JPS5972450A - 静電潜像担持体 - Google Patents
静電潜像担持体Info
- Publication number
- JPS5972450A JPS5972450A JP18332282A JP18332282A JPS5972450A JP S5972450 A JPS5972450 A JP S5972450A JP 18332282 A JP18332282 A JP 18332282A JP 18332282 A JP18332282 A JP 18332282A JP S5972450 A JPS5972450 A JP S5972450A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- latent image
- electrostatic latent
- gaseous
- doped
- photoconductive layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアモルファスシリコンを主成分とする少なくと
も２種類の光導電層が形成された静（潜像担持体に関す
るものである。
も２種類の光導電層が形成された静（潜像担持体に関す
るものである。
従来技術
アモルファスシリコンＺ主成分とする静電潜像担持体は
、セレンや硫化カドミウムを主成分とするものに比較し
て、耐熱性や耐摩耗性に富み、無害であるとともに高光
感度であること等の種々の長所を有している。
、セレンや硫化カドミウムを主成分とするものに比較し
て、耐熱性や耐摩耗性に富み、無害であるとともに高光
感度であること等の種々の長所を有している。
また、長波長光に対しても充分な感度を宵するので、複
写機やレーザプリンタ等のインテリジェントコピアにも
使用できる特長を有している。
写機やレーザプリンタ等のインテリジェントコピアにも
使用できる特長を有している。
しかしながら、静電潜像担持体の特性として、帯電を繰
り返すことによって、表面が劣化し、その結果複写した
像が流れるという現象が生じる。
り返すことによって、表面が劣化し、その結果複写した
像が流れるという現象が生じる。
七のため、表面硬度の高いアモルファスシリコン乞静電
潜像担持体として使用する場合、複写プロセスを数千回
動作させる毎に、その表面を研削する必要があった。こ
の点、静電潜像担持体がセレンや硫化カドミウムにて形
成されているものは、表面硬度が低いので、複写プロセ
ス乞繰返すうちに、その表面が除々に研削されあらため
て研削する必要はない。
潜像担持体として使用する場合、複写プロセスを数千回
動作させる毎に、その表面を研削する必要があった。こ
の点、静電潜像担持体がセレンや硫化カドミウムにて形
成されているものは、表面硬度が低いので、複写プロセ
ス乞繰返すうちに、その表面が除々に研削されあらため
て研削する必要はない。
発明の目的
本発明は上記従来技術の難点に鑑みてなされたもので、
複写プロセスン多数回実行させても、静電潜像担持体が
劣化すること？防止せんとするものである。
複写プロセスン多数回実行させても、静電潜像担持体が
劣化すること？防止せんとするものである。
発明の構成
本発明は導電性の支持体上に、アモルファスシリコンを
主成分としいずれも同一の物質がドーピングされた少な
くとも２種類の光導電物質が積層された静電潜像担持体
（＝おいて、前記支持体の表面に近い側の光導電層にド
ーピングされた単位重量当りの物質の微か、前記支持体
の表面から遠い側の光４電層にドーピングされた単位型
１当りの物質の魔より少ないことχ特徴とするものであ
る。
主成分としいずれも同一の物質がドーピングされた少な
くとも２種類の光導電物質が積層された静電潜像担持体
（＝おいて、前記支持体の表面に近い側の光導電層にド
ーピングされた単位重量当りの物質の微か、前記支持体
の表面から遠い側の光４電層にドーピングされた単位型
１当りの物質の魔より少ないことχ特徴とするものであ
る。
実施例
第１図および８２図は本発明の一実施例２示すもので、
第１図は静電潜像担持体の斜視図、第２図は部分拡大断
面図である。また、第６図および第４図はこの静電潜像
担持体を製造するためのプラズマＯＶＤ装置乞示すもの
で１、第３図は部分断面斜視図、第４因は模式図である
。
第１図は静電潜像担持体の斜視図、第２図は部分拡大断
面図である。また、第６図および第４図はこの静電潜像
担持体を製造するためのプラズマＯＶＤ装置乞示すもの
で１、第３図は部分断面斜視図、第４因は模式図である
。
第１（２）、ｇ！１２図において、（１）は表面が超仕
上げされたアルミニウム製の円筒状の支持体である。
上げされたアルミニウム製の円筒状の支持体である。
この支持体（１１の表面には、厚さが２０μｍ程度のア
モルファスシリコンに一定量の酸素がドーピングされた
第１の光導電層（２）が形成される。そしてこの第１の
光導電層（２）の上部には、アモルファスシリコンに、
より多くの酸素がドーピングされた第２の光導電層ｆ３
１が積層される。
モルファスシリコンに一定量の酸素がドーピングされた
第１の光導電層（２）が形成される。そしてこの第１の
光導電層（２）の上部には、アモルファスシリコンに、
より多くの酸素がドーピングされた第２の光導電層ｆ３
１が積層される。
次に、静電潜像担持体の製造方法について説明する。第
３図、第４図において、（４）は静電潜像担持体（５）
および各種のガスを封入する中空円筒状の密閉容器であ
る。この容器（４）には内部の気体を吸引するための、
ロータリーポンプ（６）およびメカニカルブースターポ
ンプ（７）が直列接続される。密閉容器（４）の内部に
は、円柱状でかつ断面がコ字状のプラズマシールド部材
（８）が備えられる。そしてこのプラズマシールド部１
ｇ’＋８１の内部（二は、円柱状で中空環状の電極（９
）が備えられ、この電極（９１の内部この静電潜像担持
体（５）はモータの回転軸（Ｉｌｌに固着されたホルダ
Ｕ上に載置され、その上端には、開孔を閉塞するカバー
；１３ｉが装着される。、１４１は、密閉容器（４）、
プラズマシールド部材（８）および電極（９）の外側壁
を、軸線と直交方向に貫通するガス供給用パイプである
。そして、このガス供給用バイブ１１４１の内部には、
電極（９）に高周？２１！電力を印加するための電導線
（伺が挿通される。また、゛電極（９）の内側壁には、
ガス乞噴出するための複数個の貫通孔（９ａ）・・・が
、軸線と平行して連続的に開設される。
３図、第４図において、（４）は静電潜像担持体（５）
および各種のガスを封入する中空円筒状の密閉容器であ
る。この容器（４）には内部の気体を吸引するための、
ロータリーポンプ（６）およびメカニカルブースターポ
ンプ（７）が直列接続される。密閉容器（４）の内部に
は、円柱状でかつ断面がコ字状のプラズマシールド部材
（８）が備えられる。そしてこのプラズマシールド部１
ｇ’＋８１の内部（二は、円柱状で中空環状の電極（９
）が備えられ、この電極（９１の内部この静電潜像担持
体（５）はモータの回転軸（Ｉｌｌに固着されたホルダ
Ｕ上に載置され、その上端には、開孔を閉塞するカバー
；１３ｉが装着される。、１４１は、密閉容器（４）、
プラズマシールド部材（８）および電極（９）の外側壁
を、軸線と直交方向に貫通するガス供給用パイプである
。そして、このガス供給用バイブ１１４１の内部には、
電極（９）に高周？２１！電力を印加するための電導線
（伺が挿通される。また、゛電極（９）の内側壁には、
ガス乞噴出するための複数個の貫通孔（９ａ）・・・が
、軸線と平行して連続的に開設される。
（１６１は′電極（９）に高周波電力を印加するための
高周波電源である。（１７１は酸素（０２）がスボンベ
、０８１は水素（Ｈ２）ガスボンへ、Ｈハシラｙ （ｓ
ｉ Ｈ４）ガスボンベ、セして１２（Ｊｌはジボラン
（、Ｂ２Ｈ６）ガスボンベである。（２））ないしく自
）は、各ボンへ１１７）ｉ１８）Ｑｌ（２（Ｓからのガ
スの流１？コントロールするコントローラである。（２
■ないし国は各ガスの通路乞開閉するバルブであり、Ｇ
５はメインバルブである。
高周波電源である。（１７１は酸素（０２）がスボンベ
、０８１は水素（Ｈ２）ガスボンへ、Ｈハシラｙ （ｓ
ｉ Ｈ４）ガスボンベ、セして１２（Ｊｌはジボラン
（、Ｂ２Ｈ６）ガスボンベである。（２））ないしく自
）は、各ボンへ１１７）ｉ１８）Ｑｌ（２（Ｓからのガ
スの流１？コントロールするコントローラである。（２
■ないし国は各ガスの通路乞開閉するバルブであり、Ｇ
５はメインバルブである。
上記のようなプラズマＣＶＤ装置にて、静電潜像担持体
ン製造するには、次のような工程にて、これを行なえば
よい。
ン製造するには、次のような工程にて、これを行なえば
よい。
先ず、静電潜像担持体ｆ５１の支持体となる、アルミニ
ウム製の円筒体（１）をホルダｑ２上に載置する。
ウム製の円筒体（１）をホルダｑ２上に載置する。
なお、この円筒体＋１１の外側壁は超仕上げがされてい
るものとする。次いで、カバー（１３１で閉蓋した後、
密閉容器（４）円の金気ン２種類のポンプ（６１ｆ７＋
で１× ６ １Ｕ 気圧程度まで排気する。そして、この円筒体（
１）ヲ回転させつつ、因示せぬヒータ（円筒体（１１の
内部に挿入されている）にて昇温し、密閉容器（４）に
ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスをベースとするＢ２Ｈ６ガス、
および０２ガスン導入して、再度ガス圧乞１気圧に保持
する。なお、この際のｏ２ガスとＢｉ、Ｈ４ガスの混合
比は、０２ ／ Ｓ ｉ Ｈ４＝０．０１となるように
制御する。この状態にて、周り 波数が１５．５６ＭＨ２の高波電力乞印加し、プラム ズマ放゛峨乞生起させると、円筒体（１）の表面に第１
の光導電＋ｉＭ＋２１が形成される。次いで、再度密閉
容器（４）内の気体乞排気した後、前述と同じガスを導
入する。ただし、０２ガスの鷺馨増加せしめ、０２ ／
Ｓ ｉ Ｈ４＝ ０．０４となるように制御する。こ
の状態にて再度Ｎｉｌ記と同様な高周波電力乞印加し、
プラズマ放電を生起させると、削記第１の光導４層（２
）の表面（＝、第２の元導砿層１３）が形成される。
るものとする。次いで、カバー（１３１で閉蓋した後、
密閉容器（４）円の金気ン２種類のポンプ（６１ｆ７＋
で１× ６ １Ｕ 気圧程度まで排気する。そして、この円筒体（
１）ヲ回転させつつ、因示せぬヒータ（円筒体（１１の
内部に挿入されている）にて昇温し、密閉容器（４）に
ＳｉＨ４ガス、Ｈ２ガスをベースとするＢ２Ｈ６ガス、
および０２ガスン導入して、再度ガス圧乞１気圧に保持
する。なお、この際のｏ２ガスとＢｉ、Ｈ４ガスの混合
比は、０２ ／ Ｓ ｉ Ｈ４＝０．０１となるように
制御する。この状態にて、周り 波数が１５．５６ＭＨ２の高波電力乞印加し、プラム ズマ放゛峨乞生起させると、円筒体（１）の表面に第１
の光導電＋ｉＭ＋２１が形成される。次いで、再度密閉
容器（４）内の気体乞排気した後、前述と同じガスを導
入する。ただし、０２ガスの鷺馨増加せしめ、０２ ／
Ｓ ｉ Ｈ４＝ ０．０４となるように制御する。こ
の状態にて再度Ｎｉｌ記と同様な高周波電力乞印加し、
プラズマ放電を生起させると、削記第１の光導４層（２
）の表面（＝、第２の元導砿層１３）が形成される。
なお、第２の光導磁１ｍ （３１の厚さは１，０．１μ
ｍ以上２μｍ以下が適当である。厚さが０．１μｍ未満
ではこの第２の光導電層（３）の存在意義が失われ、２
μｍＱ上になると感度が低下するからである。
ｍ以上２μｍ以下が適当である。厚さが０．１μｍ未満
ではこの第２の光導電層（３）の存在意義が失われ、２
μｍＱ上になると感度が低下するからである。
また、第２の光導電層（３）に含有された０２の単位重
量当りのドーピング量は、第１の元導處層（２）に含有
された０２の単位重量当りのドーピング量の２倍以上１
０＠以下であることが適当である。
量当りのドーピング量は、第１の元導處層（２）に含有
された０２の単位重量当りのドーピング量の２倍以上１
０＠以下であることが適当である。
これが２倍未満の時には、やはり第２の光４重層（３）
の存在意義が失われ、１０倍以上であれば感度の低下を
招くことになるからである。
の存在意義が失われ、１０倍以上であれば感度の低下を
招くことになるからである。
更（＝、上記実施例ではドーピング物質として０本発明
によると、支持体の表面に近い側の光導電層にドーピン
グされた物質の含有率が、遠い側の光導電層にドーピン
グされた物質の含有率より小さいので、静電潜像担持体
の劣化を防止することができる。この理由は明確ではな
いが、実験の結果、従米技術乞具体化したものの１０倍
以上の長寿命ン観測することができた。
によると、支持体の表面に近い側の光導電層にドーピン
グされた物質の含有率が、遠い側の光導電層にドーピン
グされた物質の含有率より小さいので、静電潜像担持体
の劣化を防止することができる。この理由は明確ではな
いが、実験の結果、従米技術乞具体化したものの１０倍
以上の長寿命ン観測することができた。
図面はいずれも本発明の一実施例２示すもので第１図お
よび第２図は静電潜像担持体の斜視図および部分拡大断
面図である。第６図および第４図はプラズマＯＶＤ装置
乞示す部分断面斜視図および模式因である。 （１）・・・支持体（円筒体） 、（２１・・・支持体
に近いｔｒｉｌｌの光導電層（第１の光導電ｊ−）、（
３）・・・支持体から遠い側の光導電層（第２の光導電
層）。 第４図 第２図 。 第３図
よび第２図は静電潜像担持体の斜視図および部分拡大断
面図である。第６図および第４図はプラズマＯＶＤ装置
乞示す部分断面斜視図および模式因である。 （１）・・・支持体（円筒体） 、（２１・・・支持体
に近いｔｒｉｌｌの光導電層（第１の光導電ｊ−）、（
３）・・・支持体から遠い側の光導電層（第２の光導電
層）。 第４図 第２図 。 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 導電性の支持体上（＝、アモルファスシリコンを
主成分とし、いずれも同一の物質がドーピングされた少
なくとも２種類の光導電物質が積層された静電潜像担持
体において、前記支持体の表面に近い側の光導電層にド
ーピングされた物質の含有率が、遠い側の光導電層にド
ーピングされた物質の含有率より小さいことを特徴とす
る静電潜像担持体。 ２、 ドーピング物質が酸素又はＷ窒素である特許請求
の範囲第１項記載の静電潜像担持体。 ６、 支持体から遠い側の光導電層の厚さが、０゜１μ
ｍ以上２μｍ以下である特許請求の範囲８１項若しくは
第２項記載の静電潜像担持体。 Ａ、支持体の表面から遠い側の光導電層にドーピングさ
れた物質の含有率が、前記支持体の表面に近い側の光導
電層にドーピングされた物質の含有率の２倍以上１０倍
以下である特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれ
かに記載の静電潜像担持体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18332282A JPS5972450A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 静電潜像担持体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18332282A JPS5972450A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 静電潜像担持体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5972450A true JPS5972450A (ja) | 1984-04-24 |
Family
ID=16133671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18332282A Pending JPS5972450A (ja) | 1982-10-19 | 1982-10-19 | 静電潜像担持体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5972450A (ja) |
-
1982
- 1982-10-19 JP JP18332282A patent/JPS5972450A/ja active Pending
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