JPH0845904A - ドライエッチング方法および装置 - Google Patents
ドライエッチング方法および装置Info
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- JPH0845904A JPH0845904A JP17534494A JP17534494A JPH0845904A JP H0845904 A JPH0845904 A JP H0845904A JP 17534494 A JP17534494 A JP 17534494A JP 17534494 A JP17534494 A JP 17534494A JP H0845904 A JPH0845904 A JP H0845904A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板裏面に堆積した薄膜の除去工程数を減少
して生産性の向上を図る。 【構成】 真空容器２内の空間をガス拡散防止板５でエ
ッチング空間２１と非エッチング空間２２とに仕切る。
そして、ハロゲン元素を含む活性種を基板２０の裏面２
０ｂに吹き付け、水蒸気またはＯＨ基を含むガスを基板
２０の表面２０ａに吹き付ける。これにより、基板２０
の表面２０ａをエッチングせずに、基板２０の裏面２０
ｂに堆積された各種の薄膜をハロゲン元素を含む活性種
でエッチングして除去する。したがって、基板２０の表
面２０ａに高分子有機膜を被覆せずに基板２０の裏面２
０ｂに堆積された各種の薄膜のみを除去することができ
る。
して生産性の向上を図る。 【構成】 真空容器２内の空間をガス拡散防止板５でエ
ッチング空間２１と非エッチング空間２２とに仕切る。
そして、ハロゲン元素を含む活性種を基板２０の裏面２
０ｂに吹き付け、水蒸気またはＯＨ基を含むガスを基板
２０の表面２０ａに吹き付ける。これにより、基板２０
の表面２０ａをエッチングせずに、基板２０の裏面２０
ｂに堆積された各種の薄膜をハロゲン元素を含む活性種
でエッチングして除去する。したがって、基板２０の表
面２０ａに高分子有機膜を被覆せずに基板２０の裏面２
０ｂに堆積された各種の薄膜のみを除去することができ
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はドライエッチング方法お
よび装置に係り、特に基板の裏面に堆積された薄膜を除
去するドライエッチング方法および装置に関する。
よび装置に係り、特に基板の裏面に堆積された薄膜を除
去するドライエッチング方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路等は、シリコン等の半導
体基板上に化学気相成長技術（以下「ＣＶＤ」と呼す）
で各種の薄膜を堆積した後、基板表面上の各種の薄膜を
フレオン等のガスプラズマで選択的にエッチングして製
造される。このＣＶＤによれば、数十枚の基板を１枚毎
に縦方向と横方向に一定間隔をおいて配置し、これらの
基板の両面に一括して薄膜が堆積される。しかしなが
ら、基板裏面に堆積された各種の薄膜は半導体集積回路
等の製造に不要なので、基板表面上の各種の薄膜をフレ
オン等のガスプラズマで選択的にエッチングする前に除
去する必要がある。
体基板上に化学気相成長技術（以下「ＣＶＤ」と呼す）
で各種の薄膜を堆積した後、基板表面上の各種の薄膜を
フレオン等のガスプラズマで選択的にエッチングして製
造される。このＣＶＤによれば、数十枚の基板を１枚毎
に縦方向と横方向に一定間隔をおいて配置し、これらの
基板の両面に一括して薄膜が堆積される。しかしなが
ら、基板裏面に堆積された各種の薄膜は半導体集積回路
等の製造に不要なので、基板表面上の各種の薄膜をフレ
オン等のガスプラズマで選択的にエッチングする前に除
去する必要がある。
【０００３】そして、基板裏面に堆積された各種の薄膜
を除去する場合、先ず基板表面の薄膜全域にレジスト等
の高分子有機膜をマスクとして被覆し、次にウエット装
置（湿式エッチング装置）またはドライエッチング装置
で基板裏面に堆積された各種の薄膜をエッチングする。
これにより、基板裏面に堆積された各種の薄膜のみが除
去される。しかしながら、この方法では基板裏面に堆積
された各種の薄膜をエッチングする前に、基板表面の薄
膜全域にレジスト等の高分子有機膜をマスクとして形成
する必要があるので、工程数が多くなり生産性の向上を
図ることが困難であるという問題がある。
を除去する場合、先ず基板表面の薄膜全域にレジスト等
の高分子有機膜をマスクとして被覆し、次にウエット装
置（湿式エッチング装置）またはドライエッチング装置
で基板裏面に堆積された各種の薄膜をエッチングする。
これにより、基板裏面に堆積された各種の薄膜のみが除
去される。しかしながら、この方法では基板裏面に堆積
された各種の薄膜をエッチングする前に、基板表面の薄
膜全域にレジスト等の高分子有機膜をマスクとして形成
する必要があるので、工程数が多くなり生産性の向上を
図ることが困難であるという問題がある。
【０００４】ところで、弗素等のハロゲン元素を含むガ
スを励起して得ることができる弗素ラジカルは、反応性
が強いので基板や基板上の薄膜と容易に反応して、基板
や基板上の薄膜を容易にエッチングすることが知られて
いる。例えば、薄膜がシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）等のシリコン系の場合、弗素ラジカルは
薄膜を容易にエッチングする。しかしながら、この弗素
ラジカルで基板裏面に堆積された薄膜を除去すると、基
板表面に形成されたレジスト等の高分子有機膜もエッチ
ングで除去されるという問題がある。
スを励起して得ることができる弗素ラジカルは、反応性
が強いので基板や基板上の薄膜と容易に反応して、基板
や基板上の薄膜を容易にエッチングすることが知られて
いる。例えば、薄膜がシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコ
ン（ＳｉＯ2 ）等のシリコン系の場合、弗素ラジカルは
薄膜を容易にエッチングする。しかしながら、この弗素
ラジカルで基板裏面に堆積された薄膜を除去すると、基
板表面に形成されたレジスト等の高分子有機膜もエッチ
ングで除去されるという問題がある。
【０００５】一方、水蒸気や少なくともＯＨ基を含むガ
ス自体はそのガスを活性化しないので基板や薄膜に対し
て何等反応をしめさないことも知られている。そして、
弗素ラジカルと水蒸気等とを同時に使用する場合が特開
平２−４９４２５号公報に示されている。特開平２−４
９４２５号公報に示すように、弗素ラジカルと水蒸気を
シリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等のシ
リコン系の薄膜に同時に供給してもシリコン系の薄膜は
エッチングされない。
ス自体はそのガスを活性化しないので基板や薄膜に対し
て何等反応をしめさないことも知られている。そして、
弗素ラジカルと水蒸気等とを同時に使用する場合が特開
平２−４９４２５号公報に示されている。特開平２−４
９４２５号公報に示すように、弗素ラジカルと水蒸気を
シリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等のシ
リコン系の薄膜に同時に供給してもシリコン系の薄膜は
エッチングされない。
【０００６】これは、弗素ラジカルと水蒸気の水素とが
容易に反応してＨＦラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジカ
ルが生成され、生成されたＨＦラジカル、Ｈラジカル、
ＯＨラジカルが、基板表面の薄膜全域にマスクとして被
覆されている高分子有機膜と容易に反応するためであ
る。このように、ＨＦラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジ
カルが高分子有機膜と容易に反応するので、高分子有機
膜以外のシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）等のシリコン系の薄膜と反応しない。
容易に反応してＨＦラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジカ
ルが生成され、生成されたＨＦラジカル、Ｈラジカル、
ＯＨラジカルが、基板表面の薄膜全域にマスクとして被
覆されている高分子有機膜と容易に反応するためであ
る。このように、ＨＦラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジ
カルが高分子有機膜と容易に反応するので、高分子有機
膜以外のシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）等のシリコン系の薄膜と反応しない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】すなわち、弗素ラジカ
ルと水蒸気とを同時に供給した場合、基板表面にマスク
として被覆された高分子有機膜は除去されるが、基板裏
面の薄膜は除去されないという問題がある。したがっ
て、本発明の目的は上記従来技術が有する問題を解消
し、基板表面に高分子有機膜を被覆せずに基板裏面に堆
積された各種の薄膜のみを除去することにより、基板裏
面の薄膜の除去工程数を減少することができるドライエ
ッチング方法および装置を提供することにある。
ルと水蒸気とを同時に供給した場合、基板表面にマスク
として被覆された高分子有機膜は除去されるが、基板裏
面の薄膜は除去されないという問題がある。したがっ
て、本発明の目的は上記従来技術が有する問題を解消
し、基板表面に高分子有機膜を被覆せずに基板裏面に堆
積された各種の薄膜のみを除去することにより、基板裏
面の薄膜の除去工程数を減少することができるドライエ
ッチング方法および装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、少なくとも一方の面に被処理膜が堆積さ
れた基板から前記一方の面に堆積された被処理膜をエッ
チングで除去するドライエッチング方法において、真空
状態に維持された真空容器内にハロゲン元素を含む活性
種と、水蒸気またはＯＨ基とを含むガスを供給し、前記
ハロゲン元素を含む活性種を前記基板の一方の面に吹き
付け、前記水蒸気またはＯＨ基を含むガスを前記基板の
他方の面に吹き付けることを特徴としている。
に、本発明は、少なくとも一方の面に被処理膜が堆積さ
れた基板から前記一方の面に堆積された被処理膜をエッ
チングで除去するドライエッチング方法において、真空
状態に維持された真空容器内にハロゲン元素を含む活性
種と、水蒸気またはＯＨ基とを含むガスを供給し、前記
ハロゲン元素を含む活性種を前記基板の一方の面に吹き
付け、前記水蒸気またはＯＨ基を含むガスを前記基板の
他方の面に吹き付けることを特徴としている。
【０００９】また、本発明は、少なくとも一方の面に被
処理膜が堆積された基板から前記一方の面に堆積された
被処理膜をエッチングで除去するドライエッチング装置
において、その内部を真空状態に維持可能な真空容器
と、前記真空容器内の空間をエッチング空間と非エッチ
ング空間とに仕切り、かつ、前記基板の一方の面を前記
エッチング空間に露出させ、前記基板の他方の面を前記
非エッチング空間に露出させる仕切り部材と、前記エッ
チング空間内にハロゲン元素を含む活性種を供給するエ
ッチングガス供給手段と、前記非エッチング空間内に水
蒸気またはＯＨ基を含むガスを供給する非エッチングガ
ス供給手段と、を備えたことを特徴としている。
処理膜が堆積された基板から前記一方の面に堆積された
被処理膜をエッチングで除去するドライエッチング装置
において、その内部を真空状態に維持可能な真空容器
と、前記真空容器内の空間をエッチング空間と非エッチ
ング空間とに仕切り、かつ、前記基板の一方の面を前記
エッチング空間に露出させ、前記基板の他方の面を前記
非エッチング空間に露出させる仕切り部材と、前記エッ
チング空間内にハロゲン元素を含む活性種を供給するエ
ッチングガス供給手段と、前記非エッチング空間内に水
蒸気またはＯＨ基を含むガスを供給する非エッチングガ
ス供給手段と、を備えたことを特徴としている。
【００１０】
【作用】本発明によれば、仕切り部材は空容器内の空間
をエッチング空間と非エッチング空間とに仕切り、さら
に、仕切り部材は基板の一方の面をエッチング空間に露
出させ、基板の他方の面を非エッチング空間に露出させ
る。そして、エッチングガス供給手段はエッチング空間
内にハロゲン元素を含む活性種を供給し、非エッチング
ガス供給手段は非エッチング空間内に水蒸気またはＯＨ
基を含むガスを供給する。これにより、ハロゲン元素を
含む活性種が基板の一方の面に吹き付けられ、水蒸気ま
たはＯＨ基を含むガスが基板の他方の面に吹き付けられ
る。したがって、基板の他方の面をエッチングせずに、
基板の一方の面に堆積された各種の薄膜をハロゲン元素
を含む活性種でエッチングして除去することができる。
をエッチング空間と非エッチング空間とに仕切り、さら
に、仕切り部材は基板の一方の面をエッチング空間に露
出させ、基板の他方の面を非エッチング空間に露出させ
る。そして、エッチングガス供給手段はエッチング空間
内にハロゲン元素を含む活性種を供給し、非エッチング
ガス供給手段は非エッチング空間内に水蒸気またはＯＨ
基を含むガスを供給する。これにより、ハロゲン元素を
含む活性種が基板の一方の面に吹き付けられ、水蒸気ま
たはＯＨ基を含むガスが基板の他方の面に吹き付けられ
る。したがって、基板の他方の面をエッチングせずに、
基板の一方の面に堆積された各種の薄膜をハロゲン元素
を含む活性種でエッチングして除去することができる。
【００１１】
実施例１ 以下本発明によるドライエッチング方法および装置の実
施例を図面を参照して説明する。図１において、全体を
符号１で示したドライエッチング装置は真空容器２、非
エッチングガス供給手段３、エッチングガス供給手段
４、ガス拡散防止板（遮蔽手段）５および吸入手段６を
備えている。真空容器２は上壁７に開口穴７ａが形成さ
れ、開口穴７ａには非エッチングガス供給手段３の供給
管８が連通されている。供給管８はマスフローコントロ
ーラ９を介してタンク１０に連通されている。これによ
り、タンク１０は供給管８、マスフローコントローラ９
を介して真空容器２内に連通されている。
施例を図面を参照して説明する。図１において、全体を
符号１で示したドライエッチング装置は真空容器２、非
エッチングガス供給手段３、エッチングガス供給手段
４、ガス拡散防止板（遮蔽手段）５および吸入手段６を
備えている。真空容器２は上壁７に開口穴７ａが形成さ
れ、開口穴７ａには非エッチングガス供給手段３の供給
管８が連通されている。供給管８はマスフローコントロ
ーラ９を介してタンク１０に連通されている。これによ
り、タンク１０は供給管８、マスフローコントローラ９
を介して真空容器２内に連通されている。
【００１２】タンク１０内には水が充填され、マスフロ
ーコントローラ９はタンク１０内の水を減圧加熱して水
蒸気に変換する。これにより、非エッチングガス供給手
段３は供給管８を介して水蒸気を真空容器２内に供給す
る。供給された水蒸気は後述する基板２０の表面２０ａ
に吹き付けられる。図２に示すように、基板２０の表面
２０ａに吹き付けられた水蒸気は、表面２０ａの中央か
ら外周方向に流れる。この水蒸気の流速ｖ1 は、後述す
る弗素ラジカルが真空容器２内に供給される流速ｖ2 に
対してｖ1 ≦ｖ2 の関係が成立するように設定されてい
る。
ーコントローラ９はタンク１０内の水を減圧加熱して水
蒸気に変換する。これにより、非エッチングガス供給手
段３は供給管８を介して水蒸気を真空容器２内に供給す
る。供給された水蒸気は後述する基板２０の表面２０ａ
に吹き付けられる。図２に示すように、基板２０の表面
２０ａに吹き付けられた水蒸気は、表面２０ａの中央か
ら外周方向に流れる。この水蒸気の流速ｖ1 は、後述す
る弗素ラジカルが真空容器２内に供給される流速ｖ2 に
対してｖ1 ≦ｖ2 の関係が成立するように設定されてい
る。
【００１３】また、真空容器２は右側壁１１に開口１１
ａが形成され、開口１１ａには吸入手段６の排気管１２
が接続されている。排気管１２には真空ポンプ１３が接
続されている。したがって、真空ポンプ１３が駆動する
と真空容器２内の空気が排気管１２を介して吸入される
ので、真空容器２内が真空状態に維持される。さらに、
真空容器２は下壁１４に開口１４ａが形成され、開口１
４ａにはエッチングガス供給手段４の供給管１５が接続
されている。供給管１５はＣＦ4 および酸素ガスの供給
源（図示せず）に接続され、この供給源から供給管１５
内に導かれたＣＦ4 および酸素ガスは供給管１６を介し
て供給されたマイクロ波によって励起される。ＣＦ4 お
よび酸素ガスは弗素ラジカルに変換し、変換した弗素ラ
ジカルが真空容器２内に供給される。
ａが形成され、開口１１ａには吸入手段６の排気管１２
が接続されている。排気管１２には真空ポンプ１３が接
続されている。したがって、真空ポンプ１３が駆動する
と真空容器２内の空気が排気管１２を介して吸入される
ので、真空容器２内が真空状態に維持される。さらに、
真空容器２は下壁１４に開口１４ａが形成され、開口１
４ａにはエッチングガス供給手段４の供給管１５が接続
されている。供給管１５はＣＦ4 および酸素ガスの供給
源（図示せず）に接続され、この供給源から供給管１５
内に導かれたＣＦ4 および酸素ガスは供給管１６を介し
て供給されたマイクロ波によって励起される。ＣＦ4 お
よび酸素ガスは弗素ラジカルに変換し、変換した弗素ラ
ジカルが真空容器２内に供給される。
【００１４】真空容器２内に供給された弗素ラジカルは
基板２０の裏面２０ｂに吹き付けられる。図２に示すよ
うに、基板２０の裏面２０ｂに吹き付けられた弗素ラジ
カルは、裏面２０ｂの中央から外周方向に流れる。そし
て、前述したように弗素ラジカルが真空容器２内に供給
される流速ｖ2 は、水蒸気の流速ｖ1 との関係がｖ1≦
ｖ2 となるように設定されている。
基板２０の裏面２０ｂに吹き付けられる。図２に示すよ
うに、基板２０の裏面２０ｂに吹き付けられた弗素ラジ
カルは、裏面２０ｂの中央から外周方向に流れる。そし
て、前述したように弗素ラジカルが真空容器２内に供給
される流速ｖ2 は、水蒸気の流速ｖ1 との関係がｖ1≦
ｖ2 となるように設定されている。
【００１５】また、真空容器２内の下壁１４にはガス拡
散防止板５が設けられている。ガス拡散防止板５は開口
１４ａの周囲を覆うように形成され、ガス拡散防止板５
の上端部には基板２０が載置される。この場合、ガス拡
散防止板５の上端部は基板２０の外縁に沿った形状に形
成され、基板２０とガス拡散防止板５との間に隙間２３
が形成される。したがって、基板２０の裏面２０ｂに吹
き付けられて裏面２０ｂの中央から外周方向に流れた弗
素ラジカルは、隙間２３を介して後述する非エッチング
空間２２内に流出される。
散防止板５が設けられている。ガス拡散防止板５は開口
１４ａの周囲を覆うように形成され、ガス拡散防止板５
の上端部には基板２０が載置される。この場合、ガス拡
散防止板５の上端部は基板２０の外縁に沿った形状に形
成され、基板２０とガス拡散防止板５との間に隙間２３
が形成される。したがって、基板２０の裏面２０ｂに吹
き付けられて裏面２０ｂの中央から外周方向に流れた弗
素ラジカルは、隙間２３を介して後述する非エッチング
空間２２内に流出される。
【００１６】ところで、ガス拡散防止板５の上端部に基
板２０を載置することにより、真空容器２内がエッチン
グ空間２１と非エッチング空間２２とに分けられる。こ
れにより、弗素ラジカルは供給管１５を介してエッチン
グ空間２１に供給され、水蒸気は供給管８を介して非エ
ッチング空間２２に供給される。
板２０を載置することにより、真空容器２内がエッチン
グ空間２１と非エッチング空間２２とに分けられる。こ
れにより、弗素ラジカルは供給管１５を介してエッチン
グ空間２１に供給され、水蒸気は供給管８を介して非エ
ッチング空間２２に供給される。
【００１７】以上の説明から明らかなように、本発明に
よるドライエッチング方法および装置によれば、先ず、
真空容器２内のガス拡散防止板５の上端部に基板２０を
載置する。この基板２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂ
にはシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等
のシリコン系の各種の薄膜が堆積されている。次に、真
空ポンプ１３を駆動して排気管１２を介して真空容器２
内の空気を吸入して、真空容器２内を真空状態に維持す
る。
よるドライエッチング方法および装置によれば、先ず、
真空容器２内のガス拡散防止板５の上端部に基板２０を
載置する。この基板２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂ
にはシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等
のシリコン系の各種の薄膜が堆積されている。次に、真
空ポンプ１３を駆動して排気管１２を介して真空容器２
内の空気を吸入して、真空容器２内を真空状態に維持す
る。
【００１８】次いで、マスフローコントローラ９を作動
してタンク１０内の水を減圧加熱する。これにより、タ
ンク１０内の水が水蒸気に変換して供給管８を介して真
空容器２内の非エッチング空間２２内に供給される。供
給された水蒸気は基板２０の表面２０ａに吹き付けら
れ、表面２０ａの中央から外周方向に流れる。これによ
り、基板２０の表面２０ａが水蒸気で覆われる。一方、
マスフローコントローラ９の作動と同時に、供給管１５
内に導かれたＣＦ４ および酸素ガスにはマイクロ波が
印加されて弗素ラジカルに変換される。
してタンク１０内の水を減圧加熱する。これにより、タ
ンク１０内の水が水蒸気に変換して供給管８を介して真
空容器２内の非エッチング空間２２内に供給される。供
給された水蒸気は基板２０の表面２０ａに吹き付けら
れ、表面２０ａの中央から外周方向に流れる。これによ
り、基板２０の表面２０ａが水蒸気で覆われる。一方、
マスフローコントローラ９の作動と同時に、供給管１５
内に導かれたＣＦ４ および酸素ガスにはマイクロ波が
印加されて弗素ラジカルに変換される。
【００１９】そして、変換した弗素ラジカルは供給管１
５を介してガス拡散防止板５と基板２０で仕切られたエ
ッチング空間２１内に供給される。エッチング空間２１
内に供給された弗素ラジカルは基板２０の裏面２０ｂに
吹き付けられる。基板２０の裏面２０ｂに吹き付けられ
た弗素ラジカルは、裏面２０ｂの中央から外周方向に流
れる。これにより、基板２０の裏面２０ｂが弗素ラジカ
ルで覆われる。したがって、基板２０の裏面２０ｂに堆
積されたシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）のシリコン系の薄膜等が弗素ラジカルでエッチン
グされて、基板２０の裏面２０ｂから除去される。
５を介してガス拡散防止板５と基板２０で仕切られたエ
ッチング空間２１内に供給される。エッチング空間２１
内に供給された弗素ラジカルは基板２０の裏面２０ｂに
吹き付けられる。基板２０の裏面２０ｂに吹き付けられ
た弗素ラジカルは、裏面２０ｂの中央から外周方向に流
れる。これにより、基板２０の裏面２０ｂが弗素ラジカ
ルで覆われる。したがって、基板２０の裏面２０ｂに堆
積されたシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）のシリコン系の薄膜等が弗素ラジカルでエッチン
グされて、基板２０の裏面２０ｂから除去される。
【００２０】ここで、弗素ラジカルがエッチング空間２
１内に供給される流速ｖ2 と、水蒸気が非エッチング空
間２２に供給される流速ｖ1 との関係がｖ1 ≦ｖ2 とな
るように設定されているので、エッチング空間２１内の
弗素ラジカルは、基板２０とガス拡散防止板５との隙間
２３を介して非エッチング空間２２内に流出する。そし
て、非エッチング空間２２内に流出した弗素ラジカル
は、非エッチング空間２２内の水蒸気と反応する。この
反応によりＨＦラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジカルが
生成される。これらのラジカルは高分子有機膜のエッチ
ングは可能であるが、基板２０の表面２０ａに堆積され
たシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等の
シリコン系の各種の薄膜を除去することができない。
１内に供給される流速ｖ2 と、水蒸気が非エッチング空
間２２に供給される流速ｖ1 との関係がｖ1 ≦ｖ2 とな
るように設定されているので、エッチング空間２１内の
弗素ラジカルは、基板２０とガス拡散防止板５との隙間
２３を介して非エッチング空間２２内に流出する。そし
て、非エッチング空間２２内に流出した弗素ラジカル
は、非エッチング空間２２内の水蒸気と反応する。この
反応によりＨＦラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジカルが
生成される。これらのラジカルは高分子有機膜のエッチ
ングは可能であるが、基板２０の表面２０ａに堆積され
たシリコン（Ｓｉ）や二酸化シリコン（ＳｉＯ2 ）等の
シリコン系の各種の薄膜を除去することができない。
【００２１】なお、非エッチング空間２２内の水蒸気
や、非エッチング空間２２内で生成されたＨＦラジカ
ル、Ｈラジカル、ＯＨラジカル等は排気管１２を介して
真空ポンプ１３に吸入される。
や、非エッチング空間２２内で生成されたＨＦラジカ
ル、Ｈラジカル、ＯＨラジカル等は排気管１２を介して
真空ポンプ１３に吸入される。
【００２２】実施例２ 実施例１ではガス拡散防止板（遮蔽手段）５で開口１４
ａの周囲を覆う場合について説明したが、図３に示すよ
うに水蒸気拡散防止板２５で開口７ａの周囲を覆うよう
にしてもよい。水蒸気拡散防止板２５は下端部が開口さ
れ、この下端部は基板２０の外縁に沿った形状に形成さ
れている。この基板２０と水蒸気拡散防止板２５の下端
部との間に隙間２６が形成される。これにより、非エッ
チング空間２７が形成され、非エッチング空間２７は実
施例１の非エッチング空間２２より小さくなる。
ａの周囲を覆う場合について説明したが、図３に示すよ
うに水蒸気拡散防止板２５で開口７ａの周囲を覆うよう
にしてもよい。水蒸気拡散防止板２５は下端部が開口さ
れ、この下端部は基板２０の外縁に沿った形状に形成さ
れている。この基板２０と水蒸気拡散防止板２５の下端
部との間に隙間２６が形成される。これにより、非エッ
チング空間２７が形成され、非エッチング空間２７は実
施例１の非エッチング空間２２より小さくなる。
【００２３】そして、開口７ａから非エッチング空間２
７内に供給された水蒸気は基板２０の表面２０ａに吹き
付けられて隙間２６から非エッチング空間２２に流出す
る。この場合、非エッチング空間２７が実施例１の非エ
ッチング空間２２より小さくなるので、水蒸気の流速ｖ
1 と弗素ラジカルの流速ｖ2 との関係がｖ1 ≦ｖ2 とな
るように容易に設定することができる。したがって、水
蒸気を基板２０の表面２０ａに効率良く吹き付けること
ができる。なお、図３上で図１の実施例１の構成部材と
同一類似部材については同一符号を付して説明を省略す
る。
７内に供給された水蒸気は基板２０の表面２０ａに吹き
付けられて隙間２６から非エッチング空間２２に流出す
る。この場合、非エッチング空間２７が実施例１の非エ
ッチング空間２２より小さくなるので、水蒸気の流速ｖ
1 と弗素ラジカルの流速ｖ2 との関係がｖ1 ≦ｖ2 とな
るように容易に設定することができる。したがって、水
蒸気を基板２０の表面２０ａに効率良く吹き付けること
ができる。なお、図３上で図１の実施例１の構成部材と
同一類似部材については同一符号を付して説明を省略す
る。
【００２４】実施例３ 実施例１では水蒸気および弗素ラジカルをそれぞれ真空
容器２の上壁７および下壁１４から供給する場合につい
て説明したが、これに限らず、図４に示すように水蒸気
を真空容器２の下壁１４から供給し、弗素ラジカルを真
空容器２の上壁７から供給してもよい。この場合、基板
２０は表面２０ａと裏面２０ｂとが実施例１と反対にな
るように配置される。なお、図４上で図１の実施例１の
構成部材と同一類似部材については同一符号を付して説
明を省略する。
容器２の上壁７および下壁１４から供給する場合につい
て説明したが、これに限らず、図４に示すように水蒸気
を真空容器２の下壁１４から供給し、弗素ラジカルを真
空容器２の上壁７から供給してもよい。この場合、基板
２０は表面２０ａと裏面２０ｂとが実施例１と反対にな
るように配置される。なお、図４上で図１の実施例１の
構成部材と同一類似部材については同一符号を付して説
明を省略する。
【００２５】実施例４ 実施例２では水蒸気および弗素ラジカルをそれぞれ真空
容器２の上壁７および下壁１４から供給する場合につい
て説明したが、これに限らず、図５に示すように水蒸気
を真空容器２の下壁１４から供給し、弗素ラジカルを真
空容器２の上壁７から供給してもよい。この場合、基板
２０は表面２０ａと裏面２０ｂとが実施例２と反対にな
るように配置される。なお、図５上で図３の実施例２の
構成部材と同一類似部材については同一符号を付して説
明を省略する。
容器２の上壁７および下壁１４から供給する場合につい
て説明したが、これに限らず、図５に示すように水蒸気
を真空容器２の下壁１４から供給し、弗素ラジカルを真
空容器２の上壁７から供給してもよい。この場合、基板
２０は表面２０ａと裏面２０ｂとが実施例２と反対にな
るように配置される。なお、図５上で図３の実施例２の
構成部材と同一類似部材については同一符号を付して説
明を省略する。
【００２６】実施例５ 前記実施例では弗素ラジカルを得るためにＣＦ4 ガスお
よび酸素ガスを使用したが、これに限らず、ＮＦ3 ガス
やＳＦ6 ガスに酸素ガスを加えても同様に弗素ラジカル
を得ることができる。また、ＮＦ3 ガスの場合、ＮＦ3
ガス単独でも弗素ラジカルの発生量が多いので酸素ガス
を加えないで使用することも可能である。
よび酸素ガスを使用したが、これに限らず、ＮＦ3 ガス
やＳＦ6 ガスに酸素ガスを加えても同様に弗素ラジカル
を得ることができる。また、ＮＦ3 ガスの場合、ＮＦ3
ガス単独でも弗素ラジカルの発生量が多いので酸素ガス
を加えないで使用することも可能である。
【００２７】実施例６ 基板２０に堆積された被処理膜がシリコン窒化膜（Ｓｉ
3 Ｎ4 ）の場合、従来の方法でエッチングを行うとＣＦ
4 ガスに酸素ガスおよび窒素ガスを加えないと十分なエ
ッチング速度を得ることができないことが知られている
が、本発明の方法でエッチングを行えば、従来と同様の
結果を得ることができる。
3 Ｎ4 ）の場合、従来の方法でエッチングを行うとＣＦ
4 ガスに酸素ガスおよび窒素ガスを加えないと十分なエ
ッチング速度を得ることができないことが知られている
が、本発明の方法でエッチングを行えば、従来と同様の
結果を得ることができる。
【００２８】実施例７ また、前記実施例ではケミカルドライエッチング方法で
弗素ラジカルを発生する場合について説明したが、これ
に限らず、光による励起方法や高周波を印加して得られ
るプラズマエッチング方法で弗素ラジカルを得ることも
可能である。
弗素ラジカルを発生する場合について説明したが、これ
に限らず、光による励起方法や高周波を印加して得られ
るプラズマエッチング方法で弗素ラジカルを得ることも
可能である。
【００２９】実施例８ さらに、前記実施例では水蒸気と弗素ラジカルとを反応
させてＨＦラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジカルを生成
させる場合について説明したが、これに限らず、アルコ
ール類と弗素ラジカルとを反応させてもよい。このよう
に、アルコール類と弗素ラジカルとを反応させることに
より前記実施例の場合と同様にＨＦラジカル、Ｈラジカ
ル、ＯＨラジカルが生成され、前記実施例と同様の効果
を得ることができる。
させてＨＦラジカル、Ｈラジカル、ＯＨラジカルを生成
させる場合について説明したが、これに限らず、アルコ
ール類と弗素ラジカルとを反応させてもよい。このよう
に、アルコール類と弗素ラジカルとを反応させることに
より前記実施例の場合と同様にＨＦラジカル、Ｈラジカ
ル、ＯＨラジカルが生成され、前記実施例と同様の効果
を得ることができる。
【００３０】
【発明の効果】本発明によるドライエッチング方法およ
び装置によれば、ハロゲン元素を含む活性種を基板の一
方の面に吹き付け、水蒸気またはＯＨ基を含むガスを基
板の他方の面に吹き付ける。したがって、基板の他方の
面をエッチングせずに、基板の一方の面に堆積された各
種の薄膜をハロゲン元素を含む活性種でエッチングして
除去することができる。これにより、基板表面に高分子
有機膜を被覆せずに基板裏面に堆積された各種の薄膜の
みを除去することができるので、基板裏面の薄膜の除去
工程数が減少して生産性の向上を図ることができる。
び装置によれば、ハロゲン元素を含む活性種を基板の一
方の面に吹き付け、水蒸気またはＯＨ基を含むガスを基
板の他方の面に吹き付ける。したがって、基板の他方の
面をエッチングせずに、基板の一方の面に堆積された各
種の薄膜をハロゲン元素を含む活性種でエッチングして
除去することができる。これにより、基板表面に高分子
有機膜を被覆せずに基板裏面に堆積された各種の薄膜の
みを除去することができるので、基板裏面の薄膜の除去
工程数が減少して生産性の向上を図ることができる。
【図１】本発明によるドライエッチング装置の実施例１
を示した全体図。
を示した全体図。
【図２】本発明によるドライエッチング装置の実施例１
の作用を説明する説明図。
の作用を説明する説明図。
【図３】本発明によるドライエッチング装置の実施例２
を示した全体図。
を示した全体図。
【図４】本発明によるドライエッチング装置の実施例３
を示した全体図。
を示した全体図。
【図５】本発明によるドライエッチング装置の実施例４
を示した全体図。
を示した全体図。
１ ドライエッチング装置 ２ 真空容器 ３ 非エッチングガス供給手段 ４ エッチングガス供給手段 ５、２５ ガス拡散防止板（遮蔽手段） ２１ エッチング空間 ２２ 非エッチング空間
Claims (10)
- 【請求項１】少なくとも一方の面に被処理膜が堆積され
た基板から前記一方の面に堆積された被処理膜をエッチ
ングで除去するドライエッチング方法において、 真空状態に維持された真空容器内にハロゲン元素を含む
活性種と、水蒸気またはＯＨ基とを含むガスを供給し、
前記ハロゲン元素を含む活性種を前記基板の一方の面に
吹き付け、前記水蒸気またはＯＨ基を含むガスを前記基
板の他方の面に吹き付けることを特徴とするドライエッ
チング方法。 - 【請求項２】前記ハロゲン元素を含む活性種は前記基板
の一方の面の中央から外周方向に向かって流れ、かつ、
前記水蒸気またはＯＨ基を含むガスは前記基板の他方の
面の中央から外周方向に向かって流れることを特徴とす
る請求項１に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項３】前記ハロゲン元素を含む活性種の流速は、
前記水蒸気またはＯＨ基を含むガスの流速より速いこと
を特徴とする請求項２に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】前記ハロゲン元素を含む活性種は光または
放電のいずれかの方法で励起されることを特徴とする請
求項１に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項５】前記ハロゲン元素を含む活性種は、Ｃ
Ｆ4 、ＳＦ6 、ＮＦ3 等のフロン系ガスであることを特
徴とする請求項１に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項６】前記ハロゲン元素を含む活性種は、前記フ
ロン系ガスに酸素ガスまたは窒素ガスを添加した混合ガ
スであることを特徴とする請求項５に記載のドライエッ
チング方法。 - 【請求項７】前記ＯＨ基を含むガスはアルコール類であ
ることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング
方法。 - 【請求項８】少なくとも一方の面に被処理膜が堆積され
た基板から前記一方の面に堆積された被処理膜をエッチ
ングで除去するドライエッチング装置において、その内
部を真空状態に維持可能な真空容器と、前記真空容器内
の空間をエッチング空間と非エッチング空間とに仕切
り、かつ、前記基板の一方の面を前記エッチング空間に
露出させ、前記基板の他方の面を前記非エッチング空間
に露出させる仕切り部材と、前記エッチング空間内にハ
ロゲン元素を含む活性種を供給するエッチングガス供給
手段と、前記非エッチング空間内に水蒸気またはＯＨ基
を含むガスを供給する非エッチングガス供給手段と、を
備えたことを特徴とするドライエッチング装置。 - 【請求項９】前記エッチングガス供給手段は光または放
電のいずれかの方法で前記ハロゲン元素を含む活性種を
励起することを特徴とする請求項８に記載のドライエッ
チング装置。 - 【請求項１０】前記仕切り部材は、前記エッチング空間
内に供給されたハロゲン元素を含む活性種を前記基板の
一方の面の中央から外周方向に向かって流し、かつ、前
記非エッチング空間内に供給された水蒸気またはＯＨ基
を含むガスを前記基板の他方の面の中央から外周方向に
向かって流すように前記真空容器内を仕切ることを特徴
とする請求項８に記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17534494A JP3515176B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | ドライエッチング方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17534494A JP3515176B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | ドライエッチング方法および装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0845904A true JPH0845904A (ja) | 1996-02-16 |
| JP3515176B2 JP3515176B2 (ja) | 2004-04-05 |
Family
ID=15994429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17534494A Expired - Lifetime JP3515176B2 (ja) | 1994-07-27 | 1994-07-27 | ドライエッチング方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3515176B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002006668A3 (fr) * | 2000-07-14 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Procede de demontage d'un refrigerateur, materiel de compression, et dispositif de demontage d'un refrigerateur |
| US6938318B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for collecting a foam resin from a housing of a refrigerator |
| JP2008199010A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-28 | Applied Materials Inc | ウェハ正面側ガスパージを用いたウェハ背面重合体除去方法 |
| JP2008227466A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-09-25 | Applied Materials Inc | ウェハ背面重合体除去方法及びウェハ正面側捕捉プラズマ |
| JP2008270748A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
| JP2014130907A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
-
1994
- 1994-07-27 JP JP17534494A patent/JP3515176B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002006668A3 (fr) * | 2000-07-14 | 2004-02-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Procede de demontage d'un refrigerateur, materiel de compression, et dispositif de demontage d'un refrigerateur |
| US6944926B2 (en) | 2000-07-14 | 2005-09-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for disassembling refrigerator, compressing device, and device for disassembling the same |
| US7134387B2 (en) | 2000-07-14 | 2006-11-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Refrigerator dismantling method, compression equipment, and refrigerator dismantling device |
| US6938318B2 (en) | 2000-11-16 | 2005-09-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for collecting a foam resin from a housing of a refrigerator |
| JP2008199010A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-28 | Applied Materials Inc | ウェハ正面側ガスパージを用いたウェハ背面重合体除去方法 |
| JP2008227466A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-09-25 | Applied Materials Inc | ウェハ背面重合体除去方法及びウェハ正面側捕捉プラズマ |
| JP2008270748A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-11-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板洗浄装置及び基板処理装置 |
| JP2014130907A (ja) * | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Shibaura Mechatronics Corp | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3515176B2 (ja) | 2004-04-05 |
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