JPS596511B2 - 半導体素子へのガラス塗布装置 - Google Patents

半導体素子へのガラス塗布装置

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JPS596511B2
JPS596511B2 JP8796379A JP8796379A JPS596511B2 JP S596511 B2 JPS596511 B2 JP S596511B2 JP 8796379 A JP8796379 A JP 8796379A JP 8796379 A JP8796379 A JP 8796379A JP S596511 B2 JPS596511 B2 JP S596511B2
Authority
JP
Japan
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glass
semiconductor
semiconductor element
disk
slurry
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Expired
Application number
JP8796379A
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English (en)
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JPS5612737A (en
Inventor
今朝光 山口
功 大関
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPS5612737A publication Critical patent/JPS5612737A/ja
Publication of JPS596511B2 publication Critical patent/JPS596511B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers

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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は両端に電極を有する半導体素子の外周面をガラ
ス層で被覆する際に用いる半導体素子へのガラス塗布装
置に関する。
量産される小形半導体素子の封止法としてガラスシール
は樹脂モールドより信頼性が高いとの理由で用いられて
いる。
従来行われていたガラスシール法は、スラリー状のガラ
ス液を回転する半導体素子の外周面上にノズルを移動し
ながら滴下させてまき付け、乾燥した後焼付けを行うも
のであつた。しかしこの滴下万式はガラス液を少量づゝ
ノズルから落すものであるため量産性に乏しいこと、小
電流高圧整流素子のようにシール部が長くまた素子の外
径が小さい場合には表面張力の関係から巻付けにくいこ
とあるいは電極と半導体との段差部にガラス液で満され
ない空孔ができやすいことなどの欠点があつた。本発明
はガラスモールド半導体素子の製造のための素子寸法に
左右されず、量産性に富み、しかも信頼性の高いガラス
塗布装置を提供することを目的とする。
この目的は水平中心軸の周りに回転する円板の側面が下
端においてガラス液槽に浸り、上端において軸方向が円
板の中心軸に平行な半導体素子の外周面に小さい間隔を
もつて対向し、かつ円板の厚さが少くとも半導体素子の
外周面の長さとほゞ等しいことによつて達成される。
以下本発明の実施例を図を用いて説明する。
ガラス塗布用の円板1は合成樹脂または金属でつくられ
、モータ2に直結した回転軸3に固定されている。この
円板1は、下端で槽4の中に入つたスラリー状のガラス
液5に浸り、側面にガラススラリーが付着した状態で矢
印A方向に回転する。円板1の上側にはシリコン積層半
導体6を挾むタングステン、モリグランまたはコバール
等の電極7とそれに取付けられた銅または銅合金等のリ
ード線8から成る半導体素子が、リード線8の部分でゴ
ム又はビニールなどでつくつたレール9の上に支持され
、円板1の回転中心軸3と平行に配置されている。この
際円板1の上端と半導体素子の半導体6および電極Tの
外周面との間隔は、円板側面に付着したガラススラリー
5の厚さよりやゝ小さくされる。ガラススラリー5は半
導体6および電極7の外周面を濡らしそれに被着するが
、スラリーの粘着力とリード線8とレール9の間の摩擦
抵抗により半導体素子はその位置で、あるいは少し移動
しながら矢印Bの方向に自転し、その間に外周面全体に
ガラスが被着する。全外周面の被着が終つたころに次の
半導体素子で押し出されるようにレール9の上に次々と
半導体素子を自動的に供給していき同時に槽4へガラス
スラリー5を自動的に補給すれば、連続的かつ自動的に
ガラス塗布をすることができる。円板1の厚さDをガラ
スを塗布すべき半導体6および電極7の長さLにほぼ等
しいかあるいはそれより大きくしておけば、それらの外
周面に同時にガラススラリーが付着し、しかもスラリー
が軸に垂直に押しこまれるため半導体6と電極7の間の
段部にも空孔を生ずることがない。円板1の側面にロー
レフトがけまたは歯切りにより凹凸をつけておけばガラ
ススラリー5の付着がより一層確実になる。またガラス
スラリーの付着はスラリーの粘度にも影響されるので、
槽4中のスラリー5を自給ポンプなどで循環させ粘度管
理を行つた方がよい。塗布の終つた半導体素子をレール
の前方で、例えばチエーンコンベアにのせかえ、その上
で乾燥および焼付けを行うようにすれば、ガラスシール
を連続的かつ自動的に完了させることができる。
カラスシールの厚みを大きくするためには、本発明によ
る塗布装置を複数台直列に配置して塗布および乾燥の工
程を繰返すようにすればよい。しかしそれほどではない
厚みの微調整は、円板と素子の外周面の間隔、ガラスス
ラリーの粘度あるいはモータの回転数の制御によつて行
うことができる。上述のように本発明によるガラス塗布
装置で(ば、円板による塗布を採用したことにより半導
体素子の寸法に関係なく任意の厚みのガラス層でシール
することができる。また半導体素子を個々に外力で回転
させる必要もないので装置は簡単であり、歩留り良く量
産性、信頼性に富んだ条件で製造でき、生産性が滴下法
に比して20〜30倍も向上し、得られる工業上の効果
は極めて大きい。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例の断面図である。 1・・・・・・円板、3・・・・・・回転中心軸、4・
・・・・・ガラス液槽、6・・・・・・半導体、7・・
・・・・電極。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 水平中心軸の周りに回転する円板の側面が下端にお
    いてガラス液槽に浸り、上端において軸方向が前記中心
    軸と平行な半導体素子の外周面に小さい間隔をもつて対
    向し、かつ前記円板の厚さが少くとも半導体素子の外周
    面の長さとほゞ等しいことを特徴とする半導体素子への
    ガラス塗布装置。
JP8796379A 1979-07-11 1979-07-11 半導体素子へのガラス塗布装置 Expired JPS596511B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8796379A JPS596511B2 (ja) 1979-07-11 1979-07-11 半導体素子へのガラス塗布装置

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JP8796379A JPS596511B2 (ja) 1979-07-11 1979-07-11 半導体素子へのガラス塗布装置

Publications (2)

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JPS5612737A JPS5612737A (en) 1981-02-07
JPS596511B2 true JPS596511B2 (ja) 1984-02-13

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ID=13929505

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JP8796379A Expired JPS596511B2 (ja) 1979-07-11 1979-07-11 半導体素子へのガラス塗布装置

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JP (1) JPS596511B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0159923B2 (ja) * 1983-02-23 1989-12-20 Nissan Motor
JPH02133225A (ja) * 1988-11-14 1990-05-22 Daihatsu Motor Co Ltd 自動車用窓ガラスの接着方法
JPH0249128Y2 (ja) * 1983-09-22 1990-12-25

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0159923B2 (ja) * 1983-02-23 1989-12-20 Nissan Motor
JPH0249128Y2 (ja) * 1983-09-22 1990-12-25
JPH02133225A (ja) * 1988-11-14 1990-05-22 Daihatsu Motor Co Ltd 自動車用窓ガラスの接着方法

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Publication number Publication date
JPS5612737A (en) 1981-02-07

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