0461073B2 JPH0461073B2 JP16189282A JP16189282A JPH0461073B2 JP H0461073 B2 JPH0461073 B2 JP H0461073B2 JP 16189282 A JP16189282 A JP 16189282A JP 16189282 A JP16189282 A JP 16189282A JP H0461073 B2 JPH0461073 B2 JP H0461073B2
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- amorphous silicon
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- silicon layer
- argon gas
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Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアモルフアスシリコン感光体の形成方
法の改良に関するものである。
法の改良に関するものである。
従来技術
アモルフアスシリコン感光体は、セレンや硫化
カドミウムを主成分とする感光体に比べ、耐熱性
や耐摩耗性に富み、無害であると共に、高光感度
を有すること等の種々の長所を有している。ま
た、長波長の光に対してもよく反応するので、普
通の複写機のみならずレーザプリンタ等のインテ
リジエントコピアにも使用できるという利点をも
有している。このように、アモルフアスシリコン
感光体は種々の長所を有しているが、反面感光体
の形成に時間がかかり、非常に高価になるという
難点を有している。
カドミウムを主成分とする感光体に比べ、耐熱性
や耐摩耗性に富み、無害であると共に、高光感度
を有すること等の種々の長所を有している。ま
た、長波長の光に対してもよく反応するので、普
通の複写機のみならずレーザプリンタ等のインテ
リジエントコピアにも使用できるという利点をも
有している。このように、アモルフアスシリコン
感光体は種々の長所を有しているが、反面感光体
の形成に時間がかかり、非常に高価になるという
難点を有している。
この点を具体的に説明すると、従来において
は、先ず第１図に示すような密閉容器１内の空気
を排気して、１×10-6Torr程度にした後、この
容器１に10％のシランガス（ガス化シリコン化合
物）を含有する水素ガスと、20ppMのジボラン
ガスを含有する水素ガスおよび酸素ガスを封入
し、1Torr程度の気圧に保持する。そして容器１
の外側に巻回されたコイル２に、13.56MHzの高
周波を印加することにより容器１内にグロー放電
が生起され、この容器１内に載置されたアルミニ
ウム基板３上に、ボロンがドーピングされた20μ
ｍ程度の厚さのアモルフアスシリコン（ａ−Si：
Ｈ：Ｏ）層が形成される。これに要する時間は約
20時間である。この従来例において、反応速度を
上げるには、シランガスの含有濃度をある程度高
めればよい。しかしながら、シランガスの濃度を
高めると、アモルフアスシリコン層の暗抵抗が低
くなり、感光体としては実用に供し得ない。従つ
て、アモルフアスシリコン層の形成速度を上げる
ため、シランガス濃度を高めるだけでは、実用的
な感光体を形成することはできない。
は、先ず第１図に示すような密閉容器１内の空気
を排気して、１×10-6Torr程度にした後、この
容器１に10％のシランガス（ガス化シリコン化合
物）を含有する水素ガスと、20ppMのジボラン
ガスを含有する水素ガスおよび酸素ガスを封入
し、1Torr程度の気圧に保持する。そして容器１
の外側に巻回されたコイル２に、13.56MHzの高
周波を印加することにより容器１内にグロー放電
が生起され、この容器１内に載置されたアルミニ
ウム基板３上に、ボロンがドーピングされた20μ
ｍ程度の厚さのアモルフアスシリコン（ａ−Si：
Ｈ：Ｏ）層が形成される。これに要する時間は約
20時間である。この従来例において、反応速度を
上げるには、シランガスの含有濃度をある程度高
めればよい。しかしながら、シランガスの濃度を
高めると、アモルフアスシリコン層の暗抵抗が低
くなり、感光体としては実用に供し得ない。従つ
て、アモルフアスシリコン層の形成速度を上げる
ため、シランガス濃度を高めるだけでは、実用的
な感光体を形成することはできない。
発明の目的
本発明はかかる従来の難点に鑑みてなされたも
ので、アモルフアスシリコン層を形成中に、アル
ゴンガスを供給し、シランガス濃度を高めること
なく、アモルフアスシリコン層の形成速度を上げ
んとするものである。
ので、アモルフアスシリコン層を形成中に、アル
ゴンガスを供給し、シランガス濃度を高めること
なく、アモルフアスシリコン層の形成速度を上げ
んとするものである。
発明の構成
本発明はグロー放電法若しくはケミカルデイポ
ジシヨン法により、ガス化シリコン化合物からシ
リコンを析出せしめるための少なくとも２工程を
有し、基板上にアモルフアスシリコン感光体を形
成する方法において、 第１の工程ではアルゴンガスを含有するガス化
シリコン化合物の雰囲気中で基板上に第１のアモ
ルフアスシリコン層を形成し、第２の工程ではア
ルゴンガスを含有しないガス化シリコン化合物の
雰囲気中で、前記第１のアモルフアスシリコン層
上に第２のアモルフアスシリコン層を形成するこ
とを特徴とするものである。
ジシヨン法により、ガス化シリコン化合物からシ
リコンを析出せしめるための少なくとも２工程を
有し、基板上にアモルフアスシリコン感光体を形
成する方法において、 第１の工程ではアルゴンガスを含有するガス化
シリコン化合物の雰囲気中で基板上に第１のアモ
ルフアスシリコン層を形成し、第２の工程ではア
ルゴンガスを含有しないガス化シリコン化合物の
雰囲気中で、前記第１のアモルフアスシリコン層
上に第２のアモルフアスシリコン層を形成するこ
とを特徴とするものである。
作 用
アルゴンガスは、水素ガスやシランガスに比較
して、高周波電力が乗りやすく、激しく放電する
ので、シランガスの他にアルゴンガスが存在する
と、高速度でアモルフアスシリコンが析出され
る。しかしながら、高速度でアモルフアスシリコ
ン層が形成されると、その表面はどうしても荒れ
る。そこで、高速度で形成された第１のアモルフ
アスシリコン層の表面に、アルゴンガスを含有し
ないガス化シリコン化合物の雰囲気中で、第２の
アモルフアスシリコン層を低速度で形成すると、
表面が滑らかな感光体が形成される。
して、高周波電力が乗りやすく、激しく放電する
ので、シランガスの他にアルゴンガスが存在する
と、高速度でアモルフアスシリコンが析出され
る。しかしながら、高速度でアモルフアスシリコ
ン層が形成されると、その表面はどうしても荒れ
る。そこで、高速度で形成された第１のアモルフ
アスシリコン層の表面に、アルゴンガスを含有し
ないガス化シリコン化合物の雰囲気中で、第２の
アモルフアスシリコン層を低速度で形成すると、
表面が滑らかな感光体が形成される。
実施例
本発明の一実施例を、第２図に示した装置に基
いて説明する。１は基板３および各種のガスを封
入する中空円筒状の密閉容器で、この容器１内の
気体を吸引するためのロータリーポンプ５および
メカニカルブースターポンプ４が直列接続され
る。また容器１の外側には、容器１の内部にグロ
ー放電を生起させるためのコイル２が巻回され
る。このコイル２は高周波電源６に接続される。
７はアルゴンガスが封入されたボンベ、８はシラ
ンガスが封入されたボンベ、９はジボランガスが
封入されたボンベ、１０は水素ガスが封入された
ボンベ、そして１１は酸素ガスが封入されたボン
ベである。１２，１３，１４，１５，１６は夫々
のボンベ７，８，９，１０，１１の弁である。
いて説明する。１は基板３および各種のガスを封
入する中空円筒状の密閉容器で、この容器１内の
気体を吸引するためのロータリーポンプ５および
メカニカルブースターポンプ４が直列接続され
る。また容器１の外側には、容器１の内部にグロ
ー放電を生起させるためのコイル２が巻回され
る。このコイル２は高周波電源６に接続される。
７はアルゴンガスが封入されたボンベ、８はシラ
ンガスが封入されたボンベ、９はジボランガスが
封入されたボンベ、１０は水素ガスが封入された
ボンベ、そして１１は酸素ガスが封入されたボン
ベである。１２，１３，１４，１５，１６は夫々
のボンベ７，８，９，１０，１１の弁である。
この装置を使用し、最初容器１内の空気をロー
タリーポンプ５とメカニカルブースターポンプ４
にて吸引排気し、１×10-6Torr程度にした後、
各弁１２，１３，１４，１６を開いて、各ガスを
容器１内に適当に導入し、1Torr程度の気圧に保
持する。
タリーポンプ５とメカニカルブースターポンプ４
にて吸引排気し、１×10-6Torr程度にした後、
各弁１２，１３，１４，１６を開いて、各ガスを
容器１内に適当に導入し、1Torr程度の気圧に保
持する。
この状態で前記コイル２に、500Wで13.56MHz
の高周波を印加すると、容器１内にグロー放電が
生起され、アルミニウム基板３上にアモルフアス
シリコン層１７が形成される（第３図）。この際
の各条件は、シランガスの流量が100c.c.／分、酸
素ガスの流量が1.0c.c.／分、ジボランガスの流量
はアルゴンガスの流量に対して200PPM、基板温
度は250℃である。そして上記条件の下、アルゴ
ンガスの流量を０から240c.c.／分まで変化させて
実験した結果、第４図Ａ，Ｂ，Ｃに示されたグラ
フのような特性を得た。この図において、横軸は
グロー放電時のガス（アルゴンとシラン）流量比
（Ar／SiH4）である。また、縦軸に表わされた帯
電能（Ｖ／Ｈ）は、実用レベルの感光体を形成す
るのに要する時間を理解しやすいように表現した
もので、ある条件で形成したアモルフアスシリコ
ン層の帯電量を、その際の反応時間で除いた数値
で表わされる。例えば500Vの帯電量を保有する
ためには、Ar／SiH4＝２と設定した場合、帯電
能はグラフＡより180V／Ｈとなつて、2.5時間で
所望のアモルフアスシリフン感光体を形成するこ
とができる。
の高周波を印加すると、容器１内にグロー放電が
生起され、アルミニウム基板３上にアモルフアス
シリコン層１７が形成される（第３図）。この際
の各条件は、シランガスの流量が100c.c.／分、酸
素ガスの流量が1.0c.c.／分、ジボランガスの流量
はアルゴンガスの流量に対して200PPM、基板温
度は250℃である。そして上記条件の下、アルゴ
ンガスの流量を０から240c.c.／分まで変化させて
実験した結果、第４図Ａ，Ｂ，Ｃに示されたグラ
フのような特性を得た。この図において、横軸は
グロー放電時のガス（アルゴンとシラン）流量比
（Ar／SiH4）である。また、縦軸に表わされた帯
電能（Ｖ／Ｈ）は、実用レベルの感光体を形成す
るのに要する時間を理解しやすいように表現した
もので、ある条件で形成したアモルフアスシリコ
ン層の帯電量を、その際の反応時間で除いた数値
で表わされる。例えば500Vの帯電量を保有する
ためには、Ar／SiH4＝２と設定した場合、帯電
能はグラフＡより180V／Ｈとなつて、2.5時間で
所望のアモルフアスシリフン感光体を形成するこ
とができる。
第４図から明らかなように、シランガスに対す
るアルゴンガスの混合量を増加させると、アモル
フアスシリコン層の成長速度（形成速度）、およ
び帯電能が増加する。なお、感度については増加
は見られないが、セレンを用いた感光体に対し遜
色がない。このように、アルゴンガスを添加して
アモルフアスシリコン感光体を形成すると、成長
速度が増加するにも拘わらず、電気的特性は低下
しない。従つて従来の難点は解決される。
るアルゴンガスの混合量を増加させると、アモル
フアスシリコン層の成長速度（形成速度）、およ
び帯電能が増加する。なお、感度については増加
は見られないが、セレンを用いた感光体に対し遜
色がない。このように、アルゴンガスを添加して
アモルフアスシリコン感光体を形成すると、成長
速度が増加するにも拘わらず、電気的特性は低下
しない。従つて従来の難点は解決される。
しかしながら、アルゴンガスを添加しただけで
は、なお次のような問題点が残る。即ち、アモル
フアスシリコン層を高速度で形成すると、どうし
てもその表面が荒れる点である。そこで、アルゴ
ンガスを添加した状態で、20μｍ程度の厚さのア
モルフアスシリコン層を形成した後、アルゴンガ
スの代りに水素ガスを添加し、従来通りの方法に
て1μｍ程度の厚さのアモルフアスシリコン層を
ゆつくり形成すると、表面が滑らかなアモルフア
スシリコン感光体を製造することができる。その
為には、第２図の弁１２，１３，１４，１６を閉
じて、容器１内のガスを排出した後、弁１３，１
４，１５，１６を開いて、各ガスを容器１内に導
入せしめた後、グロー放電をさせればよい。アル
ゴンガスを添加しないと、アモルフアスシリコン
層の形成速度は低下するが、厚さが1μｍ程度で
よいので、全体の形成時間はあまり増加しない。
なお、水素ガスを添加することにより、表面側の
アモルフアスシリコン層の水素のドーピング量を
微細にコントロールすることができ、感度を増加
させることも可能となる。第５図は、上記の方法
により形成したアモルフアスシリコン感光体の部
分断面図であり、基板３上にアルゴンガスを添加
したアモルフアスシリコン層１７と、無添加のア
モルフアスシリコン層１８が積層されている。
は、なお次のような問題点が残る。即ち、アモル
フアスシリコン層を高速度で形成すると、どうし
てもその表面が荒れる点である。そこで、アルゴ
ンガスを添加した状態で、20μｍ程度の厚さのア
モルフアスシリコン層を形成した後、アルゴンガ
スの代りに水素ガスを添加し、従来通りの方法に
て1μｍ程度の厚さのアモルフアスシリコン層を
ゆつくり形成すると、表面が滑らかなアモルフア
スシリコン感光体を製造することができる。その
為には、第２図の弁１２，１３，１４，１６を閉
じて、容器１内のガスを排出した後、弁１３，１
４，１５，１６を開いて、各ガスを容器１内に導
入せしめた後、グロー放電をさせればよい。アル
ゴンガスを添加しないと、アモルフアスシリコン
層の形成速度は低下するが、厚さが1μｍ程度で
よいので、全体の形成時間はあまり増加しない。
なお、水素ガスを添加することにより、表面側の
アモルフアスシリコン層の水素のドーピング量を
微細にコントロールすることができ、感度を増加
させることも可能となる。第５図は、上記の方法
により形成したアモルフアスシリコン感光体の部
分断面図であり、基板３上にアルゴンガスを添加
したアモルフアスシリコン層１７と、無添加のア
モルフアスシリコン層１８が積層されている。
第６図は、アルゴンガスが無添加のシランガス
雰囲気中でアモルフアスシリコン層を形成した
後、酸素ガスの濃度を高めて（O2／SiH4＝0.05
程度）、酸素が高濃度にドーピングされたアモル
フアスシリコン層１９を形成したものの部分断面
図である。なお、このように酸素を高濃度にドー
ピングすることにより、帯電特性および疲労に対
する耐久性が向上する。
雰囲気中でアモルフアスシリコン層を形成した
後、酸素ガスの濃度を高めて（O2／SiH4＝0.05
程度）、酸素が高濃度にドーピングされたアモル
フアスシリコン層１９を形成したものの部分断面
図である。なお、このように酸素を高濃度にドー
ピングすることにより、帯電特性および疲労に対
する耐久性が向上する。
発明の効果
本発明では、アルゴンガスを含有するガス化シ
リコン化合物の雰囲気中で、高速度に第１の厚い
アモルフアスシリコン層を形成した後、アルゴン
ガスを含有しないガス化シリコン化合物の雰囲気
中で、低速度に第２の薄いアモルフアスシリコン
層を形成する。
リコン化合物の雰囲気中で、高速度に第１の厚い
アモルフアスシリコン層を形成した後、アルゴン
ガスを含有しないガス化シリコン化合物の雰囲気
中で、低速度に第２の薄いアモルフアスシリコン
層を形成する。
従つて、全体として短時間で、表面の滑らかな
アモルフアスシリコン感光体を形成することがで
きる。
アモルフアスシリコン感光体を形成することがで
きる。
第１図は従来例を示す模式図、第２図は本発明
の一実施例を示す模式図、第３図、第５図、第６
図は本発明の一実施例により形成されるアモルフ
アスシリコン感光体の各形成工程における断面
図、第４図Ａ，Ｂ，Ｃはガスの流量比と特性等と
の関係を示すグラフである。 １……容器、２……コイル、３……基板、４…
…メカニカルブースターポンプ、５……ロータリ
ーポンプ。６……高周波電源、７……アルゴンガ
スボンベ、８……シランガス（ガス化シリコン化
合物）ボンベ、９……ジボランガスボンベ、１０
……水素ガスボンベ、１１……酸素ガスボンベ、
１７，１８，１９……アモルフアスシリコン層。
の一実施例を示す模式図、第３図、第５図、第６
図は本発明の一実施例により形成されるアモルフ
アスシリコン感光体の各形成工程における断面
図、第４図Ａ，Ｂ，Ｃはガスの流量比と特性等と
の関係を示すグラフである。 １……容器、２……コイル、３……基板、４…
…メカニカルブースターポンプ、５……ロータリ
ーポンプ。６……高周波電源、７……アルゴンガ
スボンベ、８……シランガス（ガス化シリコン化
合物）ボンベ、９……ジボランガスボンベ、１０
……水素ガスボンベ、１１……酸素ガスボンベ、
１７，１８，１９……アモルフアスシリコン層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ グロー放電法若しくはケミカルデイポジシヨ
ン法により、ガス化シリコン化合物からシリコン
を析出せしめるための少なくとも２工程を有し、
基板上にアモルフアスシリコン感光体を形成する
方法において、 第１の工程ではアルゴンガスを含有するガス化
シリコン化合物の雰囲気中で基板上に第１のアモ
ルフアスシリコン層を形成し、第２の工程ではア
ルゴンガスを含有しないガス化シリコン化合物の
雰囲気中で、前記第１のアモルフアスシリコン層
上に第２のアモルフアスシリコン層を形成するこ
とを特徴とするアモルフアスシリコン感光体の形
成方法。 ２ アルゴンガスの流量をＡ、ガス化シリコン化
合物の流量をＢとすると、 0.01≦Ａ／Ｂ≦4.00 なる関係を、満足する特許請求の範囲第１項記載
のアモルフアスシリコン感光体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16189282A JPS5950015A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | アモルフアスシリコン感光体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16189282A JPS5950015A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | アモルフアスシリコン感光体の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5950015A JPS5950015A (ja) | 1984-03-22 |
| JPH0461073B2 true JPH0461073B2 (ja) | 1992-09-29 |
Family
ID=15743982
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16189282A Granted JPS5950015A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | アモルフアスシリコン感光体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5950015A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03117813A (ja) * | 1990-08-13 | 1991-05-20 | Dainichi Kogyo Kk | 液体燃料燃焼装置 |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP16189282A patent/JPS5950015A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5950015A (ja) | 1984-03-22 |
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