JPH11214362A - プラズマ処理装置 - Google Patents
プラズマ処理装置Info
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- JPH11214362A JPH11214362A JP10011503A JP1150398A JPH11214362A JP H11214362 A JPH11214362 A JP H11214362A JP 10011503 A JP10011503 A JP 10011503A JP 1150398 A JP1150398 A JP 1150398A JP H11214362 A JPH11214362 A JP H11214362A
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- Japan
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- chamber
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 微細な金属粉などを処理室に混入させること
なく、プラズマ処理装置のプラズマ発生室と処理室との
圧力差を大きくする。 【解決手段】 ガス制御ユニット１４のバルブ１５をオ
ンにし、反応ガスを一気にプラズマ発生室６に送り込
と、プラズマ発生室６内の圧力が一時的に低くなるとと
もに、反応ガスの濃度が高まり、プラズマの濃度が増
す。また、プラズマ発生室６と処理室５との圧力差が大
きくなる。その結果、多孔グリッド８を介して処理室５
に導入されるプラズマの面積が広がり、均一なエッチン
グ処理がなされる。
なく、プラズマ処理装置のプラズマ発生室と処理室との
圧力差を大きくする。 【解決手段】 ガス制御ユニット１４のバルブ１５をオ
ンにし、反応ガスを一気にプラズマ発生室６に送り込
と、プラズマ発生室６内の圧力が一時的に低くなるとと
もに、反応ガスの濃度が高まり、プラズマの濃度が増
す。また、プラズマ発生室６と処理室５との圧力差が大
きくなる。その結果、多孔グリッド８を介して処理室５
に導入されるプラズマの面積が広がり、均一なエッチン
グ処理がなされる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエッチング、アッシ
ング或いはＣＶＤによる被膜形成等に利用されるプラズ
マ処理装置に関する。
ング或いはＣＶＤによる被膜形成等に利用されるプラズ
マ処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、被処理基板の表面に形成した被
膜を所定パターンにエッチングするためのプラズマ処理
装置として、プラズマ発生室と処理室とを孔の開いた隔
壁で画成し、基板にダメージを与えるプラズマ中の荷電
粒子を除去するタイプの装置が従来から知られている。
膜を所定パターンにエッチングするためのプラズマ処理
装置として、プラズマ発生室と処理室とを孔の開いた隔
壁で画成し、基板にダメージを与えるプラズマ中の荷電
粒子を除去するタイプの装置が従来から知られている。
【０００３】上述したプラズマ処理装置で、被処理基板
の面内処理を均一に行うには、隔壁の孔の数と口径を大
きくし、処理室に送られるプラズマを大面積化し、広い
範囲に亘るようにする必要がある。特に被処理基板自体
の寸法が大きくなる傾向にあり、将来的にはプラズマの
均一な拡大が更に要求される
の面内処理を均一に行うには、隔壁の孔の数と口径を大
きくし、処理室に送られるプラズマを大面積化し、広い
範囲に亘るようにする必要がある。特に被処理基板自体
の寸法が大きくなる傾向にあり、将来的にはプラズマの
均一な拡大が更に要求される
【０００４】しかしながら、隔壁の孔の数と口径を大き
くしても、プラズマ発生室と処理室との圧力差が小さい
とプラズマは均一に広がらない。また、圧力差が小さい
と電子の速度が大きくなり、配線の太い箇所と細い箇所
でエッチング速度に差がでるマイクロローディング効果
が発生する。
くしても、プラズマ発生室と処理室との圧力差が小さい
とプラズマは均一に広がらない。また、圧力差が小さい
と電子の速度が大きくなり、配線の太い箇所と細い箇所
でエッチング速度に差がでるマイクロローディング効果
が発生する。
【０００５】そこで、特開平７−２６３３５３号公報及
び特開平８−２８８０９６号公報には、パルスガスバル
ブを介してプラズマ発生室に反応ガスを導入する提案が
なされている。即ち、パルスガスバルブがオンになって
ガスが導入されると、プラズマ発生室の圧力は一時的に
上昇し、処理室との圧力差が大きくなる。その結果、隔
壁の孔の数と口径を大きくして大面積のプラズマを処理
室に導くことが可能になるというものである。
び特開平８−２８８０９６号公報には、パルスガスバル
ブを介してプラズマ発生室に反応ガスを導入する提案が
なされている。即ち、パルスガスバルブがオンになって
ガスが導入されると、プラズマ発生室の圧力は一時的に
上昇し、処理室との圧力差が大きくなる。その結果、隔
壁の孔の数と口径を大きくして大面積のプラズマを処理
室に導くことが可能になるというものである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述した特開平７−２
６３３５３号公報及び特開平８−２８８０９６号公報に
あっては、パルスガスバルブを用いている。このパルス
ガスバルブはバルブ本体内に組み込んだニードルを進退
させることで反応ガスの出口を開閉する構造になってい
る。したがって、オン・オフの際にニードルとバルブ本
体とがメタルコンタクトを起こし、微小な金属粉が発生
し、これが反応ガスとともにプラズマ発生室に送り込ま
れる。
６３３５３号公報及び特開平８−２８８０９６号公報に
あっては、パルスガスバルブを用いている。このパルス
ガスバルブはバルブ本体内に組み込んだニードルを進退
させることで反応ガスの出口を開閉する構造になってい
る。したがって、オン・オフの際にニードルとバルブ本
体とがメタルコンタクトを起こし、微小な金属粉が発生
し、これが反応ガスとともにプラズマ発生室に送り込ま
れる。
【０００７】また、上記のメタルコンタクトを回避する
ため、特開平７−２６３３５３号では、ストッパを設け
てニードルとバルブ本体とをオフ状態でも接触させない
で、微小な隙間を残す提案もなされている。しかしなが
ら、常にニードルとバルブ本体との間に形成される微小
な隙間を一定に維持するのは極めて困難であり、隙間が
大きくなりすぎたり、逆にメタルコンタクトを生じてし
まい、更に、バルブ自体の形状にも制約が課せられてし
まう。
ため、特開平７−２６３３５３号では、ストッパを設け
てニードルとバルブ本体とをオフ状態でも接触させない
で、微小な隙間を残す提案もなされている。しかしなが
ら、常にニードルとバルブ本体との間に形成される微小
な隙間を一定に維持するのは極めて困難であり、隙間が
大きくなりすぎたり、逆にメタルコンタクトを生じてし
まい、更に、バルブ自体の形状にも制約が課せられてし
まう。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく請
求項１の発明は、反応ガスが供給されるプラズマ発生室
と、被処理物がセットされる処理室とを備え、プラズマ
発生室で発生したプラズマを多数の孔を形成した隔壁を
介して処理室に導入するようにしたプラズマ処理装置に
おいて、プラズマ発生室と処理室の内部圧力の差を大き
くするための手段として、反応ガスの供給管に間欠的に
反応ガスをプラズマ発生室に送り込むガス制御ユニット
を接続した。尚、反応ガスの供給管には供給通路も含ま
れ、同様に、後述する排気管には排気通路も含まれる。
求項１の発明は、反応ガスが供給されるプラズマ発生室
と、被処理物がセットされる処理室とを備え、プラズマ
発生室で発生したプラズマを多数の孔を形成した隔壁を
介して処理室に導入するようにしたプラズマ処理装置に
おいて、プラズマ発生室と処理室の内部圧力の差を大き
くするための手段として、反応ガスの供給管に間欠的に
反応ガスをプラズマ発生室に送り込むガス制御ユニット
を接続した。尚、反応ガスの供給管には供給通路も含ま
れ、同様に、後述する排気管には排気通路も含まれる。
【０００９】また請求項２の発明は、反応ガスの供給管
に真空ポンプにつながる枝管（分岐管）を設け、この枝
管にバルブを設けて供給管からの反応ガスを間欠的に排
気するようにした。
に真空ポンプにつながる枝管（分岐管）を設け、この枝
管にバルブを設けて供給管からの反応ガスを間欠的に排
気するようにした。
【００１０】更にまた請求項３の発明は、上記のプラズ
マ発生室と処理室の内部圧力の差を大きくするための手
段として、排気管に排気を断続的に行うバルブを設け
た。更に、請求項４の発明では、前記排気管を２本に分
岐し、１本は常時排気を行う真空ポンプにつなげ、他の
１本は排気を断続的に行うバルブを介して大容量の真空
チャンバを介して真空ポンプにつなげた。
マ発生室と処理室の内部圧力の差を大きくするための手
段として、排気管に排気を断続的に行うバルブを設け
た。更に、請求項４の発明では、前記排気管を２本に分
岐し、１本は常時排気を行う真空ポンプにつなげ、他の
１本は排気を断続的に行うバルブを介して大容量の真空
チャンバを介して真空ポンプにつなげた。
【００１１】以上の如き構成とすることで、微細な金属
粉等の発生を伴うことなく、プラズマ発生室と処理室と
の圧力差を大きくすることができる。
粉等の発生を伴うことなく、プラズマ発生室と処理室と
の圧力差を大きくすることができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。ここで、図１は第１実施例に
係るプラズマ処理装置の全体図であり、プラズマ処理装
置はベース１に開口２を形成し、この開口２に下方から
接地された載置テーブル３を臨ませている。この載置テ
ーブル３にはウェーハＷを載置している。
図面に基づいて説明する。ここで、図１は第１実施例に
係るプラズマ処理装置の全体図であり、プラズマ処理装
置はベース１に開口２を形成し、この開口２に下方から
接地された載置テーブル３を臨ませている。この載置テ
ーブル３にはウェーハＷを載置している。
【００１３】また、前記開口２を覆うようにアルミニウ
ム合金製の処理室５が設けられ、この処理室５の上に石
英やセラミックス製のプラズマ発生室６が設けられてい
る。これら処理室５及びプラズマ発生室６は同一材料か
ら構成される一体物であってもよい。
ム合金製の処理室５が設けられ、この処理室５の上に石
英やセラミックス製のプラズマ発生室６が設けられてい
る。これら処理室５及びプラズマ発生室６は同一材料か
ら構成される一体物であってもよい。
【００１４】また、処理室５とベース１との間にはチャ
ンバー内を減圧するための排気管７が形成され、プラズ
マ発生室６と処理室５との間には隔壁としてのＳiやＡl
からなる多孔グリッド８が配置され、ウェーハＷにダメ
ージを与える成分がプラズマ発生領域からプラズマ処理
領域に入り込むのを阻止している。多孔グリッド８の孔
の数は例えば２００ｍｍウェーハの場合は、直径８ｍｍ
の孔を２８個設ける。この孔の径や数はウェーハの大き
さによって適宜変更する。
ンバー内を減圧するための排気管７が形成され、プラズ
マ発生室６と処理室５との間には隔壁としてのＳiやＡl
からなる多孔グリッド８が配置され、ウェーハＷにダメ
ージを与える成分がプラズマ発生領域からプラズマ処理
領域に入り込むのを阻止している。多孔グリッド８の孔
の数は例えば２００ｍｍウェーハの場合は、直径８ｍｍ
の孔を２８個設ける。この孔の径や数はウェーハの大き
さによって適宜変更する。
【００１５】また、プラズマ発生室６の外周には誘導コ
イル１０が設けられている。誘導コイル１０は略５巻き
巻回されるとともに一端が１３．５６ＭＨzの高周波電
源に接続され、他端は設置されている。載置テーブル３
も同様に１３．５６ＭＨzの高周波電源に接続されてい
る。
イル１０が設けられている。誘導コイル１０は略５巻き
巻回されるとともに一端が１３．５６ＭＨzの高周波電
源に接続され、他端は設置されている。載置テーブル３
も同様に１３．５６ＭＨzの高周波電源に接続されてい
る。
【００１６】一方、プラズマ発生室６の上端部は閉塞さ
れている。このプラズマ発生室６の側面には反応ガス
（エッチングを行う場合には、例えばＣl2ガス）の供給
管１２が接続されている。プラズマ発生室６の上方から
反応ガスを導入すると、ウェーハの中心部にエッチング
が集中する傾向にあるので、供給管１２は誘導コイル１
０と多孔グリット８の中間位置に臨ませると均一なエッ
チングが可能にとなるので好ましい。
れている。このプラズマ発生室６の側面には反応ガス
（エッチングを行う場合には、例えばＣl2ガス）の供給
管１２が接続されている。プラズマ発生室６の上方から
反応ガスを導入すると、ウェーハの中心部にエッチング
が集中する傾向にあるので、供給管１２は誘導コイル１
０と多孔グリット８の中間位置に臨ませると均一なエッ
チングが可能にとなるので好ましい。
【００１７】前記反応ガスの供給管１２にはガス制御ユ
ニット１４につながる配管１５を接続している。即ち、
ガス制御ユニット１４のバルブ１６と大容量の反応ガス
チャンバーから成り、バルブ１６と供給管１２とを配管
１５で接続している。
ニット１４につながる配管１５を接続している。即ち、
ガス制御ユニット１４のバルブ１６と大容量の反応ガス
チャンバーから成り、バルブ１６と供給管１２とを配管
１５で接続している。
【００１８】以上において、排気管７から吸引してチャ
ンバー内を減圧した後、チャンバー内に反応ガスを導入
し、更に誘導コイル１０の一端に高周波を印加する。す
ると、プラズマ発生室６でプラズマを発生し、プラズマ
発生室６内に発生したプラズマは、多数の孔を形成した
多孔グリッド８を介して処理室に導入され、ウェーハＷ
表面に形成された被膜に対してエッチング処理等がなさ
れる。
ンバー内を減圧した後、チャンバー内に反応ガスを導入
し、更に誘導コイル１０の一端に高周波を印加する。す
ると、プラズマ発生室６でプラズマを発生し、プラズマ
発生室６内に発生したプラズマは、多数の孔を形成した
多孔グリッド８を介して処理室に導入され、ウェーハＷ
表面に形成された被膜に対してエッチング処理等がなさ
れる。
【００１９】このとき、前記ガス制御ユニット１４のバ
ルブ１５をオンにし、反応ガスを一気にプラズマ発生室
６に送り込む。するとプラズマ発生室６内の圧力が一時
的に低くなるとともに、反応ガスの濃度が高まり、プラ
ズマの濃度が増す。また、プラズマ発生室６と処理室５
との圧力差が大きくなる。その結果、多孔グリッド８を
介して処理室５に導入されるプラズマの面積が広がり、
均一なエッチング処理がなされる。
ルブ１５をオンにし、反応ガスを一気にプラズマ発生室
６に送り込む。するとプラズマ発生室６内の圧力が一時
的に低くなるとともに、反応ガスの濃度が高まり、プラ
ズマの濃度が増す。また、プラズマ発生室６と処理室５
との圧力差が大きくなる。その結果、多孔グリッド８を
介して処理室５に導入されるプラズマの面積が広がり、
均一なエッチング処理がなされる。
【００２０】尚、プラズマ発生室６と処理室５との圧力
差はできるだけ大きいことが望ましいが、プラズマ発生
室６の圧力を１０〜４０ｍｍTorrとし、処理室５の圧力
を１〜５ｍｍTorrにすることが好ましい。
差はできるだけ大きいことが望ましいが、プラズマ発生
室６の圧力を１０〜４０ｍｍTorrとし、処理室５の圧力
を１〜５ｍｍTorrにすることが好ましい。
【００２１】図２は第２実施例に係るプラズマ処理装置
の全体図であり、この実施例にあっては、反応ガスの供
給管１２から真空ポンプにつながる枝管１７を設け、こ
の枝管１７にバルブ１８を設ける。真空ポンプは常時排
気を行っているので、バルブ１８をオン・オフすること
で、供給管１２から反応ガスを間欠的に排気させ、プラ
ズマ発生室６と処理室５の圧力差を大きくする。また、
枝管１７の径を供給管１２の径より大きくすることでこ
の圧力差は一層大きくなる。
の全体図であり、この実施例にあっては、反応ガスの供
給管１２から真空ポンプにつながる枝管１７を設け、こ
の枝管１７にバルブ１８を設ける。真空ポンプは常時排
気を行っているので、バルブ１８をオン・オフすること
で、供給管１２から反応ガスを間欠的に排気させ、プラ
ズマ発生室６と処理室５の圧力差を大きくする。また、
枝管１７の径を供給管１２の径より大きくすることでこ
の圧力差は一層大きくなる。
【００２２】更に、真空ポンプの後には排気した反応ガ
スを外部に漏らさないための除害筒を設置する。使用す
る反応ガスによっては、真空ポンプに悪影響を与える場
合があるので、このようなときには、真空ポンプとバル
ブ１８との間にトラップを設けるとよい。
スを外部に漏らさないための除害筒を設置する。使用す
る反応ガスによっては、真空ポンプに悪影響を与える場
合があるので、このようなときには、真空ポンプとバル
ブ１８との間にトラップを設けるとよい。
【００２３】図３は第３実施例に係るプラズマ処理装置
の全体図であり、この実施例にあっては、排気管７に排
気を断続的に行うバルブ１９を設けている。このバルブ
１９についてはオン・オフに際してメタルコンタクトを
行う通常のバルブにしても、金属粉などは処理室５に戻
る虞れはないので構わない。また、バルブ１９と真空ポ
ンプの間にはターボ分子ポンプを設置する。
の全体図であり、この実施例にあっては、排気管７に排
気を断続的に行うバルブ１９を設けている。このバルブ
１９についてはオン・オフに際してメタルコンタクトを
行う通常のバルブにしても、金属粉などは処理室５に戻
る虞れはないので構わない。また、バルブ１９と真空ポ
ンプの間にはターボ分子ポンプを設置する。
【００２４】図４は第４実施例に係るプラズマ処理装置
の全体図であり、この実施例にあっては、排気管７から
配管２０を分岐し、排気管７については図３に示したと
同様に真空ポンプにつなげて常時排気を行い、配管２０
については断続的にオン・オフするバルブ２１を介して
大容量の真空チャンバ２２につなげている。また、図３
と同様に真空ポンプの前にターボ分子ポンプを設置す
る。ターボ分子ポンプはチャンバー内を一気に減圧する
のに有効であるが、ターボ分子ポンプで形成される真空
度は１０-3Torr〜１０-9Torrなので、大気圧から徐々に
真空にするにあたっては真空ポンプを使用することが望
ましい。このような構成とすることで、処理室５の圧力
をプラズマ発生室６に比べて大幅に低くすることがで
き、プラズマを均一に拡散せしめることができる。
の全体図であり、この実施例にあっては、排気管７から
配管２０を分岐し、排気管７については図３に示したと
同様に真空ポンプにつなげて常時排気を行い、配管２０
については断続的にオン・オフするバルブ２１を介して
大容量の真空チャンバ２２につなげている。また、図３
と同様に真空ポンプの前にターボ分子ポンプを設置す
る。ターボ分子ポンプはチャンバー内を一気に減圧する
のに有効であるが、ターボ分子ポンプで形成される真空
度は１０-3Torr〜１０-9Torrなので、大気圧から徐々に
真空にするにあたっては真空ポンプを使用することが望
ましい。このような構成とすることで、処理室５の圧力
をプラズマ発生室６に比べて大幅に低くすることがで
き、プラズマを均一に拡散せしめることができる。
【００２５】尚、図示したプラズマ処理装置では、チャ
ンバー外に設けた誘導コイルにてプラズマを発生せしめ
るようにしたが、チャンバー外に設けた一方が高周波電
源に他方が接地された一対のシート状電極、磁場コイル
によるＥＣＲ放電或いは導波管や導波ケーブルを用いた
マイクロ波放電を利用した装置にも本発明は適用でき
る。
ンバー外に設けた誘導コイルにてプラズマを発生せしめ
るようにしたが、チャンバー外に設けた一方が高周波電
源に他方が接地された一対のシート状電極、磁場コイル
によるＥＣＲ放電或いは導波管や導波ケーブルを用いた
マイクロ波放電を利用した装置にも本発明は適用でき
る。
【００２６】また、実施例にあってはプラズマ処理装置
をエッチング処理に用いた例を示したが、反応ガスを例
えばＳiＨ4等に変えることでＣＶＤ等の被膜形成にも用
いることができる。
をエッチング処理に用いた例を示したが、反応ガスを例
えばＳiＨ4等に変えることでＣＶＤ等の被膜形成にも用
いることができる。
【００２７】また、チャンバー内の圧力に脈動を持たせ
るための他の手段として、ガス導入管を大径、小径を交
互に並べた玉入コンデンサー状としたものも有効であ
る。
るための他の手段として、ガス導入管を大径、小径を交
互に並べた玉入コンデンサー状としたものも有効であ
る。
【００２８】
【発明の効果】以上に説明したように本発明によれば、
プラズマ処理装置のプラズマ発生室と処理室との圧力差
を大きくすることができるので、大面積化したプラズマ
を処理室に導くことができ、被処理基板が大径化して
も、均一な処理を行うことができ、しかも内部差を大き
くするための手段として、パルスガスバルブを用いてい
ないので、微細な金属粉の発生が防止され、歩留まりも
向上する。
プラズマ処理装置のプラズマ発生室と処理室との圧力差
を大きくすることができるので、大面積化したプラズマ
を処理室に導くことができ、被処理基板が大径化して
も、均一な処理を行うことができ、しかも内部差を大き
くするための手段として、パルスガスバルブを用いてい
ないので、微細な金属粉の発生が防止され、歩留まりも
向上する。
【図１】第１実施例に係るプラズマ処理装置の全体図
【図２】第２実施例に係るプラズマ処理装置の全体図
【図３】第３実施例に係るプラズマ処理装置の全体図
【図４】第４実施例に係るプラズマ処理装置の全体図
１…ベース、２…開口、３…載置テーブル、５…処理
室、６…プラズマ発生室、７…排気管、８…多孔グリッ
ド（隔壁）、１０…誘導コイル、１２…反応ガスの供給
管、１３…拡散板、１４…ガス制御ユニット、１６…バ
ルブ、１７…枝管、１８…バルブ、１９…排気を断続的
に行うバルブ、２０…分岐した配管、２１…バルブ、２
２…真空チャンバー、Ｗ…ウェーハ（被処理物）。
室、６…プラズマ発生室、７…排気管、８…多孔グリッ
ド（隔壁）、１０…誘導コイル、１２…反応ガスの供給
管、１３…拡散板、１４…ガス制御ユニット、１６…バ
ルブ、１７…枝管、１８…バルブ、１９…排気を断続的
に行うバルブ、２０…分岐した配管、２１…バルブ、２
２…真空チャンバー、Ｗ…ウェーハ（被処理物）。
Claims (4)
- 【請求項１】 反応ガスが供給されるプラズマ発生室
と、被処理物がセットされる処理室とを備え、プラズマ
発生室で発生したプラズマを多数の孔を形成した隔壁を
介して処理室に導入するようにしたプラズマ処理装置に
おいて、このプラズマ処理装置はプラズマ発生室と処理
室の内部圧力の差を大きくするための手段として、反応
ガスの供給管に間欠的に大量の反応ガスをプラズマ発生
室に送り込むガス制御ユニットを接続していることを特
徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項２】 反応ガスが供給されるプラズマ発生室
と、被処理物がセットされる処理室とを備え、プラズマ
発生室で発生したプラズマを多数の孔を形成した隔壁を
介して処理室に導入するようにしたプラズマ処理装置に
おいて、このプラズマ処理装置はプラズマ発生室と処理
室の内部圧力の差を大きくするための手段として、反応
ガスの供給管に真空ポンプにつながる枝管を設け、この
枝管にバルブを設けて供給管からの反応ガスを間欠的に
排気することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 【請求項３】 反応ガスが供給されるプラズマ発生室
と、被処理物がセットされる処理室とを備え、プラズマ
発生室で発生したプラズマを多数の孔を形成した隔壁を
介して処理室に導入するようにしたプラズマ処理装置に
おいて、このプラズマ処理装置はプラズマ発生室と処理
室の内部圧力の差を大きくするための手段として、排気
管に排気を断続的に行うバルブを設けたことを特徴とす
るプラズマ処理装置。 - 【請求項４】 請求項３に記載のプラズマ処理装置にお
いて、前記排気管は２本に分岐し、１本は常時排気を行
う真空ポンプにつながり、他の１本は排気を断続的に行
うバルブを介して大容量の真空チャンバにつながってい
ることを特徴とするプラズマ処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01150398A JP3574558B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | プラズマ処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01150398A JP3574558B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | プラズマ処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11214362A true JPH11214362A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3574558B2 JP3574558B2 (ja) | 2004-10-06 |
Family
ID=11779834
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01150398A Expired - Fee Related JP3574558B2 (ja) | 1998-01-23 | 1998-01-23 | プラズマ処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3574558B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100404956B1 (ko) * | 2001-01-08 | 2003-11-10 | (주)에이피엘 | 반도체 집적소자 제조공정 및 장치 |
| JP2012507143A (ja) * | 2008-10-23 | 2012-03-22 | ラム リサーチ コーポレーション | フォトレジストを除去するための方法および装置 |
-
1998
- 1998-01-23 JP JP01150398A patent/JP3574558B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP3574558B2 (ja) | 2004-10-06 |
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