JPH1099635A - Ｃｖｄ装置の排ガス処理方法及び装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置の排ガス処理方法及び装置Info
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- JPH1099635A JPH1099635A JP8256307A JP25630796A JPH1099635A JP H1099635 A JPH1099635 A JP H1099635A JP 8256307 A JP8256307 A JP 8256307A JP 25630796 A JP25630796 A JP 25630796A JP H1099635 A JPH1099635 A JP H1099635A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＣＶＤ装置から排出される排ガスが除害装置
で除害されて清浄ガスとなる場合に、除害しきれずに大
気中に放出される前記排ガスを大巾に減少させる方法と
装置の提供。 【解決手段】 ＣＶＤ装置から排出される、酸化性ガス
を有する未反応ガスをサイクロンにより回転させ、気相
反応を起させて固体粒子を形成させ、該固体粒子を上記
回転の遠心力により除去し、残余のガスをスクラバ等の
除外装置に供給して除害する。
で除害されて清浄ガスとなる場合に、除害しきれずに大
気中に放出される前記排ガスを大巾に減少させる方法と
装置の提供。 【解決手段】 ＣＶＤ装置から排出される、酸化性ガス
を有する未反応ガスをサイクロンにより回転させ、気相
反応を起させて固体粒子を形成させ、該固体粒子を上記
回転の遠心力により除去し、残余のガスをスクラバ等の
除外装置に供給して除害する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明はシリコンウエハー
の成膜その他に広く用いられているＣＶＤ装置の排ガス
処理方法及び装置に関するものである。
の成膜その他に広く用いられているＣＶＤ装置の排ガス
処理方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来ＣＶＤ装置（chemical Vapor Depos
ition 化学的気相成長装置）は現在一例として上記の
ようにシリコンウエハーの成膜、その他に広く用いられ
ている。そして、上記シリコンウエハーの成膜の場合の
一例を見ると、シリコンウエハーにＳｉＨ4 のような
シリコン化合物のガス、及びＯ2 ガス又はＮ2Ｏガスの
ような酸化性ガスを反応させて前記シリコンウエハー上
にＳｉＯ2膜を堆積させている。なおこの場合前記シリ
コンウエハーは一例として約４００℃に加熱される。
ition 化学的気相成長装置）は現在一例として上記の
ようにシリコンウエハーの成膜、その他に広く用いられ
ている。そして、上記シリコンウエハーの成膜の場合の
一例を見ると、シリコンウエハーにＳｉＨ4 のような
シリコン化合物のガス、及びＯ2 ガス又はＮ2Ｏガスの
ような酸化性ガスを反応させて前記シリコンウエハー上
にＳｉＯ2膜を堆積させている。なおこの場合前記シリ
コンウエハーは一例として約４００℃に加熱される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし上記のようなＣ
ＶＤ装置の稼動の場合、次のような問題が生じる。例え
ば前記のようにＣＶＤ装置にＳｉＨ4ガスとＯ2 ガス又
はＮ2Ｏガスを供給したとすると、シリコンウエハー上
で成膜に費されるＳｉＨ4ガスは約５％のレベルであ
り、残余の約９５％のＳｉＨ4ガス等は分解されずに前
記ＣＶＤ装置から排出されてしまう。
ＶＤ装置の稼動の場合、次のような問題が生じる。例え
ば前記のようにＣＶＤ装置にＳｉＨ4ガスとＯ2 ガス又
はＮ2Ｏガスを供給したとすると、シリコンウエハー上
で成膜に費されるＳｉＨ4ガスは約５％のレベルであ
り、残余の約９５％のＳｉＨ4ガス等は分解されずに前
記ＣＶＤ装置から排出されてしまう。
【０００４】排出された上記ＳｉＨ4ガス、Ｏ2 ガス又
はＮ2Ｏガス等は通常スクラバ等のガスの除害装置によ
り除去されるようになっている。しかし消費されるガス
は前記のように小量であり、大部分のガスはそのまま排
出されてしまうので、前記スクラバ等のガスの除害装置
の負荷は過大となる。このため排出ガスの除害は不完全
となり、かなりの量のＳｉＨ4ガス又はＮ2Ｏガス等が大
気中に放散されるのが避けられない。このように前記Ｃ
ＶＤ装置は公害をもたらす恐れを有していた。この発明
は上記のような問題を解決するためになされたもので、
その目的はＣＶＤ装置からスクラバ等の除害装置にもた
らされる未反応ガスの量を少くして上記除害装置の負荷
を軽減し、それによって上記除害装置から大気中に洩出
する前記未反応ガス等の排ガスの量を減少させ、公害発
生を抑制することである。
はＮ2Ｏガス等は通常スクラバ等のガスの除害装置によ
り除去されるようになっている。しかし消費されるガス
は前記のように小量であり、大部分のガスはそのまま排
出されてしまうので、前記スクラバ等のガスの除害装置
の負荷は過大となる。このため排出ガスの除害は不完全
となり、かなりの量のＳｉＨ4ガス又はＮ2Ｏガス等が大
気中に放散されるのが避けられない。このように前記Ｃ
ＶＤ装置は公害をもたらす恐れを有していた。この発明
は上記のような問題を解決するためになされたもので、
その目的はＣＶＤ装置からスクラバ等の除害装置にもた
らされる未反応ガスの量を少くして上記除害装置の負荷
を軽減し、それによって上記除害装置から大気中に洩出
する前記未反応ガス等の排ガスの量を減少させ、公害発
生を抑制することである。
【０００５】
【課題を解決する発明の手段】上記の目的を達成するこ
の発明について、まず方法について述べると、それは、
ＣＶＤ装置から排出される、酸化性ガスを有する未反応
ガスを回転させて気相反応を起させ、固体粒子を形成さ
せ、次に該固体粒子を除去し、除去された残余のガスを
除害装置に供給することを特徴とする、ＣＶＤ装置の排
ガス処理方法である。又、気相反応及び該反応により生
じた固体粒子の除去はサイクロンにより行われる前記Ｃ
ＶＤ装置の排ガス処理方法である。又、除害装置はスク
ラバである前記ＣＶＤ装置の排ガス処理方法である。
又、ＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置の排気部と連通して設
けられた除害装置の間に、前記ＣＶＤ装置から排出され
る、酸化性ガスを有する未反応ガスを回転による気相反
応により固体粒子を形成させ、形成した該固体粒子を除
去する装置を設けたことを特徴とするＣＶＤ装置の排ガ
ス処理装置である。又、気相反応及び該気相反応により
生じた固体粒子の除去を行う装置はサイクロンである前
記ＣＶＤ装置の排ガス処理装置である。又、除害装置は
スクラバである前記ＣＶＤ装置の排ガス処理装置であ
る。
の発明について、まず方法について述べると、それは、
ＣＶＤ装置から排出される、酸化性ガスを有する未反応
ガスを回転させて気相反応を起させ、固体粒子を形成さ
せ、次に該固体粒子を除去し、除去された残余のガスを
除害装置に供給することを特徴とする、ＣＶＤ装置の排
ガス処理方法である。又、気相反応及び該反応により生
じた固体粒子の除去はサイクロンにより行われる前記Ｃ
ＶＤ装置の排ガス処理方法である。又、除害装置はスク
ラバである前記ＣＶＤ装置の排ガス処理方法である。
又、ＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置の排気部と連通して設
けられた除害装置の間に、前記ＣＶＤ装置から排出され
る、酸化性ガスを有する未反応ガスを回転による気相反
応により固体粒子を形成させ、形成した該固体粒子を除
去する装置を設けたことを特徴とするＣＶＤ装置の排ガ
ス処理装置である。又、気相反応及び該気相反応により
生じた固体粒子の除去を行う装置はサイクロンである前
記ＣＶＤ装置の排ガス処理装置である。又、除害装置は
スクラバである前記ＣＶＤ装置の排ガス処理装置であ
る。
【０００６】
【作用】請求項１の発明は、ＣＶＤ装置から排出され
る、酸化性ガスを有する未反応ガスを回転させて気相反
応させることにより、固体粒子を効果的に形成させ、こ
の固体粒子を除去し、残余のガスを除害装置に供給する
から、この除害装置の負荷は大巾に軽減され、除害装置
で除害しきれずに大気中に洩出する、前記排ガスによる
公害の発生を大巾に抑制することができる。又気相反応
させて粒子化する化学的除去手段と、生成した粒子を除
去する物理的手段とが補完して、除害装置の前段階です
でに大巾に除去することができる。請求項２の発明は、
酸化性ガスを有する未反応ガスの気相反応と同反応によ
り生じた固体粒子の除外を、サイクロンによる回転によ
って行うことにより、その両方を一度にすることができ
る。
る、酸化性ガスを有する未反応ガスを回転させて気相反
応させることにより、固体粒子を効果的に形成させ、こ
の固体粒子を除去し、残余のガスを除害装置に供給する
から、この除害装置の負荷は大巾に軽減され、除害装置
で除害しきれずに大気中に洩出する、前記排ガスによる
公害の発生を大巾に抑制することができる。又気相反応
させて粒子化する化学的除去手段と、生成した粒子を除
去する物理的手段とが補完して、除害装置の前段階です
でに大巾に除去することができる。請求項２の発明は、
酸化性ガスを有する未反応ガスの気相反応と同反応によ
り生じた固体粒子の除外を、サイクロンによる回転によ
って行うことにより、その両方を一度にすることができ
る。
【０００７】請求項３の発明は、除害装置としてスクラ
バを用いたことにより、質量が小さく、そのためスクラ
バに迄達してしまった固体粒子及び未反応ガス等の粒子
ガス両方に対し、液体を用いて濡らし、又は溶解させて
捕捉することにより両方を効果的に捕捉することができ
る。請求項４の発明はＣＶＤ装置と除害装置の間に、前
記ＣＶＤ装置から排出される酸化性ガスを有する未反応
ガスを回転させ、気相反応によって固体粒子を形成さ
せ、かつ該固体粒子を除去する装置を設けたことによ
り、下流に設けられた除害装置の負荷を軽減することが
でき、従って除害装置から大気中に洩出する排ガスの量
を大巾に減少させることができる。又気相反応による粒
子の出現という化学的手段と、この粒子の除去という物
理的手段とを組み合わせたことにより、補完して充分に
除去することができる。請求項５の発明は気相反応をサ
イクロンを用いたことによりガスを回転させ、効果的に
気相反応を進めることができると共に、又それにより生
じた固体粒子を回転により除去でき、両方の作用を一度
にすることができる。
バを用いたことにより、質量が小さく、そのためスクラ
バに迄達してしまった固体粒子及び未反応ガス等の粒子
ガス両方に対し、液体を用いて濡らし、又は溶解させて
捕捉することにより両方を効果的に捕捉することができ
る。請求項４の発明はＣＶＤ装置と除害装置の間に、前
記ＣＶＤ装置から排出される酸化性ガスを有する未反応
ガスを回転させ、気相反応によって固体粒子を形成さ
せ、かつ該固体粒子を除去する装置を設けたことによ
り、下流に設けられた除害装置の負荷を軽減することが
でき、従って除害装置から大気中に洩出する排ガスの量
を大巾に減少させることができる。又気相反応による粒
子の出現という化学的手段と、この粒子の除去という物
理的手段とを組み合わせたことにより、補完して充分に
除去することができる。請求項５の発明は気相反応をサ
イクロンを用いたことによりガスを回転させ、効果的に
気相反応を進めることができると共に、又それにより生
じた固体粒子を回転により除去でき、両方の作用を一度
にすることができる。
【０００８】請求項６の発明は除外装置にスクラバを用
いたことにより、質量が小さいためサイクロンで捕捉で
きなかった粒子及び反応しきれなかったガスの両方に対
し、液体で濡らして捕捉し、及び溶解させて捕捉し、両
方を効果的に捕捉することができる。こうして充分に除
去することができる。
いたことにより、質量が小さいためサイクロンで捕捉で
きなかった粒子及び反応しきれなかったガスの両方に対
し、液体で濡らして捕捉し、及び溶解させて捕捉し、両
方を効果的に捕捉することができる。こうして充分に除
去することができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１において１はＣＶＤ装置であ
り、２は石英管製のボートを示す。３はカーボン製基台
であり、その上にシリコンウエハー４が多数載置されて
いる。５は成膜用ガスの一例としてＳｉＨ4モノシラン
ガスを供給するボンベ、６はＯ2 ガス又はＮ2Ｏガス等
のような酸化性ガスを供給するボンベで一例としてＯ2
ガスを供給するものを示す。７は前記ボート２の外側に
設けられた高周波加熱装置であり、８は高周波電源。９
はスイッチ、１０はバルブである。又１１はガス導入
口、１２は排出口である。ＳｉＨ4ガス及びＯ2 ガスは
それぞれ前記ボート２内に供給され、高周波加熱装置７
により加熱されて気相反応を起し、シリコンウエハー４
上にＳｉＯ2膜を形成する。そしてその際未反応のＳｉ
Ｈ4ガス、Ｏ2 ガスがボート２の排出口１２から排出さ
れる。３２はガス排出用の真空ポンプを示す。そしてこ
の場合の排出ガスは前記のように約９５％の未反応ガス
である。
り、２は石英管製のボートを示す。３はカーボン製基台
であり、その上にシリコンウエハー４が多数載置されて
いる。５は成膜用ガスの一例としてＳｉＨ4モノシラン
ガスを供給するボンベ、６はＯ2 ガス又はＮ2Ｏガス等
のような酸化性ガスを供給するボンベで一例としてＯ2
ガスを供給するものを示す。７は前記ボート２の外側に
設けられた高周波加熱装置であり、８は高周波電源。９
はスイッチ、１０はバルブである。又１１はガス導入
口、１２は排出口である。ＳｉＨ4ガス及びＯ2 ガスは
それぞれ前記ボート２内に供給され、高周波加熱装置７
により加熱されて気相反応を起し、シリコンウエハー４
上にＳｉＯ2膜を形成する。そしてその際未反応のＳｉ
Ｈ4ガス、Ｏ2 ガスがボート２の排出口１２から排出さ
れる。３２はガス排出用の真空ポンプを示す。そしてこ
の場合の排出ガスは前記のように約９５％の未反応ガス
である。
【００１０】次に、同図において１３はサイクロンであ
り、１４はそのハウジング、１５は中心筒、１６は回収
部である。１７はハウジング１４に対し接線方向に形成
されたガス入口である。ガス入口１７から入れられた前
記排ガスは前記中心筒１５の周囲に回転させられ、この
回転によりＳｉＨ4ガスとＯ2 ガスは化学反応を起し、
ＳｉＯ2を生じ、かつ該ＳｉＯ2は固体粒子となり姿を表
わす。この場合固体粒子ＳｉＯ2は質量を有するから遠
心力により中心から遠ざかり、前記ハウジング１４の内
面に接するようになり、このためやがて落下を始め、回
収部１６に落下して回収される。このように前記サイク
ロン１３においてはＳｉＨ4ガスとＯ2 ガスの化学反応
によるガスの固体粒子化と、該粒子の遠心力による落下
回収の両方を一度にすることができる。次に１８は前記
サイクロン１３に連通させられたスクラバであり、１９
はその本体、２０はモータ２１により回転される吸引用
フアンであり、２２は充填層を示し、一例として二枚の
パンチングメタル２３間に微小な金属片層２４を設けた
ものである。
り、１４はそのハウジング、１５は中心筒、１６は回収
部である。１７はハウジング１４に対し接線方向に形成
されたガス入口である。ガス入口１７から入れられた前
記排ガスは前記中心筒１５の周囲に回転させられ、この
回転によりＳｉＨ4ガスとＯ2 ガスは化学反応を起し、
ＳｉＯ2を生じ、かつ該ＳｉＯ2は固体粒子となり姿を表
わす。この場合固体粒子ＳｉＯ2は質量を有するから遠
心力により中心から遠ざかり、前記ハウジング１４の内
面に接するようになり、このためやがて落下を始め、回
収部１６に落下して回収される。このように前記サイク
ロン１３においてはＳｉＨ4ガスとＯ2 ガスの化学反応
によるガスの固体粒子化と、該粒子の遠心力による落下
回収の両方を一度にすることができる。次に１８は前記
サイクロン１３に連通させられたスクラバであり、１９
はその本体、２０はモータ２１により回転される吸引用
フアンであり、２２は充填層を示し、一例として二枚の
パンチングメタル２３間に微小な金属片層２４を設けた
ものである。
【００１１】次に２５は噴霧用のノズル、２６は液槽、
２７はポンプ、２８は管路、２９はガス入口、３０は排
出口、３１はフイルタを示す。前記サイクロン１３で化
学反応から洩れた、即ち化学反応に至らなかったガス、
及び固体粒子となっても極めて微小のため、サイクロン
１３の遠心力によっても捕捉できなかった微粒子等が前
記スクラバ１８のガス入口２９から入れられる。この進
入はモータ２１により回転する吸引用フアン２０により
行われる。
２７はポンプ、２８は管路、２９はガス入口、３０は排
出口、３１はフイルタを示す。前記サイクロン１３で化
学反応から洩れた、即ち化学反応に至らなかったガス、
及び固体粒子となっても極めて微小のため、サイクロン
１３の遠心力によっても捕捉できなかった微粒子等が前
記スクラバ１８のガス入口２９から入れられる。この進
入はモータ２１により回転する吸引用フアン２０により
行われる。
【００１２】そしてこの場合ポンプ２７が作動してノズ
ル２５から液体の一例として水の噴霧がなされる。前記
ガス及び微粒子等は前記充填層２２に入りここにおいて
前記噴霧を浴び、前記微粒子はこの噴霧に捕捉され、又
ガスは溶解され、いずれも落下して液槽２６に収容され
る。なお上記噴霧の水は一例であり、水に限定するもの
ではなく、その他の液体を用いてもよく、ＣＶＤ装置１
から排出されるガスと相溶性のよい液体であれば、一層
好ましい。このスクラバ１８においては前記のように固
体微粒子は濡れによって、ガスは液体に対する溶解によ
って、それぞれ捕捉され、液槽２６に落下して収容され
る。なおこの液槽２６中の液体はポンプ２７の作用によ
り管路２８を通り、再びノズル２５から噴射されるよう
になっている。このようにしてガス及び微粒子を失った
清浄ガスはフイルタ３１を通り排出口３０から大気中に
排出される。
ル２５から液体の一例として水の噴霧がなされる。前記
ガス及び微粒子等は前記充填層２２に入りここにおいて
前記噴霧を浴び、前記微粒子はこの噴霧に捕捉され、又
ガスは溶解され、いずれも落下して液槽２６に収容され
る。なお上記噴霧の水は一例であり、水に限定するもの
ではなく、その他の液体を用いてもよく、ＣＶＤ装置１
から排出されるガスと相溶性のよい液体であれば、一層
好ましい。このスクラバ１８においては前記のように固
体微粒子は濡れによって、ガスは液体に対する溶解によ
って、それぞれ捕捉され、液槽２６に落下して収容され
る。なおこの液槽２６中の液体はポンプ２７の作用によ
り管路２８を通り、再びノズル２５から噴射されるよう
になっている。このようにしてガス及び微粒子を失った
清浄ガスはフイルタ３１を通り排出口３０から大気中に
排出される。
【００１３】
【発明の効果】請求項１の発明は、ＣＶＤ装置から排出
される、酸化性ガスを有する未反応ガスを回転させて気
相反応させることにより、固体粒子を効果的に形成さ
せ、この固体粒子を除去し、残余のガスを除害装置に供
給するから、この除害装置の負荷は大巾に軽減され、除
害装置で除害しきれずに大気中に洩出する、前記排ガス
による公害の発生を大巾に抑制することができる。又気
相反応させて粒子化する化学的除去手段と、生成した粒
子を除去する物理的手段とが補完して、除害装置の前段
階ですでに大巾に除去することができる。請求項２の発
明は、酸化性ガスを有する未反応ガスの気相反応と同反
応により生じた固体粒子の除外を、サイクロンによる回
転によって行うことにより、その両方を一度にすること
ができる。
される、酸化性ガスを有する未反応ガスを回転させて気
相反応させることにより、固体粒子を効果的に形成さ
せ、この固体粒子を除去し、残余のガスを除害装置に供
給するから、この除害装置の負荷は大巾に軽減され、除
害装置で除害しきれずに大気中に洩出する、前記排ガス
による公害の発生を大巾に抑制することができる。又気
相反応させて粒子化する化学的除去手段と、生成した粒
子を除去する物理的手段とが補完して、除害装置の前段
階ですでに大巾に除去することができる。請求項２の発
明は、酸化性ガスを有する未反応ガスの気相反応と同反
応により生じた固体粒子の除外を、サイクロンによる回
転によって行うことにより、その両方を一度にすること
ができる。
【００１４】請求項３の発明は、除害装置としてスクラ
バを用いたことにより、質量が小さく、そのためスクラ
バに迄達してしまった固体粒子及び未反応ガス等の粒子
ガス両方に対し、液体を用いて濡らし、又は溶解させて
捕捉することにより両方を効果的に捕捉することができ
る。請求項４の発明はＣＶＤ装置と除害装置の間に、前
記ＣＶＤ装置から排出される酸化性ガスを有する未反応
ガスを回転させ、気相反応によって固体粒子を形成さ
せ、かつ該固体粒子を除去する装置を設けたことによ
り、下流に設けられた除害装置の負荷を軽減することが
でき、従って除害装置から大気中に洩出する排ガスの量
を大巾に減少させることができる。又気相反応による粒
子の出現という化学的手段と、この粒子の除去という物
理的手段とを組み合わせたことにより、補完して充分に
除去することができる。請求項５の発明は気相反応をサ
イクロンを用いたことによりガスを回転させ、効果的に
気相反応を進めることができると共に、又それにより生
じた固体粒子を回転により除去でき、両方の作用を一度
にすることができる。請求項６の発明は除外装置にスク
ラバを用いたことにより、質量が小さいためサイクロン
で捕捉できなかった粒子及び反応しきれなかったガスの
両方に対し、液体で濡らし、及び溶解させて、両方を効
果的に捕捉することができる。こうして充分に除去する
ことができる。
バを用いたことにより、質量が小さく、そのためスクラ
バに迄達してしまった固体粒子及び未反応ガス等の粒子
ガス両方に対し、液体を用いて濡らし、又は溶解させて
捕捉することにより両方を効果的に捕捉することができ
る。請求項４の発明はＣＶＤ装置と除害装置の間に、前
記ＣＶＤ装置から排出される酸化性ガスを有する未反応
ガスを回転させ、気相反応によって固体粒子を形成さ
せ、かつ該固体粒子を除去する装置を設けたことによ
り、下流に設けられた除害装置の負荷を軽減することが
でき、従って除害装置から大気中に洩出する排ガスの量
を大巾に減少させることができる。又気相反応による粒
子の出現という化学的手段と、この粒子の除去という物
理的手段とを組み合わせたことにより、補完して充分に
除去することができる。請求項５の発明は気相反応をサ
イクロンを用いたことによりガスを回転させ、効果的に
気相反応を進めることができると共に、又それにより生
じた固体粒子を回転により除去でき、両方の作用を一度
にすることができる。請求項６の発明は除外装置にスク
ラバを用いたことにより、質量が小さいためサイクロン
で捕捉できなかった粒子及び反応しきれなかったガスの
両方に対し、液体で濡らし、及び溶解させて、両方を効
果的に捕捉することができる。こうして充分に除去する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の実施例を示し、ＣＶＤ装置の排ガス
処理装置の概略を示す図である。
処理装置の概略を示す図である。
１ ＣＶＤ装置 ２ ボート ３ 基台 ４ シリコンウエハ ５ ボンベ ６ ボンベ ７ 加熱装置 １３ サイクロン １４ ハウジング １５ 中心筒 １６ 回収部 １７ ガス入口 １８ スクラバ ２０ フアン ２２ 充填層 ２５ ノズル ２６ 液槽 ２７ ポンプ ２９ ガス入口 ３０ 排出口
Claims (6)
- 【請求項１】 ＣＶＤ装置から排出される、酸化性ガス
を有する未反応ガスを回転させて気相反応を起させ、固
体粒子を形成させ、次に該固体粒子を除去し、除去され
た残余のガスを除害装置に供給することを特徴とする、
ＣＶＤ装置の排ガス処理方法。 - 【請求項２】 気相反応及び該反応により生じた固体粒
子の除去はサイクロンにより行われる請求項１記載のＣ
ＶＤ装置の排ガス処理方法。 - 【請求項３】 除害装置はスクラバである請求項１、又
は２記載のＣＶＤ装置の排ガス処理方法。 - 【請求項４】 ＣＶＤ装置と、該ＣＶＤ装置の排気部と
連通して設けられた除害装置の間に、前記ＣＶＤ装置か
ら排出される、酸化性ガスを有する未反応ガスを回転に
よる気相反応により固体粒子を形成させ、形成した該固
体粒子を除去する装置を設けたことを特徴とする、ＣＶ
Ｄ装置の排ガス処理装置。 - 【請求項５】気相反応及び該気相反応により生じた固体
粒子の除去を行う装置はサイクロンである請求項４記載
のＣＶＤ装置の排ガス処理装置。 - 【請求項６】除害装置はスクラバである請求項４又は５
記載のＣＶＤ装置の排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256307A JPH1099635A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Ｃｖｄ装置の排ガス処理方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8256307A JPH1099635A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Ｃｖｄ装置の排ガス処理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1099635A true JPH1099635A (ja) | 1998-04-21 |
Family
ID=17290853
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8256307A Pending JPH1099635A (ja) | 1996-09-27 | 1996-09-27 | Ｃｖｄ装置の排ガス処理方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1099635A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000040993A (ko) * | 1998-12-21 | 2000-07-15 | 윤종용 | 잔류가스 처리장치 |
| KR100888042B1 (ko) | 2007-03-14 | 2009-03-26 | 주식회사 엔아이피 코리아 | 가습기능을 가지는 분진 제거장치 |
| CN102049183A (zh) * | 2010-12-02 | 2011-05-11 | 昆山科技大学 | 以结合反应及旋风分离设备处理自燃性气体的装置 |
| KR101396537B1 (ko) * | 2013-05-02 | 2014-05-20 | (주)리엔텍엔지니어링 | 악취가스 액적 분리시스템 |
-
1996
- 1996-09-27 JP JP8256307A patent/JPH1099635A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20000040993A (ko) * | 1998-12-21 | 2000-07-15 | 윤종용 | 잔류가스 처리장치 |
| KR100888042B1 (ko) | 2007-03-14 | 2009-03-26 | 주식회사 엔아이피 코리아 | 가습기능을 가지는 분진 제거장치 |
| CN102049183A (zh) * | 2010-12-02 | 2011-05-11 | 昆山科技大学 | 以结合反应及旋风分离设备处理自燃性气体的装置 |
| KR101396537B1 (ko) * | 2013-05-02 | 2014-05-20 | (주)리엔텍엔지니어링 | 악취가스 액적 분리시스템 |
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