JPS5971060A - 静電潜像形成部材 - Google Patents
静電潜像形成部材Info
- Publication number
- JPS5971060A JPS5971060A JP18190282A JP18190282A JPS5971060A JP S5971060 A JPS5971060 A JP S5971060A JP 18190282 A JP18190282 A JP 18190282A JP 18190282 A JP18190282 A JP 18190282A JP S5971060 A JPS5971060 A JP S5971060A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- gaseous
- amorphous silicon
- tin
- latent image
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は電子複写機若しくはレーザビームプリンタ寺に
使用される静電潜像形成部材に関するもので、特に、光
導電層がアモルファスシリコンにて形成されるものであ
る。
使用される静電潜像形成部材に関するもので、特に、光
導電層がアモルファスシリコンにて形成されるものであ
る。
従来技術
近年、新しい静電潜像形成部材として注目？浴びている
ものに、水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）
がある。この水素化アモルファスシリコンは、アモルフ
ァスセレン等の従来から存在する静電潜像形成部材に比
べ、無公害性を有すると共に、耐湿性、耐熱性史には機
械的強度が優れている。また、光感度も可視光調域では
全体ロヘｊに高感度を何する。
ものに、水素化アモルファスシリコン（ａ−８ｉ：Ｈ）
がある。この水素化アモルファスシリコンは、アモルフ
ァスセレン等の従来から存在する静電潜像形成部材に比
べ、無公害性を有すると共に、耐湿性、耐熱性史には機
械的強度が優れている。また、光感度も可視光調域では
全体ロヘｊに高感度を何する。
しかしながら、長波長餡域では司視光饋ＪＩＩｌ：ｔよ
ど高感度ではなかつ念。それ故、通常の電子複写機の感
光体としては使用できたが、ヘリウム−ネオンレーザや
半導体レーザのような長波長光を光源とするレーザ′ビ
ームプリンタ等の感光体として使用するには不向きであ
った。
ど高感度ではなかつ念。それ故、通常の電子複写機の感
光体としては使用できたが、ヘリウム−ネオンレーザや
半導体レーザのような長波長光を光源とするレーザ′ビ
ームプリンタ等の感光体として使用するには不向きであ
った。
発明の目的
本発明は上記従来技術の難点ｉＣ１１１ｍみてなされ九
もので、長波長領域であっても、高感度を有する静電潜
像形成部材を提供することを目的とするものである。
もので、長波長領域であっても、高感度を有する静電潜
像形成部材を提供することを目的とするものである。
発明の構成
本発明は、アモルファスシリコンにてなる光導電層が、
少なくとも２層形成され、そのうちの少なくとも１層に
はスズがドーピングされたものである。このように、ス
ズをドーピングすることによシ、エネルギのオプクイ力
ルバンドギャップが少さくなシ、長波長領域においても
、感度が向上する。
少なくとも２層形成され、そのうちの少なくとも１層に
はスズがドーピングされたものである。このように、ス
ズをドーピングすることによシ、エネルギのオプクイ力
ルバンドギャップが少さくなシ、長波長領域においても
、感度が向上する。
実施例
本発明の一実施例を図面に従がい説明する。第１図ふ・
よび第２図は、円筒状の静“磁層像形成部材（以下感光
体ドラムと称する〕？製造するためのプラズマＣＶＤ装
置の、部分断面斜視図および模式図である。第６図は感
光体ドラムを示す斜視図である。第４図は感光体ドラム
の一部の拡大断面図であって、第５図は他の実施例の拡
大断面図である。
よび第２図は、円筒状の静“磁層像形成部材（以下感光
体ドラムと称する〕？製造するためのプラズマＣＶＤ装
置の、部分断面斜視図および模式図である。第６図は感
光体ドラムを示す斜視図である。第４図は感光体ドラム
の一部の拡大断面図であって、第５図は他の実施例の拡
大断面図である。
第１図ないし第６図において、（１）は感光体ドラム（
２）２よび各種のガスを封入する中空円筒状の密閉容器
である。この容器（１）には、内部の気体を吸引するた
めの、ロータリーポンプ（３）およびメカニカルブース
ターポンプ（４）が直列接続される。（Ｅ閉容器山の内
部には、円柱状でかつ断面が口字状のプラズマシールド
部材（５）が備えられる。そしてこのプラズマシールド
部材（５）の内部には、円柱状で中空環状の電極（６）
が備えられ、この電極］６）の内部には、感光体ドラム
（２）が回転自在に内挿される。
２）２よび各種のガスを封入する中空円筒状の密閉容器
である。この容器（１）には、内部の気体を吸引するた
めの、ロータリーポンプ（３）およびメカニカルブース
ターポンプ（４）が直列接続される。（Ｅ閉容器山の内
部には、円柱状でかつ断面が口字状のプラズマシールド
部材（５）が備えられる。そしてこのプラズマシールド
部材（５）の内部には、円柱状で中空環状の電極（６）
が備えられ、この電極］６）の内部には、感光体ドラム
（２）が回転自在に内挿される。
この感光体ドラム（２）は、モータ（７）の同転１ｌｉ
Ｉｌｌ（８）に固着されたホルダ（９）上に載置され、
七の１喘【は、開孔を閉塞するカバー１１１１が装着さ
れる。０１）は、密閉容ｇｉ（１）ｔプラズマシールド
部材（５）、および電極（６）の外側壁ｔ、軸軸線直焚
方向に月通するガス供給用パイプである。そしてこのガ
ス供給用パルプαυの内部には、電ｉｆ （６１に高周
波電力を印２１１．１するための重心線σ４が挿通され
る。また、電極（（５）の内側壁には、ガスを噴出する
ための複数個のｊ１通化（６ａ）・・・が、軸綜と平行
して連続的に開設される◎０３１は、電極（６）に高周
波電力を印加するための高周波電源である。０４はアル
ゴン（Ａｒ）ガスボンベ、ロシは水素（Ｈ層）ガスボン
ベ、 ｔｉｅはシラン（Ｓ１Ｈ４）ガスボンベ、σＤは
ジボラン（Ｂ２Ｈ，６）ガスボンベ、０８１はテトラメ
チルスズ（Ｓｎ（ＣＨｓ）４）ガスボンベ、セしてｆｉ
ｌは酸素（０２〕ガスボンベである。因ないしのは各ボ
ンベｕｌ１５１１Ｌｔｉ面αａＯＩからの流駄をコント
ロールするコントローラである。（２６１ないしＣ３７
）は各ガスの通路を開閉するパルプである。（至）はメ
インパルプである。
Ｉｌｌ（８）に固着されたホルダ（９）上に載置され、
七の１喘【は、開孔を閉塞するカバー１１１１が装着さ
れる。０１）は、密閉容ｇｉ（１）ｔプラズマシールド
部材（５）、および電極（６）の外側壁ｔ、軸軸線直焚
方向に月通するガス供給用パイプである。そしてこのガ
ス供給用パルプαυの内部には、電ｉｆ （６１に高周
波電力を印２１１．１するための重心線σ４が挿通され
る。また、電極（（５）の内側壁には、ガスを噴出する
ための複数個のｊ１通化（６ａ）・・・が、軸綜と平行
して連続的に開設される◎０３１は、電極（６）に高周
波電力を印加するための高周波電源である。０４はアル
ゴン（Ａｒ）ガスボンベ、ロシは水素（Ｈ層）ガスボン
ベ、 ｔｉｅはシラン（Ｓ１Ｈ４）ガスボンベ、σＤは
ジボラン（Ｂ２Ｈ，６）ガスボンベ、０８１はテトラメ
チルスズ（Ｓｎ（ＣＨｓ）４）ガスボンベ、セしてｆｉ
ｌは酸素（０２〕ガスボンベである。因ないしのは各ボ
ンベｕｌ１５１１Ｌｔｉ面αａＯＩからの流駄をコント
ロールするコントローラである。（２６１ないしＣ３７
）は各ガスの通路を開閉するパルプである。（至）はメ
インパルプである。
上記のようなプラズマＣＶＤ装置にて、外局側が錐面仕
上げされたアルミニウム製の円筒体上に、アモルファス
シリコン層を形成するには次のようにして行なえばよい
。
上げされたアルミニウム製の円筒体上に、アモルファス
シリコン層を形成するには次のようにして行なえばよい
。
先ず、感光体ドラム（２）の支持体となるアルミニウム
製の円筒体（２ａ）を、ホルダ（９）上に載置し、カバ
ー：；１で閉蓋した後％Ｗ閉容器（１）内の空気を２種
朔のポンプ（３バ４）で吸引し、ｌＸ１０ ’気圧に
する。セして、回転させつつ１図示せぬヒータ（円筒体
（２ａ〕の内部に挿入されている）にて２５０℃まで昇
温した後、Ａｒガスを１００００／分程度の流駄で導入
して、ガスＥＥを１気圧に保持し、周波数が１３．５６
ＭＨｚの高周波電力（５０Ｗ程度）で１０分間スパッタ
を行なう。このようにして、アルミニウム製の円筒体（
２ａ）の表面に極微細な凹凸を形成した後、Ａｒガスを
排気し、５ｉＨｎガス、Ｈ２ガスをペースとするＢ２Ｈ
６ガス、およびｏ２ガスを導入して、ガス圧を１気圧に
保持し、３００Ｗ程度の前記と同様な周波数の高周波電
力を３時間程度印加する。そうすると。
製の円筒体（２ａ）を、ホルダ（９）上に載置し、カバ
ー：；１で閉蓋した後％Ｗ閉容器（１）内の空気を２種
朔のポンプ（３バ４）で吸引し、ｌＸ１０ ’気圧に
する。セして、回転させつつ１図示せぬヒータ（円筒体
（２ａ〕の内部に挿入されている）にて２５０℃まで昇
温した後、Ａｒガスを１００００／分程度の流駄で導入
して、ガスＥＥを１気圧に保持し、周波数が１３．５６
ＭＨｚの高周波電力（５０Ｗ程度）で１０分間スパッタ
を行なう。このようにして、アルミニウム製の円筒体（
２ａ）の表面に極微細な凹凸を形成した後、Ａｒガスを
排気し、５ｉＨｎガス、Ｈ２ガスをペースとするＢ２Ｈ
６ガス、およびｏ２ガスを導入して、ガス圧を１気圧に
保持し、３００Ｗ程度の前記と同様な周波数の高周波電
力を３時間程度印加する。そうすると。
円筒体（２ａ）の外側壁に、１８μｍ程度の厚さのａ−
８ｉ：Ｈ層が形成される。次いで、これらのガス中１ｃ
、５ｎ（ＣＨｓ）４ガスヲｓｎ （ＣＨ５）４／ＳｉＨ
４〜０．２（体積比〕となるように導入し、前述と同様
にしてスパッタを行ない、厚さが０．５μｍ程度のスズ
がドーピングされた水素化アモルファスシリコン（ａ−
３ｉＳｎ：Ｈ）層？、前記ａ−８ｉ：Ｈ層の上部に形成
する。第４図はこのようにして形成されたものの断面を
示すもので、（２ａ〕は円筒体、（２ｂ）はａ−８ｉ８
８層、（２Ｃ）はａ−８ｉＳｎ：Ｈ層である。
８ｉ：Ｈ層が形成される。次いで、これらのガス中１ｃ
、５ｎ（ＣＨｓ）４ガスヲｓｎ （ＣＨ５）４／ＳｉＨ
４〜０．２（体積比〕となるように導入し、前述と同様
にしてスパッタを行ない、厚さが０．５μｍ程度のスズ
がドーピングされた水素化アモルファスシリコン（ａ−
３ｉＳｎ：Ｈ）層？、前記ａ−８ｉ：Ｈ層の上部に形成
する。第４図はこのようにして形成されたものの断面を
示すもので、（２ａ〕は円筒体、（２ｂ）はａ−８ｉ８
８層、（２Ｃ）はａ−８ｉＳｎ：Ｈ層である。
第５図は他の実施例を示す断面図であって、ａ−８ｉ
Ｓｎ ： ＨＩｔ４（２ｃ ）ｃＤ上部ｙｒ−％０２ガ
スを多はにドーピングして高抵抗化したａ−８ｉｓＨ層
（２ｄ）が形成されたものである。この高抵抗のａ−８
ｉ：Ｈ層（２ｄ）（７）厚さは、０．１〜０．５１層程
度が適当である。なお、この高抵抗のａ−８ｉ：Ｈ層（
２ｄ）は、エネルギのオプティカルバンドギャップが大
きいので、露光された光はその下層ｃｏａ−８ｉＳｎ：
Ｈ層（２０）Ｋで吸収されて光キャアを発生するので、
感度は殆んど低下せず、帯°峨能は増大する。
Ｓｎ ： ＨＩｔ４（２ｃ ）ｃＤ上部ｙｒ−％０２ガ
スを多はにドーピングして高抵抗化したａ−８ｉｓＨ層
（２ｄ）が形成されたものである。この高抵抗のａ−８
ｉ：Ｈ層（２ｄ）（７）厚さは、０．１〜０．５１層程
度が適当である。なお、この高抵抗のａ−８ｉ：Ｈ層（
２ｄ）は、エネルギのオプティカルバンドギャップが大
きいので、露光された光はその下層ｃｏａ−８ｉＳｎ：
Ｈ層（２０）Ｋで吸収されて光キャアを発生するので、
感度は殆んど低下せず、帯°峨能は増大する。
々オ、上記実施例テハ、 ａ−８ｉ ： Ｈ層（２ｂ〕
の上部Ｖｃａ−８ｉＳｎ：Ｈ層（２Ｃ〕を積層したもの
であるが、積層の順序を逆にし、ａ−８ｉＳｎ：Ｈ層（
２ｃ）上１ｃａ−８ｉ：Ｈ層（２ｂ）を積層してもよい
。
の上部Ｖｃａ−８ｉＳｎ：Ｈ層（２Ｃ〕を積層したもの
であるが、積層の順序を逆にし、ａ−８ｉＳｎ：Ｈ層（
２ｃ）上１ｃａ−８ｉ：Ｈ層（２ｂ）を積層してもよい
。
発明の効果
スズがドーピングされたアモルファスシリコンは、その
エネルギのオプティカルバンドギャップが１．１ ｆｘ
いしｔ７ｅＶ程度であるので、スズがドーピングされな
いものに比べて小さい。従って、長波長領域の低エネル
ギ光であっても、七の光を吸収することにより充分光キ
ャリアを発生する。
エネルギのオプティカルバンドギャップが１．１ ｆｘ
いしｔ７ｅＶ程度であるので、スズがドーピングされな
いものに比べて小さい。従って、長波長領域の低エネル
ギ光であっても、七の光を吸収することにより充分光キ
ャリアを発生する。
それ故、不発ＩＪＡｖＣ係る静電潜像形成部材を、レー
ザビームプリンタ等の感光体としても使用することがで
きる。
ザビームプリンタ等の感光体としても使用することがで
きる。
図面はいずれも本発明の実施例を示し、第１図および第
２図は、プラズマＣＶＤ装置の部分断面斜視図および模
式図である。第６図は感光体ドラムの斜視図である。第
４図および第５図は感光体ドラムの相異なる実施例を示
す部分拡大断面図である。 （２）・・・感光体ドラム（静電潜像形成部材）、（２
ａ］・・・円筒体（支持体）、（２ｂ）・・・スズがド
ーピングされないアモルファスシリコン層、（２Ｃ）・
・・スズがドーピングされたアモルファスシリコンｌｌ
、（２ｄ）・・・高抵抗のアモルファスシリコン層。
２図は、プラズマＣＶＤ装置の部分断面斜視図および模
式図である。第６図は感光体ドラムの斜視図である。第
４図および第５図は感光体ドラムの相異なる実施例を示
す部分拡大断面図である。 （２）・・・感光体ドラム（静電潜像形成部材）、（２
ａ］・・・円筒体（支持体）、（２ｂ）・・・スズがド
ーピングされないアモルファスシリコン層、（２Ｃ）・
・・スズがドーピングされたアモルファスシリコンｌｌ
、（２ｄ）・・・高抵抗のアモルファスシリコン層。
Claims (1)
- １．１９凧性の支持体および光導電層を有する静電潜像
形成部材１ｃ２いて、アモルファスシリコンにてなる光
導電層が少なくとも２層形成され、そのうちの少なくと
も１層にはスズがドーピングされることを特徴とする静
電潜像形成部材。 ２、 支持体上に、スズがドーピングされないアモルフ
ァスシリコン層が形成され、その上部にスズがドーピン
グされたアモルファスシリコン層が形成される特許請求
の範囲第１項記載の静電潜像形成部材。 ３、 スズがドーピングされたアモルファスシリコン層
の上部に、高抵抗のアモルファスシリコン層が形成され
る特許請求の範囲第２項記載の静電潜像形成部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18190282A JPS5971060A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 静電潜像形成部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18190282A JPS5971060A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 静電潜像形成部材 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5971060A true JPS5971060A (ja) | 1984-04-21 |
Family
ID=16108880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18190282A Pending JPS5971060A (ja) | 1982-10-15 | 1982-10-15 | 静電潜像形成部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5971060A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134653A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-10-15 JP JP18190282A patent/JPS5971060A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62134653A (ja) * | 1985-12-06 | 1987-06-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子写真感光体 |
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