JPS5958863A - 横型トランジスタ - Google Patents
横型トランジスタInfo
- Publication number
- JPS5958863A JPS5958863A JP16902882A JP16902882A JPS5958863A JP S5958863 A JPS5958863 A JP S5958863A JP 16902882 A JP16902882 A JP 16902882A JP 16902882 A JP16902882 A JP 16902882A JP S5958863 A JPS5958863 A JP S5958863A
- Authority
- JP
- Japan
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- type
- layer
- withstand voltage
- collector
- region
- Prior art date
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- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 11
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 8
- 239000012535 impurity Substances 0.000 abstract description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 abstract 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 4
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は横型トランジスタに係り、特に半導体集積回路
に適する横型トランジスタに関する。
に適する横型トランジスタに関する。
集積回路用横型トランジスタは構造が簡単なため、従来
より多用されているが、エバツタ、コレクタ間の耐圧が
パンナスルーによって決定されているため、ベース幅を
狭くできず、従って特性的には直流電流増幅率ｈＦＥが
低いし周波数特性も悪いという欠点がある。
より多用されているが、エバツタ、コレクタ間の耐圧が
パンナスルーによって決定されているため、ベース幅を
狭くできず、従って特性的には直流電流増幅率ｈＦＥが
低いし周波数特性も悪いという欠点がある。
本発明の目的は前記のような従来の横型トランジスタの
欠点を解消した横型トランジスタを提供することにある
。
欠点を解消した横型トランジスタを提供することにある
。
本発明は、第１導電型の半導体基板の主表面に、第２導
電型のエミッタ領域と第２導電型のコレクタ領域とを備
えた横型トランジスタにおいて、前記コレクタ領域を取
り囲むように、かつ前記半導体基板よりも高濃度に設定
された第１導電型の拡散領域を形成したことを特徴とす
る横型トランジスタにある。
電型のエミッタ領域と第２導電型のコレクタ領域とを備
えた横型トランジスタにおいて、前記コレクタ領域を取
り囲むように、かつ前記半導体基板よりも高濃度に設定
された第１導電型の拡散領域を形成したことを特徴とす
る横型トランジスタにある。
以下図面を参照しながら本発明の詳細な説明する。
第１図は従来の横型ＰＮＰ ）ランジスタの一例を示す
断面図であり、同図において、本ＰＮＰ ）ランジスタ
は、Ｎ−型半導体基板１の主表面にＰ型コレクタ領域３
とが拡散法により形成されたものである。
断面図であり、同図において、本ＰＮＰ ）ランジスタ
は、Ｎ−型半導体基板１の主表面にＰ型コレクタ領域３
とが拡散法により形成されたものである。
このような従来の横型ＰＮＰ ）ランジスタにおイテｉ
ｊ： 、逆バイアスされているコレクターベース接合（
Ｐ型コレクタ領域３と、ベース領域となるＮ−型半導体
基板１との境界）からベース領域に伸びる空乏層が、エ
ミッタ領域２に到達すると、パンチスルーにより降伏が
起こる。そのため、エミッターコレクタ間耐圧（Ｐ型エ
ミッタ領域２とＰ型コレクタ領域３との間の耐圧）が、
Ｐ型エミッタ領域２とＰ型コレクタ領域３との間の距離
で定寸る。この距離が、ベース幅であるが、このベース
幅を広くすると耐圧は向上するが、直流電流増幅率ｈＦ
Ｋ ｌ利得帯域幅積ｆＴが低下するという欠点がある。
ｊ： 、逆バイアスされているコレクターベース接合（
Ｐ型コレクタ領域３と、ベース領域となるＮ−型半導体
基板１との境界）からベース領域に伸びる空乏層が、エ
ミッタ領域２に到達すると、パンチスルーにより降伏が
起こる。そのため、エミッターコレクタ間耐圧（Ｐ型エ
ミッタ領域２とＰ型コレクタ領域３との間の耐圧）が、
Ｐ型エミッタ領域２とＰ型コレクタ領域３との間の距離
で定寸る。この距離が、ベース幅であるが、このベース
幅を広くすると耐圧は向上するが、直流電流増幅率ｈＦ
Ｋ ｌ利得帯域幅積ｆＴが低下するという欠点がある。
第２図は、本発明の一実施例の横型ＰＮＰトランジスタ
を示す断面図である。同図において、本ＰＮＰトランジ
スタは、Ｎ−型半導体基板１の主表面にＰ型エミッタ領
域２と、Ｐ型コレクタ領域３と、Ｎ型領域４とが拡散法
に形成されたものである。ここで、Ｎ型領域４は、前記
Ｐ型コレクタ領域３を表面を除き全て取り囲むＮ型拡散
層でちゃ１第１図に示す従来の横型ＰＮＰ ）ランジス
タには形成されていない領域である。
を示す断面図である。同図において、本ＰＮＰトランジ
スタは、Ｎ−型半導体基板１の主表面にＰ型エミッタ領
域２と、Ｐ型コレクタ領域３と、Ｎ型領域４とが拡散法
に形成されたものである。ここで、Ｎ型領域４は、前記
Ｐ型コレクタ領域３を表面を除き全て取り囲むＮ型拡散
層でちゃ１第１図に示す従来の横型ＰＮＰ ）ランジス
タには形成されていない領域である。
本構成によると、逆バイアスされるコレクターベース接
合からの空乏層は、Ｎ型拡散層４が存在するため、Ｎ−
型半導体基板１からなるベース側にはほとんど拡がらな
い。従ってパンチスルーによって決定される耐圧は大幅
に上る。一方、コレクターベース接合のアバランシェ降
伏によって決定される耐圧は下がるが、パンチスルー側
圧と同等以上になるようにＮ型拡散領域４の不純物濃度
を選べば良い。このようにして得られた横型ＰＮＰトラ
ンジスタは、エミッターコレクタ間のパンチスルー耐圧
が大幅に向上するため、ベース幅を狭くすることができ
る。
合からの空乏層は、Ｎ型拡散層４が存在するため、Ｎ−
型半導体基板１からなるベース側にはほとんど拡がらな
い。従ってパンチスルーによって決定される耐圧は大幅
に上る。一方、コレクターベース接合のアバランシェ降
伏によって決定される耐圧は下がるが、パンチスルー側
圧と同等以上になるようにＮ型拡散領域４の不純物濃度
を選べば良い。このようにして得られた横型ＰＮＰトラ
ンジスタは、エミッターコレクタ間のパンチスルー耐圧
が大幅に向上するため、ベース幅を狭くすることができ
る。
従って、本発明によれば、高い直流電流増幅率ｈｐｇと
良好な周波数特性（ｆＴ）が得られ、回路設計上の自由
度が増す等の効果が得られる。
良好な周波数特性（ｆＴ）が得られ、回路設計上の自由
度が増す等の効果が得られる。
なお、直流電流増幅率ｈＦＥ１周波数特性が従来の横型
トランジスタと同等で良いのであればより高耐圧の横型
トランジスタが本発明によれば容易に夾現可能である。
トランジスタと同等で良いのであればより高耐圧の横型
トランジスタが本発明によれば容易に夾現可能である。
寸だ、本発明の詳細な説明においてはＰＮＰトランジス
タを例にあげたが、導電型を互いに入れ換えてもよいこ
とは言うまでもない。
タを例にあげたが、導電型を互いに入れ換えてもよいこ
とは言うまでもない。
第１図は従来の横型トランジスタの一例を示す断面図、
第２図は本発明の実施例の横型トランジスタを示す断面
図である。 同図において、１・・・・・・Ｎ−型半導体基板（ベー
ス領域）、２°°゛°°°Ｐ型エミツタ領域、３・・・
・・・Ｐ型コレクタ領域、４・・・・・・Ｎ型領域。 第２図
第２図は本発明の実施例の横型トランジスタを示す断面
図である。 同図において、１・・・・・・Ｎ−型半導体基板（ベー
ス領域）、２°°゛°°°Ｐ型エミツタ領域、３・・・
・・・Ｐ型コレクタ領域、４・・・・・・Ｎ型領域。 第２図
Claims (1)
- 第１４電型の半導体基板の主表面に、第２導電型のエミ
ッタ領域と、前記エミッタ領域とは重複部を持たない第
２導電型のコレクタ領域とを備えり横型トランジスタに
おいて、前記コレクタ領域を取り囲むようにかつ前記半
導体基板よりも高濃度に設定された第１導電型の拡散領
域を形成したことを特徴とする横型トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16902882A JPS5958863A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 横型トランジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16902882A JPS5958863A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 横型トランジスタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958863A true JPS5958863A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15878978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16902882A Pending JPS5958863A (ja) | 1982-09-28 | 1982-09-28 | 横型トランジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958863A (ja) |
-
1982
- 1982-09-28 JP JP16902882A patent/JPS5958863A/ja active Pending
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