JPS5971060A - 静電潜像形成部材 - Google Patents
静電潜像形成部材Info
- Publication number
- JPS5971060A JPS5971060A JP18190282A JP18190282A JPS5971060A JP S5971060 A JPS5971060 A JP S5971060A JP 18190282 A JP18190282 A JP 18190282A JP 18190282 A JP18190282 A JP 18190282A JP S5971060 A JPS5971060 A JP S5971060A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaseous
- amorphous silicon
- tin
- latent image
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子複写機若しくはレーザビームプリンタ寺に
使用される静電潜像形成部材に関するもので、特に、光
導電層がアモルファスシリコンにて形成されるものであ
る。
使用される静電潜像形成部材に関するもので、特に、光
導電層がアモルファスシリコンにて形成されるものであ
る。
従来技術
近年、新しい静電潜像形成部材として注目?浴びている
ものに、水素化アモルファスシリコン(a−8i:H)
がある。この水素化アモルファスシリコンは、アモルフ
ァスセレン等の従来から存在する静電潜像形成部材に比
べ、無公害性を有すると共に、耐湿性、耐熱性史には機
械的強度が優れている。また、光感度も可視光調域では
全体ロヘjに高感度を何する。
ものに、水素化アモルファスシリコン(a−8i:H)
がある。この水素化アモルファスシリコンは、アモルフ
ァスセレン等の従来から存在する静電潜像形成部材に比
べ、無公害性を有すると共に、耐湿性、耐熱性史には機
械的強度が優れている。また、光感度も可視光調域では
全体ロヘjに高感度を何する。
しかしながら、長波長餡域では司視光饋JIIl:tよ
ど高感度ではなかつ念。それ故、通常の電子複写機の感
光体としては使用できたが、ヘリウム−ネオンレーザや
半導体レーザのような長波長光を光源とするレーザ′ビ
ームプリンタ等の感光体として使用するには不向きであ
った。
ど高感度ではなかつ念。それ故、通常の電子複写機の感
光体としては使用できたが、ヘリウム−ネオンレーザや
半導体レーザのような長波長光を光源とするレーザ′ビ
ームプリンタ等の感光体として使用するには不向きであ
った。
発明の目的
本発明は上記従来技術の難点iC111mみてなされ九
もので、長波長領域であっても、高感度を有する静電潜
像形成部材を提供することを目的とするものである。
もので、長波長領域であっても、高感度を有する静電潜
像形成部材を提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は、アモルファスシリコンにてなる光導電層が、
少なくとも2層形成され、そのうちの少なくとも1層に
はスズがドーピングされたものである。このように、ス
ズをドーピングすることによシ、エネルギのオプクイ力
ルバンドギャップが少さくなシ、長波長領域においても
、感度が向上する。
少なくとも2層形成され、そのうちの少なくとも1層に
はスズがドーピングされたものである。このように、ス
ズをドーピングすることによシ、エネルギのオプクイ力
ルバンドギャップが少さくなシ、長波長領域においても
、感度が向上する。
実施例
本発明の一実施例を図面に従がい説明する。第1図ふ・
よび第2図は、円筒状の静“磁層像形成部材(以下感光
体ドラムと称する〕?製造するためのプラズマCVD装
置の、部分断面斜視図および模式図である。第6図は感
光体ドラムを示す斜視図である。第4図は感光体ドラム
の一部の拡大断面図であって、第5図は他の実施例の拡
大断面図である。
よび第2図は、円筒状の静“磁層像形成部材(以下感光
体ドラムと称する〕?製造するためのプラズマCVD装
置の、部分断面斜視図および模式図である。第6図は感
光体ドラムを示す斜視図である。第4図は感光体ドラム
の一部の拡大断面図であって、第5図は他の実施例の拡
大断面図である。
第1図ないし第6図において、(1)は感光体ドラム(
2)2よび各種のガスを封入する中空円筒状の密閉容器
である。この容器(1)には、内部の気体を吸引するた
めの、ロータリーポンプ(3)およびメカニカルブース
ターポンプ(4)が直列接続される。(E閉容器山の内
部には、円柱状でかつ断面が口字状のプラズマシールド
部材(5)が備えられる。そしてこのプラズマシールド
部材(5)の内部には、円柱状で中空環状の電極(6)
が備えられ、この電極]6)の内部には、感光体ドラム
(2)が回転自在に内挿される。
2)2よび各種のガスを封入する中空円筒状の密閉容器
である。この容器(1)には、内部の気体を吸引するた
めの、ロータリーポンプ(3)およびメカニカルブース
ターポンプ(4)が直列接続される。(E閉容器山の内
部には、円柱状でかつ断面が口字状のプラズマシールド
部材(5)が備えられる。そしてこのプラズマシールド
部材(5)の内部には、円柱状で中空環状の電極(6)
が備えられ、この電極]6)の内部には、感光体ドラム
(2)が回転自在に内挿される。
この感光体ドラム(2)は、モータ(7)の同転1li
Ill(8)に固着されたホルダ(9)上に載置され、
七の1喘【は、開孔を閉塞するカバー1111が装着さ
れる。01)は、密閉容gi(1)tプラズマシールド
部材(5)、および電極(6)の外側壁t、軸軸線直焚
方向に月通するガス供給用パイプである。そしてこのガ
ス供給用パルプαυの内部には、電if (61に高周
波電力を印211.1するための重心線σ4が挿通され
る。また、電極((5)の内側壁には、ガスを噴出する
ための複数個のj1通化(6a)・・・が、軸綜と平行
して連続的に開設される◎031は、電極(6)に高周
波電力を印加するための高周波電源である。04はアル
ゴン(Ar)ガスボンベ、ロシは水素(H層)ガスボン
ベ、 tieはシラン(S1H4)ガスボンベ、σDは
ジボラン(B2H,6)ガスボンベ、081はテトラメ
チルスズ(Sn(CHs)4)ガスボンベ、セしてfi
lは酸素(02〕ガスボンベである。因ないしのは各ボ
ンベul1511Lti面αaOIからの流駄をコント
ロールするコントローラである。(261ないしC37
)は各ガスの通路を開閉するパルプである。(至)はメ
インパルプである。
Ill(8)に固着されたホルダ(9)上に載置され、
七の1喘【は、開孔を閉塞するカバー1111が装着さ
れる。01)は、密閉容gi(1)tプラズマシールド
部材(5)、および電極(6)の外側壁t、軸軸線直焚
方向に月通するガス供給用パイプである。そしてこのガ
ス供給用パルプαυの内部には、電if (61に高周
波電力を印211.1するための重心線σ4が挿通され
る。また、電極((5)の内側壁には、ガスを噴出する
ための複数個のj1通化(6a)・・・が、軸綜と平行
して連続的に開設される◎031は、電極(6)に高周
波電力を印加するための高周波電源である。04はアル
ゴン(Ar)ガスボンベ、ロシは水素(H層)ガスボン
ベ、 tieはシラン(S1H4)ガスボンベ、σDは
ジボラン(B2H,6)ガスボンベ、081はテトラメ
チルスズ(Sn(CHs)4)ガスボンベ、セしてfi
lは酸素(02〕ガスボンベである。因ないしのは各ボ
ンベul1511Lti面αaOIからの流駄をコント
ロールするコントローラである。(261ないしC37
)は各ガスの通路を開閉するパルプである。(至)はメ
インパルプである。
上記のようなプラズマCVD装置にて、外局側が錐面仕
上げされたアルミニウム製の円筒体上に、アモルファス
シリコン層を形成するには次のようにして行なえばよい
。
上げされたアルミニウム製の円筒体上に、アモルファス
シリコン層を形成するには次のようにして行なえばよい
。
先ず、感光体ドラム(2)の支持体となるアルミニウム
製の円筒体(2a)を、ホルダ(9)上に載置し、カバ
ー:;1で閉蓋した後%W閉容器(1)内の空気を2種
朔のポンプ(3バ4)で吸引し、lX10 ’気圧に
する。セして、回転させつつ1図示せぬヒータ(円筒体
(2a〕の内部に挿入されている)にて250℃まで昇
温した後、Arガスを10000/分程度の流駄で導入
して、ガスEEを1気圧に保持し、周波数が13.56
MHzの高周波電力(50W程度)で10分間スパッタ
を行なう。このようにして、アルミニウム製の円筒体(
2a)の表面に極微細な凹凸を形成した後、Arガスを
排気し、5iHnガス、H2ガスをペースとするB2H
6ガス、およびo2ガスを導入して、ガス圧を1気圧に
保持し、300W程度の前記と同様な周波数の高周波電
力を3時間程度印加する。そうすると。
製の円筒体(2a)を、ホルダ(9)上に載置し、カバ
ー:;1で閉蓋した後%W閉容器(1)内の空気を2種
朔のポンプ(3バ4)で吸引し、lX10 ’気圧に
する。セして、回転させつつ1図示せぬヒータ(円筒体
(2a〕の内部に挿入されている)にて250℃まで昇
温した後、Arガスを10000/分程度の流駄で導入
して、ガスEEを1気圧に保持し、周波数が13.56
MHzの高周波電力(50W程度)で10分間スパッタ
を行なう。このようにして、アルミニウム製の円筒体(
2a)の表面に極微細な凹凸を形成した後、Arガスを
排気し、5iHnガス、H2ガスをペースとするB2H
6ガス、およびo2ガスを導入して、ガス圧を1気圧に
保持し、300W程度の前記と同様な周波数の高周波電
力を3時間程度印加する。そうすると。
円筒体(2a)の外側壁に、18μm程度の厚さのa−
8i:H層が形成される。次いで、これらのガス中1c
、5n(CHs)4ガスヲsn (CH5)4/SiH
4〜0.2(体積比〕となるように導入し、前述と同様
にしてスパッタを行ない、厚さが0.5μm程度のスズ
がドーピングされた水素化アモルファスシリコン(a−
3iSn:H)層?、前記a−8i:H層の上部に形成
する。第4図はこのようにして形成されたものの断面を
示すもので、(2a〕は円筒体、(2b)はa−8i8
8層、(2C)はa−8iSn:H層である。
8i:H層が形成される。次いで、これらのガス中1c
、5n(CHs)4ガスヲsn (CH5)4/SiH
4〜0.2(体積比〕となるように導入し、前述と同様
にしてスパッタを行ない、厚さが0.5μm程度のスズ
がドーピングされた水素化アモルファスシリコン(a−
3iSn:H)層?、前記a−8i:H層の上部に形成
する。第4図はこのようにして形成されたものの断面を
示すもので、(2a〕は円筒体、(2b)はa−8i8
8層、(2C)はa−8iSn:H層である。
第5図は他の実施例を示す断面図であって、a−8i
Sn : HIt4(2c )cD上部yr−%02ガ
スを多はにドーピングして高抵抗化したa−8isH層
(2d)が形成されたものである。この高抵抗のa−8
i:H層(2d)(7)厚さは、0.1〜0.51層程
度が適当である。なお、この高抵抗のa−8i:H層(
2d)は、エネルギのオプティカルバンドギャップが大
きいので、露光された光はその下層coa−8iSn:
H層(20)Kで吸収されて光キャアを発生するので、
感度は殆んど低下せず、帯°峨能は増大する。
Sn : HIt4(2c )cD上部yr−%02ガ
スを多はにドーピングして高抵抗化したa−8isH層
(2d)が形成されたものである。この高抵抗のa−8
i:H層(2d)(7)厚さは、0.1〜0.51層程
度が適当である。なお、この高抵抗のa−8i:H層(
2d)は、エネルギのオプティカルバンドギャップが大
きいので、露光された光はその下層coa−8iSn:
H層(20)Kで吸収されて光キャアを発生するので、
感度は殆んど低下せず、帯°峨能は増大する。
々オ、上記実施例テハ、 a−8i : H層(2b〕
の上部Vca−8iSn:H層(2C〕を積層したもの
であるが、積層の順序を逆にし、a−8iSn:H層(
2c)上1ca−8i:H層(2b)を積層してもよい
。
の上部Vca−8iSn:H層(2C〕を積層したもの
であるが、積層の順序を逆にし、a−8iSn:H層(
2c)上1ca−8i:H層(2b)を積層してもよい
。
発明の効果
スズがドーピングされたアモルファスシリコンは、その
エネルギのオプティカルバンドギャップが1.1 fx
いしt7eV程度であるので、スズがドーピングされな
いものに比べて小さい。従って、長波長領域の低エネル
ギ光であっても、七の光を吸収することにより充分光キ
ャリアを発生する。
エネルギのオプティカルバンドギャップが1.1 fx
いしt7eV程度であるので、スズがドーピングされな
いものに比べて小さい。従って、長波長領域の低エネル
ギ光であっても、七の光を吸収することにより充分光キ
ャリアを発生する。
それ故、不発IJAvC係る静電潜像形成部材を、レー
ザビームプリンタ等の感光体としても使用することがで
きる。
ザビームプリンタ等の感光体としても使用することがで
きる。
図面はいずれも本発明の実施例を示し、第1図および第
2図は、プラズマCVD装置の部分断面斜視図および模
式図である。第6図は感光体ドラムの斜視図である。第
4図および第5図は感光体ドラムの相異なる実施例を示
す部分拡大断面図である。 (2)・・・感光体ドラム(静電潜像形成部材)、(2
a]・・・円筒体(支持体)、(2b)・・・スズがド
ーピングされないアモルファスシリコン層、(2C)・
・・スズがドーピングされたアモルファスシリコンll
、(2d)・・・高抵抗のアモルファスシリコン層。
2図は、プラズマCVD装置の部分断面斜視図および模
式図である。第6図は感光体ドラムの斜視図である。第
4図および第5図は感光体ドラムの相異なる実施例を示
す部分拡大断面図である。 (2)・・・感光体ドラム(静電潜像形成部材)、(2
a]・・・円筒体(支持体)、(2b)・・・スズがド
ーピングされないアモルファスシリコン層、(2C)・
・・スズがドーピングされたアモルファスシリコンll
、(2d)・・・高抵抗のアモルファスシリコン層。
Claims (1)
- 1.19凧性の支持体および光導電層を有する静電潜像
形成部材1c2いて、アモルファスシリコンにてなる光
導電層が少なくとも2層形成され、そのうちの少なくと
も1層にはスズがドーピングされることを特徴とする静
電潜像形成部材。 2、 支持体上に、スズがドーピングされないアモルフ
ァスシリコン層が形成され、その上部にスズがドーピン
グされたアモルファスシリコン層が形成される特許請求
の範囲第1項記載の静電潜像形成部材。 3、 スズがドーピングされたアモルファスシリコン層
の上部に、高抵抗のアモルファスシリコン層が形成され
る特許請求の範囲第2項記載の静電潜像形成部材。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18190282A JPS5971060A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 静電潜像形成部材 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18190282A JPS5971060A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 静電潜像形成部材 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5971060A true JPS5971060A (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=16108880
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18190282A Pending JPS5971060A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 静電潜像形成部材 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5971060A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62134653A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18190282A patent/JPS5971060A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62134653A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
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