JPS5949941A - 情報デイスクの複製製造方法 - Google Patents
情報デイスクの複製製造方法Info
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- JPS5949941A JPS5949941A JP15962882A JP15962882A JPS5949941A JP S5949941 A JPS5949941 A JP S5949941A JP 15962882 A JP15962882 A JP 15962882A JP 15962882 A JP15962882 A JP 15962882A JP S5949941 A JPS5949941 A JP S5949941A
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- Japan
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- resin
- substrate
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- radiation
- resin layer
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B29—WORKING OF PLASTICS; WORKING OF SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE IN GENERAL
- B29D—PRODUCING PARTICULAR ARTICLES FROM PLASTICS OR FROM SUBSTANCES IN A PLASTIC STATE
- B29D17/00—Producing carriers of records containing fine grooves or impressions, e.g. disc records for needle playback, cylinder records; Producing record discs from master stencils
- B29D17/005—Producing optically read record carriers, e.g. optical discs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Casting Or Compression Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
この発明はビデオディスク、デイジタルオーディオデ′
イスク等の情報ディスクの複製製造方法に関する。
イスク等の情報ディスクの複製製造方法に関する。
従来、情報ディスクの複製製造方法としては、コンプレ
ッション成型法、射出成型法、注型成型法等が知られて
いる。コンプレッション成型法は金型な加熱冷却可能な
構造とし、溶融点以上とした熱可塑性樹脂″を金型内に
挿入し、金型な高温下、１６圧に加圧して成型し、続い
て冷却サイクルで成型された樹脂体を硬化させ複製ティ
スフを得る方法であり、射出成型法は、金型の空隙部、
−高温高圧下で溶融可塑化された熱可塑性樹脂を高圧で
射出注入することによシ複製ディスクをイ４ｆるもので
ある。これ等の方法は、生産性に優れるものの、金型上
の凹凸からなる情報４１号の複製ディスクへの転写が精
度良く行なわれないこと、高温高圧下で製造を行なうた
め、装置設備が大規模かつ高価である欠点を有する。
ッション成型法、射出成型法、注型成型法等が知られて
いる。コンプレッション成型法は金型な加熱冷却可能な
構造とし、溶融点以上とした熱可塑性樹脂″を金型内に
挿入し、金型な高温下、１６圧に加圧して成型し、続い
て冷却サイクルで成型された樹脂体を硬化させ複製ティ
スフを得る方法であり、射出成型法は、金型の空隙部、
−高温高圧下で溶融可塑化された熱可塑性樹脂を高圧で
射出注入することによシ複製ディスクをイ４ｆるもので
ある。これ等の方法は、生産性に優れるものの、金型上
の凹凸からなる情報４１号の複製ディスクへの転写が精
度良く行なわれないこと、高温高圧下で製造を行なうた
め、装置設備が大規模かつ高価である欠点を有する。
一方、注型成型法は、転写精度が高い利点を有するが、
通常の熱硬化性樹脂による注型成型は硬化時間が数時間
以上と長時間を要し、生産性が著しく低い。しかるに庄
屋樹脂に紫外線電子線等の放射線照射によシ硬化する、
所謂放射線硬化樹脂を使用すると、成型所要時間がコン
プレッション成型法、射出成型法蓮に短縮され、装置設
備も比較的安価で、加えて複製ディスクの転写精度に優
れることが見出され、近年、注目を集めるに至った。
通常の熱硬化性樹脂による注型成型は硬化時間が数時間
以上と長時間を要し、生産性が著しく低い。しかるに庄
屋樹脂に紫外線電子線等の放射線照射によシ硬化する、
所謂放射線硬化樹脂を使用すると、成型所要時間がコン
プレッション成型法、射出成型法蓮に短縮され、装置設
備も比較的安価で、加えて複製ディスクの転写精度に優
れることが見出され、近年、注目を集めるに至った。
放射線硬化樹脂を用いた情報ディスクの複製製造方法と
しでは特公昭５３−３３２４４の金型を液状成形樹脂で
平坦に被覆し、これに基盤を押し当て加えて押え板で成
型樹脂層が所定膜厚となるまで加圧した後、放射線照射
によシ樹脂を硬化して基盤と一体になって硬化した成型
樹脂層を金型よシ剥離して複製ディスクを得る方法、特
開昭５３−１１６１０５の金型上に放射線硬化樹脂を適
下し凸球面状に変形させた基盤を該樹脂に押し当て、金
型上に樹脂を平坦に伸し広げるか、もしくは凸球面状に
変形させた基盤で樹脂を押えつつ金型と基盤間を全周に
わたり吸引し、樹脂を伸し広げた後、放射線照射によシ
硬化させ、剥離して複製ディスクを得る方法、特開昭５
５−１５２０２８の金型と基盤を対向して配置し、両者
間の間隔内に放射線硬化樹脂を注入後抑圧によシ所定厚
さまで該樹脂層の厚さを減じた後、放射線照射によシ硬
化させ剥離して複製ディスクを得る方法又、基盤をロー
ラーによシ加圧して金型上に樹脂層を均一に形成する方
法が公知である。
しでは特公昭５３−３３２４４の金型を液状成形樹脂で
平坦に被覆し、これに基盤を押し当て加えて押え板で成
型樹脂層が所定膜厚となるまで加圧した後、放射線照射
によシ樹脂を硬化して基盤と一体になって硬化した成型
樹脂層を金型よシ剥離して複製ディスクを得る方法、特
開昭５３−１１６１０５の金型上に放射線硬化樹脂を適
下し凸球面状に変形させた基盤を該樹脂に押し当て、金
型上に樹脂を平坦に伸し広げるか、もしくは凸球面状に
変形させた基盤で樹脂を押えつつ金型と基盤間を全周に
わたり吸引し、樹脂を伸し広げた後、放射線照射によシ
硬化させ、剥離して複製ディスクを得る方法、特開昭５
５−１５２０２８の金型と基盤を対向して配置し、両者
間の間隔内に放射線硬化樹脂を注入後抑圧によシ所定厚
さまで該樹脂層の厚さを減じた後、放射線照射によシ硬
化させ剥離して複製ディスクを得る方法又、基盤をロー
ラーによシ加圧して金型上に樹脂層を均一に形成する方
法が公知である。
注型方法で複製ディスクを製造する際の問題点の一つに
注型した成型樹脂内への気泡の混入がある。樹脂内に混
入した気泡は、非接触式再生方式のディスク、例えばＣ
Ｄ方式ディジタルオーディオディスクでは、情報信号の
欠落所謂ドロップアウト発生の原因となシ画質及び音質
を著しく劣化させる。又、接触式再生方式のディスク、
例えばＶＨＤ方式ビデオディスクでは、表面の気泡が凹
部を形成し、同様にドロップアウト発生の原因となると
共に再生針の破損の原因となるため、いずれの再生方式
のディスクにおいても成型樹脂層への気泡混入は絶対に
避けねばならない事は明らかでるる。問題となる気泡の
大きさは、情報信号の記録密度にもよるが、上記した例
の場合は１μ程度のものまでドロップアウトの原因とな
る。
注型した成型樹脂内への気泡の混入がある。樹脂内に混
入した気泡は、非接触式再生方式のディスク、例えばＣ
Ｄ方式ディジタルオーディオディスクでは、情報信号の
欠落所謂ドロップアウト発生の原因となシ画質及び音質
を著しく劣化させる。又、接触式再生方式のディスク、
例えばＶＨＤ方式ビデオディスクでは、表面の気泡が凹
部を形成し、同様にドロップアウト発生の原因となると
共に再生針の破損の原因となるため、いずれの再生方式
のディスクにおいても成型樹脂層への気泡混入は絶対に
避けねばならない事は明らかでるる。問題となる気泡の
大きさは、情報信号の記録密度にもよるが、上記した例
の場合は１μ程度のものまでドロップアウトの原因とな
る。
又、別の問題点として、情報信号面への異物（ゴミ等）
の付着がある。これは気泡と同様、ドロップアウト発生
の原因となるが気泡と異なシ、表面よシ除去することに
よシ、欠陥を解消しうる。ところが非接触式再生方式、
例えばＣ’Ｄ方式ディジタルオーディオディスクでは、
成型樹脂層上に、反射被膜を形成することが必須である
ため、注型成型と、反射被膜形ｊ成との間に、情報信号
面へ付着した異物は、除去することが不可能となシ、恒
久的にドロップアウトを生ずる。これは接触式再生方式
、例えば静電容１方式のディスクにおいても、導電体上
に誘電体薄膜を形成した所謂コーテッドディスク構造の
物では同様に問題となる。
の付着がある。これは気泡と同様、ドロップアウト発生
の原因となるが気泡と異なシ、表面よシ除去することに
よシ、欠陥を解消しうる。ところが非接触式再生方式、
例えばＣ’Ｄ方式ディジタルオーディオディスクでは、
成型樹脂層上に、反射被膜を形成することが必須である
ため、注型成型と、反射被膜形ｊ成との間に、情報信号
面へ付着した異物は、除去することが不可能となシ、恒
久的にドロップアウトを生ずる。これは接触式再生方式
、例えば静電容１方式のディスクにおいても、導電体上
に誘電体薄膜を形成した所謂コーテッドディスク構造の
物では同様に問題となる。
本発明は上記欠点を解決するために成されたもので、放
射線硬化樹脂を用いた注型成型法にょる情報ディスクの
複製製造方法において、成型樹脂内への気泡混入を防止
し、かつ注型成形後、該樹脂面上への被膜形成迄の間に
生ずる該樹脂面上への異物何着を減少させ、よってドロ
ップアウト発生の少ないディスクを得ることのできる情
報ディスクの複製製造方法を提供するものである。
射線硬化樹脂を用いた注型成型法にょる情報ディスクの
複製製造方法において、成型樹脂内への気泡混入を防止
し、かつ注型成形後、該樹脂面上への被膜形成迄の間に
生ずる該樹脂面上への異物何着を減少させ、よってドロ
ップアウト発生の少ないディスクを得ることのできる情
報ディスクの複製製造方法を提供するものである。
本発明は、大気圧よシ減圧下で、基盤上に放射線硬化樹
脂から成る薄層を設け、これを金型に接触させ該樹脂層
向に金型表面の情報信号を転写し、放射線を照射して該
樹脂層を硬化させたのち、真空メッキ法で該樹脂層上に
被膜を形成することを連続して行なうことにょシ該樹脂
層内への気泡の混入がなく、また核樹脂面上への大気中
の異物付着が減少したドロップアウト発生の少ない情報
ディスクの複製を得るものである。
脂から成る薄層を設け、これを金型に接触させ該樹脂層
向に金型表面の情報信号を転写し、放射線を照射して該
樹脂層を硬化させたのち、真空メッキ法で該樹脂層上に
被膜を形成することを連続して行なうことにょシ該樹脂
層内への気泡の混入がなく、また核樹脂面上への大気中
の異物付着が減少したドロップアウト発生の少ない情報
ディスクの複製を得るものである。
以下図面を参照して本発明の詳細な説明する。
図面は本発明に係る情報ディスクの複製方法の一実施例
を示す断面図である。図においてエアロツク室Ａｌ、注
構成型室２．エア四ツク室Ｂ３゜真空メッキ室４．エア
ロツク室Ｃ５は各室共気密構造であり、ゲートバルブ６
〜１１で相互に仕切られておシ、エアロツク室Ａ１と注
型成型室２はバルブ１２，１３を介して真空ポンプ１７
で、エアロツク室Ｂ３．真空メッキ室４．エアロツク室
Ｃ５はバルブ１４〜１６を介して真空ポンプ１８で各々
、大気圧より減圧された状態とすることができる。１９
−２１は基盤及びディスクを複数枚貯蔵することのでき
る収納カセットであり、カセット内でディスクはその情
報信号面に傷が付がない様保持され、またこのカセット
は装置本体よシ容易に脱着しうる構造を有する。２２〜
２６は基盤及びディスクの搬送機構を示す。
を示す断面図である。図においてエアロツク室Ａｌ、注
構成型室２．エア四ツク室Ｂ３゜真空メッキ室４．エア
ロツク室Ｃ５は各室共気密構造であり、ゲートバルブ６
〜１１で相互に仕切られておシ、エアロツク室Ａ１と注
型成型室２はバルブ１２，１３を介して真空ポンプ１７
で、エアロツク室Ｂ３．真空メッキ室４．エアロツク室
Ｃ５はバルブ１４〜１６を介して真空ポンプ１８で各々
、大気圧より減圧された状態とすることができる。１９
−２１は基盤及びディスクを複数枚貯蔵することのでき
る収納カセットであり、カセット内でディスクはその情
報信号面に傷が付がない様保持され、またこのカセット
は装置本体よシ容易に脱着しうる構造を有する。２２〜
２６は基盤及びディスクの搬送機構を示す。
上記装置での成形プロセスの一例を以下に示す。
通常各室１〜５は真空ポンプ１７ 、、１８によシ減圧
下の状態にある。ここでバルブ１２をリークさせ、エア
ロツク室Ａ１を大気圧となし、ゲートバルブ６を開き、
カセット１９を基盤の入ったものに交換する。続いてゲ
ートバルブ６を閉めバルブ１２を真空系に切換え、エア
ロツク室Ａ１と注型−成型室２の減圧量を等しくしたの
ち、ゲートバルブ７を開ける。つづいて搬送機構２２に
よりカセット１９よシ基板を一枚、回転塗布装置２７の
ターンテーブル２８上に配設し、ターンテーブル２８と
共に基盤を回転させる。この基盤上に放射線硬樹脂を該
樹脂タンク２９から除しんフィルター３０、及びポンプ
３１を通してノズル３２から供給し、基盤上に該樹脂の
均一な薄膜を形成する。
下の状態にある。ここでバルブ１２をリークさせ、エア
ロツク室Ａ１を大気圧となし、ゲートバルブ６を開き、
カセット１９を基盤の入ったものに交換する。続いてゲ
ートバルブ６を閉めバルブ１２を真空系に切換え、エア
ロツク室Ａ１と注型−成型室２の減圧量を等しくしたの
ち、ゲートバルブ７を開ける。つづいて搬送機構２２に
よりカセット１９よシ基板を一枚、回転塗布装置２７の
ターンテーブル２８上に配設し、ターンテーブル２８と
共に基盤を回転させる。この基盤上に放射線硬樹脂を該
樹脂タンク２９から除しんフィルター３０、及びポンプ
３１を通してノズル３２から供給し、基盤上に該樹脂の
均一な薄膜を形成する。
尚この際、該樹脂中に気泡、乃至は溶存ガスが多く含ま
れている場合は基盤に塗布した段階で発泡し、欠陥の原
因となるためあらかじめ減圧下で該樹脂を予備脱胞して
おくのが好ましい。
れている場合は基盤に塗布した段階で発泡し、欠陥の原
因となるためあらかじめ減圧下で該樹脂を予備脱胞して
おくのが好ましい。
表向に放射線硬化樹脂の薄膜を形成した基盤は搬送機構
２４によシ、露光装置３３の露光台３４に運ばれ、ここ
に該樹脂面に対向して位置した表面に凹凸からなる情報
信号を有する金型３５をシリンダ３６を駆動して、該樹
脂面に接触させ、押圧して金型表面の情報信号が該樹脂
層表面に転写された所へ、放射線源３７よシ放射紳を照
射して、露光台３４基盤を通して該樹脂層を硬化して、
基盤と一体化させる。硬化に使用する放射線は紫外線、
ガンマ線等があるが、近紫外線水銀灼、ケミカルランプ
等を光源とした紫外線により数秒から数分で硬化させる
方法が安全性、生産性、取シ扱い性９価格等の点で好ま
しく、この場合、基盤並びに露光台３４は紫外線透過性
を有する物質であることが必要でオシ、例えば両者共ア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ｉｆ板ガラス、パ
イレックスガラスの如き材料が適している。
２４によシ、露光装置３３の露光台３４に運ばれ、ここ
に該樹脂面に対向して位置した表面に凹凸からなる情報
信号を有する金型３５をシリンダ３６を駆動して、該樹
脂面に接触させ、押圧して金型表面の情報信号が該樹脂
層表面に転写された所へ、放射線源３７よシ放射紳を照
射して、露光台３４基盤を通して該樹脂層を硬化して、
基盤と一体化させる。硬化に使用する放射線は紫外線、
ガンマ線等があるが、近紫外線水銀灼、ケミカルランプ
等を光源とした紫外線により数秒から数分で硬化させる
方法が安全性、生産性、取シ扱い性９価格等の点で好ま
しく、この場合、基盤並びに露光台３４は紫外線透過性
を有する物質であることが必要でオシ、例えば両者共ア
クリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ｉｆ板ガラス、パ
イレックスガラスの如き材料が適している。
硬化後は、シリンダ３６を今回は逆方向に駆動し、基盤
と一体化し、表面に情報信号を有する成型樹脂層と、金
ｍ３５を離型し求める複製情報ディスクを得、これは搬
送機構２５にょシ開いているゲートバルブ８を通シェア
ロック室Ｂ３内のカセット２０に収納でれる。
と一体化し、表面に情報信号を有する成型樹脂層と、金
ｍ３５を離型し求める複製情報ディスクを得、これは搬
送機構２５にょシ開いているゲートバルブ８を通シェア
ロック室Ｂ３内のカセット２０に収納でれる。
以下の工程は所Ｕ＾空ストック室付のインライン方式真
空メッキであれば良く、本実施例では真空蒸着法を用い
た場合について述べる。
空メッキであれば良く、本実施例では真空蒸着法を用い
た場合について述べる。
一定数の複製ディスクがカセッ）２０に収納された後、
ゲートパルプ８を閉め、バルブ１４操作によシェアロッ
ク室１３３と真空メッキ室４の減圧量を等しくしたのち
、搬送機構２６によりディスクは一枚毎に、真空メッキ
室４に導入され、連続的に硬化した成型樹脂表面上に蒸
発源３８よシ蒸発した物質による破膜が形成された後、
開いているゲートパルプ１０を通じてカセット２１に収
納される。ｆΔ１３９は蒸発用電源装置、４０は汚染防
止壁である。
ゲートパルプ８を閉め、バルブ１４操作によシェアロッ
ク室１３３と真空メッキ室４の減圧量を等しくしたのち
、搬送機構２６によりディスクは一枚毎に、真空メッキ
室４に導入され、連続的に硬化した成型樹脂表面上に蒸
発源３８よシ蒸発した物質による破膜が形成された後、
開いているゲートパルプ１０を通じてカセット２１に収
納される。ｆΔ１３９は蒸発用電源装置、４０は汚染防
止壁である。
ここで８゛う真空メッキとは、真空蒸着法、スパッタリ
ング法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶＤ法等
、大気圧より減圧下の頃ＪＩＬで行なわれる被膜形成手
段を指し通常、非接触式１１■生方式、例えばＣＩ）方
式ディジタルオーディオディスクにアルミニウムを反射
被膜として形成する場合には、特性、取り扱い性、保守
性等の点から真空蒸着法。
ング法、イオンブレーティング法、プラズマＣＶＤ法等
、大気圧より減圧下の頃ＪＩＬで行なわれる被膜形成手
段を指し通常、非接触式１１■生方式、例えばＣＩ）方
式ディジタルオーディオディスクにアルミニウムを反射
被膜として形成する場合には、特性、取り扱い性、保守
性等の点から真空蒸着法。
スパッタリング法が好ましい１゜
このようにしてカセット２０内のディスクの全てに真空
メッキを施し、カセット２】に収納した後、ゲートパル
プ１０を閉じ、バルブ】６をリ一りさせ、エアロツク室
Ｃ５を大気圧に戻し、ゲートバルブ１１を開け、カセッ
ト２１に収められた被膜形成済複製情報ディスクを得る
。
メッキを施し、カセット２】に収納した後、ゲートパル
プ１０を閉じ、バルブ】６をリ一りさせ、エアロツク室
Ｃ５を大気圧に戻し、ゲートバルブ１１を開け、カセッ
ト２１に収められた被膜形成済複製情報ディスクを得る
。
以上本発明によれば金型３５の凹凸から成る情報信号を
有する表面を、基盤上に形成された放射線硬化樹脂薄膜
面に接触、押圧して、情報信号の転写を行う際に大気の
巻き込みにより生じる気泡発生が減圧下で接触押圧する
ことによシ防止され、又、複製ディスクの情報信号面は
金型３５と剥離後、表面に被膜が形成されるまで減圧下
の清浄環境にメジ、従来の大気中に放置する場ばに対し
て、汚染を受ける機会が激減し、したがってドロップア
ウトの少ない良質の複製ディスクを容易に得ることがで
きる。
有する表面を、基盤上に形成された放射線硬化樹脂薄膜
面に接触、押圧して、情報信号の転写を行う際に大気の
巻き込みにより生じる気泡発生が減圧下で接触押圧する
ことによシ防止され、又、複製ディスクの情報信号面は
金型３５と剥離後、表面に被膜が形成されるまで減圧下
の清浄環境にメジ、従来の大気中に放置する場ばに対し
て、汚染を受ける機会が激減し、したがってドロップア
ウトの少ない良質の複製ディスクを容易に得ることがで
きる。
又、本発明で、注型成型室２の真空度は高いほど気泡の
巻き込みが少なくなるが、一方、放射線硬化樹脂内に含
まれる低沸点成分が留出し、発泡もしくは樹脂の変質を
生ずる。一方、減圧量が小さいと気泡混入の効果が少な
く、シたがって注型成型室２の減圧量は３０〜６５１．
ｍＨｇの範囲とすることが好ましい。一方真空メツキ室
４の減圧量は、常法通シの値で良く、本発明では、成型
と真空メッキを減圧下で連続して行なうことから、注型
成型室２の減圧を真空メッキ工程の予備減圧（荒引き）
工程として用いることができ、成型と真空メッキ工程と
を別個に減圧下で行なう場合に比較して、減圧に要する
動力を大巾に節減しうる。
巻き込みが少なくなるが、一方、放射線硬化樹脂内に含
まれる低沸点成分が留出し、発泡もしくは樹脂の変質を
生ずる。一方、減圧量が小さいと気泡混入の効果が少な
く、シたがって注型成型室２の減圧量は３０〜６５１．
ｍＨｇの範囲とすることが好ましい。一方真空メツキ室
４の減圧量は、常法通シの値で良く、本発明では、成型
と真空メッキを減圧下で連続して行なうことから、注型
成型室２の減圧を真空メッキ工程の予備減圧（荒引き）
工程として用いることができ、成型と真空メッキ工程と
を別個に減圧下で行なう場合に比較して、減圧に要する
動力を大巾に節減しうる。
これは本発明の特に好ましい点である。
図面は本発明の一実施例を示す断面図である。
１・・・エアロツク室Ａ１２・・・注型成型室＼ ３・
・・エアロツク室Ｂ、４・・・真空メッキ室、５・・・
エアロツク室Ｃ，６〜１１・・ゲートバルブ、１２〜１
６・・・バルブ、１７．１８・・・真空ボ／プ、１９・
・・基盤収納カセット、２０．２１・・・ディスク収納
カセット、２２〜２６・・・搬送機構、２７・・・回転
塗布装置、２８・・・ターンテーブル、２９・・・放射
線硬化樹脂タンク、３０・・・除しんフィルター、３１
・・・ボ／プ、３２・・・ノズル、３３・・・露光装置
、３４・・・露光台、３５・・・金型、３６・・・シリ
ンダ、３７・・・放射線源、３８・・・蒸発源、３％＋
・・・蒸発源用電源、４０・・・汚染防止壁。
・・エアロツク室Ｂ、４・・・真空メッキ室、５・・・
エアロツク室Ｃ，６〜１１・・ゲートバルブ、１２〜１
６・・・バルブ、１７．１８・・・真空ボ／プ、１９・
・・基盤収納カセット、２０．２１・・・ディスク収納
カセット、２２〜２６・・・搬送機構、２７・・・回転
塗布装置、２８・・・ターンテーブル、２９・・・放射
線硬化樹脂タンク、３０・・・除しんフィルター、３１
・・・ボ／プ、３２・・・ノズル、３３・・・露光装置
、３４・・・露光台、３５・・・金型、３６・・・シリ
ンダ、３７・・・放射線源、３８・・・蒸発源、３％＋
・・・蒸発源用電源、４０・・・汚染防止壁。
Claims (2)
- （１）放射線硬化樹脂を用いた性悪成型法による情報デ
ィスクの複製製造方法において、基盤上に放射線硬化樹
脂層を設ける第１工程、該樹脂層表面に、凹凸からなる
情報信号を有する金型を対向して接触させ、該樹脂層表
面に情報信号を転写する第２工程、放射線を照射して該
樹脂層を硬化する第３工程、硬化した該樹脂層表面上に
真空メッキ法によシ被膜を形成する第４工程から構成さ
れ第１工程から第４工程迄の全工程を大気圧よシ減圧さ
れた環境下で連続して行なうことを特徴とした情報ディ
スクの複製製造方法。 - （２）環境の大気圧に対する減圧量が少なくとも５００
’Ｉ’ｏｒｒであることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の情報ディスクの複製製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15962882A JPS5949941A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 情報デイスクの複製製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15962882A JPS5949941A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 情報デイスクの複製製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5949941A true JPS5949941A (ja) | 1984-03-22 |
Family
ID=15697867
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15962882A Pending JPS5949941A (ja) | 1982-09-16 | 1982-09-16 | 情報デイスクの複製製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5949941A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6079542A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-07 | Ulvac Corp | 情報記録体の製造法並に製造装置 |
| JPS62129959A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
| JPS62129960A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
| JPS62129958A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
-
1982
- 1982-09-16 JP JP15962882A patent/JPS5949941A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6079542A (ja) * | 1983-10-05 | 1985-05-07 | Ulvac Corp | 情報記録体の製造法並に製造装置 |
| JPS62129959A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
| JPS62129960A (ja) * | 1985-11-29 | 1987-06-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光デイスクの製造方法およびその装置 |
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