JPS59596B2 - 酸性銅メツキ浴 - Google Patents

酸性銅メツキ浴

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JPS59596B2
JPS59596B2 JP53126287A JP12628778A JPS59596B2 JP S59596 B2 JPS59596 B2 JP S59596B2 JP 53126287 A JP53126287 A JP 53126287A JP 12628778 A JP12628778 A JP 12628778A JP S59596 B2 JPS59596 B2 JP S59596B2
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acid
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copper plating
plating bath
acidic copper
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ヴオルフガング・ダ−ムズ
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Schering AG
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    • C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
    • C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
    • C25D3/38—Electroplating: Baths therefor from solutions of copper
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
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Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、殊にプリント配線の導電路を補強するのに適
した光沢銅被膜を析出させるための酸性銅メツキ浴に関
する。
銅メツキ浴に、光沢析出を達成するために、特定の有機
物質を添加することは久しく周知である。
しかし、屡々添加物は、機械的特性殊に硬度及び破壊伸
びの低下ならびに不働体化現象を惹起し、次の処理のた
めには引続き活件化することが必要となる。更に、多数
の抑制剤は金属拡散を劣化すするので、殊に銅層に熱処
理を施した場合、例えばプリント配線にはんだ付けする
場合に穿孔や縁に亀裂が生じる。しかしながらこの目的
に既に公知の多数の化合物、例えばチオ尿素、チオヒダ
ントイン、チオカ１ルバミン酸エステル又はチオ燐酸エ
ステルはそれを用いて得られる銅被膜の質、殊に硬度及
び破壊伸びが極めて悪いので、実用的重要件を有しない
。
これらの化合物と他の添加物、例えばエチレンオキシド
付加化合物又はポリアミンとの組合せも満２足な結果を
生じない。それ故、本発明の課題は、光沢銅被膜の析出
のためび亀裂形成なしにかつすぐれた破壊伸びを以て、
プリント配線の導電路の補強のために適する酸性銅メツ
キ浴を提供することである。
〉この課題は、本発明によれば、次の成分： 幻 アセトアミド、プロピオン酸アミド、アクリル酸ア
ミド、安息香酸アミド及び式：〔式中、ｎはＯ又は１〜
４０の整数を表わす〕で示される分子量７３〜１６００
を有するポリアクリル酸アミドからなる群から選択され
た酸，−アミド０．００１〜２０９／ｊ１特に０．０１
〜１９／１，Ｂ）ポリビニルアルコール、カルボキシメ
チルセルロース、ポリエチレングリコール、ポリプロピ
レングリコール、ステアリン酸−ポリグリコ″ールエス
テル、オレイン酸−ポリグリコールエステル、ステアリ
ルアルコール−ポリグリコールエーテル、ノニルフエニ
ルーポリグリコールエーテル、オクタノール−ポリアル
キレングリコールエーテル、オクタンジオールビス（ポ
リアルキレングリコールエーテル）又はポリオキシプロ
ピレングリコールからなる群から選択された酸素含有高
分子化合物０．０・０５〜２０９／１，特に０．０２〜
５．０９／１１Ｃ） Ｎ，Ｎ−ジエチルージチオカルバ
ミン酸一（ω−スルホプロピルノーエステル（アルカリ
塩）、メルカプトベンズチアゾール−Ｓ−プロパンスル
ホン酸アルカリ、３−メルカペトプロパン一１−スルホ
ン酸アルカリ、チオ燐酸−０−エチル−ビス−（ω−ス
ルホプロピル）一エステル（アルカリ塩）、チオ燐酸−
トリス−（ω−スルホプロピル）一エステル（アルカリ
塩）、イソチオシアノプロピルスルホン酸アルカリ、チ
オグリコール酸、エチレンジチオジプロピルスルホン酸
アルカリ、チオアセトアミド−Ｓ−プロピルスルホン酸
アルカリ又はジ一ｎ−プロピルチオエーテルージ一ωス
ルホン酸アルカリ塩からなる群から選択された水溶性化
基を有するチオ化合物０．０００５〜２０９／１１特に
０．００５〜１．０９／ｌを含有することを特徴とする
酸性銅メツキ浴により解決される。
本発明による浴は有利に、特に均一な光沢を有し、更に
良好な金属拡散及びすぐれた破壊伸びの驚異的利点を有
する銅被膜をメツキにより析出させることが可能である
。
それ故、本発明による浴を使用して析出させた被膜は、
殊にプリント配線の導電路の補強に適する。本発明によ
る浴に含有されている個々゛の成分は、それを単独で使
用する場合に満足な結果をもたらさないので、それらを
一緒に使用する場合にその作用を所望の方向に強化する
ものと思われる。
本発明による浴に含有されている個々の成分は自体公知
であり、自体公知の方法で製造することができる。次の
表１には、成分Ａ）として使用することのできる酸アミ
ドの化合物のすぐれた使用濃度を示す。
ポリアクリル酸アミドは一般式： 〔式中、ｎはＯ又は１〜４０の整数、特にＯ又は１〜１
６の整数を表わす〕に一致し７３〜１６００，特に６０
０〜１０００の分子量を有する。
次の表は、成分Ｂ）として使用する酸素含有高分子化合
物のすぐれた使用濃度を示す。
次の表１は、成分Ｃ）として使用する、水溶性基を有す
る有機チオ化合物のすぐれた使用濃度を示す。
本発明による銅浴の個々の成分は、一般に有利に、使用
状態の浴中に次の濃度範囲内で含有されていてもよい。
酸アミド（成分Ａ）： ０．００１〜２０ｆ！／ｌ 特に０．０１〜 １９／ｌ 酸素含有、高分子化合物（成分Ｂ）： ０．０５〜２０９／ｌ 特に０．０２〜 ５９／ｌ 水溶性化基を有するチオ化合物（成分Ｃ）：０．０００
５〜０．２１／ｌ特に０．００５〜０．１９／１ 本発明による浴の基本組成は広い範囲内で変更しうる。
一般に、次の組成の水溶液が使用される：硫酸銅（Ｃｕ
ＳＯ４５Ｈ２Ｏ）５０〜２５０９／ｌ 硫酸銅の代りに、少なくとも部分的に他の銅塩も使用で
きる。
硫酸も部分的か又は完全に、フルオロ硼酸、燐酸又は他
の酸に代えることができる。この浴は、塩化物不含に製
造することもできる。更に、浴中に付加的に常用の光沢
剤及び／又は湿潤剤も含有されていてよい。本発明によ
る浴を製造するためには、基本組成の個々の成分Ａ，Ｂ
及びＣを添加ｒる。
浴の使用条件は次のものである： 電解液運動はきれいな空気を吹込むことにより、電解液
表面が強く波立つている程度に強く行なう。
次例により本発明を詳述する。例１ 次の組成： 硫酸銅（ＣｕＳＯ４５Ｈ２Ｏ） ８０９／ｌ濃硫
酸 １８０９／ｌ塩化ナトリウム
０．０８９／ｌの銅浴に、光沢剤Ｖして
ポリプロピレングリコール ０．６９／ｌ及び ３−メルカプトプロパン−１−スルホン酸ナトリウム
０．０２１／ｌを添加する。
電解液温度３０℃でハルセル法において電流密度０．８
Ａ／Ｄｍ２以上で光沢析出物が得られ、これに反して電
流密度０．８Ａ／Ｄ２以下で無光沢析出物が得られる。
浴に、 プロピオン酸アミド０．１９／ｌ又は アクリル酸アミド ０．０２９／ｌ又は 安息香酸アミド ０．０４９／ｌ又は アセトアミド ０．０８９／ｌ を添加する場合、ハルセル試験鈑上の全電流密度範囲が
光沢を有している。
例２ 次の組成： 硫酸銅（ＣｕＳＯ４５Ｈ２Ｏ） ６０９／１１濃硫酸
２２０ｆ！／ｌ塩化ナトリウム
０．１９／１の銅浴に、 ノニルフエノールーポリ グリコールエーテル ４．０９／ｌ及び Ｎ，Ｎジエチルージチオ カルバミン酸−（ω−ス ルホプロピル）一エステ ル、ナトリウム塩 ０．０２９／ｌ を添加する。
平均電流密度２Ａ／Ｄｍ２において、添加法により銅メ
ツキしたプリント配線を６０分間補強する。
この際、中ぐり孔のまわりに無光沢の傾斜部が現われ、
傾斜部は錫メツキ後に同時に亀裂を示す。該浴に更Ｋ，
平均分子量６６０を有するポリアクリル酸アミド２０η
／ｌを添加すれば、中ぐり孔は錫メツキ後も満足である
。例３ 次の浴： 硫酸銅（ＣｕＳＯ４・５Ｈ２０） ８０９／ｌ濃硫酸
２００９／ｌ塩化ナトリウム
０．０６９／ｌ及びオクタノールポリアルキー ゛
０．４９／ｌ レンエーアノレ ジ一ｎ−プロピルチオエ ーテルージースルホン酸、０．０１９／ｌジナトリウム
塩 から析出させた４０μｍの銅箔は、１８０１）の破壊伸
びを示した。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ 次の成分： Ａ）アセトアミド、プロピオン酸アミド、アクリル酸ア
    ミド、安息香酸アミド及び式：▲数式、化学式、表等が
    あります▼ 〔式中、ｎは０又は１〜４０の整数を表わす〕で示され
    る分子量７３〜１６００を有するポリアクリル酸アミド
    からなる群から選択された酸アミド０．００１〜２０ｇ
    ／ｌ、Ｂ）ポリビニルアルコール、カルボキシメチルセ
    ルロース、ポリエチレングリコール、ポリプロピレング
    リコール、ステアリン酸−ポリグリコールエステル、オ
    レイン酸−ポリグリコールエステル、ステアリルアルコ
    ール−ポリグリコールエーテル、ノニルフェニル−ポリ
    グリコールエーテル、オクタノール−ポリアルキレング
    リコールエーテル、オクタンジオールビス（ポリアルキ
    レングリコールエーテル）又はポリオキシプロピレング
    リコールからなる群から選択された酸素含有高分子化合
    物０．００５〜２０ｇ／ｌ、Ｃ）Ｎ，Ｎ−ジエチル−ジ
    チオカルバミン酸−（ω−スルホプロピル）−エステル
    （アルカリ塩）、メルカプトベンズチアゾール−Ｓ−プ
    ロパンスルホン酸アルカリ、３−メルカプトプロパン−
    １−スルホン酸アルカリ、チオ燐酸−Ｏ−エチル−ビス
    −（ω−スルホプロピル）−エステル（アルカリ塩）、
    チオ燐酸−トリス−（ω−スルホプロピル）−エステル
    （アルカリ塩）、イソチオシアノプロピルスルホン酸ア
    ルカリ、チオグリコール酸、エチレンジチオジプロピル
    スルホン酸アルカリ、チオアセトアミド−Ｓ−プロピル
    スルホン酸アルカリ又はジ−ｎ−プロピルチオエーテル
    −ジ−ωスルホン酸アルカリ塩からなる群から選択され
    た水溶性化基を有するチオ化合物０．０００５〜２０ｇ
    ／ｌを含有することを特徴とする酸性銅メッキ浴。 ２ 成分Ａ）を０．０１〜１ｇ／ｌ、成分Ｂ）を０．０
    ２〜５．０ｇ／ｌ及び成分Ｃ）を０．００５〜１．０ｇ
    ／ｌ含有する、特許請求の範囲第１項記載の酸性銅メッ
    キ浴。 ３ 付加的に、常用の光沢剤及び／又は湿潤剤を含有す
    る、特許請求の範囲第１項又は第２項記載の酸性銅メッ
    キ浴。 ４ 光沢のある銅被膜を析出させるため、特にプリント
    配線の導電路を補強するために使用する、特許請求の範
    囲第１項〜第３項のいずれか１項記載の酸性銅メッキ浴
    。
JP53126287A 1977-10-17 1978-10-16 酸性銅メツキ浴 Expired JPS59596B2 (ja)

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