JPS631388B2 - - Google Patents
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- JPS631388B2 JPS631388B2 JP57179040A JP17904082A JPS631388B2 JP S631388 B2 JPS631388 B2 JP S631388B2 JP 57179040 A JP57179040 A JP 57179040A JP 17904082 A JP17904082 A JP 17904082A JP S631388 B2 JPS631388 B2 JP S631388B2
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
- C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
- C23C16/45504—Laminar flow
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は低圧気体蒸気反応処理装置、特に反応
処理装置内におけるダスト濃度を極めて減少し得
る低圧気体蒸気反応処理装置に関する。
処理装置内におけるダスト濃度を極めて減少し得
る低圧気体蒸気反応処理装置に関する。
各種低圧反応装置においては反応領域における
ダスト濃度を極力減少させることが望まれてお
り、特に超LSI等の極めて微細な電子部品回路
（巾がμオーダー）の製造に当つては、反応領域
のダスト濃度がクラス100（１立方フイート中に
0.5μ以上のダスト個数が100個以下）であること
が必要とされている。一般に通常の雰囲気におけ
るダスト濃度は約20万個／ft3とされており、真
空吸引中の当初の雰囲気においてもほゞ同等のダ
スト濃度であると認められている。
ダスト濃度を極力減少させることが望まれてお
り、特に超LSI等の極めて微細な電子部品回路
（巾がμオーダー）の製造に当つては、反応領域
のダスト濃度がクラス100（１立方フイート中に
0.5μ以上のダスト個数が100個以下）であること
が必要とされている。一般に通常の雰囲気におけ
るダスト濃度は約20万個／ft3とされており、真
空吸引中の当初の雰囲気においてもほゞ同等のダ
スト濃度であると認められている。
本発明者はさきに1/100μ以下の超微粉の製造
法の開発に成功し、この種超微粉の製造を実施し
ているが、かゝる超微粉は鏡面研磨した金属面に
付着し難く、かつ該金属面を加熱することにより
更にその効果が増大することを知見し、このよう
な超微粉の特性を低圧気体蒸気反応処理装置内に
おけるダスト濃度の減少に応用することに着目
し、本発明装置の開発に成功したものである。
法の開発に成功し、この種超微粉の製造を実施し
ているが、かゝる超微粉は鏡面研磨した金属面に
付着し難く、かつ該金属面を加熱することにより
更にその効果が増大することを知見し、このよう
な超微粉の特性を低圧気体蒸気反応処理装置内に
おけるダスト濃度の減少に応用することに着目
し、本発明装置の開発に成功したものである。
本発明の要旨とするところは前記特許請求の範
囲に明記したとおりであるが、本発明装置の一具
体例を示す第１図に基いて詳細に説明する。
囲に明記したとおりであるが、本発明装置の一具
体例を示す第１図に基いて詳細に説明する。
第１図において１は円筒状反応室であり、該反
応室内には蒸着又はエツチングすべき基体２が適
当な支持機構３によつて支持しかつ配設してあ
る。４は反応ガス送入室であり、反応ガス管４′
を備え、該反応ガス送入室４を囲繞して環状の搬
送（又は保護）ガス送入室５を配設し、搬送ガス
管５′を備えている。これらの反応ガス送入室４
と搬送ガス送入室５とは多数のガス噴出孔を有す
る隔壁６を介して前記反応室１に連結してある。
応室内には蒸着又はエツチングすべき基体２が適
当な支持機構３によつて支持しかつ配設してあ
る。４は反応ガス送入室であり、反応ガス管４′
を備え、該反応ガス送入室４を囲繞して環状の搬
送（又は保護）ガス送入室５を配設し、搬送ガス
管５′を備えている。これらの反応ガス送入室４
と搬送ガス送入室５とは多数のガス噴出孔を有す
る隔壁６を介して前記反応室１に連結してある。
円筒状反応室１の他端部には外周に加熱機構１
１を具備するラバール管状排気導管７が連結して
あり、該排気導管７の先端部導管７′は該排気導
管７の軸線に対してほゞ直角状に屈曲即ち直交し
てあつて、ダストコレクター室８に連結してあ
り、反応室から直接見えない位置に該コレクター
室８が配置されている。該ダストコレクター室８
には図示の如く低温式ダストコレクター９を配設
し、かつバルブ１０を介して真空ポンプＰに連通
してある。尚、第１図において１２は基板加熱用
の熱輻射ヒーターであり、必要に応じて設けるも
のである。
１を具備するラバール管状排気導管７が連結して
あり、該排気導管７の先端部導管７′は該排気導
管７の軸線に対してほゞ直角状に屈曲即ち直交し
てあつて、ダストコレクター室８に連結してあ
り、反応室から直接見えない位置に該コレクター
室８が配置されている。該ダストコレクター室８
には図示の如く低温式ダストコレクター９を配設
し、かつバルブ１０を介して真空ポンプＰに連通
してある。尚、第１図において１２は基板加熱用
の熱輻射ヒーターであり、必要に応じて設けるも
のである。
本発明装置は以上の如き構成からなつており、
該装置の操作に当つては、操作開始前に数回の真
空吸引による装置内雰囲気の清浄化処理を行つた
後に反応処理操作を開始する。
該装置の操作に当つては、操作開始前に数回の真
空吸引による装置内雰囲気の清浄化処理を行つた
後に反応処理操作を開始する。
反応処理操作は反応ガス管４′より反応ガス送
入室４に反応ガスを送入すると共に、環状の搬送
（又は保護）ガスを搬送ガス送入室に送気する。
これらのガスは隔壁６の多数のガス噴出孔から噴
出し、反応ガス（実線矢印）は基体２表面への反
応処理に供せられ、反応副生成物を含んだ排ガス
となつて排気管７に向つて流れる。搬送ガス（破
線矢印）は反応ガス及び反応済の排ガスとを包む
ようにして共に排気管７方向に層流（Laminar
flow）となつて流れ、装置内雰囲気中又は反応
処理によつて発生されたダストを随伴して夫々の
ガスの矢印方向に流れる。
入室４に反応ガスを送入すると共に、環状の搬送
（又は保護）ガスを搬送ガス送入室に送気する。
これらのガスは隔壁６の多数のガス噴出孔から噴
出し、反応ガス（実線矢印）は基体２表面への反
応処理に供せられ、反応副生成物を含んだ排ガス
となつて排気管７に向つて流れる。搬送ガス（破
線矢印）は反応ガス及び反応済の排ガスとを包む
ようにして共に排気管７方向に層流（Laminar
flow）となつて流れ、装置内雰囲気中又は反応
処理によつて発生されたダストを随伴して夫々の
ガスの矢印方向に流れる。
前述の如く、排ガスを搬送ガスによつて包囲し
た層流とすることにより、排ガス中に随伴される
ダストが内壁に近づくことを極力防止し、ラバー
ル状排気導管７をヒーター１１により少なくとも
150℃に加熱することにより前述の超微粉の特性
から内壁への付着は妨げられる。更に真空又は低
圧中においてダストはブラウン運動をすることが
知られているが、このような挙動をするダストは
内壁面近くを流れる前記搬送ガス流によつて内壁
への付着が防止されると言う相乗効果が発揮され
る。
た層流とすることにより、排ガス中に随伴される
ダストが内壁に近づくことを極力防止し、ラバー
ル状排気導管７をヒーター１１により少なくとも
150℃に加熱することにより前述の超微粉の特性
から内壁への付着は妨げられる。更に真空又は低
圧中においてダストはブラウン運動をすることが
知られているが、このような挙動をするダストは
内壁面近くを流れる前記搬送ガス流によつて内壁
への付着が防止されると言う相乗効果が発揮され
る。
反応処理操作を開始すると同時に、真空ポンプ
Ｐを作動させ、極めて緩やかに排気を行うことに
より前記した排気導管７内に成形されたダストを
随伴した層流はそのまゝの状態で排気導管の先端
部導管７′に流れ、ダストコレクター室８に緩や
かに吸引される。ダストコレクター室８は反応室
１から直接見えない位置に配置されているため、
ダストコレクター室８が反応室１内へダストが舞
い戻ることがない。ダストコレクター室８を排気
導管の先端部導管７′の径より大きい径又は断面
積とすることにより、ダストコレクター室に入つ
た前記ダストを随伴した層流は流速が急激に小さ
くされてコレクター９へのダストの付着効率も向
上される。又、コレクター９は低温構造としてお
くことによりダストの捕捉効率は一層向上する。
Ｐを作動させ、極めて緩やかに排気を行うことに
より前記した排気導管７内に成形されたダストを
随伴した層流はそのまゝの状態で排気導管の先端
部導管７′に流れ、ダストコレクター室８に緩や
かに吸引される。ダストコレクター室８は反応室
１から直接見えない位置に配置されているため、
ダストコレクター室８が反応室１内へダストが舞
い戻ることがない。ダストコレクター室８を排気
導管の先端部導管７′の径より大きい径又は断面
積とすることにより、ダストコレクター室に入つ
た前記ダストを随伴した層流は流速が急激に小さ
くされてコレクター９へのダストの付着効率も向
上される。又、コレクター９は低温構造としてお
くことによりダストの捕捉効率は一層向上する。
本発明の低圧気体蒸気反応処理装置を用いたプ
ラズマCVD法の実施例を以下に説明する。
ラズマCVD法の実施例を以下に説明する。
実施例
反応室の大きさ：500mmφ×300mmＨ
ガス圧力：0.05〜0.2トール
ラバール管の大きさ：大径500mmφ
小径200mmφ
長さ600mm
流れるガスの流速：SiH4（100％）
0.05トールでＱ＜3s.e.c／ｍで層流となる。
ラバール管材質：SUS24、内面研磨
ラバール管温度：155℃
コレクター：水冷（但し冷凍機又は液体窒素も用
いた場合の方が効率がよい） 準備排気：常圧から10-6トールまでの排気を10分
間行ない、この排気操作を３回繰返す。反応ガ
スSiH4を導入して反応処理を行なつた。
いた場合の方が効率がよい） 準備排気：常圧から10-6トールまでの排気を10分
間行ない、この排気操作を３回繰返す。反応ガ
スSiH4を導入して反応処理を行なつた。
以上の処理操作中反応室雰囲気のダスト濃度は
クラス20（ダストカウンターによる）であること
が測定された。
クラス20（ダストカウンターによる）であること
が測定された。
上記の如く、本発明の構成とすることにより処
理装置内におけるダスト濃度を、従来方式に比べ
て極めて減少することに成功し、超LSI等の製造
に応用して秀れた効果を発揮しうるものである。
理装置内におけるダスト濃度を、従来方式に比べ
て極めて減少することに成功し、超LSI等の製造
に応用して秀れた効果を発揮しうるものである。
添付図面は本発明の一具体例を示す概略断面図
であり、１は円筒状反応室、２は被処理基体、３
は支持機構、４は反応ガス送入室、５は搬送ガス
送入室、６は隔壁、７はラバール排気導管、８は
ダストコレクター室、９はダストコレクター、１
１は加熱機構である。
であり、１は円筒状反応室、２は被処理基体、３
は支持機構、４は反応ガス送入室、５は搬送ガス
送入室、６は隔壁、７はラバール排気導管、８は
ダストコレクター室、９はダストコレクター、１
１は加熱機構である。
Claims (1)
- １ 反応室の一方端部に、多数のガス噴出孔を有
する隔壁を介して反応ガス送入室と該反応ガス送
入室を囲繞する環状の搬送ガス送入室とを配設
し、前記反応室の他方端部に、外周に加熱機構を
具備するラバール管状排気導管とそれにほゞ直交
する導管とその下流のダストコレクターとを配設
し、前記排気導管の軸線と前記コレクターの軸線
とほゞ直交する如く連結したことを特徴とする低
圧気体蒸気反応処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17904082A JPS5969494A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17904082A JPS5969494A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5969494A JPS5969494A (ja) | 1984-04-19 |
| JPS631388B2 true JPS631388B2 (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=16059058
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17904082A Granted JPS5969494A (ja) | 1982-10-14 | 1982-10-14 | 低圧気体蒸気反応処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5969494A (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5970761A (ja) * | 1982-10-18 | 1984-04-21 | Toshiba Corp | 膜形成装置 |
| JP2677606B2 (ja) * | 1988-06-08 | 1997-11-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置 |
| JP6455481B2 (ja) * | 2016-04-25 | 2019-01-23 | トヨタ自動車株式会社 | 成膜方法及び成膜装置 |
| US11251019B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-02-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma device |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS535896A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Shimizu Construction Co Ltd | Fire protecting partition device for floor opening |
| JPS535869A (en) * | 1976-07-07 | 1978-01-19 | Ebara Corp | Apparatus for classifying refuse of rebounding type |
| JPS5364676A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-09 | Hitachi Ltd | Treating apparatus in gas phase |
| JPS5421973A (en) * | 1977-07-20 | 1979-02-19 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas phase reaction apparatus |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5292261U (ja) * | 1975-12-31 | 1977-07-09 | ||
| JPS5364676U (ja) * | 1976-10-30 | 1978-05-31 |
-
1982
- 1982-10-14 JP JP17904082A patent/JPS5969494A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS535896A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Shimizu Construction Co Ltd | Fire protecting partition device for floor opening |
| JPS535869A (en) * | 1976-07-07 | 1978-01-19 | Ebara Corp | Apparatus for classifying refuse of rebounding type |
| JPS5364676A (en) * | 1976-11-22 | 1978-06-09 | Hitachi Ltd | Treating apparatus in gas phase |
| JPS5421973A (en) * | 1977-07-20 | 1979-02-19 | Cho Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Gas phase reaction apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5969494A (ja) | 1984-04-19 |
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