JPS59219928A - プラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ装置Info
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- JPS59219928A JPS59219928A JP58093770A JP9377083A JPS59219928A JP S59219928 A JPS59219928 A JP S59219928A JP 58093770 A JP58093770 A JP 58093770A JP 9377083 A JP9377083 A JP 9377083A JP S59219928 A JPS59219928 A JP S59219928A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- roll
- susceptor
- wound
- reaction chamber
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は基板の支持体を兼ねる第一電極とそれに対向し
て配置される第二電極との間に電圧を印加してグロー放
電を発生させ、反応ガスを分解して基板上に非晶質半導
体あるいは絶縁物などの薄膜を堆積させるプラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。
て配置される第二電極との間に電圧を印加してグロー放
電を発生させ、反応ガスを分解して基板上に非晶質半導
体あるいは絶縁物などの薄膜を堆積させるプラズマＣＶ
Ｄ装置に関する。
非晶質半導体、特に非晶質シリコンを用いる非晶質半導
体太陽電池は、光を直接電気エネルギーに変換する太陽
電池の低コスト化の有力な候補者として研究開発が進め
られている。非晶質シリコン（以下ａ−８ｉ）太陽電池
は、金属等の導電性基板又は上面に透明導電膜を備えだ
ガラス等の透明絶縁性基板上に、例えばｐ型層−８置層
、ノンドープミー８置 μｍ、数百Ａ形成することによシ、ｐｉｎ接合を有する
ａ−８置層を光起電力層として形成したものである。こ
れらの各層において，ｐ型層、ｎ型層に光透過性のよい
ａ−８ ｉＣ層、又は伝導性の高い微結晶化ａ−８ｉ層
を用いて効率を向上させる技術についても周知である。
体太陽電池は、光を直接電気エネルギーに変換する太陽
電池の低コスト化の有力な候補者として研究開発が進め
られている。非晶質シリコン（以下ａ−８ｉ）太陽電池
は、金属等の導電性基板又は上面に透明導電膜を備えだ
ガラス等の透明絶縁性基板上に、例えばｐ型層−８置層
、ノンドープミー８置 μｍ、数百Ａ形成することによシ、ｐｉｎ接合を有する
ａ−８置層を光起電力層として形成したものである。こ
れらの各層において，ｐ型層、ｎ型層に光透過性のよい
ａ−８ ｉＣ層、又は伝導性の高い微結晶化ａ−８ｉ層
を用いて効率を向上させる技術についても周知である。
このａ−８置層を形成する装置として第１図に示す容量
結合型グロー放電装置が知られている。容量結合型グロ
ー放電装置は大面積太陽電池の製造に適している。ベル
ジャ１の内部に、ヒ〜り２を備えた電極３がと９つけら
れておシ、その下面に対向して電極４が配置されている
。ａ−８置層が形成される基板５は，上部電極３にとシ
フけられておシ，ヒータ２によって２００〜３００℃の
温度に保たれる。ベルジャ１の内部空間はガス導入管６
を介してガス供給ラインに、排気管７を介して排気系に
接続されている。例えばｐ型ａ−８ｉ層を形成する場合
、シランガスとジボランガスを適当な分量混合し、管６
を通じてベルジャに導入し。
結合型グロー放電装置が知られている。容量結合型グロ
ー放電装置は大面積太陽電池の製造に適している。ベル
ジャ１の内部に、ヒ〜り２を備えた電極３がと９つけら
れておシ、その下面に対向して電極４が配置されている
。ａ−８置層が形成される基板５は，上部電極３にとシ
フけられておシ，ヒータ２によって２００〜３００℃の
温度に保たれる。ベルジャ１の内部空間はガス導入管６
を介してガス供給ラインに、排気管７を介して排気系に
接続されている。例えばｐ型ａ−８ｉ層を形成する場合
、シランガスとジボランガスを適当な分量混合し、管６
を通じてベルジャに導入し。
排気系とつシあわせて１〜１０Ｔｏｒｒに保持する。外
部から高周波電源８を用いて両対向電極３，４間に高周
波電力を印加し、内部のガスを分解してｐ型ａ−８ｉ層
を基板５の上に堆積する。ノンドープ層、ｎ型ａ−８ｉ
層の形成においても同様な形で適当な組成のガスをダロ
ー放電分解して堆積する。
部から高周波電源８を用いて両対向電極３，４間に高周
波電力を印加し、内部のガスを分解してｐ型ａ−８ｉ層
を基板５の上に堆積する。ノンドープ層、ｎ型ａ−８ｉ
層の形成においても同様な形で適当な組成のガスをダロ
ー放電分解して堆積する。
第２図（ａ）、（ｂ）に上部電極の拡大図を示す。（ａ
）は基板５を保持した上部電極３を下から見た図である
。電極３は支持爪９により （ａ）および断面図（ｂ）
に示すように、ヒータ２を内蔵した支持体・１０にとυ
つけられておシ、電極３は支持体１０にはめこまれて、
支持爪９によって支えられるようになっている。基板５
は電極３につくられた穴にはめこまれておシ、基板５と
電極３の電気的接触熱的接触を向上させるために、基板
の上側から金属板でおさえられ、固定されている。基板
の表面は電極４に対向し、又電極４に対して露出してい
る。電極３と電極４の間に高周波電圧を印加してグロー
放電を発生させると、電極３、基板５さらに対向電極４
をはじめとして器壁等にａ−８ｉが付着する。
）は基板５を保持した上部電極３を下から見た図である
。電極３は支持爪９により （ａ）および断面図（ｂ）
に示すように、ヒータ２を内蔵した支持体・１０にとυ
つけられておシ、電極３は支持体１０にはめこまれて、
支持爪９によって支えられるようになっている。基板５
は電極３につくられた穴にはめこまれておシ、基板５と
電極３の電気的接触熱的接触を向上させるために、基板
の上側から金属板でおさえられ、固定されている。基板
の表面は電極４に対向し、又電極４に対して露出してい
る。電極３と電極４の間に高周波電圧を印加してグロー
放電を発生させると、電極３、基板５さらに対向電極４
をはじめとして器壁等にａ−８ｉが付着する。
このａ−８ｉが基板以外の部に付着すると、膜生成を重
ねるにつれて、この部分からの膜はがれが生じ、グロー
放電装置内がよごれ、ａ−８ｉ膜にピンホールが出きた
υ、またａ−８ｉ膜の膜質が低下して太陽電池の効率が
低下した。電極３は一回の成長工程終了毎にとシ出し、
清浄化等の処置をとるので問題ないが、電極４、支持体
１０、支持爪９あるいは器壁等は、頻繁に付着ａ−８ｉ
を除去し。
ねるにつれて、この部分からの膜はがれが生じ、グロー
放電装置内がよごれ、ａ−８ｉ膜にピンホールが出きた
υ、またａ−８ｉ膜の膜質が低下して太陽電池の効率が
低下した。電極３は一回の成長工程終了毎にとシ出し、
清浄化等の処置をとるので問題ないが、電極４、支持体
１０、支持爪９あるいは器壁等は、頻繁に付着ａ−８ｉ
を除去し。
また清浄化の作業をすや必要がある。その際、膜５成長
作業を中断するのみならず、炉の温度を低くするために
時間を要したシ、ふきとり作業、空気はく露等炉自体に
とって好ましくない条件におかれ、さらに清浄作業後も
空焼き等の処置をとる必侠があシ、装置の安定性稼動率
という点でも問題が多かった。
作業を中断するのみならず、炉の温度を低くするために
時間を要したシ、ふきとり作業、空気はく露等炉自体に
とって好ましくない条件におかれ、さらに清浄作業後も
空焼き等の処置をとる必侠があシ、装置の安定性稼動率
という点でも問題が多かった。
第３図に他の装置の例を示す。この装置は、ｐ型、ノン
ドープ、ｎ型ａ−８ｉ層を異った反応室で形成し、各層
の成長時において他の層を形成した時の影響を抑えて、
膜の制御性を向上させようというものである。三つの反
応室１１，１２．１３の前後に、基板をサセプタ３に装
着するための前室１４と、ｐｉｎ層を形成した基板を取
シ出すための後室１５があシ、各室１１〜１５はパルプ
１６を介して排気系に接続されている。サセプタ３は第
４図に拡大して示したように穴３１を有し、その中に基
板５が落し込まれている。この人３１は下から見ると第
２図（ａ）に示すように配置されている。基板５を装着
したサセプタ３を前室１４に図示しない仕切多弁を開い
て入れる。サセプタ３の搬入は並んでいる車輪１７の上
を動かすことによって行われる。サセプタ３が前室１４
の所定の位置へ達すると仕切多弁を閉じ、パルプ１６を
介して室１４を排気する。ついでサセプタ３を前室１４
内で基板の温度が２００〜３００℃になるように加熱す
る。温度が２００〜３００℃で安定した後、前室１４と
反応室１１の間の仕切多弁（図示せず）を開き、サセプ
タ３を車輪１７の躯動に伴なって室１１内に搬入する。
ドープ、ｎ型ａ−８ｉ層を異った反応室で形成し、各層
の成長時において他の層を形成した時の影響を抑えて、
膜の制御性を向上させようというものである。三つの反
応室１１，１２．１３の前後に、基板をサセプタ３に装
着するための前室１４と、ｐｉｎ層を形成した基板を取
シ出すための後室１５があシ、各室１１〜１５はパルプ
１６を介して排気系に接続されている。サセプタ３は第
４図に拡大して示したように穴３１を有し、その中に基
板５が落し込まれている。この人３１は下から見ると第
２図（ａ）に示すように配置されている。基板５を装着
したサセプタ３を前室１４に図示しない仕切多弁を開い
て入れる。サセプタ３の搬入は並んでいる車輪１７の上
を動かすことによって行われる。サセプタ３が前室１４
の所定の位置へ達すると仕切多弁を閉じ、パルプ１６を
介して室１４を排気する。ついでサセプタ３を前室１４
内で基板の温度が２００〜３００℃になるように加熱す
る。温度が２００〜３００℃で安定した後、前室１４と
反応室１１の間の仕切多弁（図示せず）を開き、サセプ
タ３を車輪１７の躯動に伴なって室１１内に搬入する。
所定の位置に来ると室１４゜１１の間の仕切多弁を閉じ
、反応室１１内にシランとジポランの混合ガスを導入し
、１〜１０Ｔｏｒｒの状態でサセプタ３と対向電極４と
の間に加えられた高周波電界よジグロー放電分解を行い
、ｐ型ａ−８ｉ層をサセプタ３に装着された基板５の上
に堆積させる。所定の膜厚の堆積が終了すると反応室１
１を排気し、反応室１１．１２間の仕切多弁を開けてサ
セプタ３を反応室１２へ移動する。以降は同様にして各
ａ−８ｉ層が堆積される。室１３でｎ）脅ａ−８ｉが形
成されると、サセプタ３は反応室１３と後室１５０間の
仕切多弁を通じて室１５に入れる。ここでサセプタ３を
一定温度、例えば１００℃以下に冷却した後、室Ｊ５に
Ｎ２ガスを導入して常圧とし、仕切り弁を開いてサセプ
タ３を取シ出す。
、反応室１１内にシランとジポランの混合ガスを導入し
、１〜１０Ｔｏｒｒの状態でサセプタ３と対向電極４と
の間に加えられた高周波電界よジグロー放電分解を行い
、ｐ型ａ−８ｉ層をサセプタ３に装着された基板５の上
に堆積させる。所定の膜厚の堆積が終了すると反応室１
１を排気し、反応室１１．１２間の仕切多弁を開けてサ
セプタ３を反応室１２へ移動する。以降は同様にして各
ａ−８ｉ層が堆積される。室１３でｎ）脅ａ−８ｉが形
成されると、サセプタ３は反応室１３と後室１５０間の
仕切多弁を通じて室１５に入れる。ここでサセプタ３を
一定温度、例えば１００℃以下に冷却した後、室Ｊ５に
Ｎ２ガスを導入して常圧とし、仕切り弁を開いてサセプ
タ３を取シ出す。
反応室１１〜１３においてはサセプタ３と対向電極４の
間の距離が最も近く、４０〜１００ｗである。他の距離
、例えばサセプタ３と反応室の壁、車輪１７と室壁、車
輪１７と対向電極４との間の距離はサセプタ３と対向電
極４の距離に比較して大きな距離、例えば１．５倍の距
離を有している。
間の距離が最も近く、４０〜１００ｗである。他の距離
、例えばサセプタ３と反応室の壁、車輪１７と室壁、車
輪１７と対向電極４との間の距離はサセプタ３と対向電
極４の距離に比較して大きな距離、例えば１．５倍の距
離を有している。
このためサセプタ３と対向電極４との間に高周波電界を
加えて放電させても電界はこの両極間に集中し、分解し
たａ−８ｉの大部分が付着する。サセプタ３は基板５と
共に外にとシ出されるので、その際洗浄等の処理を行う
ことができるが、反応室内の対向電極４は２−８ ｉが
多く堆積することになシ、量が多くなるとはがれてグロ
ー放電時に飛散し、基板上にとシこまれたシしてピンホ
ール形成または膜質低下の原因となる。従ってこれまで
対向電極への堆積量がある量を越えると洗浄のために膜
生成作業を中断してａ−８ｉの除去を行い、次いでＣＦ
、等のガスを導入し、プラズマエツチング等の手段によ
シ、反応室内の清浄化を行っていた。
加えて放電させても電界はこの両極間に集中し、分解し
たａ−８ｉの大部分が付着する。サセプタ３は基板５と
共に外にとシ出されるので、その際洗浄等の処理を行う
ことができるが、反応室内の対向電極４は２−８ ｉが
多く堆積することになシ、量が多くなるとはがれてグロ
ー放電時に飛散し、基板上にとシこまれたシしてピンホ
ール形成または膜質低下の原因となる。従ってこれまで
対向電極への堆積量がある量を越えると洗浄のために膜
生成作業を中断してａ−８ｉの除去を行い、次いでＣＦ
、等のガスを導入し、プラズマエツチング等の手段によ
シ、反応室内の清浄化を行っていた。
しかし当初からプラズマエツチングする試みは長時間を
必要とすると共に、除去された部分にばらつきが生じ、
効率的な清浄作業を行うことができなかった。また反応
室を開くと反応室の内壁が外気管で汚染される等の問題
があり、また作業が長く中断されるので稼動率の点から
も問題があった〔発明の目的〕 本発明は、反応室内の対向電極上に付着した反応生成物
を、反応室を開くことなく、しかも短い時間で除去する
ことのできるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的
とする。
必要とすると共に、除去された部分にばらつきが生じ、
効率的な清浄作業を行うことができなかった。また反応
室を開くと反応室の内壁が外気管で汚染される等の問題
があり、また作業が長く中断されるので稼動率の点から
も問題があった〔発明の目的〕 本発明は、反応室内の対向電極上に付着した反応生成物
を、反応室を開くことなく、しかも短い時間で除去する
ことのできるプラズマＣＶＤ装置を提供することを目的
とする。
本発明は第二電極が送り出しロールに巻かれ、巻きとり
ロールに巻き取ることが可能で両ロールの間において第
一電極を対向する金属帯からなることによって上記の目
的を達成する。
ロールに巻き取ることが可能で両ロールの間において第
一電極を対向する金属帯からなることによって上記の目
的を達成する。
第５図は本発明の第一の実施例を示す。第一電極を兼ね
るサセプタ３に対向する電極はロール２１に巻かれてい
る。例えばステンレス鋼よシなる帯板４０である。この
帯板は別のロール２２に巻き取られて両ロール２１．２
２間の張力によシ平面が形成されている。第５図は第４
図のような装置においては紙面と垂直の方向における断
面図である。従ってサセプタ３は紙面に垂直方向に移動
する。反応室内で１〜１０ Ｔｏｒｒのガスふん囲気で
高周波電源８を用いて電圧印加を行いグロー放電分解し
た。ａ−８ｉはサセプタとサセプタに塔載された基板、
さらに対向電極４０上に堆積した。対向電極４０上に堆
積したａ−８ｉが所定の膜厚越えたトキ、ロール２２を
巻いて、新しい金属帯４０の平面を形成した。このロー
ル２２の巻きとシによって堆積したａ−８ｉはロール２
２内に巻きとられる。その後、 ＣＦ、等のガスで反応
炉内をプラズマエツチングすることにより炉を外気にさ
らすことなく反応炉のクリーニングを行うことができた
。
るサセプタ３に対向する電極はロール２１に巻かれてい
る。例えばステンレス鋼よシなる帯板４０である。この
帯板は別のロール２２に巻き取られて両ロール２１．２
２間の張力によシ平面が形成されている。第５図は第４
図のような装置においては紙面と垂直の方向における断
面図である。従ってサセプタ３は紙面に垂直方向に移動
する。反応室内で１〜１０ Ｔｏｒｒのガスふん囲気で
高周波電源８を用いて電圧印加を行いグロー放電分解し
た。ａ−８ｉはサセプタとサセプタに塔載された基板、
さらに対向電極４０上に堆積した。対向電極４０上に堆
積したａ−８ｉが所定の膜厚越えたトキ、ロール２２を
巻いて、新しい金属帯４０の平面を形成した。このロー
ル２２の巻きとシによって堆積したａ−８ｉはロール２
２内に巻きとられる。その後、 ＣＦ、等のガスで反応
炉内をプラズマエツチングすることにより炉を外気にさ
らすことなく反応炉のクリーニングを行うことができた
。
第６図は第二の実施例で、送シ出しロール２１と巻き取
シロール２２をサセプタ６１０に対して対向電極４０の
反対側に配置したものである。これは、方向変更ロール
２３．２４を用いて図のように構成される。この結果、
ロール２１に付Ｎ−ｊ−るａ−８ｉ層を低減することが
でき、ロール２２の巻き取シによりａ−８ｉの付着の少
ない対向電極を形成できた。
シロール２２をサセプタ６１０に対して対向電極４０の
反対側に配置したものである。これは、方向変更ロール
２３．２４を用いて図のように構成される。この結果、
ロール２１に付Ｎ−ｊ−るａ−８ｉ層を低減することが
でき、ロール２２の巻き取シによりａ−８ｉの付着の少
ない対向電極を形成できた。
第７図は第三の実施例で、反応室１８内にサセプタ３と
対向する電極を構成する金属帯４０はロール２１から引
き出されてロール２３．２４の間で平面状に張られてい
る。金属帯４０はロール２４からロール２５を介して方
向を変えられた後、口気系につながる排気ロア内に設置
されている。こっても反応室１８内を汚染することがな
くなる。
対向する電極を構成する金属帯４０はロール２１から引
き出されてロール２３．２４の間で平面状に張られてい
る。金属帯４０はロール２４からロール２５を介して方
向を変えられた後、口気系につながる排気ロア内に設置
されている。こっても反応室１８内を汚染することがな
くなる。
第８図は第四の実施例で、方向変換ロールは。
る。まだ送シ出しロール２１についても引き出し穴２７
を除き全体をカバー２６でおおい、ロールと等電位に保
持した。このため金属帯４０にａ−８ｉが付着すること
は全くなくなった。
を除き全体をカバー２６でおおい、ロールと等電位に保
持した。このため金属帯４０にａ−８ｉが付着すること
は全くなくなった。
以上いずれの場合もサセプタ３と対向電極４０の間の距
離を最低とし、対向電極と同電位であるロール２１，２
２，２３，２４．２５等はサセプタ３又−は器壁から十
分距離を取って（サセプタと対向電極間の１．５倍以上
）構成された。
離を最低とし、対向電極と同電位であるロール２１，２
２，２３，２４．２５等はサセプタ３又−は器壁から十
分距離を取って（サセプタと対向電極間の１．５倍以上
）構成された。
第９図は第四の実施例で、サセプタ３を搬送する車輪１
７が存在する場合のサセプタと対向電極４０の関係を示
したもので、車輪１７と対向電極４０、ロー／Ｌ／２１
，２２，２３．２４との距離をサセプタ３と対向電極間
の距離の１．５倍以上とした。
７が存在する場合のサセプタと対向電極４０の関係を示
したもので、車輪１７と対向電極４０、ロー／Ｌ／２１
，２２，２３．２４との距離をサセプタ３と対向電極間
の距離の１．５倍以上とした。
以上述べたように、本発明によるプラズマＣＶＤ装置は
第一電極に対向する電極を二つのロールの間に張られた
金属帯によって形成したもので、これによｐａ−８ｉの
ような反応生成物の付着した対向電極を撤去して新しい
対向電極を備えることが反応室を開かないで迅速に行う
ことができる。従って反応室内が外気からの不純物によ
って汚染されることがない。この結果特に太陽電池に用
いるａ−８ｉ膜の形成を安定して行うことができ、太陽
電池の特性、製造歩留シの向上、あるいは装置の稼動率
の向上が達成されるので、本発明の効果は極めて犬であ
る。
第一電極に対向する電極を二つのロールの間に張られた
金属帯によって形成したもので、これによｐａ−８ｉの
ような反応生成物の付着した対向電極を撤去して新しい
対向電極を備えることが反応室を開かないで迅速に行う
ことができる。従って反応室内が外気からの不純物によ
って汚染されることがない。この結果特に太陽電池に用
いるａ−８ｉ膜の形成を安定して行うことができ、太陽
電池の特性、製造歩留シの向上、あるいは装置の稼動率
の向上が達成されるので、本発明の効果は極めて犬であ
る。
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラズマＣＶＤ装置の断面図、第２図（
ａ） 、 （ｂ）はサセプタおよびヒータ部を示し、（
ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、第３図は別の従来のプ
ラズマＣＶＤ装置の断面図、第４図はその要部拡大図、
第５図は本発明の一実施例の断面図、第６図ないし第９
図はそれぞれ異なる実施例の断面図である。 ３・・・サセプタ、１８・・・反応室、２１・・・送シ
出しロール、２２・・・巻きとシロール、４０・・・金
属帯（対向電極）。 第１図 第８図 第４図 ご 第５図 第６図 第８図 第９図
ａ） 、 （ｂ）はサセプタおよびヒータ部を示し、（
ａ）は平面図、（ｂ）は断面図、第３図は別の従来のプ
ラズマＣＶＤ装置の断面図、第４図はその要部拡大図、
第５図は本発明の一実施例の断面図、第６図ないし第９
図はそれぞれ異なる実施例の断面図である。 ３・・・サセプタ、１８・・・反応室、２１・・・送シ
出しロール、２２・・・巻きとシロール、４０・・・金
属帯（対向電極）。 第１図 第８図 第４図 ご 第５図 第６図 第８図 第９図
Claims (1)
- １）基板の支持体を兼ねる第一電極とそれに対向して配
置される第二電極との間に電圧を印加してグロー放電を
発生させて反応ガスを分解するものにおいて、第二電極
が送シ出しロールに巻かれ、巻きとシロールに巻き取る
ことが可能で両ロール間において第一電極と対向する金
属帯からなることを特徴とするプラズマＣＶＤ１置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093770A JPS59219928A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58093770A JPS59219928A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59219928A true JPS59219928A (ja) | 1984-12-11 |
Family
ID=14091656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58093770A Pending JPS59219928A (ja) | 1983-05-27 | 1983-05-27 | プラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59219928A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170235A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜の製法およびそれに用いる装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870524A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-27 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 基板上に本体材料をデポジツトする方法及びシステム |
-
1983
- 1983-05-27 JP JP58093770A patent/JPS59219928A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870524A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-27 | エナ−ジ−・コンバ−シヨン・デバイセス・インコ−ポレ−テツド | 基板上に本体材料をデポジツトする方法及びシステム |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60170235A (ja) * | 1984-02-14 | 1985-09-03 | Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd | 薄膜の製法およびそれに用いる装置 |
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