JPS5969494A - 低圧気体蒸気反応処理装置 - Google Patents
低圧気体蒸気反応処理装置Info
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- JPS5969494A JPS5969494A JP17904082A JP17904082A JPS5969494A JP S5969494 A JPS5969494 A JP S5969494A JP 17904082 A JP17904082 A JP 17904082A JP 17904082 A JP17904082 A JP 17904082A JP S5969494 A JPS5969494 A JP S5969494A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低圧気体蒸気反応処理装置、特に反応処理袋Ｕ
内におりるダスト濃度を極めて減少し得る低圧気体蒸気
反応処理装置に関する。
内におりるダスト濃度を極めて減少し得る低圧気体蒸気
反応処理装置に関する。
各押低圧反応装置においては反応領域におけるダスト饋
度を極力減少きせることか望まれておシ。
度を極力減少きせることか望まれておシ。
特に超Ｌ Ｓ Ｉ等の極めて微細なπ１、子部品回路（
１］がＩｔオーダー）の製造に当っては１反応領域のダ
スト濃度がクラス１００（／立方フェート中にｏ３μ以
上のダスト個数が１００個以下）であることが必要とさ
れている。一般に通常の雰囲気におけるダスト濃度は約
−２０万個／ （ｔ ３とされており、真空吸引中の当
初の雰囲気においてもはソ同等のダスト濃度であると認
められている。
１］がＩｔオーダー）の製造に当っては１反応領域のダ
スト濃度がクラス１００（／立方フェート中にｏ３μ以
上のダスト個数が１００個以下）であることが必要とさ
れている。一般に通常の雰囲気におけるダスト濃度は約
−２０万個／ （ｔ ３とされており、真空吸引中の当
初の雰囲気においてもはソ同等のダスト濃度であると認
められている。
本発明者はさきに’／ｌ ００μ以下の超微粉の製造法
の開発に成功し、この種超微粉の製造を実が１ｊシてい
るが、か＼る超微粉は鏡面研磨した金属面に付着し難く
、かつ該金属面を加熱することにより更にその効果が増
大することを知見し、このような超微粉の特性を低圧気
体蒸気反応処理装置内におけるダストｆｉ２度の減少に
応用することに着目し。
の開発に成功し、この種超微粉の製造を実が１ｊシてい
るが、か＼る超微粉は鏡面研磨した金属面に付着し難く
、かつ該金属面を加熱することにより更にその効果が増
大することを知見し、このような超微粉の特性を低圧気
体蒸気反応処理装置内におけるダストｆｉ２度の減少に
応用することに着目し。
本発明装置１￥の開発に成功したものである。
本発明の袂旨とするところは前記特許請求の範囲に明記
したとおシであるが、本発明装置の一具体例をボす第１
図に基いて詳細に説明する。
したとおシであるが、本発明装置の一具体例をボす第１
図に基いて詳細に説明する。
第７図においてｌは円筒状反応室であシ、該反応室内に
は蒸着又はエツチングすべき基体λが適当な支持機構３
によって支持しかつ配設しである。
は蒸着又はエツチングすべき基体λが適当な支持機構３
によって支持しかつ配設しである。
ｔは反応ガス装入室であり、反応ガス管グ′を備え、該
反応ガス装入室グを囲繞してｆｉＪ状の搬送（又は保護
）ガス装入室ｊを配設し、搬送ガス管ｊ′を備えている
。これらの反応ガス装入室グと搬送ガス装入室ｒｐは多
数のガス噴出孔を有する隔壁ｔを介して前記反応室ｌに
連結しである。
反応ガス装入室グを囲繞してｆｉＪ状の搬送（又は保護
）ガス装入室ｊを配設し、搬送ガス管ｊ′を備えている
。これらの反応ガス装入室グと搬送ガス装入室ｒｐは多
数のガス噴出孔を有する隔壁ｔを介して前記反応室ｌに
連結しである。
円筒状反応室ｌの他端部には外周に加熱機構ｌ／を具備
するラバール管状排気導管７が連結してあり、該排気導
Ｑ）；７の先端部導管７′は該排気導管７の輔＠に対し
ては’；ｉ’ｆ！角状に屈曲即ち直交してあって、ダス
トコレクター室ｇＶＣ連結してあり、反応室から直接見
へない位置に該コレクター室ｒが配置されている。該ダ
ストコレクター室ｇには図示の如く低温式ダストカウン
タータを配設し、かつノ々ルブ１０を介して真空ポンプ
ＰＶＣ連通しである。尚、第１図において７．２は基板
加熱用の熱輻射ヒーターであり、必要に応じて設けるも
のである。
するラバール管状排気導管７が連結してあり、該排気導
Ｑ）；７の先端部導管７′は該排気導管７の輔＠に対し
ては’；ｉ’ｆ！角状に屈曲即ち直交してあって、ダス
トコレクター室ｇＶＣ連結してあり、反応室から直接見
へない位置に該コレクター室ｒが配置されている。該ダ
ストコレクター室ｇには図示の如く低温式ダストカウン
タータを配設し、かつノ々ルブ１０を介して真空ポンプ
ＰＶＣ連通しである。尚、第１図において７．２は基板
加熱用の熱輻射ヒーターであり、必要に応じて設けるも
のである。
本発明装置〃は以上の如き構成からなっており、該装置
の操作に当っては、操作開始前に数回の真空吸引による
装置自昇囲気の清浄化処理を行った後に反応処丹操イア
１全開始する。
の操作に当っては、操作開始前に数回の真空吸引による
装置自昇囲気の清浄化処理を行った後に反応処丹操イア
１全開始する。
反応処３．ｐＩｌ操作は反応ガス管ｔ′より反応ガス送
入室≠に反応ガスを送入すると共に、環状の搬送（又は
保護）ガスを搬送ガス送入室に送気する。
入室≠に反応ガスを送入すると共に、環状の搬送（又は
保護）ガスを搬送ガス送入室に送気する。
これらのガスは隔壁乙の多数のガス噴出孔から噴出し１
反応ガス（実線矢印）は基体２表面への反応処理に供せ
られ、反応／ｉｌｌ生成物を含んだ排ガスとなって排気
管７ Ｖ（向って流れる。、搬送ガス（破線矢印） ＆
；１：反応ガス及び反応法の拮がスとを包むようにして
共に排気管７方向ｌこ層流（Ｌａｍｉｎａｒｆｌｏｗ）
となつで流れ、装箔内雰囲気中又は反応処理によって発
生されたダストを随伴して夫々のガスの矢印方向に流れ
る。
反応ガス（実線矢印）は基体２表面への反応処理に供せ
られ、反応／ｉｌｌ生成物を含んだ排ガスとなって排気
管７ Ｖ（向って流れる。、搬送ガス（破線矢印） ＆
；１：反応ガス及び反応法の拮がスとを包むようにして
共に排気管７方向ｌこ層流（Ｌａｍｉｎａｒｆｌｏｗ）
となつで流れ、装箔内雰囲気中又は反応処理によって発
生されたダストを随伴して夫々のガスの矢印方向に流れ
る。
前述の如く、排ガスを搬送ガスによって包囲しンモ層流
とすることにより、排ガス中に随伴さｔＬるダストが内
壁に近づくことを極力防止し、ラバール状排気導管７を
ヒーター／／Ｉｆ（より少なくともｉｓｏ′Ｃに加熱す
ることにより前述の超微粉の特性から内壁への刺着は妨
げられる。更に真空又は低圧中においてダストはブラウ
ン運動をすることが知られているが、このような挙動を
するダストは内壁面近くを流れる前記搬送ガス流によっ
て内壁えの付着が防止されると言う相乗効果が発揮きれ
る。
とすることにより、排ガス中に随伴さｔＬるダストが内
壁に近づくことを極力防止し、ラバール状排気導管７を
ヒーター／／Ｉｆ（より少なくともｉｓｏ′Ｃに加熱す
ることにより前述の超微粉の特性から内壁への刺着は妨
げられる。更に真空又は低圧中においてダストはブラウ
ン運動をすることが知られているが、このような挙動を
するダストは内壁面近くを流れる前記搬送ガス流によっ
て内壁えの付着が防止されると言う相乗効果が発揮きれ
る。
反応処理操作を開始すると同時に、真空ポンプＰを作動
させ、＄５めで緩やかに排気を行うことにより前記した
排気導管７内に成形されたダストを随伴した層流はその
捷＼の状態で排気導管の先端部導管７′に流れ、ダスト
コレクター室にに緩やかに吸引される。ダストコレクタ
ー室ｇを排気専管の先端部導管７′の径より大きい径又
は断面積とすることにより、ダストコレクター室に入っ
た前記ダストを随伴した層流は流速が急激に小さくされ
てコレクタータえのダストの刺着効率も向上される。又
、コレクタータは低温構造としておくことによりダスト
の捕捉効率は一層向上する。
させ、＄５めで緩やかに排気を行うことにより前記した
排気導管７内に成形されたダストを随伴した層流はその
捷＼の状態で排気導管の先端部導管７′に流れ、ダスト
コレクター室にに緩やかに吸引される。ダストコレクタ
ー室ｇを排気専管の先端部導管７′の径より大きい径又
は断面積とすることにより、ダストコレクター室に入っ
た前記ダストを随伴した層流は流速が急激に小さくされ
てコレクタータえのダストの刺着効率も向上される。又
、コレクタータは低温構造としておくことによりダスト
の捕捉効率は一層向上する。
本発明の低比気体蒸気反応処理装置を用いたプラズマＯ
ＶＤ法の実施例を以下に説明する。
ＶＤ法の実施例を以下に説明する。
実施例
反応室の大きさ： ｚｏｏ、φ×３ｏθｖｍ＋ ）
−Ｔガス圧カニ ０．０ ！−０．．２ ）
−ルラガール管の大きさ： 大径 ！；ｏｏｍｎφ小径
−２００Ｂφ 長さ ｔｏｏ。
−Ｔガス圧カニ ０．０ ！−０．．２ ）
−ルラガール管の大きさ： 大径 ！；ｏｏｍｎφ小径
−２００Ｂφ 長さ ｔｏｏ。
流れるガスの流速： Ｓ ＋ Ｈ４（／ ０ （７％
）０．０ ！ ）−ルでＱ ＜ ３ ｓ、 ｅ、 ｃ／
ｍで層流となる。
）０．０ ！ ）−ルでＱ ＜ ３ ｓ、 ｅ、 ｃ／
ｍで層流となる。
ラノ々−ル管月質： ５ＵＳ−グ、内面研麿うノ々
−ル管温度： ｉｓｒ℃ コレクター： 水冷（但し冷凍機又は液体窒
素も用いた場合の方が菊１率がよい） 準備排気： 常圧がら１０−６トールまで
の排気を１０分間で行ない、との拶１気操 作を３回繰返す。反応がス５ＪＴ４ を導入して反応処理を行なった。
−ル管温度： ｉｓｒ℃ コレクター： 水冷（但し冷凍機又は液体窒
素も用いた場合の方が菊１率がよい） 準備排気： 常圧がら１０−６トールまで
の排気を１０分間で行ない、との拶１気操 作を３回繰返す。反応がス５ＪＴ４ を導入して反応処理を行なった。
以上の処理操作中反応室雰囲気のダスト濃度はクラス−
２０（ダストカウンターによる）であることが測定され
た。
２０（ダストカウンターによる）であることが測定され
た。
□上記の如く２本発明の構成とすることにより処理装置
内におけるダストフ゛↓度を、従来方式に比べて極めて
減少することに成功し、超Ｌ Ｓ Ｉ等の製造に応用し
て秀れた効果を発揮しうるものである。
内におけるダストフ゛↓度を、従来方式に比べて極めて
減少することに成功し、超Ｌ Ｓ Ｉ等の製造に応用し
て秀れた効果を発揮しうるものである。
添伺図面は本発明の一具体例を示す概略断面図であり、
ｌは円筒状反応室、２は被処理基体、３け支持機構、ｌ
Ｉ−は反応ガス装入室、ｊは搬送ガス装入室、ｔは隔壁
、７はラバール排気導管、ｒはダストコレクター室、り
はダストコレクター、／／は加熱機構である。
ｌは円筒状反応室、２は被処理基体、３け支持機構、ｌ
Ｉ−は反応ガス装入室、ｊは搬送ガス装入室、ｔは隔壁
、７はラバール排気導管、ｒはダストコレクター室、り
はダストコレクター、／／は加熱機構である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 反応室の一方端部に、多数のガス噴出孔を有する隔壁を
介して反応ガス送入室と該反応ガス送入室を囲繞する埋
伏の搬送ガス装入室とを配設し。 前記反応室の他方端部に、外周に加熱機構を具備するラ
バール管状排気導管とそれにはｙ直交する導管とその下
流のダストコレクターとを配設し。 前記排気導管のｌＩｌ＋ 腺と前記コレクターの用１線
とがはｙ直交する如く連結したことを特徴とする低圧気
体蒸気反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17904082A JPS5969494A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17904082A JPS5969494A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969494A true JPS5969494A (ja) | 1984-04-19 |
| JPS631388B2 JPS631388B2 (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=16059058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17904082A Granted JPS5969494A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969494A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5970761A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
| JPH01309315A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| CN107385413A (zh) * | 2016-04-25 | 2017-11-24 | 丰田自动车株式会社 | 成膜方法及成膜装置 |
| US11251019B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5292261U (ja) * | 1975-12-31 | 1977-07-09 | ||
| JPS535896A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Shimizu Construction Co Ltd | Fire protecting partition device for floor opening |
| JPS535869A (en) * | 1976-07-07 | 1978-01-19 | Ebara Corp | Apparatus for classifying refuse of rebounding type |
| JPS5364676U (ja) * | 1976-10-30 | 1978-05-31 | ||
| JPS5364676A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-09 | Hitachi Ltd | Treating apparatus in gas phase |
| JPS5421973A (en) * | 1977-07-20 | 1979-02-19 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas phase reaction apparatus |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP17904082A patent/JPS5969494A/ja active Granted
Patent Citations (6)
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| JPS5364676U (ja) * | 1976-10-30 | 1978-05-31 | ||
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| JPH01309315A (ja) * | 1988-06-08 | 1989-12-13 | Tel Sagami Ltd | 熱処理装置 |
| CN107385413A (zh) * | 2016-04-25 | 2017-11-24 | 丰田自动车株式会社 | 成膜方法及成膜装置 |
| CN107385413B (zh) * | 2016-04-25 | 2019-12-17 | 丰田自动车株式会社 | 成膜方法及成膜装置 |
| US10597775B2 (en) | 2016-04-25 | 2020-03-24 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Film forming method and film forming apparatus |
| US11251019B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS631388B2 (ja) | 1988-01-12 |
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