JPS5972449A - 静電潜像担持体とその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、アモルファスシリコンを主成分とする光導電
層が形成された静電潜像担荷体と、この静電潜像担荷体
の製造方法に関するものである。

従来方法 アモルファスシリコンを主成分とする光導電層が形成さ
れた静電潜像担持体け、セレンや硫化カドミウムを主成
分とする光導電層が形成されたものに比べ、種々の点で
優れている。即ち、前者は後者に比較して耐熱性や耐磨
耗性に富み、無害であるとともに、高光感度を有してい
る。また、長波長の光に対しても、充分な感度を有する
ので、電子複写機のみならず、レーザブリンク等に応用
することができる。

従来のこの種の静電潜像担荷体は、超仕上されたアルミ
ニクム製の支持体上に、直接アモルファスシリコンが析
出されるものであった。従って時間の経過者しくは複写
プロセスの繰返しにより、光導電層が支持体から剥離し
たり、除電ランプをもってしても残留電位が容易に消去
でき難くなるという現象が生じる場合があった。

発明の目的 本発明は上記従来技術の難点に鑑みてなされたもので、
光導電層が支持体から剥離することを防止すると共に、
残留電位を容易に消去せんとするものである。また、支
持体の酸化被膜を、アモルファスシリコンの析出方法と
同一の方法であるプラズマ放電法によって形成し、生産
性の向上を図らんとするものである。

発明の構成 特定発明は、導電性の支持体の表面に、この支持体を構
成する物質の酸化被膜が形成され、この酸化被膜の表面
にアモルファスシリコンを主成分とする光導電層が形成
されることを特徴とする静電潜像担持体である。

また、特定発明以外の発明は、上記静電潜像担持体の製
造方法でろって、先ずプラズマ放電により支持体の表面
に酸化被膜を形成し、次いでこの酸化被膜上にアモルフ
ァスシリコンを主成分とする光導電層を形成することを
特徴とするものである。

実　　施　　例　　１ 第１図および！２図は本発明の一実施例を示すもので、
第１図は静電潜像担持体の斜視図、第２図は部分拡大断
面図である。第２因において、（］）は表面か超仕上さ
れたアルミニウム製の円筒状の支持体である。この支持
体（りの表面には、厚さが２００〜１０００Ａの酸化ア
ルミニウム（Ａｔ２０３）層（２）が形成される。また
、この酸化アルミニウム層（２）の表面には、厚さが２
０μｍ程変の水素化アモルファスシリコン（ａ−３ｉ：
Ｈ）＠（３）が形成される。

実施例２ 第６図および第４図は、静電潜像担持体の製造方法を具
体化するためのプラズマＣＶＤ装置を示すもので、第３
図は部分断面図、９ｇ４図は模式図である。これらの図
において、（４）は静電潜像担持体（５）および各種の
ガスを封入する中空円筒状の密閉容器である。この容器
（４）には内部の気体を吸引するための、ロータリーポ
ンプ（６）およびメカニカルブースクーポンプ（７）が
直列接続される。密閉容器（４）の内部には、円柱状で
かつ断面がコ字伏のプラズマシールド部材（８）が備え
られる。そしてこのプラズマシールド部材（８）の内部
には、円柱状で中空環状の’＠１（９１が備えられ、こ
の電Ｔｉ、ｔ９１の内部には、静電潜像担持体（６）が
回転自在に内押される。

この静電潜像担持体（５）は、モータ（１０）の回転軸
（ｎ）に固着されたホルダＯ′４上に載置され、その上
端には、開孔を閉塞するカバー〇場が装Ｈされる。（１
４）は密閉容器（４）、プラズマシールド部材（８）お
よび電極（９）の外側壁を軸線と直交方向に４通するガ
ス供給用パイプである。ぞしてこのガス供給用バイブθ
荀の内部には、電極（９）しこ高周波型カケ印加するた
めの電ＪｉＩ線（Ｉ６）が押通される。また、電極（９
）の内側壁には、ガスを憤出するための榎飲個の貫通孔
（９ａ）・・・が、軸線と平行して連続的に開設される
。α匈は電極（９）Ｋ高周波電力を印加するだめの高周
波電源である。θηは酸類（０２）ガスボンベ・、賭は
水素（Ｈｚ）ガスボンベ、（１９＞はシラン（ＳｉＨ４
）ガスボンベ、そして（ホ）はジポラン（Ｂ２Ｈ６）ガ
スボンベである。同ないしｅ２４）は各ボンベ０７）ａ
幅！９）（２０）からのガスの流量をコントロールする
コントローラである。匈）ないし□□□け各ガスの通路
を開閉するパルプであり、（ハ）はメインバルブである
。

上記のようなプラズマＣＶＤ装置にて、静電潜像担持体
を製造するＫは、次のような工程にてこれを行なえばよ
い。

先ず、静電潜像担持体（５）の支持体となるアルミニウ
ム製の円筒体ｔｌ）をホルダ（１匂上に載置する。なお
、この円筒体ｆｌ＋の外側壁は超仕上がされているもの
とする。次いで、カバー−で閉蓋した後、密閉容器（４
）内の空気を、２種類のポンプ１６Ｈ７）で１×１０　
　気圧程度まで吸引する。そして、この円筒体＋１）を
回転させつつ、図示せぬヒータ（円筒体＋１＋の内部に
挿入されている）にて昇温し、０２ガスを導入してガス
圧を１気圧に保持する。その状態にて、周波数が１３．
５−６ＭＨｚの高周波電力で１０分間位プラズマ放電を
させると、円筒体ｔｌ）の表面に厚さが約５０ＯＡの酸
化アルミニクム被膜（２）が形成される。その後０２ガ
スを排気し、５ＩＨ４ガス、Ｈ２ガスをベースとするＢ
２Ｈ６ガスおよび少量の０２ガスを導入して、再度ガス
圧を１気圧に保持する。そして、この状態にて前記と同
様なプラズマ放■を６時間程度行なわせると、前記酸化
アル３ニクム被）１引２）上に、厚さが２０μｍ　８　
度の水素化アモルファスシリコン層（３）が形成される
。

発明の効果 導電性の支持体の表面に酸化被膜が形成されると、極微
細な凹凸が形成されるので、光−！ＩＷ電層は剥離し難
くなる。

また、複写プロセスを多数回繰返しても電荷が残愕する
ことを防止することができる。具体的には、酸化被膜が
形成されない静電Ｍ＃！Ｉ担持休を使体した場合に、複
写プロセスを２０．００〜３００９回繰返すと劣化する
が、酸化被膜が形成された１電潜像担持体を使用すると
１０［］ＤＯ回以上の繰返しが可能となる。この原因は
明確ではｆｌいが、支持体の表面に酸化被膜が形成され
ないものでは。

複写プロセスを繰返すうちに、その表面が酸化され、そ
の際に空気中の不純物等を収込んで、支持体自体か劣化
するのではないかと考えられる。ところが、予め不純物
金有さ一：い酸化被膜が１し改びれれていると、それ以
上酸化が進行しないので、空気中の不純物等は取込まれ
ず、劣化し難くなるのではないかと考えられる。

また、一般に導電性物質の酸化物は、高抵抗となるもの
であるから、帯電電圧も低くて済む。従２て、劣化の進
行を遅らせることができるとも考えられる。

なお、支持体上（アモルファスシリコンヲ形成するには
、一般にプラズマ放電装置が利用されるが、酸化被膜も
同じプラズマ放電装置にて形成すると、ハンドリングに
要する時間か削減でき、生産性の向上を図ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

図面はいずれも本発明の一実施例を示し、第１図は静電
潜像担持体の斜視図、第２図はその都の拡大断面図であ
る。第６図はプラズマＣＶＤ装置の１部１７ｊｒ面斜視
図、第４図はその模式図である。 ｔｌ）・・・支持体（円筒体）、　（２）・・・酸化ア
ルミニウム層、（酸（）Ｊ［）　、　（：＋）・・・水
素化アモルファスシリコン層（光導電層）、　（４）・
・・密閉容器、　（９）・・・電極、　（１６）・・・
高局波電源、　０７１　（１８）（１９）（２ｏ）・・
・各種ガスボンベ。 第１図 第４図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、導電性の支持体上に光導電層が形成された静電潜像
   担持体において、導電性の支持体の表面に、この支持体
   を構成する物質の酸化被膜が形成され、この酸化被膜の
   表面にアモルファスシリコンを主成分とする光導電層が
   形成されることを特徴とする静′Ｐ１ｉ潜像担持体。 ２、導電性の支持体上に光導電層を形成して静電潜像担
   持体を製造する方法において、先ずプラズマ放電により
   支持体の表面に酸化被膜を形成し、次いでこの酸化被膜
   上にアモルファスシリコンを主成分とする光導電層を形
   成することを特徴とする静電潜像担持体の製造方法。 ６、光導電層は、酸化被膜が形成される容器と同一の容
   器にて、プラズマ放電により形成される特＃！Ｉ−請求
   の範囲第２項記載の静電潜像担荷体の製造方法。