DE69307266T2

DE69307266T2 - Trockenflussverfahren- und Vorrichtung

Info

Publication number: DE69307266T2
Application number: DE69307266T
Authority: DE
Inventors: Eric Duchateau; Sylvie Mellul; Thierry Sindzingre
Original assignee: Air Liquide SA
Current assignee: Air Liquide SA
Priority date: 1992-10-30
Filing date: 1993-10-04
Publication date: 1997-08-07
Anticipated expiration: 2013-10-05
Also published as: FR2697456A1; JPH06210445A; EP0595671B1; US5433820A; EP0595671A1; CN1088502A; DE69307266D1; CN1039632C; FR2697456B1

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Trockenfluxen mindestens einer Oberfläche eines Metallteils, insbesondere um letzteres zu löten oder zu verzinnen.
Das Löten von Metallteilen, insbesondere das Auflöten von elektronischen Komponenten auf die Oberfläche eines Metallträgers wie einer gedruckten Schaltung wird industriell gewöhnlich hauptsächlich nach zwei Verfahren durchgeführt: das Schwall-Lötverfahren und das Löten im Aufschmelzverfahren.
Das Schwall-Lötverfahren kann ebenso für das Verzinnen von Metallteilen verwendet werden, insbesondere der metallischen Bereiche von elektronischen Komponenten.
Beim Löten oder Verzinnen eines Metallteils mittels des Schwall-Lötverfahrens werden die metallischen, durch die Lötung zu benetzenden Bereiche der Teile üblicherweise mittels eines Flußmittels gefluxt. Dieses besteht aus organischen Komponenten, insbesondere aus organischen Säuren und halogenierten Derivaten.
Das Fluxen bezweckt hauptsächlich das Beizen von Metalloberflächen, insbesondere um dadurch die Metalloxide zu beseitigen, und so die Qualität ihrer Benetzung mittels der Lötung zu fördern und zu verbessern.
Nach Durchgang durch den Lötschwall bleiben Flußmittelrückstände auf der behandelten Metalloberfläche zurück. Diese Flußmittelrückstände sind korrosiv und leitfähig; sie werden während eines Reinigungsprozesses beseitigt, üblicherweise unter Verwendung von halogenierten Lösungsmitteln, insbesondere von Fluor-Chlor-Kohlenstoffen (FCK).
Das Löten im Aufschmelzverfahren besteht darin, eine Lötpaste auf den auf der Trägeroberfläche befindlichen Aufnahmebereich aufzubringen, die Metallteile, z.B. elektronische Komponenten, mit der Lötpaste in Kontakt zu bringen, anschließend die Lötpaste durch Erhitzen aufzuschmelzen, insbesondere mittels Infrarotstrahlung, durch Konvektion in der Gasphase, durch Zusammenwirken von Infrarotstrahlung und Konvektion, z.B. in einem Aufschmelzofen.
Die Lötpaste umfaßt ein Pulver einer Metalllegierung, das in einem ein Flußmittel umfassenden organischen Milieu verteilt ist. Üblicherweise besteht auch das Flußmittel aus organischen Säuren und halogenierten Derivaten und spielt die gleiche Rolle beim Beizen von Metalloberflächen.
Nach Erhitzen der Lötpaste bleiben auch hier noch Flußmittelrückstände auf der Trägeroberfläche zurück, die die gleichen Nachteile wie die oben beschriebenen haben. Wie im Fall des Schwall-Lötverfahrens, werden diese Rückstände mittels eines Reinigungsvorgangs beseitigt, üblicherweise unter Anwendung von FCK.
Da nach dem Protokoll von Montreal die Produktion von FCK gestoppt werden soll, wurden verschiedene Lösungen zum Vermeiden ihrer Verwendung beim Reinigen von Flußmittelrückständen entwickelt, sowohl für das Schwall- Lötverfahren als für das Löten im Aufschmelzverfahren.
Von diesen Lösungen kann man die "keine Reinigung genannte Methode nennen, die aus der Verwendung eines Flußmittels "geringe Rückstände" besteht, dessen Rezepturen so modifiziert sind, daß die Flußmittelrückstandsmenge minimiert wird. Es wurde jedoch festgestellt, daß nicht vernachlässigbare Flußmittelrückstandsmengen auf den Oberflächen der behandelten Metallteile verbleiben.
Daher wurden auch andere, mit "Trockenfluxen" bezeichnete Methoden vorgeschlagen, die die Behandlung der zu fluxenden Oberflächen mittels einer Gasphase umfassen. Die Gasphase reagiert an den behandelten Oberflächen insbesondere so, daß sich flüchtige Reaktionsprodukte bilden, die in Zug der Erneuerung der Gasphase beseitigt werden.
So hat M.W. Liebfried auf dem Kongress "ISHM Europe" in Hamburg (1989) ein Trockenfluxverfahren vorgeschlagen, bei dem eine aus einem Stickstoff/Ameisensäure-Gemisch bestehende Gasphase verwendet wird, die man durch Einblasen von Stickstoff in ein Ameisensäurereservoir erhält. Doch Ameisensäure birgt bei den Anwendungsbedingungen beträchtliche Sicherheitsprobleme.
Die Patentanmeldung EP-371 693 beschreibt ein Verfahren und eine Vorrichtung zum Löten nach den Oberbegriffen der Ansprüche 1, 16 und 20, wobei ebenfalls ein Trockenfluxverfahren durchgeführt wird. Bei diesem Verfahren wird eine zu behandelnde Probe auf einem beheizten Substratträger angeordnet, der auf eine zum Schmelzen einer Lötung geeignete Temperatur gebracht wurde, wobei die Probe und der Substratträger in einem Niederdruckreaktor angeordnet sind.
Dieser Reaktor wird unter einem sehr geringen Druck, in der Größe von 10&supmin;&sup5; Torr (133x10&supmin;&sup5; Pa), betrieben. Dieser niedrige Druck wird durch eine Diffusionspumpe und durch eine Vorpumpe erreicht. Dann wird in den Reaktor eine aus Wasserstoff und Argon bestehende Atmosphäre unter einem Druck zwischen 10 und 100 mTorr (1,330 bis 13,30 Pa) eingeleitet, aus der mittels Mikrowellenenergie ein Plasma gebildet wird, das es ermöglicht, die Metalloxide zu beseitigen. Dieses Verfahren hat den großen Nachteil, daß es eine Vorrichtung zum Aufbauen eines sekundären Vakuums erfordert, so daß das Verfahren nur sehr schwer im technischen Maßstab anwendbar ist. Zudem überwiegt bei Niederdruck im allgemeinen der Wärmeübergang durch Strahlung, so daß Öfen wie Öfen mit warmen Wänden nicht vorteilhaft verwendet werden können und durch teurere strahlende Systeme ersetzt werden müssen.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Vorrichtung, die die oben erwähnten Nachteile der Trockenfluxverfahren vermeiden, und insbesondere kein hohes Vakuum benötigen und keine Sicherheitsprobleme aufwerfen.
Die Erfindung besteht aus einem Verfahren zum trockenen Behandeln zumindest einer Fläche eines Metallteils mit Flußmittel, bei dem die zu fluxende Fläche mit einem aus einem Wasserstoff und ggfs. zumindest ein Inertgas enthaltenden Gasgemisch gewonnenen Plasma behandelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma atmosphärischen Druck hat. Ein solches Plasma umfaßt atomaren Wasserstoff.
Es wurde überraschenderweise festgestellt, daß das Trockenfluxverfahren nach der Erfindung, bei dem ein atomaren Wasserstoff enthaltendes Plasma unter Atmosphärendruck verwendet wird, insbesondere zur Beseitigung von auf den behandelten Oberflächen vorhandenen Metalloxiden verwendet werden kann, dies auf eine Weise, die mindestens ebenso effizient ist, wie wenn ein Plasma unter sehr niedrigem Druck verwendet wird. Ein solches Verfahren kann daher sehr einfach im industriellen Maßstab eingesetzt werden.
Die Erfindung wird nun mit Hilfe der Zeichnung genauer beschrieben.
Das konstituierende Inertgas des Plasmas kann Stickstoff, Helium oder vorzugsweise Argon sein.
Die Wasserstoffkonzentration in dem Gasgemisch kann zwischen 0,01 und 100 Vol.-%, vorzugsweise zwischen 0,5 und 50 Vol.-%, liegen.
Die durch das Plasma zu fluxende Oberfläche wird bei einer Temperatur unterhalb von 300 ºC behandelt, vorzugsweise zwischen Umgebungstemperatur und 200 ºC, besser noch zwischen 110 ºC und 180 ºC.
Im Rahmen des Verfahrens nach der Erfindung kann das Plasma hergestellt werden, indem ein aus Wasserstoff und ggfs. mindestens einem Inertgas bestehendes Gasgemisch durch mittels eines Mikrowellengenerators erzeugte Mikrowellen bei Atmosphärendruck angeregt wird. Dieses Mikrowellenplasma kann das Erscheinungsbild einer Glimmentladung haben.
Das Plasma kann auch hergestellt werden, indem ein aus Wasserstoff und gegebenenfalls mindestens einem Inertgas bestehendes Gasgemisch bei Atmosphärendruck durch eine elektrische Entladung an einer dielektrischen Barriere angeregt wird.
Die elektrische Entladung an einer dielektrischen Barriere besteht aus der Herstellung einer elektrischen Entladung zwischen zwei Elektroden, von denen zumindest die eine mit einem dielektrischen Material wie Glas, Aluminium, Silizium oder einem Polymer überzogen ist. Eine solche Entladung kann insbesondere eine als "silent glow discharge" bezeichnete Glimmentladung oder vorzugsweise im Rahmen der Erfindung eine Koronaentladung sein. Die Koronaentladung ist eine wohlbekannte, klassische Entladung, beschrieben in dem Artikel "Traitement par effet corona, considération techniques sur 1voquipement" von G. Tuffin in "Plastiques Modernes et Elastomures", Mai 1977, S. 54-56, der die Merkmale des zu verwendenden Materials und der Betriebsbedingungen angibt.
Eine Koronaentladung entsteht zwischen zwei Elektroden mit stark unterschiedlichen Krümmungsradien. Beispielsweise kann eine Elektrode zylinderförmig sein, während die andere plan ist. Im Rahmen der Erfindung kann eine der beiden Elektroden das Metallteil selbst sein. Zwischen den Elektroden liegt eine Hochspannung, z.B. zwischen 1 und 50 kV, mit einer Frequenz zwischen Gleichstrom und 100 kHz.
Nach einem Merkmal der Erfindung kann die Oberfläche des Metallteils mit einer Schicht aus dem dielektrischen Material überzogen sein, die einen Schlitz hat, so daß ein Teil der Oberfläche des zu behandelnden Metallteils freigelegt ist.
Dieser Schlitz kann so angeordnet sein, daß er gegenüber der einen Elektrode liegt. Um eine stabilere Koronaentladung zu erzeugen, wird aber vorzugsweise der Schlitz in der Schicht aus dielektrischem Material mit einem seitlichen Abstand von beispielsweise 1 bis 5 cm von der oben beschriebenen Position gegenüber der Elektrode geschaffen. So breitet sich die Koronaentladung auf der Oberfläche der Schicht aus dielektrischem Material bis zu dem Schlitz aus, wo sie auf die Oberfläche des zu fluxenden Metallteils trifft. Man erhält so eine "transferierte", besonders stabile Koronaentladung.
Die Erfindung betrifft ebenso Vorrichtungen, die insbesondere zur Durchführung des oben beschriebenen Verfahrens verwendet werden können.
Figur 1 zeigt einen Schnitt durch eine Vorrichtung zum Fluxen eines Metallteus mittels eines Mikrowellenplasmas. Diese Vorrichtung umfaßt ein Gasversorgungsrohr 1. Das Versorgungsrohr 1 kann aus einem dielektrischen Material, gewöhnlich aus Quarz, sein. Das Versorgungsrohr 1 durchquert einen rechtwinklig zum Versorgungsrohr angeordneten Hohlleiter 2. Der Hohlleiter 2 ist mit einem Mikrowellengenerator (nicht dargestellt) verbunden. Das Versorgungsrohr 1 mündet in einen Ofen 3, beispielsweise einen Adamel-Ofen, der mit einem Abzugsrohr 4 ausgestattet ist.
Im Betrieb ordnet man ein zu fluxendes Metallteil in dem Ofen 3 an und leitet dort im weiteren Verlauf ein Wasserstoff und ggf. mindestens ein Inertgas umfassendes Gasgemisch über das Versorgungsrohr 1 in einer bestimmten Menge ein. Das Plasma bildet sich in dem Versorgungsrohr 1 in Höhe des Kreuzungsbereichs mit dem Hohlleiter 2. Dann dringen Bestandteile des Plasmas, insbesondere atomarer Wasserstoff, in den Ofen ein, so daß das Metallteil gefluxt wird.
Figur 2 zeigt einen Schnitt durch eine andere Vorrichtung zum Tockenfluxen mittels eines Mikrowellenplasmas bei Atmosphärendruck.
Diese Vorrichtung ist eine Abwandlung der in Figur 1 dargestellten, ist aber für eine Anwendung im industriellen Maßstab besonders geeignet. Diese Vorrichtung umfaßt einen Ofen 3, in den eine Reihe von mit Hohlleitern (nicht dargestellt) ausgestatteten Gasversorgungsrohren 5 mündet.
Der in Figur 2 dargestellte Bereich der Versorgungsrohre ist der, der auf den Kreuzungsbereich mit den Hohlleitern folgt. Das behandelte Metallteil, z.B. eine Metallplatte 6, wird in den Ofen mittels eines Förderbandes 7 gefördert.
Diese Vorrichtung arbeitet ähnlich wie die in Figur 1 dargestellte. Sie erlaubt, Metallteile verschiedener Formen und Dimensionen zu behandeln.
Wenn eine Reihe von mit Hohlleitern ausgestatteten Versorgungsrohren 5 zur Durchführung der gewünschten Behandlung nicht ausreichend ist, können weitere dieser Reihen in Serie geschaltet werden.
Figur 3 zeigt einen Schnitt durch eine Vorrichtung zum Fluxen eines Metallteils mittels eines durch transferierte Koronaentladung hergestellten Plasmas. Diese Vorrichtung umfaßt in einem mit einem Gasversorgungsrohr (nicht dargestellt) ausgestatteten Gehäuse 12 eine zylinderförmige Hochspannungselektrode 8 und eine zweite Elektrode 9, die hier aus einer mit Erde verbundenen Metallplatte besteht. Die Metallplatte ist hier das zu behandelnde Metallteil. Eine Schicht 10 aus einem dielektrischen Material ist auf der Elektrode 9 angeordnet. Die Schicht 10 hat einen mit seitlichem Abstand zu der Elektrode 8 angeordneten Schlitz 11. Dieser Schlitz legt den zu fluxenden Bereich der Oberfläche des Metallteils frei.
Die Vorrichtung funktioniert auffolgende Weise: Es wird eine Hochspannung zwischen den Elektroden 8 und 9 angelegt, so daß eine transferierte Koronaentladung entsteht, die sich auf der Oberfläche der Schicht aus dielektrischem Material, dann auf den durch den Schlitz 11 freigelegten Bereich der Oberfläche der Elektrode 9 ausbreitet. Gleichzeitig wird in das Gehäuse 12 mittels eines Versorgungsrohrs ein Wasserstoff und ggf. mindestens ein Inertgas umfassendes Gasgemisch eingeleitet. Dieses Gasgemisch wird durch die Koronaentladung angeregt und bildet ein Plasma, das atomaren Wasserstoff umfaßt. Dieses Plasma fluxt den durch den Schlitz 11 freigelegten Bereich des die Elektrode 9 bildenden Metallteils.
Figur 4 zeigt einen Schnitt durch eine Vorrichtung zum Trockenfluxen bei Atmosphärendruck Diese Vorrichtung ist eine Abwandlung der in Figur 3 dargestellten, eignet sich aber besonders für eine industrielle Anwendung.
Diese Vorrichtung hat ein Gehäuse 12 wie einen Ofen, in dem eine beispielsweise zylinderförmige Hochspannungselektrode 8 angeordnet ist, die oberhalb eines eine Elektrode bildenden Förderbandes 13 angeordnet ist. Das zu behandelnde Metallteil 14 ist auf dem Förderband 13 angeordnet. Eine in dem Gehäuse befestigte Schicht aus dielektrischem Material 15 ist oberhalb des Förderbandes 13 mit zum Vorbeilaufen des Metallteils 14 ausreichendem Abstand angeordnet. In diese Schicht 15 ist mit seitlichem Abstand zu der Hochspannungselektrode 8 ein Schlitz eingebracht. Die Länge des Schlitzes kann gleich der der Elektrode 8 sein. Die Eunktionsweise dieser Vorrichtung ist ähnlich der der Vorrichtung nach Figur 3.
Wenn das zu behandelnde Metallteil mittels des Förderbandes unter dem Schlitz über seine ganze Länge verschoben wird, kann es auf einem größeren Oberflächenbereich gefluxt werden. Es ist möglich, parallel weitere Hochspannungselektroden 8 in dem Gehäuse 12 anzuordnen und ebensoviele Schlitze in die Schicht aus dielektrischem Material einzubringen, wobei dann jeder dieser Schlitze mit seitlichem Abstand zu seiner korrespondierenden Elektrode angeordnet ist.
Die Erfindung betrifft auch ein Verfahren zum Löten oder Verzinnen mindestens einer Oberfläche eines Metallteils, nach welchem vor dem Löt- oder Verzinnvorgang die Oberfläche gemäß dem oben beschriebenen Verfahren gefluxt wird. Während des Löt- oder Verzinnvorgangs kann das Teil auf eine Temperatur kleiner oder gleich 200º C gebracht werden, üblicherweise auf eine Temperatur zwischen 180º C und 200º C.
Der Löt- oder Verzinnvorgang kann wie üblich nach dem Schwall-Lötverfahren durchgeführt werden.
Der Lötvorgang kann wie üblich auch mittels des Aufschmelzlötverfahrens durchgeführt werden. Im letzteren Fall kann die verwendete Lötpaste auf bekannte Weise ein in einem organischen Milieu verteiltes Pulver einer metallischen Legierung wie den Legierungen Blei/Zinn, Blei/Zinn/Silber oder Blei/Indium umfassen. Das organische Milieu kann mindestens ein organisches Lösungsmittel, mindestens ein Verdickungsmittel und/oder mindestens ein Harz wie ein Kolophonium-Harz umfassen. Zudem kann das organische Milieu ein Flußmittel auf Grundlage von Fluxaktivatoren umfassen, üblicherweise organische Verbindungen wie organische Säuren und/oder halogenierte Derivate. Indessen kann in dem Maße, wie zumindest eine der Oberflächen des zu lötenden Metallteils nach dem oben beschriebenen Verfahren gefluxt wurde, der Flußmittelgehalt des organischen Milieus beträchtlich verringert werden, so daß die auf der Oberfläche nach dem Löten zurückbleibenden Flußmittelrückstände minimiert sind. Noch besser ist das konstituierende organische Milieu der Lötpaste vollkommen frei von Flußmittel.
Die Flux- und ggf. Löt- oder Verzinnverfahren nach der Erfindung sind insbesonders zur Behandlung von Metallteilen oder Grundbestandteilen von elektronischen Komponenten wie Transistoren, Widerständen, Kondensatoren, integrierten Schaltkreisen oder Trägern für diese elektronischen Komponenten wie gedruckte Schaltungen bestimmt.
Die folgenden Beispiele dienen der Verdeutlichung der Erfindung.

Beispiel 1

Man verwendet eine Vorrichtung wie in Figur 1 dargestellt mit den Maßen 20 mm / 20 mm / 1 m, um die Oberflächen einer oberflächlich oxidierten Kupferplatte zu fluxen.
Das aus Quarz gefertigte Versorgungsrohr 1 hat in Höhe des Hohlleiters einen Durchmesser von 4 mm. Vor dem Eintritt in den Ofen 3 ist der Durchmesser des Rohrs 1 auf 5 cm vergrößert und erstreckt sich über die ganze Länge des Ofens, in dem die oxidierte Kupferplatte angeordnet wird, um ein Gehäuse zu bilden. Der Ofen 3 ist ein Adamel-Ofen aus zylindrischem, keramischen Muffel, der das Gehäuse umgibt. In das Rohr 5 wird ein aus 97 Vol.-% Argon und 3 Vol.-% Wasserstoff bestehendes Gasgemisch mit einem Durchfluß von 10 l/min eingeleitet. Aus dem Gasgemisch wird ein atomaren Wasserstoff umfassendes Plasma mittels sich in dem Hohlleiter 2 fortpflanzender Mikrowellen erzeugt. Die auf das Plasma übertragene Leistung ist ca. 200 W. Die Kupferplatte ist auf 150º C erhitzt.
Die Oberflächen der Kupferplatte können so innerhalb von weniger als zwei Minuten reduziert werden.

Beispiel 2

Man verwendet eine Vorrichtung wie in Figur 3 dargestellt zum Fluxen einer an der Oberfläche oxidierten Kupferplatte. Die Kupferplatte bildet die Elektrode 9. Sie ist mit einer Schicht aus dielektrischem Silikon überzogen, in die ein Schlitz von 1 cm² eingebracht ist, wodurch eine Oberfläche von 1 cm² der Kupferplatte freigelegt ist. Dieser Schlitz ist mit 1 cm Abstand zur der gegenüberliegenden Stelle zur Hochspannungselektrode 8 angeordnet.
Es wird eine Spannung von 20 kV mit einer Frequenz von 15 kHz zwischen den Elektroden angelegt. Um eine transferierte Koronaentladung zu erzeugen, wird dann ein 98 Vol.-% Argon und 2 Vol.-% Wasserstoff umfassendes Gasgemisch mit einem Durchfluß von 4 l/min in das Gehäuse 12 eingeleitet.
Die Anregung des Gasgemisches erlaubt, ein atomaren Wasserstoff enthaltendes Plasma zu erzeugen, das eine Reduktion der durch den Schlitz 11 freigelegten Oberfläche der zu behandelnden Platte bei Umgebungstemperatur bewirkt.

Claims

1. Verfahren zum trockenen Behandeln zumindest einer Fläche eines Metallteils mit Flußmittel, bei dem die zu fluxende Fläche mit einem aus einem Wasserstoff und gegebenenfalls zumindest ein Inertgas enthaltenden Gasgemisch gewonnenen Plasma behandelt wird, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma atmosphärischem Druck hat.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Inertgas Stickstoff oder Helium ist.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Inertgas Argon ist.

4. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die Wasserstoffkonzentration in dem Gasgemisch zwischen 0,01 und 100 Volumenprozent und bevorzugt zwischen 0,5 und 50 Volumenprozent beträgt.

5. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die zu fluxende Fläche bei einer Temperatur kleiner als 300ºC und bevorzugt bei einer Temperatur zwischen der Umgebungstemperatur und 200ºC behandelt wird.

6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma bei atmosphärischem Druck durch Anregen eines Wasserstoff und gegebenenfalls zumindest ein Inertgas enthaltenen Gasgemischs mittels Mikrowellen erzeugt wird.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma bei atmosphärischem Druck durch Anregen eines Wasserstoff und gegebenenfalls zumindest ein Inertgas enthaltenen Gasgemischs durch elektrische Entladung an einer dielektrischen Schicht erzeugt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Entladung eine Koronaentladung ist.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 7 oder 8, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Entladung eine übertragene Koronaentladung ist.

10. Verfahren zum Löten oder Verzinnen zumindest einer Fläche eines Metallteils, umfassend eine vorangehende Flußmittelbehandlung, dadurch gekennzeichnet, daß die Fläche vor dem Löt- oder Verzinnvorgang gemäß dem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9 gefluxt wird.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Löt- oder Verzinnvorgang nach dem Schwall-Lötverfahren erfolgt.

12. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Lötvorgang durch Löten im Aufschmelzverfahren erfolgt.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallteil während des Löt- oder Verzinnvorgangs auf eine Temperatur kleiner als oder gleich 200ºC gebracht wird.

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallteil während des Lät- oder Verzinnvorgangs auf eine Temperatur zwischen 180ºC und 200ºC gebracht wird.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß das Metallteil ein elektronisches Bauteil oder ein Träger für elektronische Bauteile, beispielsweise eine gedruckte Schaltung, ist.

16. Vorrichtung zum Erzeugen einer Koronaentladung insbesondere zur Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9, umfassend eine mit einem Gaszufuhrrohr versehenen Kammer (12), wobei die Vorrichtung gekennzeichnet ist durch zumindest eine Hochspannungselektrode (8) und eine zweite Elektrode (9, 13), auf welcher eine Schicht aus einem dielektrischen Material (10, 15) angeordnet ist, die zumindest eine seitlich zu der vorgenannten Elektrode (8) so beabstandet angeordnete Öffnung (11) aufweist, daß die erzeugte Koronaentladung übertragen wird.

17. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrode ein Laufband (13) ist.

18. Vorrichtung nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrode aus einem in der Kammer zu behandelnden Metallteil besteht.

19. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 16 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht aus dielektrischem Material (15) in der Kammer befestigt ist.

20. Vorrichtung zum Erzeugen einer Koronaentladung insbesondere zur Anwendung des Verfahrens nach einem der Ansprüche 1 bis 9, umfassend eine mit einem Gaszufuhrrohr versehene Kammer (12), wobei die Vorrichtung gekennzeichnet ist durch:

- zumindest eine Hochspannungselektrode (8);

- eine zweite Elektrode, bestehend aus einem Laufband (13) für den Transport elektronischer Schaltkreise, deren Bereiche aus Metall, auf welche die elektronischen Bauteile gelötet werden, gefluxt werden müssen;

- eine in der Kammer befestigte Schicht aus einem dielektrischen Material (15), die in einem Abstand über dem Laufband angeordnet ist, der so bemessen ist, daß die elektronischen Schaltkreise vorbeilaufen können, und in der zumindest eine seitlich zu der vorgenannten Elektrode (8) beabstandet angeordnete Öffnung (11) so freigeschnitten ist, daß die erzeugte Koronaentladung übertragen wird, wobei diese Öffnung die Flußmittelbehandlung zumindest eines der Bereiche aus Metall jedes der Schaltkreise erlaubt.