JPS6123758A - シリコン製造装置 - Google Patents
シリコン製造装置Info
- Publication number
- JPS6123758A JPS6123758A JP14379284A JP14379284A JPS6123758A JP S6123758 A JPS6123758 A JP S6123758A JP 14379284 A JP14379284 A JP 14379284A JP 14379284 A JP14379284 A JP 14379284A JP S6123758 A JPS6123758 A JP S6123758A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon
- fine powder
- reaction chamber
- water
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[発明の技術分野]
本発明は、3iを含む原料ガスを反応室内に導入し、こ
の原料ガスを分解することによりシリコンを製造するt
iNに関し、特に反応室内で副生ずる微粉末シリコンを
回収処理できるものに関する。
の原料ガスを分解することによりシリコンを製造するt
iNに関し、特に反応室内で副生ずる微粉末シリコンを
回収処理できるものに関する。
[発明の技術的背景とその問題点]
反応室内にSiを含む原料ガスを導入し、この原料ガス
をグロー放電、熱、光により分解してシリコンを製造づ
る際に、副生成物として微粉末シリコンが反応室内やガ
ス排気系内に発生する。
をグロー放電、熱、光により分解してシリコンを製造づ
る際に、副生成物として微粉末シリコンが反応室内やガ
ス排気系内に発生する。
シラン、ジシラン等の高次シラン、Si Fa等のSi
のハロゲン化物のグロー放電分解によるアモルファスシ
リコンやマイクロクリスタルシリコンの製造、Si H
2C12等の81の塩化物の熱分解によるエピタキシャ
ルシリコンや多結晶シリコンの製造、シラン、高次シラ
ンの水銀ランプ照射の光分解にJ:るアモルファスシリ
コンや結晶シリコンの製造において、各々の原料ガスは
分解されてイオンやラジカル等の反応性活性種が生成す
る。それらの反応性活性種は基体表面に吸着し、シリコ
ンが基体上に堆積する。一方反応性活性種の一部は気相
で反応し微粉末シリコンが発生する。
のハロゲン化物のグロー放電分解によるアモルファスシ
リコンやマイクロクリスタルシリコンの製造、Si H
2C12等の81の塩化物の熱分解によるエピタキシャ
ルシリコンや多結晶シリコンの製造、シラン、高次シラ
ンの水銀ランプ照射の光分解にJ:るアモルファスシリ
コンや結晶シリコンの製造において、各々の原料ガスは
分解されてイオンやラジカル等の反応性活性種が生成す
る。それらの反応性活性種は基体表面に吸着し、シリコ
ンが基体上に堆積する。一方反応性活性種の一部は気相
で反応し微粉末シリコンが発生する。
シリコンの製造後に反応室からこれらの微粉末シリコン
を除去することなしに次のシリコン製造工程を開始する
と、反応室内を減ルしたり原料ガスを導入すときに微粉
末シリコンが反応室内で舞い上がり、基体表面上に付着
してしまう。このようにして基体表面に付着した微粉末
シリコンは、基体上に堆積されたシリコンのピンホール
やクラックの原因になる。したがって製品の歩留りを向
上させるためには微粉末シリコンを反応室内から完全に
除去することが必要となる。
を除去することなしに次のシリコン製造工程を開始する
と、反応室内を減ルしたり原料ガスを導入すときに微粉
末シリコンが反応室内で舞い上がり、基体表面上に付着
してしまう。このようにして基体表面に付着した微粉末
シリコンは、基体上に堆積されたシリコンのピンホール
やクラックの原因になる。したがって製品の歩留りを向
上させるためには微粉末シリコンを反応室内から完全に
除去することが必要となる。
従来、この微粉末シリコンを反応室内から除去する手段
としては、係員がアルコールで拭き取るとか、ブロアー
や集塵l!!(掃除機)等で吸引回収するとか、高圧気
体で吹き飛ばすとかの方法が採用されていた。
としては、係員がアルコールで拭き取るとか、ブロアー
や集塵l!!(掃除機)等で吸引回収するとか、高圧気
体で吹き飛ばすとかの方法が採用されていた。
しかしながらアルコールで拭き取る方法では、アルコー
ルに溶解したシリコンが反応室内に固着したり拭き取り
用の布や紙が届かない部分があったり、アルコールが揮
発性のためR東上係員に悪影響を及ぼすといった問題が
あった。
ルに溶解したシリコンが反応室内に固着したり拭き取り
用の布や紙が届かない部分があったり、アルコールが揮
発性のためR東上係員に悪影響を及ぼすといった問題が
あった。
また集塵機などで吸収回収する場合には、配管内やフィ
ルタに溜った微粉末シリコンが粉塵爆発を起こすという
危険があった。
ルタに溜った微粉末シリコンが粉塵爆発を起こすという
危険があった。
また高圧気体で吹き飛ばす場合には、吹き飛ばされた微
粉末シリコンが環境を汚染しないようにするため^能力
のダクト設備を必要とし高価になるという問題があった
。
粉末シリコンが環境を汚染しないようにするため^能力
のダクト設備を必要とし高価になるという問題があった
。
[発明の目的1
本発明は上記事情に鑑みてなされたものでその目的とす
るところは、シリコンの製造に際して反応室内で副生し
た微粉末シリコンを比較的簡単な構成で粉塵爆発の危険
もなくかつ環境汚染を生ずることなく効率よく確実に除
去することができるシリコン製造装置を提供することで
ある。
るところは、シリコンの製造に際して反応室内で副生し
た微粉末シリコンを比較的簡単な構成で粉塵爆発の危険
もなくかつ環境汚染を生ずることなく効率よく確実に除
去することができるシリコン製造装置を提供することで
ある。
[発明の概要〕
本発明は上記目的を達成するため、3iを含む原料ガス
を導入しこれを分解して基体上にシリコンを堆積させる
反応室と、この反応室内に残留ずト る未反応の原料ガス及びガス状の副生成物を導入して酸
化さゼる酸化手段と、酸化手段で酸化された酸化物を水
相へ移動する湿式集塵機表、」−記反応室内で副生した
微粉末シリコンを吸引して上記湿式集塵機へ導く吸引手
段と、上記吸引手段で吸引された微粉末シリコンに水を
噴霧する水噴霧手段とによってシリコン製造装置を構成
したものである。
を導入しこれを分解して基体上にシリコンを堆積させる
反応室と、この反応室内に残留ずト る未反応の原料ガス及びガス状の副生成物を導入して酸
化さゼる酸化手段と、酸化手段で酸化された酸化物を水
相へ移動する湿式集塵機表、」−記反応室内で副生した
微粉末シリコンを吸引して上記湿式集塵機へ導く吸引手
段と、上記吸引手段で吸引された微粉末シリコンに水を
噴霧する水噴霧手段とによってシリコン製造装置を構成
したものである。
[発明の実施例]
第1図は本発明の一実施例装置の全体説明図、第2図は
反応室の詳細断面図、第3図は吸引ノズルの先端部を示
す断面図、第4図(A>、(B)は噴霧管と吸引ノズル
との接続状態を示づ断面図である。
反応室の詳細断面図、第3図は吸引ノズルの先端部を示
す断面図、第4図(A>、(B)は噴霧管と吸引ノズル
との接続状態を示づ断面図である。
第1図において1で示すものは、3iを含む原料ガスを
導入しこれを分解して基板上にシリコンを堆積させる反
応装置である。この反応装置1はグロー放電分解、熱分
解、光分解などによって原料ガスの分解を行うものであ
る。そしてこの反応室1内に残留する未反応の原料ガス
、ガス状の副生成物及びキャリアガスを排気する排気H
W2が設けられている。本実施例装置は上記排ガスを処
理する機能と、反応室1内で副生した微粉末シリコンを
処理する機能とを備えている。
導入しこれを分解して基板上にシリコンを堆積させる反
応装置である。この反応装置1はグロー放電分解、熱分
解、光分解などによって原料ガスの分解を行うものであ
る。そしてこの反応室1内に残留する未反応の原料ガス
、ガス状の副生成物及びキャリアガスを排気する排気H
W2が設けられている。本実施例装置は上記排ガスを処
理する機能と、反応室1内で副生した微粉末シリコンを
処理する機能とを備えている。
ここで先ず反応室1及び排気装置2について第2図を参
照しながら説明する。第2図に示すものはアモルファス
シリコン(以下単にa−3i;l−1と称する)を製造
するもので、例えば電子写真感光体用のa−3i;Hの
成膜装置である。
照しながら説明する。第2図に示すものはアモルファス
シリコン(以下単にa−3i;l−1と称する)を製造
するもので、例えば電子写真感光体用のa−3i;Hの
成膜装置である。
図中31はベースで、このベース31の上面には反応室
1を形成する真空反応容器32が設置されている。さら
に、上記真空反応容器32内には円筒状の対向電極兼用
ガス噴出管33が設けられている。
1を形成する真空反応容器32が設置されている。さら
に、上記真空反応容器32内には円筒状の対向電極兼用
ガス噴出管33が設けられている。
また、上記ベース31上にはモータ34を駆動源とする
歯車機構36を介して所定の速度で回転するターンテー
ブル37が設けられ、このターンテーブル37上には受
台38を介して加熱ヒータ39およびこの加熱ヒータ3
9に外嵌される状態で非成膜体としてのAt等の導電性
のドラム状基体40が載置されるように構成されている
。
歯車機構36を介して所定の速度で回転するターンテー
ブル37が設けられ、このターンテーブル37上には受
台38を介して加熱ヒータ39およびこの加熱ヒータ3
9に外嵌される状態で非成膜体としてのAt等の導電性
のドラム状基体40が載置されるように構成されている
。
また、上記対向電極兼用ガス噴出管33には高周波電源
などの放電生起用電源41が接続された状態となってい
る。
などの放電生起用電源41が接続された状態となってい
る。
また、上記対向電極兼用ガス噴出管33のガス通路33
aの下端側に対向する部分にはバルブ42を備えたガス
導入管43が接続されている。さらに真空反応容器32
内はターンテーブル37に穿たれた排気孔37a、37
bおよびベース31に穿たれたガス排気孔31Fiを介
して拡散ポンプ。
aの下端側に対向する部分にはバルブ42を備えたガス
導入管43が接続されている。さらに真空反応容器32
内はターンテーブル37に穿たれた排気孔37a、37
bおよびベース31に穿たれたガス排気孔31Fiを介
して拡散ポンプ。
回転ポンプ等を備えた高真空排気系(図示しない)が接
続されているとともにメカニカルブースターポンプ2A
、回転ポンプ2B等の排気装@2を備えた大流量排気系
44が接続されている。
続されているとともにメカニカルブースターポンプ2A
、回転ポンプ2B等の排気装@2を備えた大流量排気系
44が接続されている。
さらに、大流量排気系44の排気経路45中、かつ排気
装置2よりも上流側に金網46を備えた活性種捕捉用の
ダストトラップ48が設けられている。
装置2よりも上流側に金網46を備えた活性種捕捉用の
ダストトラップ48が設けられている。
次に上記反応室1から排気される排ガス処理のための構
成を第1図にもとづいて説明する。上記排ガスはそのま
ま大気中へ放出するとSiを含む原料ガスやガス状副生
成物(St 21−16 、 Si aHe 、H2等
)は酸化され易い性質を有するので、大気への放出口で
引火したり爆発を起こす危険がある。また原料ガス中に
8286 、PH3,AsH3などのドーピングガスを
含有する場合には、これらのガスは致死量が数10pp
mなので、大気中へ放出することができない。そこで排
気装置2を介して導入されてくる排ガスを無害化するた
めにこれを酸化する酸化手段例えば燃焼塔3が設けられ
ている。拮ガスは燃焼塔3での酸化反応により安定かつ
安全な酸化シリコン(Si 02等)。
成を第1図にもとづいて説明する。上記排ガスはそのま
ま大気中へ放出するとSiを含む原料ガスやガス状副生
成物(St 21−16 、 Si aHe 、H2等
)は酸化され易い性質を有するので、大気への放出口で
引火したり爆発を起こす危険がある。また原料ガス中に
8286 、PH3,AsH3などのドーピングガスを
含有する場合には、これらのガスは致死量が数10pp
mなので、大気中へ放出することができない。そこで排
気装置2を介して導入されてくる排ガスを無害化するた
めにこれを酸化する酸化手段例えば燃焼塔3が設けられ
ている。拮ガスは燃焼塔3での酸化反応により安定かつ
安全な酸化シリコン(Si 02等)。
水やホウ素の酸化物、リンの酸化物、砒素の酸化物に変
化する。そしてこの酸化物を水相に移動する(すなわち
水に溶解したり、水に分散させる)湿式集1IIII(
スクラバーとも言う)4が設けられている。この湿式集
塵機4では、水に不溶な酸化シリコンは水に分散し、ホ
ウ素の酸化物、リンの酸化物などはホウ酸、リン酸など
になって水に溶解する。なお、燃焼塔3と湿式集塵機4
との間には第1のバルブ5が設けられている。そして湿
式集塵機4には遠心力利用の集塵機であるサイクロン6
が接続され、湿式集塵14で水に分散された粒子成分(
すなわち酸化シリコン)と水に溶解した水溶液とを分離
し、排水する。この排水は必要に応じてPHが調整され
、排水処理設備へ導かれる。一方サイクロン6で分離さ
れた粒子成分は波布による集塵機であるバグフィルタ7
で捕捉され、排ガスは完全に無害化されブロア8を介し
て大気に放出されるようになっている。
化する。そしてこの酸化物を水相に移動する(すなわち
水に溶解したり、水に分散させる)湿式集1IIII(
スクラバーとも言う)4が設けられている。この湿式集
塵機4では、水に不溶な酸化シリコンは水に分散し、ホ
ウ素の酸化物、リンの酸化物などはホウ酸、リン酸など
になって水に溶解する。なお、燃焼塔3と湿式集塵機4
との間には第1のバルブ5が設けられている。そして湿
式集塵機4には遠心力利用の集塵機であるサイクロン6
が接続され、湿式集塵14で水に分散された粒子成分(
すなわち酸化シリコン)と水に溶解した水溶液とを分離
し、排水する。この排水は必要に応じてPHが調整され
、排水処理設備へ導かれる。一方サイクロン6で分離さ
れた粒子成分は波布による集塵機であるバグフィルタ7
で捕捉され、排ガスは完全に無害化されブロア8を介し
て大気に放出されるようになっている。
次に上記反応室1内で副生ずる微粉末シリニIンを除去
するための構成を第1図に基づいて説明する。第1図に
おいて10で示すものは反応室1内で副生した微粉末シ
リコンを吸引するための吸引ノズルeある。尚、この吸
引ノズル10は吸引速度を高めるため先端が細く絞られ
ている。また反応室1の内壁に付着した微粉末シリコン
を剥き落として吸引するために、上記吸引ノズル10の
先端には第3図に示ずよなブラシIOAを着脱Jること
ができるようになっている。そしてこの吸引ノズル10
で吸引する微粉末シリコンを上記湿式集塵機4へ導く管
路として例えばフレキシブル管11A及びこのフレキシ
ブル管11Aに接続した配管11Bが設けられている。
するための構成を第1図に基づいて説明する。第1図に
おいて10で示すものは反応室1内で副生した微粉末シ
リコンを吸引するための吸引ノズルeある。尚、この吸
引ノズル10は吸引速度を高めるため先端が細く絞られ
ている。また反応室1の内壁に付着した微粉末シリコン
を剥き落として吸引するために、上記吸引ノズル10の
先端には第3図に示ずよなブラシIOAを着脱Jること
ができるようになっている。そしてこの吸引ノズル10
で吸引する微粉末シリコンを上記湿式集塵機4へ導く管
路として例えばフレキシブル管11A及びこのフレキシ
ブル管11Aに接続した配管11Bが設けられている。
この配管11Bの途中には第2のバルブ12が設けられ
ている。尚、上記吸引ノズル10は、第1のバルブを閉
、第2のバルブ12を開としたときブロア8を介して吸
引可能状態とされる。上記吸引ノズル10.フレキシブ
ル管11A、配管11B、及びブロア8が、反応室内で
副生した微粉末シリコンを吸引して上記湿式集塵機へ導
く吸引手段15の一例である。
ている。尚、上記吸引ノズル10は、第1のバルブを閉
、第2のバルブ12を開としたときブロア8を介して吸
引可能状態とされる。上記吸引ノズル10.フレキシブ
ル管11A、配管11B、及びブロア8が、反応室内で
副生した微粉末シリコンを吸引して上記湿式集塵機へ導
く吸引手段15の一例である。
尚、この吸引手段15による微粉末シリンコの吸引流量
は例えば1〜10II3 /sin程度である。
は例えば1〜10II3 /sin程度である。
さらに上記吸引手段15で吸引された微粉末シリコンに
水をwA霧する水噴霧路手段50(第1図参照)が設け
られている。例えばこれは、上記吸引ノズル10に接続
された噴霧管51と、この噴霧管51に水を供給するポ
ンプ52とによって構成され、噴霧管51を介して吸引
ノズル10に供給された水は負圧によって吸引ノズル1
0内に噴霧されるようになっている。尚、噴霧管51に
供給される水は、例えば水圧が2〜4ko/m2.水量
が1〜IOJ!/win程度である。
水をwA霧する水噴霧路手段50(第1図参照)が設け
られている。例えばこれは、上記吸引ノズル10に接続
された噴霧管51と、この噴霧管51に水を供給するポ
ンプ52とによって構成され、噴霧管51を介して吸引
ノズル10に供給された水は負圧によって吸引ノズル1
0内に噴霧されるようになっている。尚、噴霧管51に
供給される水は、例えば水圧が2〜4ko/m2.水量
が1〜IOJ!/win程度である。
ここで上記噴霧管51と吸引ノズル10との接続状態に
ついて説明する。例えば第4図(△)に示すように上記
吸引ノズル10を円錐型ベンチュリー管のごとき形状と
し、そのスロート部10Bに負圧で水を噴霧するように
なっている6また両者の接続構成は第4図(B)に示す
J:うにすることもできる。すなわち、吸引ノズル10
の中間部にオリフィス板10Gを配置し、このオリフィ
ス板10Gの手前に噴霧管51を接続して構成し、オリ
フィス板10Gの手前における負圧で水を噴霧するよう
になっている。
ついて説明する。例えば第4図(△)に示すように上記
吸引ノズル10を円錐型ベンチュリー管のごとき形状と
し、そのスロート部10Bに負圧で水を噴霧するように
なっている6また両者の接続構成は第4図(B)に示す
J:うにすることもできる。すなわち、吸引ノズル10
の中間部にオリフィス板10Gを配置し、このオリフィ
ス板10Gの手前に噴霧管51を接続して構成し、オリ
フィス板10Gの手前における負圧で水を噴霧するよう
になっている。
次に上記実施例装置の作用を説明り−る。
〈成 膜〉
先ず反応室1′内でのa−8i:Hの成膜作用について
説明する。予め真空反応容器32内を図示しない拡散ボ
ゾブ、回転ポンプ等の高真空排気系(図示せず)を用い
て104 torr程度の真空に引く。この時ドラム状
基体40を加熱ヒータ39により200〜300℃の間
の所定の温度好ましくは240〜280℃に昇温しでお
く。
説明する。予め真空反応容器32内を図示しない拡散ボ
ゾブ、回転ポンプ等の高真空排気系(図示せず)を用い
て104 torr程度の真空に引く。この時ドラム状
基体40を加熱ヒータ39により200〜300℃の間
の所定の温度好ましくは240〜280℃に昇温しでお
く。
また円周方向の均一成膜、均一温度を目的としそ、導電
性ドラム状基体40は、所定の周速で回転運動を行って
いる。
性ドラム状基体40は、所定の周速で回転運動を行って
いる。
ついで、ガスバルブ42を開いて原料ガスとして図示し
ないボンベから5iHa又は必要に応じて82 H6、
PI−13、Hz 、02 、NH3,N2 。
ないボンベから5iHa又は必要に応じて82 H6、
PI−13、Hz 、02 、NH3,N2 。
CHa 、C2He等のガスを真空反応容器32内の対
向電極兼用ガス噴出管33のガス通路33a内へ導入す
る。そして、同時に図示しないバルブ類を切換えて排気
系を図示しない拡散ポンプ、回転ポンプ等を備えた高真
空排気系(図示せず)からメカニカルブースターポンプ
2A、回転ポンプ2B等の排気装置2を備えた大流量排
気系44に切換える。
向電極兼用ガス噴出管33のガス通路33a内へ導入す
る。そして、同時に図示しないバルブ類を切換えて排気
系を図示しない拡散ポンプ、回転ポンプ等を備えた高真
空排気系(図示せず)からメカニカルブースターポンプ
2A、回転ポンプ2B等の排気装置2を備えた大流量排
気系44に切換える。
つぎに、図示しない流量コントローラによってStを含
むガス又はその催のドーピングガスを所定の流量になる
様調整するとともにメカニカルブースターポンプ2Aに
接続されているバルブ(図示せず)の開閉によって、真
空反応容器32内の圧力が0.1〜1torrの間の所
定の値になる径設定する。
むガス又はその催のドーピングガスを所定の流量になる
様調整するとともにメカニカルブースターポンプ2Aに
接続されているバルブ(図示せず)の開閉によって、真
空反応容器32内の圧力が0.1〜1torrの間の所
定の値になる径設定する。
一方、対向電極兼用ガス噴出管33のガス通路33a内
に導入されたガスは対向電極兼用ガス噴出管33の内周
面側に形成されたガス噴出口33b・・・よりドラム状
基体40に向って吹き出される。
に導入されたガスは対向電極兼用ガス噴出管33の内周
面側に形成されたガス噴出口33b・・・よりドラム状
基体40に向って吹き出される。
そして、こののち高周波電源などの放電生起用電源41
から周波数13.56MH7の高周波電力を20W〜I
KWの間の所定の値で対向電極兼ガス噴出管33に印加
させ、ドラム状基体40と対向電極兼用ガス噴出管33
の間にグロー放電を生起させる。
から周波数13.56MH7の高周波電力を20W〜I
KWの間の所定の値で対向電極兼ガス噴出管33に印加
させ、ドラム状基体40と対向電極兼用ガス噴出管33
の間にグロー放電を生起させる。
対向電極兼ガス噴出管33は絶縁リング49によって電
気的に絶縁されていて、導電性ドラム状基体40及び真
空反応容器32等がs(lImされている。
気的に絶縁されていて、導電性ドラム状基体40及び真
空反応容器32等がs(lImされている。
しかして、3iを含むガス又はSiを含むガスとの混合
ガスのプラズマを生起し、ドラム状基体40上にアモル
ファシリコン(a−8i : l−Hの堆積が開始す
る。
ガスのプラズマを生起し、ドラム状基体40上にアモル
ファシリコン(a−8i : l−Hの堆積が開始す
る。
なお、この時成膜に寄与しなかった3iを含むガス又は
その他のガスのラジカルは、メカニカルブースターポン
プ2A及び回転ポンプ2Bを備えた大流量排気系44を
介して排出される。
その他のガスのラジカルは、メカニカルブースターポン
プ2A及び回転ポンプ2Bを備えた大流量排気系44を
介して排出される。
〈排気ガス処理〉
次に大流量排気系44を介して排出された排ガスの処理
作用について説明する。排ガス処理の際には第1のバル
ブ5を開、第2のバルブ12を閉とする。先ず排ガスは
前記燃焼塔3で酸化され、その酸化物は湿式集塵機4で
水相に移される。この結果、水に不溶な酸化シリンコは
水に分散し、ホウ素の酸化物、リンの酸化物などはホウ
酸、リン酸などになって水に溶解する。そして酸化シリ
コンと水溶液はサイクロン6で分離され、水溶液につい
ては排水処理がなされる一方、粒子はバグフィルタ7で
捕捉され、排気ガスは完全に無害化されブロア8を介し
て大気に放出される。
作用について説明する。排ガス処理の際には第1のバル
ブ5を開、第2のバルブ12を閉とする。先ず排ガスは
前記燃焼塔3で酸化され、その酸化物は湿式集塵機4で
水相に移される。この結果、水に不溶な酸化シリンコは
水に分散し、ホウ素の酸化物、リンの酸化物などはホウ
酸、リン酸などになって水に溶解する。そして酸化シリ
コンと水溶液はサイクロン6で分離され、水溶液につい
ては排水処理がなされる一方、粒子はバグフィルタ7で
捕捉され、排気ガスは完全に無害化されブロア8を介し
て大気に放出される。
〈微粉末シリコンの除去処理〉
上述のa−8iH@の成膜を行った場合、3iH4のグ
ロー放電分解によって生成した反応性活性種(Si H
3,Si H2、Si H,Si 、H’Sのラジカル
、イオン)間の気相中での反応は避けられず、真空反応
容器32内には微粉末シリコ1ン(例えば5inH21
1+2構造を有するポリシラン)が生成づる。
ロー放電分解によって生成した反応性活性種(Si H
3,Si H2、Si H,Si 、H’Sのラジカル
、イオン)間の気相中での反応は避けられず、真空反応
容器32内には微粉末シリコ1ン(例えば5inH21
1+2構造を有するポリシラン)が生成づる。
このような微粉末シリコンの除去処理は成躾を完了した
後に行う。先ずバルブ42を閉じて原料ガスの供給を断
つ。真空反応容器32内が1O−3torr程度に減圧
されるのを持ってガス導入管43をチッ素ガス供給装置
(図示ゼず)に接続しバルブ42を開く。そして真空反
応容器32内に残留している原料ガスがチッ素ガス置換
された(麦排気装置2を停止する。次いでチッ素ガスの
供給を続け、反応容器32内の圧力が1気圧になった後
図示しない蓋を外してa−8t:Hが堆積したドラム状
基体40を取り出す。
後に行う。先ずバルブ42を閉じて原料ガスの供給を断
つ。真空反応容器32内が1O−3torr程度に減圧
されるのを持ってガス導入管43をチッ素ガス供給装置
(図示ゼず)に接続しバルブ42を開く。そして真空反
応容器32内に残留している原料ガスがチッ素ガス置換
された(麦排気装置2を停止する。次いでチッ素ガスの
供給を続け、反応容器32内の圧力が1気圧になった後
図示しない蓋を外してa−8t:Hが堆積したドラム状
基体40を取り出す。
そして第1のバルブ5を閉じ、第2のバルブ12を開い
て前記吸引ノズル10を吸引状態と覆ると共に噴霧管5
1を介して水を上記吸引ノズル10に供給する。すると
負圧により吸引ノズル10内には水が噴霧される。そし
てこの状態で係員が吸引ノズル10を真空反応容器32
内に挿入し、真空反応容器32内壁、対向電極兼ガス噴
出管33壁面、ターンテーブル37上面、排気系路45
中、ダストトラップ48内及び大流量排気系44内に生
成した微粉末シリコンを吸引する。吸引された微粉末シ
リコンは水が噴霧されて吸湿する。
て前記吸引ノズル10を吸引状態と覆ると共に噴霧管5
1を介して水を上記吸引ノズル10に供給する。すると
負圧により吸引ノズル10内には水が噴霧される。そし
てこの状態で係員が吸引ノズル10を真空反応容器32
内に挿入し、真空反応容器32内壁、対向電極兼ガス噴
出管33壁面、ターンテーブル37上面、排気系路45
中、ダストトラップ48内及び大流量排気系44内に生
成した微粉末シリコンを吸引する。吸引された微粉末シ
リコンは水が噴霧されて吸湿する。
特に吸引ノズル10先端にブラシ10Aが取付けられて
いれば、固着している微粉末シリコンを掻き落すことも
でき、さらに吸引ノズル10はフレキシブル管11Δの
先端に取付けられているので作業性も良好である。
いれば、固着している微粉末シリコンを掻き落すことも
でき、さらに吸引ノズル10はフレキシブル管11Δの
先端に取付けられているので作業性も良好である。
吸引されかつ吸湿した微粉末シリコンは湿式集塵機4に
導入され、その95%以上はそこで水中に分散されてサ
イクロン6を通って排出される。
導入され、その95%以上はそこで水中に分散されてサ
イクロン6を通って排出される。
残り数%の微粉末シリコンはバグフィルタ7で捕捉され
る。尚、′大気中に放出される微粉末シリコンは僅か0
.1%以下である。
る。尚、′大気中に放出される微粉末シリコンは僅か0
.1%以下である。
このように、シリコンの製造に際して副生した微粉末シ
リコンを、環境を汚染することなく効率的に除去するこ
とができ、しかもa−8i;l−1感光体を高い歩留り
で製造することができる。また湿式集塵機4に導入され
るまでの微粉末シリコンは上記水噴霧手段50を介して
吸湿しているので、その燃焼性は抑えられ湿式集塵11
4へ導入される 4途上において粉塵爆発を起こす危
険は完全に解潤される。
リコンを、環境を汚染することなく効率的に除去するこ
とができ、しかもa−8i;l−1感光体を高い歩留り
で製造することができる。また湿式集塵機4に導入され
るまでの微粉末シリコンは上記水噴霧手段50を介して
吸湿しているので、その燃焼性は抑えられ湿式集塵11
4へ導入される 4途上において粉塵爆発を起こす危
険は完全に解潤される。
なお上記実施例は一例であり本発明の要旨の範囲内にお
いて種々の変形実施が可能である。例えば酸化手段は燃
焼塔に限定されず触媒を利用りるものであってもよい。
いて種々の変形実施が可能である。例えば酸化手段は燃
焼塔に限定されず触媒を利用りるものであってもよい。
また吸引手段はフレキシブルホース11Aを有するもの
に限定されない。また微粉末シリコンの吸引源は排気ガ
ス処理の後段に設けられたブロアに限定されず専用に設
【)てもよい。また水噴霧手段は上記実施例で説明した
ごとく負圧を利用するものに限定されず、噴霧ノズルか
ら圧水を吹出させて噴霧するように構成できる。
に限定されない。また微粉末シリコンの吸引源は排気ガ
ス処理の後段に設けられたブロアに限定されず専用に設
【)てもよい。また水噴霧手段は上記実施例で説明した
ごとく負圧を利用するものに限定されず、噴霧ノズルか
ら圧水を吹出させて噴霧するように構成できる。
[発明の効果1
以上詳述したごとく本発明のシリコン製造装置は、シリ
コンの製造に際して反応室内で副生した微粉末シリコン
を比較的簡単な構成で粉塵爆発の危険もなくかつ環境汚
染を生ずることなく効率よく確実に除去することができ
る。
コンの製造に際して反応室内で副生した微粉末シリコン
を比較的簡単な構成で粉塵爆発の危険もなくかつ環境汚
染を生ずることなく効率よく確実に除去することができ
る。
第1図は本発明の一実施例装置を示す全体説明図、第2
図は反応室の詳細断面図、第3図は吸引ノズルの先端部
を示す断面図、第4図(A)。 (B)は噴霧管と吸引ノズルとの接続状態を示す断面図
である。 1・・・・・・反応室、 3・・・・・・酸化手段、
4・・・・・・湿式集塵機、15・・・・・・吸引手段
、50・・・・・・水噴霧手段。 手続補正書 昭和60年1月10日 特許庁長官 殿 )笥。 1、事件の表示 昭和59年特許願第143792号 2、発明の名称 シリコン製造装置3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 自 発 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 別紙の通り 別 紙 補正の内容 1、明細書第9頁第1行目から第3行目に記載の「湿式
集塵機4で水に分散された粒子成分(すなわち酸化シリ
コン)と水に溶解した水溶液とを分離し、排水する。」
を「水相が分離され、排水される。」に訂正覆る。 2、同頁第4行目に記載のrPHJを「pH」に訂正す
る。 3、同頁第5行目に記載の「サイクロン6で分離された
」を「、湿式集塵機4で気相に残った」に訂正する。 4、同第10頁第20行目に記載の「Kg/ll12」
をr K(] /cm2 Jに訂正する。 5、同第1/1頁第13行目から第14行目に記載の「
そして酸化シリコンと水溶液は」を「そして水相は」に
訂正覆る。 6、同頁筒15行目に記載の[粒子はJを「気相に残っ
た粒子は−1に訂正する。 以上
図は反応室の詳細断面図、第3図は吸引ノズルの先端部
を示す断面図、第4図(A)。 (B)は噴霧管と吸引ノズルとの接続状態を示す断面図
である。 1・・・・・・反応室、 3・・・・・・酸化手段、
4・・・・・・湿式集塵機、15・・・・・・吸引手段
、50・・・・・・水噴霧手段。 手続補正書 昭和60年1月10日 特許庁長官 殿 )笥。 1、事件の表示 昭和59年特許願第143792号 2、発明の名称 シリコン製造装置3、補正をする
者 事件との関係 特許出願人 4、代理人 5、補正命令の日付 自 発 6、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄 7、補正の内容 別紙の通り 別 紙 補正の内容 1、明細書第9頁第1行目から第3行目に記載の「湿式
集塵機4で水に分散された粒子成分(すなわち酸化シリ
コン)と水に溶解した水溶液とを分離し、排水する。」
を「水相が分離され、排水される。」に訂正覆る。 2、同頁第4行目に記載のrPHJを「pH」に訂正す
る。 3、同頁第5行目に記載の「サイクロン6で分離された
」を「、湿式集塵機4で気相に残った」に訂正する。 4、同第10頁第20行目に記載の「Kg/ll12」
をr K(] /cm2 Jに訂正する。 5、同第1/1頁第13行目から第14行目に記載の「
そして酸化シリコンと水溶液は」を「そして水相は」に
訂正覆る。 6、同頁筒15行目に記載の[粒子はJを「気相に残っ
た粒子は−1に訂正する。 以上
Claims (2)
- (1)Siを含む原料ガスを導入しこれを分解して基体
上にシリコンを堆積させる反応室と、この反応室内に残
留する未反応の原料ガス及びガス状の副生成物を導入し
て酸化させる酸化手段と、酸化手段で酸化された酸化物
を水相へ移動する湿式集塵機と、上記反応室内で副生し
た微粉末シリコンを吸引して上記湿式集塵機へ導く吸引
手段と、上記吸引手段で吸引された微粉末シリコンに水
を噴霧する水噴霧手段とを具備することを特徴とするシ
リコン製造装置。 - (2)反応室は、アモルフアスシリコンを製造するもの
である特許請求の範囲第1項に記載のシリコン製造装置
。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14379284A JPS6123758A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | シリコン製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14379284A JPS6123758A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | シリコン製造装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6123758A true JPS6123758A (ja) | 1986-02-01 |
Family
ID=15347092
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14379284A Pending JPS6123758A (ja) | 1984-07-10 | 1984-07-10 | シリコン製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS6123758A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2727692A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-07 | Europ Propulsion | Dispositif d'extraction de gaz pour four d'infiltration ou depot chimique en phase vapeur dans une installation de fabrication de pieces en materiau composite |
-
1984
- 1984-07-10 JP JP14379284A patent/JPS6123758A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2727692A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-07 | Europ Propulsion | Dispositif d'extraction de gaz pour four d'infiltration ou depot chimique en phase vapeur dans une installation de fabrication de pieces en materiau composite |
WO1996017972A1 (fr) * | 1994-12-05 | 1996-06-13 | Societe Europeenne De Propulsion | Dispositif d'extraction de gaz |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPS60114570A (ja) | プラズマcvd装置の排気系 | |
TWI671114B (zh) | 排氣的減壓除害裝置 | |
JP5623390B2 (ja) | 真空コーティングチャンバからアルカリ金属又はアルカリ土類金属を除去するための装置及び方法 | |
WO2003081651A1 (fr) | Dispositif cvd et procede de nettoyage d'un dispositif cvd | |
JP3020948B1 (ja) | 半導体製造中に生じるガスを処理するための吸着型ガススクラバ― | |
US6171353B1 (en) | Apparatus for treating waste gases | |
TW531436B (en) | Method and apparatus for cleaning exhaust gas and dust collector used for its apparatus | |
JPS6123758A (ja) | シリコン製造装置 | |
CN108452623A (zh) | 一种去酸除碱的工业废气净化装置 | |
WO2009038326A2 (en) | Scrubber using mesh filter and apparatus for exhaust gas treatment in semiconductor fabrication equipments using the same | |
JPS61136677A (ja) | シリコン製造装置 | |
JPS6114114A (ja) | シリコン製造装置 | |
JP4294619B2 (ja) | 薄膜製造装置、薄膜製造方法およびクリーニング方法 | |
JPS6323827B2 (ja) | ||
US20080176492A1 (en) | Units for collecting particles, apparatus including the same and methods for collecting particles using the same | |
KR20050029020A (ko) | 진공펌프 일체형 폐기가스 처리장치 | |
KR20200120131A (ko) | 기판 처리 시스템 및 배기 가스 처리 방법 | |
CN110484894B (zh) | 尾气清理单元、尾气清理装置和气相沉积设备 | |
JPS6129849A (ja) | 非晶質シリコン成膜装置 | |
KR100237836B1 (ko) | 폐가스 집진처리장치 | |
JPH1099635A (ja) | Cvd装置の排ガス処理方法及び装置 | |
JP3688742B2 (ja) | 化学的気相成長装置排ガス処理装置 | |
JP3668995B2 (ja) | 化学的気相成長成膜方法 | |
JPH08196866A (ja) | 排ガス中の塩化水素除去用反応塔 | |
JP2005150460A (ja) | レジスト除去装置およびレジスト除去方法 |