JPH06210445A - 乾式フラックス処理方法及び装置 - Google Patents
乾式フラックス処理方法及び装置Info
- Publication number
- JPH06210445A JPH06210445A JP5266178A JP26617893A JPH06210445A JP H06210445 A JPH06210445 A JP H06210445A JP 5266178 A JP5266178 A JP 5266178A JP 26617893 A JP26617893 A JP 26617893A JP H06210445 A JPH06210445 A JP H06210445A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- brazing
- electrode
- plasma
- metal product
- treated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23G—CLEANING OR DE-GREASING OF METALLIC MATERIAL BY CHEMICAL METHODS OTHER THAN ELECTROLYSIS
- C23G5/00—Cleaning or de-greasing metallic material by other methods; Apparatus for cleaning or de-greasing metallic material with organic solvents
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K1/00—Soldering, e.g. brazing, or unsoldering
- B23K1/20—Preliminary treatment of work or areas to be soldered, e.g. in respect of a galvanic coating
- B23K1/203—Fluxing, i.e. applying flux onto surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電子部品のような金属製品の少なくとも一表
面を乾式フラックス処理する際に、フラックス残渣の除
去にＣＦＣを用いないようにする改良。 【構成】 本発明は、フラックス処理する金属製品の一
表面が、水素と、必要に応じて少なくとも１種類の不活
性ガスを含むガス状混合物の、大気圧でのプラズマで処
理する、前記の乾式フラックス処理方法に関する。本発
明はまた、特に前記方法を実施する装置、並びにろう付
又は金属被覆方法にも関する。
面を乾式フラックス処理する際に、フラックス残渣の除
去にＣＦＣを用いないようにする改良。 【構成】 本発明は、フラックス処理する金属製品の一
表面が、水素と、必要に応じて少なくとも１種類の不活
性ガスを含むガス状混合物の、大気圧でのプラズマで処
理する、前記の乾式フラックス処理方法に関する。本発
明はまた、特に前記方法を実施する装置、並びにろう付
又は金属被覆方法にも関する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、特にろう付又は金属被
覆の目的で、金属製品の少なくとも一表面を乾式フラッ
クス処理する方法に関する。
覆の目的で、金属製品の少なくとも一表面を乾式フラッ
クス処理する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属製品のろう付、特にプリント回路板
のような、金属支持体への電子部品のろう付は、通常は
二つの主要方法、すなわち波ろう付及びリフローろう付
によって、工業的に行われる。波ろう付法は、金属製
品、特に電子部品の金属部分の金属被覆にも使用するこ
とができる。
のような、金属支持体への電子部品のろう付は、通常は
二つの主要方法、すなわち波ろう付及びリフローろう付
によって、工業的に行われる。波ろう付法は、金属製
品、特に電子部品の金属部分の金属被覆にも使用するこ
とができる。
【０００３】波ろう付法によって金属製品をろう付又は
金属被覆するには、ろう付によって濡らされるべき前記
金属製品の金属部分は、一般にフラックスによってフラ
ックス処理される。このフラックスは、有機化合物、特
に有機酸及びハロゲン化誘導体からなる。フラックス処
理は、ろう材による濡れ特性を容易にし、改良するよう
に、金属表面の清浄化、特に金属表面からの金属酸化物
の除去を主目的としている。
金属被覆するには、ろう付によって濡らされるべき前記
金属製品の金属部分は、一般にフラックスによってフラ
ックス処理される。このフラックスは、有機化合物、特
に有機酸及びハロゲン化誘導体からなる。フラックス処
理は、ろう材による濡れ特性を容易にし、改良するよう
に、金属表面の清浄化、特に金属表面からの金属酸化物
の除去を主目的としている。
【０００４】ろう付波上を通過後、フラックス残渣は、
処理された金属表面に残る。これらのフラックス残渣
は、腐食性、導電性であり、したがって通常はハロゲン
化溶媒、特にクロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）を用い
る清掃作業によって除去されなければならない。リフロ
ーろう付は、支持体表面の局部的受入れ区域にろう材ペ
ーストを堆積し、電子部品のような金属製品をろう材ペ
ーストと接触させ、次いでろう材ペーストを特に赤外線
放射によって、気相では対流によって、例えばリフロー
炉では赤外線と対流の組合わせによって加熱することか
らなる。
処理された金属表面に残る。これらのフラックス残渣
は、腐食性、導電性であり、したがって通常はハロゲン
化溶媒、特にクロロフルオロカーボン（ＣＦＣ）を用い
る清掃作業によって除去されなければならない。リフロ
ーろう付は、支持体表面の局部的受入れ区域にろう材ペ
ーストを堆積し、電子部品のような金属製品をろう材ペ
ーストと接触させ、次いでろう材ペーストを特に赤外線
放射によって、気相では対流によって、例えばリフロー
炉では赤外線と対流の組合わせによって加熱することか
らなる。
【０００５】ろう材ペーストは、フラックスを含む有機
媒質に分散された合金粉末を有している。このフラック
ス自身も、従来どおり有機酸とハロゲン化誘導体からな
り、金属表面を清浄化する同様の作用を有する。ろう材
ペーストを加熱後、フラックス残渣は、なお支持体表面
に残り、この残渣は、上記のような同じ欠点をもたら
す。波ろう付の場合のように、一般にＣＦＣを用いた清
掃作業によって、これらの残渣を除去する必要がある。
媒質に分散された合金粉末を有している。このフラック
ス自身も、従来どおり有機酸とハロゲン化誘導体からな
り、金属表面を清浄化する同様の作用を有する。ろう材
ペーストを加熱後、フラックス残渣は、なお支持体表面
に残り、この残渣は、上記のような同じ欠点をもたら
す。波ろう付の場合のように、一般にＣＦＣを用いた清
掃作業によって、これらの残渣を除去する必要がある。
【０００６】ＣＦＣの製造を排除することを求めるモン
トリオール計画の文脈では、いろいろな解決案が、波ろ
う付の場合もリフローろう付の場合もいずれも同様に、
フラックス残渣の清掃にそれらの使用を取り止めること
を企図した。これらの解決案の中で、その処方がフラッ
クス残渣の量を最低にするように改良された“低残渣”
フラックスを使用することからなる、いわゆる“無清
掃”方法が述べられている。しかしながら、無視できな
い量のフラックス残渣が、処理された金属製品の表面に
残存することが確かめられた。
トリオール計画の文脈では、いろいろな解決案が、波ろ
う付の場合もリフローろう付の場合もいずれも同様に、
フラックス残渣の清掃にそれらの使用を取り止めること
を企図した。これらの解決案の中で、その処方がフラッ
クス残渣の量を最低にするように改良された“低残渣”
フラックスを使用することからなる、いわゆる“無清
掃”方法が述べられている。しかしながら、無視できな
い量のフラックス残渣が、処理された金属製品の表面に
残存することが確かめられた。
【０００７】その結果、フラックス処理すべき表面をガ
ス相で処理することを含む、いわゆる“乾式フラックス
処理方法”と呼ばれる他の方法も提案された。ガス相
は、特にガス相のその後の作用で除去される揮発性反応
生成物を形成するように、処理された表面で反応する。
したがってＭ．Ｗ．リープフリート（Ｌｉｅｂｆｒｉｅ
ｄ）は、ギ酸の貯槽内に窒素を通過させることによって
製造される、窒素とギ酸の混合物からなるガス相を用い
た乾式フラックス処理方法を、ハンブルグにおけるヨー
ロッパＩＳＨＭ会議（１９８９）に提案した。ヨーロッ
パ特許出願第３７１，６９３号も、乾式フラックス処理
方法を用いたろう付方法を述べている。この方法によれ
ば、処理される試料は、ろう材を溶融するのに十分な温
度に保持された加熱サブストレート台上に置かれ、試料
とサブストレート台は低圧反応炉内に配置される。
ス相で処理することを含む、いわゆる“乾式フラックス
処理方法”と呼ばれる他の方法も提案された。ガス相
は、特にガス相のその後の作用で除去される揮発性反応
生成物を形成するように、処理された表面で反応する。
したがってＭ．Ｗ．リープフリート（Ｌｉｅｂｆｒｉｅ
ｄ）は、ギ酸の貯槽内に窒素を通過させることによって
製造される、窒素とギ酸の混合物からなるガス相を用い
た乾式フラックス処理方法を、ハンブルグにおけるヨー
ロッパＩＳＨＭ会議（１９８９）に提案した。ヨーロッ
パ特許出願第３７１，６９３号も、乾式フラックス処理
方法を用いたろう付方法を述べている。この方法によれ
ば、処理される試料は、ろう材を溶融するのに十分な温
度に保持された加熱サブストレート台上に置かれ、試料
とサブストレート台は低圧反応炉内に配置される。
【０００８】ほぼ１０−５Ｔｏｒｒ（１３３×１０−５
Ｐａ）の非常に低い圧力が、反応炉内に行渡るようにさ
れる。この低圧は、拡散ポンプと第１ポンプとによって
つくられる。次に水素とアルゴンからなる雰囲気が、マ
イクロ波エネルギーによってプラズマが形成される１０
〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３０〜１３．３０Ｐａ）の
圧力で反応炉内に導入され、このプラズマが金属酸化物
を除去することができる。この方法は、工業的規模で用
いることを非常に困難にしている、第２の真空を得るた
めの設備を必要とするという大きな欠点がある。さら
に、低圧においては放射による熱伝達が一般に優勢であ
り、その結果、熱壁炉（ｈｏｔ ｗａｌｌｆｕｒｎａｃ
ｅ）のような炉は、正しく用いることができず、さらに
高価な放射装置に取替える必要がある。
Ｐａ）の非常に低い圧力が、反応炉内に行渡るようにさ
れる。この低圧は、拡散ポンプと第１ポンプとによって
つくられる。次に水素とアルゴンからなる雰囲気が、マ
イクロ波エネルギーによってプラズマが形成される１０
〜１００ｍＴｏｒｒ（１．３３０〜１３．３０Ｐａ）の
圧力で反応炉内に導入され、このプラズマが金属酸化物
を除去することができる。この方法は、工業的規模で用
いることを非常に困難にしている、第２の真空を得るた
めの設備を必要とするという大きな欠点がある。さら
に、低圧においては放射による熱伝達が一般に優勢であ
り、その結果、熱壁炉（ｈｏｔ ｗａｌｌｆｕｒｎａｃ
ｅ）のような炉は、正しく用いることができず、さらに
高価な放射装置に取替える必要がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明は、
乾式フラックス処理方法における上記の欠点を克服し、
特に高真空の確立を必要とせず、安全問題も提起しない
方法及び装置に関するものである。
乾式フラックス処理方法における上記の欠点を克服し、
特に高真空の確立を必要とせず、安全問題も提起しない
方法及び装置に関するものである。
【００１０】本発明はまた、上記の方法を実施するのに
特に適した装置にも関している。
特に適した装置にも関している。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、フラックス処
理すべき表面が、水素と、必要に応じて少なくとも１種
類の不活性ガスからなるガス状混合物の大気圧でのプラ
ズマによって処理されることを特徴とする、金属製品の
少なくとも一表面を乾式フラックス処理する方法に関す
る。そのようなプラズマは、原子状水素を含んでいる。
驚いたことには、大気圧下で原子状水素を含むプラズマ
を用いる本発明の乾式プラズマ処理方法が、少なくとも
非常な低圧のプラズマが用いられるのと同様に効果的な
やり方で、処理された表面に存在する金属酸化物を除去
するのに使用できることが見出だされた。したがってそ
のような方法は、工業的規模に容易に実施することがで
きる。
理すべき表面が、水素と、必要に応じて少なくとも１種
類の不活性ガスからなるガス状混合物の大気圧でのプラ
ズマによって処理されることを特徴とする、金属製品の
少なくとも一表面を乾式フラックス処理する方法に関す
る。そのようなプラズマは、原子状水素を含んでいる。
驚いたことには、大気圧下で原子状水素を含むプラズマ
を用いる本発明の乾式プラズマ処理方法が、少なくとも
非常な低圧のプラズマが用いられるのと同様に効果的な
やり方で、処理された表面に存在する金属酸化物を除去
するのに使用できることが見出だされた。したがってそ
のような方法は、工業的規模に容易に実施することがで
きる。
【００１２】本発明は、添付の図面を用いて一層詳細に
説明されるであろう。プラズマの前記構成不活性ガス
は、窒素、ヘリウム、又は好ましくはアルゴンであって
よい。ガス状混合物中の水素濃度は、０．０１容量％と
１００容量％との間、好ましくは０．５容量％と５０容
量％との間に含まれることができる。フラックス処理す
る表面は、３００℃以下の温度、好ましくは大気温と２
００℃との間に、さらに好ましくは１１０℃と１８０℃
との間に含まれる温度で、プラズマによって処理するこ
とができる。
説明されるであろう。プラズマの前記構成不活性ガス
は、窒素、ヘリウム、又は好ましくはアルゴンであって
よい。ガス状混合物中の水素濃度は、０．０１容量％と
１００容量％との間、好ましくは０．５容量％と５０容
量％との間に含まれることができる。フラックス処理す
る表面は、３００℃以下の温度、好ましくは大気温と２
００℃との間に、さらに好ましくは１１０℃と１８０℃
との間に含まれる温度で、プラズマによって処理するこ
とができる。
【００１３】本発明の方法の範囲内では、プラズマは、
水素と必要に応じて少なくとも１種類の不活性ガスを含
むガス状混合物を、マイクロ波発生器でつくられたマイ
クロ波によって、大気圧下で励起することによりつくる
ことができる。このマイクロ波プラズマは、発光放電の
外観をもつことができる。プラズマはまた、水素と必要
に応じて少なくとも１種類の不活性ガスを含むガス状混
合物を、誘電障壁放電により、大気圧下で励起すること
によってもつくることができる。
水素と必要に応じて少なくとも１種類の不活性ガスを含
むガス状混合物を、マイクロ波発生器でつくられたマイ
クロ波によって、大気圧下で励起することによりつくる
ことができる。このマイクロ波プラズマは、発光放電の
外観をもつことができる。プラズマはまた、水素と必要
に応じて少なくとも１種類の不活性ガスを含むガス状混
合物を、誘電障壁放電により、大気圧下で励起すること
によってもつくることができる。
【００１４】誘電障壁放電は、少なくともその一方が、
ガラス、アルミナ、シリカ、又はポリマーのような誘電
材料によって被覆された二つの電極の間で放電を行うこ
とからなる。そのような放電は特に、発光放電、又は
“無声グロー”放電、又は好ましくは本発明の範囲では
コロナ放電からなることができる。コロナ放電は、それ
自体よく知られた在来からの方法であり、使用すべき材
料及び作業条件を示している“モダン・プラスチックス
及びエラストマー（Ｐｌａｓｔｉｑｕｅｓ Ｍｏｄｅｒ
ｎｅｓ ｅｔ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｓ）”１９７７年５
月号、５４−５６頁、Ｓ．タッフイン著、“コロナ効果
による処理、装置についての技術的考察（Ｔｒａｉｔｅ
ｍｅｎｔ ｐａｒ ｅｆｆｅｔ ｃｏｒｏｎａ，ｃｏｎ
ｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ ｓｕ
ｒ ｌ’ｅｑｕｉｐｅｍｅｎｔ）”を参照されたい。
ガラス、アルミナ、シリカ、又はポリマーのような誘電
材料によって被覆された二つの電極の間で放電を行うこ
とからなる。そのような放電は特に、発光放電、又は
“無声グロー”放電、又は好ましくは本発明の範囲では
コロナ放電からなることができる。コロナ放電は、それ
自体よく知られた在来からの方法であり、使用すべき材
料及び作業条件を示している“モダン・プラスチックス
及びエラストマー（Ｐｌａｓｔｉｑｕｅｓ Ｍｏｄｅｒ
ｎｅｓ ｅｔ Ｅｌａｓｔｏｍｅｒｓ）”１９７７年５
月号、５４−５６頁、Ｓ．タッフイン著、“コロナ効果
による処理、装置についての技術的考察（Ｔｒａｉｔｅ
ｍｅｎｔ ｐａｒ ｅｆｆｅｔ ｃｏｒｏｎａ，ｃｏｎ
ｓｉｄｅｒａｔｉｏｎｓ ｔｅｃｈｎｉｑｕｅｓ ｓｕ
ｒ ｌ’ｅｑｕｉｐｅｍｅｎｔ）”を参照されたい。
【００１５】コロナ放電は、その曲率半径が大きく異な
る二つの電極間に発生される。例として、一方の電極は
円筒形であり、他方の電極は平面であってよい。本発明
の文脈では、二つの電極の一方は、前記金属製品自身で
構成することができる。高い電圧が、二つの電極間にか
けられる。この高い電圧は、連続と１００ｋＨｚとの間
に含まれる周波数をもち、１〜５０ｋＶに含まれる。本
発明の一実施態様によれば、金属製品の表面は、処理す
る金属製品の表面の一部分をさらすように開口があけら
れている、前記誘電材料の層によって被覆することがで
きる。
る二つの電極間に発生される。例として、一方の電極は
円筒形であり、他方の電極は平面であってよい。本発明
の文脈では、二つの電極の一方は、前記金属製品自身で
構成することができる。高い電圧が、二つの電極間にか
けられる。この高い電圧は、連続と１００ｋＨｚとの間
に含まれる周波数をもち、１〜５０ｋＶに含まれる。本
発明の一実施態様によれば、金属製品の表面は、処理す
る金属製品の表面の一部分をさらすように開口があけら
れている、前記誘電材料の層によって被覆することがで
きる。
【００１６】この開口は、電極の一方と対向して配置さ
れるように形成することができる。しかしながら一層安
定なコロナ放電を得るには、誘電材料層の開口が、上述
の電極と対向する位置から、例えば１〜５ｃｍ横方向に
離れて形成されるのが好ましい。このやり方でコロナ放
電は、フラックス処理する金属製品の表面が出会う開口
まで、誘電材料の表面上に広がる。したがって、特に安
定な、いわゆる“移行”コロナ放電が得られる。
れるように形成することができる。しかしながら一層安
定なコロナ放電を得るには、誘電材料層の開口が、上述
の電極と対向する位置から、例えば１〜５ｃｍ横方向に
離れて形成されるのが好ましい。このやり方でコロナ放
電は、フラックス処理する金属製品の表面が出会う開口
まで、誘電材料の表面上に広がる。したがって、特に安
定な、いわゆる“移行”コロナ放電が得られる。
【００１７】
【実施例】図１の装置は、ガス供給管１を有する。供給
管１は、誘電材料、典型的には石英製であってよい。供
給管１は、該供給管と直角に配置された導波管２を横切
っている。導波管２は、マイクロ波発生器（図示せず）
に接続されている。供給管１は、取出し管４を備えた、
例えばアダメル炉のような炉３内に開口する。
管１は、誘電材料、典型的には石英製であってよい。供
給管１は、該供給管と直角に配置された導波管２を横切
っている。導波管２は、マイクロ波発生器（図示せず）
に接続されている。供給管１は、取出し管４を備えた、
例えばアダメル炉のような炉３内に開口する。
【００１８】作動中、フラックス処理する金属製品は炉
３内に置かれ、水素と必要に応じて少なくとも１種類の
不活性ガスを含むガス状混合物は、あらかじめ定められ
た流量で、供給管１を通って炉内に連続的に導入され
る。プラズマは、導波管２との交差区域で、供給管１内
に発生される。その後、プラズマの構成種、特に原子状
水素は、金属製品をフラックス処理するように炉内に拡
散する。
３内に置かれ、水素と必要に応じて少なくとも１種類の
不活性ガスを含むガス状混合物は、あらかじめ定められ
た流量で、供給管１を通って炉内に連続的に導入され
る。プラズマは、導波管２との交差区域で、供給管１内
に発生される。その後、プラズマの構成種、特に原子状
水素は、金属製品をフラックス処理するように炉内に拡
散する。
【００１９】図２の装置は、図１に示された装置の変形
であるが、さらに詳しくは、工業的規模への利用に適し
ている。この装置は、導波管（図示せず）を備えた一列
のガス供給管５がその中に開口している炉３を有する。
図２に示された供給管の部分は、導波管との交差の次に
くる部分である。例えば金属板６のような処理された金
属製品は、コンベヤーベルト７によって炉内に運ばれ
る。導波管を備えた一列の供給管が、所望の処理を行う
のに不十分であるならば、これらの数列を、直列に組合
わせることができる。
であるが、さらに詳しくは、工業的規模への利用に適し
ている。この装置は、導波管（図示せず）を備えた一列
のガス供給管５がその中に開口している炉３を有する。
図２に示された供給管の部分は、導波管との交差の次に
くる部分である。例えば金属板６のような処理された金
属製品は、コンベヤーベルト７によって炉内に運ばれ
る。導波管を備えた一列の供給管が、所望の処理を行う
のに不十分であるならば、これらの数列を、直列に組合
わせることができる。
【００２０】図３の装置は、ガス供給管（図示せず）を
備えた室１２内に、円筒形の形状の高電圧電極８と、こ
の場合には研磨金属板からなる第２電極９を有する。こ
の場合この金属板は、処理する金属製品である。誘電材
料の層１０は、第２電極上に配置される。前記層は、高
電圧電極８から横方向に離れて配置された開口１１を有
する。この開口は、フラックス処理する金属製品の表面
の部分をさらす。この装置は、次のように作動する。誘
電材料層の表面に広がり、その後開口１２によってさら
された電極９の部分に移行する移行コロナ放電をつくり
だすように、電圧が電極８と９との間にかけられる。並
行して、水素と必要に応じて少なくとも１種類の不活性
ガスを含むガス状混合物が、供給管によって室１２内に
導入される。このガス状混合物は、コロナ放電によって
励起され、原子状水素を含むプラズマを形成する。この
プラズマは、開口１１によってさらされた、第２電極９
を形成する金属製品の部分をフラックス処理するであろ
う。
備えた室１２内に、円筒形の形状の高電圧電極８と、こ
の場合には研磨金属板からなる第２電極９を有する。こ
の場合この金属板は、処理する金属製品である。誘電材
料の層１０は、第２電極上に配置される。前記層は、高
電圧電極８から横方向に離れて配置された開口１１を有
する。この開口は、フラックス処理する金属製品の表面
の部分をさらす。この装置は、次のように作動する。誘
電材料層の表面に広がり、その後開口１２によってさら
された電極９の部分に移行する移行コロナ放電をつくり
だすように、電圧が電極８と９との間にかけられる。並
行して、水素と必要に応じて少なくとも１種類の不活性
ガスを含むガス状混合物が、供給管によって室１２内に
導入される。このガス状混合物は、コロナ放電によって
励起され、原子状水素を含むプラズマを形成する。この
プラズマは、開口１１によってさらされた、第２電極９
を形成する金属製品の部分をフラックス処理するであろ
う。
【００２１】図４の装置は、図３に示された装置の変形
であるが、工業的利用に一層適している。この装置は、
電極を構成するコンベヤーベルト１３上方に配置され
た、例えば円筒形の形状の高電圧電極８が中に配置され
ている、炉のような室１２を有する。処理する金属製品
１４は、コンベヤーベルト１３上に配置される。室内に
固定された誘電材料１５の層は、金属製品１４の通過を
可能にするのに十分な間隔で、コンベヤーベルト１３上
方に配置される。この層１５には、開口（図示せず）
が、高電圧電極８から横方向に離れて形成された。開口
の長さは、前記電極８と等しくできる。この装置の作動
のやり方は、図３の装置のやり方に類似している。
であるが、工業的利用に一層適している。この装置は、
電極を構成するコンベヤーベルト１３上方に配置され
た、例えば円筒形の形状の高電圧電極８が中に配置され
ている、炉のような室１２を有する。処理する金属製品
１４は、コンベヤーベルト１３上に配置される。室内に
固定された誘電材料１５の層は、金属製品１４の通過を
可能にするのに十分な間隔で、コンベヤーベルト１３上
方に配置される。この層１５には、開口（図示せず）
が、高電圧電極８から横方向に離れて形成された。開口
の長さは、前記電極８と等しくできる。この装置の作動
のやり方は、図３の装置のやり方に類似している。
【００２２】処理する金属製品は、その全長にわたって
開口の下を引張られるので、より大きな表面をフラック
ス処理することができる。さらに、室１２内に数個の高
電圧電極８を並列に取付け、誘電材料の層に多数の開口
を形成することもでき、これらの開口のそれぞれは、対
応する電極から横方向に離れて配置されている。
開口の下を引張られるので、より大きな表面をフラック
ス処理することができる。さらに、室１２内に数個の高
電圧電極８を並列に取付け、誘電材料の層に多数の開口
を形成することもでき、これらの開口のそれぞれは、対
応する電極から横方向に離れて配置されている。
【００２３】本発明はまた、ろう付又は金属被覆作業に
先立って、上述の方法によって少なくとも一表面をフラ
ックス処理された金属製品のその表面を、ろう付又は金
属被覆する方法にも関する。ろう付又は金属被覆の間、
前記製品は、２００℃以下、又は２００℃と等しい温度
に、一般的には１８０℃と２００℃の間に含まれる温度
に保たれる。ろう付又は金属被覆作業は、従来どおり波
ろう付技術によって行うことができる。
先立って、上述の方法によって少なくとも一表面をフラ
ックス処理された金属製品のその表面を、ろう付又は金
属被覆する方法にも関する。ろう付又は金属被覆の間、
前記製品は、２００℃以下、又は２００℃と等しい温度
に、一般的には１８０℃と２００℃の間に含まれる温度
に保たれる。ろう付又は金属被覆作業は、従来どおり波
ろう付技術によって行うことができる。
【００２４】ろう付作業はまた、従来どおりリフローに
よっても行うことができる。リフローによる場合には、
使用されるろう材ペーストは、有機媒質中に分散され
た、鉛−錫、鉛−錫−銀、又は鉛−インジウム合金のよ
うな合金粉末を公知のやり方で含むことができる。この
有機媒質は、少なくとも１種類の有機溶媒、少なくとも
１種類の濃化剤及び／又は松やに樹脂のような樹脂を含
むことができる。
よっても行うことができる。リフローによる場合には、
使用されるろう材ペーストは、有機媒質中に分散され
た、鉛−錫、鉛−錫−銀、又は鉛−インジウム合金のよ
うな合金粉末を公知のやり方で含むことができる。この
有機媒質は、少なくとも１種類の有機溶媒、少なくとも
１種類の濃化剤及び／又は松やに樹脂のような樹脂を含
むことができる。
【００２５】さらに、有機媒質は、一般的に有機酸及び
／又はハロゲン化誘導体のような有機化合物である、フ
ラックス処理活性化剤をもとにしたフラックスを含むこ
とができる。しかしながら、ろう付すべき金属製品の少
なくとも一表面がフラックス処理されている限り、前記
有機媒質のフラックス含有量は、ろう付後に前記表面に
残るフラックス残渣を最少限度にするように、十分に減
少させられた。ろう材ペーストを構成する有機媒質が、
完全にフラックスを含まないことはなお一層有利であ
る。
／又はハロゲン化誘導体のような有機化合物である、フ
ラックス処理活性化剤をもとにしたフラックスを含むこ
とができる。しかしながら、ろう付すべき金属製品の少
なくとも一表面がフラックス処理されている限り、前記
有機媒質のフラックス含有量は、ろう付後に前記表面に
残るフラックス残渣を最少限度にするように、十分に減
少させられた。ろう材ペーストを構成する有機媒質が、
完全にフラックスを含まないことはなお一層有利であ
る。
【００２６】本発明によるフラックス処理方法、及び場
合によってはろう付又は金属被覆方法は、トランジス
タ、抵抗器、キャパシタ、集積回路のような電子部品、
又は印刷回路板のような前記のような電子部品の支持体
の、全体又は部分を構成する金属製品の処理に特に適し
ている。次ぎの実施例は、本発明を説明するためのもの
である。
合によってはろう付又は金属被覆方法は、トランジス
タ、抵抗器、キャパシタ、集積回路のような電子部品、
又は印刷回路板のような前記のような電子部品の支持体
の、全体又は部分を構成する金属製品の処理に特に適し
ている。次ぎの実施例は、本発明を説明するためのもの
である。
【００２７】実施例１ その寸法が２０ｍｍ×２０ｍｍ×１ｍｍであって、上面
だけ酸化された銅板の両面をフラックス処理するのに、
図１に示されたような装置が用いられた。石英のガス供
給管１は、導波管のところで４ｍｍの直径をもってい
た。供給管１の直径は、炉３に入る前に５ｃｍに拡大
し、酸化された銅板が中で位置決めされている室を形成
するように、炉の全長にわたって延びている。炉３は、
前記室を取囲む円筒形のセラミックスリーブもったアダ
メル炉であった。
だけ酸化された銅板の両面をフラックス処理するのに、
図１に示されたような装置が用いられた。石英のガス供
給管１は、導波管のところで４ｍｍの直径をもってい
た。供給管１の直径は、炉３に入る前に５ｃｍに拡大
し、酸化された銅板が中で位置決めされている室を形成
するように、炉の全長にわたって延びている。炉３は、
前記室を取囲む円筒形のセラミックスリーブもったアダ
メル炉であった。
【００２８】９７容量％のアルゴンと３容量％の水素か
らなるガス状混合物が、毎分１０リットルの流量で供給
管５内に導入された。このガス状混合物から、導波管２
で伝搬されたマイクロ波によって、原子状水素を含むプ
ラズマが発生された。プラズマ内に注入された電力は２
００Ｗであった。銅板は１５０℃に加熱された。こうし
て銅板の両面が、２分以下で還元された。
らなるガス状混合物が、毎分１０リットルの流量で供給
管５内に導入された。このガス状混合物から、導波管２
で伝搬されたマイクロ波によって、原子状水素を含むプ
ラズマが発生された。プラズマ内に注入された電力は２
００Ｗであった。銅板は１５０℃に加熱された。こうし
て銅板の両面が、２分以下で還元された。
【００２９】実施例２ 上面だけ酸化された銅板をフラックス処理するのに、図
３に示されたような装置が用いられた。この銅板は、第
２電極９を形成した。銅板は、１ｃｍ２のその表面をさ
らすように、１ｃｍ２の開口が形成された誘電体シリコ
ーン樹脂の層で被覆された。この開口は、高電圧電極８
と対向する区域から１ｃｍだけ離されて配置された。２
０ｋＶの電圧が、１５ｋＨｚの周波数で両電極間にかけ
られた。そのとき、移行コロナ放電を発生するように、
９８容量％のアルゴンと２容量％の水素からなるガス状
混合物が、毎分４リットルの流量で室１２内に導入され
た。ガス状混合物の励起が、開口１１によってさらされ
た、処理する板の表面の還元を大気温度で促進する原子
状水素を含むプラズマを発生できる。
３に示されたような装置が用いられた。この銅板は、第
２電極９を形成した。銅板は、１ｃｍ２のその表面をさ
らすように、１ｃｍ２の開口が形成された誘電体シリコ
ーン樹脂の層で被覆された。この開口は、高電圧電極８
と対向する区域から１ｃｍだけ離されて配置された。２
０ｋＶの電圧が、１５ｋＨｚの周波数で両電極間にかけ
られた。そのとき、移行コロナ放電を発生するように、
９８容量％のアルゴンと２容量％の水素からなるガス状
混合物が、毎分４リットルの流量で室１２内に導入され
た。ガス状混合物の励起が、開口１１によってさらされ
た、処理する板の表面の還元を大気温度で促進する原子
状水素を含むプラズマを発生できる。
【図１】マイクロ波プラズマによって金属製品をフラッ
クス処理する装置の断面図。
クス処理する装置の断面図。
【図２】大気圧下でマイクロ波プラズマによって乾式フ
ラックス処理する他の装置の断面図。
ラックス処理する他の装置の断面図。
【図３】移行コロナ放電で発生されたプラズマによって
金属製品をフラックス処理する装置の断面図。
金属製品をフラックス処理する装置の断面図。
【図４】大気圧下で乾式フラックス処理する装置の断面
図。
図。
１、５ ガス供給管 ２ 導波管 ３ 炉 ４ 取出し管 ６ 金属板 ７、１３ コンベヤーベルト ８ 高電圧電極 ９ 第２電極 １０、１５ 誘電材料の層 １１ 開口 １２ 室 １４ 金属製品
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 メルル・シルヴイエ フランス国．94240・レイ・レ・ローズ. アレー・デユ・パルク・ド・ラ・ビエブ ル．17 (72)発明者 デユシヤトー・エリク フランス国．78000・ベルサイユ．リユ・ ボルニ・デボルデ．28
Claims (20)
- 【請求項１】 フラックス処理すべき表面が、水素と、
必要に応じて少なくとも１種類の不活性ガスからなるガ
ス状混合物から生ずる、大気圧でのプラズマによって処
理されることを特徴とする、金属製品の少なくとも一表
面を乾式フラックス処理する方法。 - 【請求項２】 不活性ガスが、窒素又はヘリウムである
ことを特徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項３】 不活性ガスが、アルゴンであることを特
徴とする請求項１記載の方法。 - 【請求項４】 ガス状混合物中の水素濃度が、０．０１
％と１００％の間、好ましくは０．５％と５０％の間に
含まれることを特徴とする請求項１から３のいずれか１
項に記載の方法。 - 【請求項５】 フラックス処理すべき表面が、３００℃
以下の温度、好ましくは大気温と２００℃の間の温度で
処理されることを特徴とする請求項１から４のいずれか
１項に記載の方法。 - 【請求項６】 プラズマが、水素と必要に応じて少なく
とも１種類の不活性ガスを、大気圧下にマイクロ波で励
起することによってつくられることを特徴とする請求項
１から５のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項７】 プラズマが、水素と必要に応じて少なく
とも１種類の不活性ガスを、大気圧下に誘電障害放電で
励起することによって発生されることを特徴とする請求
項１から５のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項８】 前記誘電放電が、コロナ放電であること
を特徴とする請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 前記誘電放電が、移行コロナ放電である
ことを特徴とする請求項７又は８記載の方法。 - 【請求項１０】 前記表面がろう付又は金属被覆作業に
先立って、請求項１から９のいずれか１項に記載の方法
によってフラックス処理されることを特徴とする、金属
製品の少なくとも一表面をろう付又は金属被覆する方
法。 - 【請求項１１】 ろう付又は金属被覆作業が、波ろう付
技術によって行われることを特徴とする請求項１０記載
の方法。 - 【請求項１２】ろう付作業が、リフローろう付によって
行われることを特徴とする請求項１０記載の方法。 - 【請求項１３】 金属製品が、ろう付又は金属被覆作業
の間、２００℃以下又は２００℃と等しい温度に保たれ
ることを特徴とする請求項１０から１２のいずれか１項
に記載の方法。 - 【請求項１４】 金属製品が、ろう付又は金属被覆作業
の間、１８０℃と２００℃の間の温度に保たれることを
特徴とする請求項１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 金属製品が、電子部品、又はプリント
回路板のような電子部品支持体であることを特徴とする
請求項１から１４のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項１６】 特に請求項１から９のいずれか１項に
記載の方法を実施するための移行コロナ放電発生装置に
おいて、ガス供給管路を備えた室（１２）内に、少なく
とも一つの高電圧電極（８）及び誘電材料の層（１０、
１５）が上に配置される第２電極（９、１３）を有し、
前記誘電材料の層が、前記高電圧電極（８）から横方向
に離れて配置された少なくとも一つの開口（１１）を有
することを特徴とする装置。 - 【請求項１７】 前記第２電極が、コンベヤーベルト
（１３）であることを特徴とする請求項１６記載の装
置。 - 【請求項１８】 前記第２電極が、室内で処理されるべ
き金属製品で構成されることを特徴とする請求項１６記
載の装置。 - 【請求項１９】 誘電材料層（１５）が、室内に固定さ
れていることを特徴とする請求項１６又は１７記載の装
置。 - 【請求項２０】 特に請求項１から９のいずれか１項に
記載の方法を実施するための移行コロナ放電発生装置に
おいて、ガス供給管路を備えた室（１２）内に、 −少なくとも一つの高電圧電極（８）、 −電子部品がろう付される、フラックス処理されるべき
金属区域を有する電子回路板を循環させるコンベヤーベ
ルト（１３）で構成された第２電極、 −室内に固定され、電子回路板が通過できるように十分
な間隔でコンベヤーベルト上に配置された誘電材料層
（１５）であって、前記各電子回路板の金属区域の少な
くとも一つをフラックス処理できるように、前記高電圧
電極（８）から横方向に離れて配置された、少なくとも
一つの開口（１１）を形成された層、を有することを特
徴とする装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FR9213028 | 1992-10-30 | ||
| FR9213028A FR2697456B1 (fr) | 1992-10-30 | 1992-10-30 | Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche. |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06210445A true JPH06210445A (ja) | 1994-08-02 |
Family
ID=9435037
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5266178A Pending JPH06210445A (ja) | 1992-10-30 | 1993-10-25 | 乾式フラックス処理方法及び装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5433820A (ja) |
| EP (1) | EP0595671B1 (ja) |
| JP (1) | JPH06210445A (ja) |
| CN (1) | CN1039632C (ja) |
| DE (1) | DE69307266T2 (ja) |
| FR (1) | FR2697456B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101321424B1 (ko) * | 2011-11-22 | 2013-10-22 | 김일욱 | 반도체 소자의 표면 처리 및 박막 성장 방법, 그리고 이를 구현하는 표면 처리 및 박막 성장 장치 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021940A (en) * | 1993-12-15 | 2000-02-08 | L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude | Method and apparatus for reflow soldering metallic surfaces |
| FR2713528B1 (fr) * | 1993-12-15 | 1996-01-12 | Air Liquide | Procédé et dispositif de fluxage par voie sèche de surfaces métalliques avant brasage ou étamage. |
| JPH09312545A (ja) * | 1996-03-18 | 1997-12-02 | Seiko Epson Corp | 圧電素子、その製造方法、及び圧電振動片のマウント装置 |
| US5928527A (en) * | 1996-04-15 | 1999-07-27 | The Boeing Company | Surface modification using an atmospheric pressure glow discharge plasma source |
| DE19717698A1 (de) * | 1997-04-26 | 1998-10-29 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Vorrichtung zur Reinigung von Aktivierung von elektrischen Leiterbahnen und Platinenoberflächen |
| US6643903B2 (en) * | 1997-11-13 | 2003-11-11 | Greatbatch-Sierra, Inc. | Process for manufacturing an EMI filter feedthrough terminal assembly |
| JP3397313B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2003-04-14 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法及び電子部品の実装方法 |
| US6468833B2 (en) | 2000-03-31 | 2002-10-22 | American Air Liquide, Inc. | Systems and methods for application of substantially dry atmospheric plasma surface treatment to various electronic component packaging and assembly methods |
| TW570856B (en) * | 2001-01-18 | 2004-01-11 | Fujitsu Ltd | Solder jointing system, solder jointing method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor device manufacturing system |
| US6776330B2 (en) * | 2001-09-10 | 2004-08-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Hydrogen fluxless soldering by electron attachment |
| TWI289491B (en) * | 2002-04-16 | 2007-11-11 | Tadatomo Suga | Reflow soldering method |
| US7387738B2 (en) * | 2003-04-28 | 2008-06-17 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications |
| US7079370B2 (en) | 2003-04-28 | 2006-07-18 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique electron attachment and remote ion generation |
| TWI274622B (en) * | 2003-04-28 | 2007-03-01 | Air Prod & Chem | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment and remote ion generation |
| US7897029B2 (en) * | 2008-03-04 | 2011-03-01 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment |
| CA2465195C (en) * | 2003-04-28 | 2012-06-19 | Air Products And Chemicals, Inc. | Electrode assembly for the removal of surface oxides by electron attachment |
| US8361340B2 (en) | 2003-04-28 | 2013-01-29 | Air Products And Chemicals, Inc. | Removal of surface oxides by electron attachment |
| US7434719B2 (en) * | 2005-12-09 | 2008-10-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Addition of D2 to H2 to detect and calibrate atomic hydrogen formed by dissociative electron attachment |
| US11134598B2 (en) * | 2009-07-20 | 2021-09-28 | Set North America, Llc | 3D packaging with low-force thermocompression bonding of oxidizable materials |
| CN101998773A (zh) * | 2009-08-20 | 2011-03-30 | 琳德股份公司 | 印刷电路板组装中有机可焊性防腐涂层的等离子体处理 |
| US8454850B2 (en) * | 2009-09-02 | 2013-06-04 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for the removal of surface oxides by electron attachment |
| US9053894B2 (en) | 2011-02-09 | 2015-06-09 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment |
| US9006975B2 (en) * | 2011-02-09 | 2015-04-14 | Air Products And Chemicals, Inc. | Apparatus and method for removal of surface oxides via fluxless technique involving electron attachment |
| WO2016077645A1 (en) | 2014-11-12 | 2016-05-19 | Ontos Equipment Systems | Simultaneous hydrophilization of photoresist surface and metal surface preparation: methods, systems, and products |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4275301A (en) * | 1980-03-10 | 1981-06-23 | Armstrong Cork Company | Corona discharge device |
| JPS5821324A (ja) * | 1981-07-30 | 1983-02-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 水素添加した半導体薄膜成長用金属表面基板の前処理方法 |
| DE3518197A1 (de) * | 1985-05-21 | 1986-11-27 | Heinrich 7413 Gomaringen Grünwald | Verfahren zur entfernung von metallionen aus koerpern aus glas, keramischen werkstoffen und sonstigen amorphen werkstoffen sowie kristallinen werkstoffen |
| GB8827933D0 (en) * | 1988-11-30 | 1989-01-05 | Plessey Co Plc | Improvements relating to soldering processes |
| DE4032328A1 (de) * | 1989-11-06 | 1991-09-19 | Wls Karl Heinz Grasmann Weichl | Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von zu verloetenden fuegepartnern |
| US5185132A (en) * | 1989-12-07 | 1993-02-09 | Research Development Corporation Of Japan | Atomspheric plasma reaction method and apparatus therefor |
| JP2990608B2 (ja) * | 1989-12-13 | 1999-12-13 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法 |
| DE4041270A1 (de) * | 1990-12-21 | 1992-06-25 | Grasmann Karl Heinz Wls | Verfahren und vorrichtung zur verarbeitung von elektronischen flachbaugruppen, insbesondere mit bauelementen bestueckten leiterplatten |
| JP3206095B2 (ja) * | 1991-04-12 | 2001-09-04 | 株式会社ブリヂストン | 表面処理方法及びその装置 |
| FR2677668B1 (fr) * | 1991-06-14 | 1993-10-15 | France Telecom | Procede de nettoyage de surfaces metalliques oxydees dans la fabrication de reseaux d'interconnexions et plaquettes pour de tels reseaux. |
| US5286532A (en) * | 1991-08-20 | 1994-02-15 | Bridgestone Corporation | Method for producing golf balls |
-
1992
- 1992-10-30 FR FR9213028A patent/FR2697456B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1993
- 1993-10-04 DE DE69307266T patent/DE69307266T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-04 EP EP93402419A patent/EP0595671B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 1993-10-15 US US08/136,278 patent/US5433820A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-10-25 JP JP5266178A patent/JPH06210445A/ja active Pending
- 1993-10-28 CN CN93119559.4A patent/CN1039632C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101321424B1 (ko) * | 2011-11-22 | 2013-10-22 | 김일욱 | 반도체 소자의 표면 처리 및 박막 성장 방법, 그리고 이를 구현하는 표면 처리 및 박막 성장 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1088502A (zh) | 1994-06-29 |
| CN1039632C (zh) | 1998-09-02 |
| EP0595671B1 (fr) | 1997-01-08 |
| FR2697456A1 (fr) | 1994-05-06 |
| FR2697456B1 (fr) | 1994-12-23 |
| DE69307266T2 (de) | 1997-08-07 |
| EP0595671A1 (fr) | 1994-05-04 |
| DE69307266D1 (de) | 1997-02-20 |
| US5433820A (en) | 1995-07-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH06210445A (ja) | 乾式フラックス処理方法及び装置 | |
| US5722581A (en) | Method and device for wave soldering incorporating a dry fluxing operation | |
| JP5596319B2 (ja) | 電子付着及び遠隔イオン発生を伴うフラックスレス技術によって表面酸化物を除去するための装置及び方法 | |
| EP1514627B1 (en) | Method for removal of surface oxides by electron attachment | |
| EP0546443B1 (en) | Soldering by conduction of heat from a plasma | |
| JP3229504B2 (ja) | はんだ付けまたはスズメッキの前の金属表面の乾式フラックス処理のための方法および装置 | |
| MXPA96001752A (en) | Wave welding procedure and device, integrating a dry pre-treatment operation | |
| JPH11503974A (ja) | フラックスレスはんだ付け方法 | |
| US6776330B2 (en) | Hydrogen fluxless soldering by electron attachment | |
| CA2253889A1 (en) | Method and apparatus for reflow metallic surfaces | |
| JP2009280914A (ja) | 電子付着による表面酸化物の除去 | |
| JP4846987B2 (ja) | 電子付着及び遠隔イオン発生を伴うフラックスレス技術によって表面酸化物を除去するための装置及び方法 | |
| TW200427873A (en) | Electrode assembly for the removal of surface oxides by electron attachment | |
| MXPA96001753A (en) | Procedure for dry pre-treatment metal disposals before their owned welding, using an atmosphere containing a vapor |