JPS594420B2 - シクロヘキシルシクロヘキサン類 - Google Patents
シクロヘキシルシクロヘキサン類Info
- Publication number
- JPS594420B2 JPS594420B2 JP53006634A JP663478A JPS594420B2 JP S594420 B2 JPS594420 B2 JP S594420B2 JP 53006634 A JP53006634 A JP 53006634A JP 663478 A JP663478 A JP 663478A JP S594420 B2 JPS594420 B2 JP S594420B2
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- JP
- Japan
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- trans
- cyclohexane
- carbonitrile
- cyclohexyl
- cyclohexylcyclohexanes
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3003—Compounds containing at least two rings in which the different rings are directly linked (covalent bond)
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はシクロヘキシルシクロヘキサンからなる液晶お
よびそれらを含有する誘電体に関する。
よびそれらを含有する誘電体に関する。
ネマチツクまたはネマチツクーコレステリツク液晶物質
は、電場の影響下で光散乱、複屈折、反射能または色な
どの光学的性質が著しく変化する特性を有するが故に、
電子光学表示要素に広く利用されている。このような表
示要素の機能ぱ、例えばねじれセル（Ｔｗｉｓｔｅｄｃ
ｅｌｌ）中のシヤツトヘリフリツヒ効果、整列相の歪、
動的散乱現象フまたはコレステリツクーネマチツク相転
移などに基づいている。
は、電場の影響下で光散乱、複屈折、反射能または色な
どの光学的性質が著しく変化する特性を有するが故に、
電子光学表示要素に広く利用されている。このような表
示要素の機能ぱ、例えばねじれセル（Ｔｗｉｓｔｅｄｃ
ｅｌｌ）中のシヤツトヘリフリツヒ効果、整列相の歪、
動的散乱現象フまたはコレステリツクーネマチツク相転
移などに基づいている。
これらの効果を電子装置要素として工業的に利用するた
めには、種々の要求に応じ得る液晶物質が必要となる。
めには、種々の要求に応じ得る液晶物質が必要となる。
ここで特に重要とされるのは、湿気や空気および物理的
影響（例えば熱、赤外、可視または紫外部領域の光の輻
射、および直流または交流電場）に対する化学安定性で
ある。さらに工業的に使用し得る液晶物質には、少くと
も＋１０℃〜＋６０℃の温度範囲で、好ましくはＯ℃〜
６０℃において液晶メソフェーズとして存在し２、周囲
温度での粘度が低い、好ましくは７０ｃｐを超えないも
の、特に５０ｃｐを超えないものが要求される。最後に
、可視光領域で固有の吸収を示さないこと、即ち無色で
あることが要求される。電子装置要素用誘電体に要求さ
れる安定性を満たしており、また無色である多くの液晶
物質が既に知られている。例えばｐ−ｐ／−[ヲu換安息
香酸フエニルエステル（西独国特許公開公報第２１３９
６２８号参照）及びｐ−ｐ′−[ヲu換ビフエニル誘導体
（西独国特許公開公報第２３５６０８５号参照）などが
特にあげられる。
影響（例えば熱、赤外、可視または紫外部領域の光の輻
射、および直流または交流電場）に対する化学安定性で
ある。さらに工業的に使用し得る液晶物質には、少くと
も＋１０℃〜＋６０℃の温度範囲で、好ましくはＯ℃〜
６０℃において液晶メソフェーズとして存在し２、周囲
温度での粘度が低い、好ましくは７０ｃｐを超えないも
の、特に５０ｃｐを超えないものが要求される。最後に
、可視光領域で固有の吸収を示さないこと、即ち無色で
あることが要求される。電子装置要素用誘電体に要求さ
れる安定性を満たしており、また無色である多くの液晶
物質が既に知られている。例えばｐ−ｐ／−[ヲu換安息
香酸フエニルエステル（西独国特許公開公報第２１３９
６２８号参照）及びｐ−ｐ′−[ヲu換ビフエニル誘導体
（西独国特許公開公報第２３５６０８５号参照）などが
特にあげられる。
この両者の化合物群には、その他の液晶メソフェーズを
有する公知の化合物と同様、要求される１『Ｃ〜６０℃
の温度範囲で液晶ネマチツクメソフエィズを形成する化
合物は存在しない。従つて、一般には液晶誘電体として
使用し得る物質を得るために２乃至３種以上の化合物を
混合する。この目的のためには、通常、１種は低融点、
低透明点の成分、他の１種はそれより明らかに高い融点
、高い透明点を有する成分からなる少くとも２種以上の
成分を混合する。これにより、通常最も融点の低い成分
より低い融点を有し、透明点は両成分の透明点の中間に
ある混合物が得られる。しかし最適な誘電体は、この方
法では得ることができない。何故なら高融点、高透明点
の成分がほとんど常に混合物の粘度を高くする原因とな
るからである。これを用いて製造された電子一光学変換
表示要素は転換時間（スイツチタイム）が長くなり望ま
しくない。本発明の目的は、要求される温度範囲でネマ
チツク相を示し、周囲温度において液晶セル中で十分に
短い転換時間が得られる液晶誘電体を製造することに存
する。
有する公知の化合物と同様、要求される１『Ｃ〜６０℃
の温度範囲で液晶ネマチツクメソフエィズを形成する化
合物は存在しない。従つて、一般には液晶誘電体として
使用し得る物質を得るために２乃至３種以上の化合物を
混合する。この目的のためには、通常、１種は低融点、
低透明点の成分、他の１種はそれより明らかに高い融点
、高い透明点を有する成分からなる少くとも２種以上の
成分を混合する。これにより、通常最も融点の低い成分
より低い融点を有し、透明点は両成分の透明点の中間に
ある混合物が得られる。しかし最適な誘電体は、この方
法では得ることができない。何故なら高融点、高透明点
の成分がほとんど常に混合物の粘度を高くする原因とな
るからである。これを用いて製造された電子一光学変換
表示要素は転換時間（スイツチタイム）が長くなり望ま
しくない。本発明の目的は、要求される温度範囲でネマ
チツク相を示し、周囲温度において液晶セル中で十分に
短い転換時間が得られる液晶誘電体を製造することに存
する。
本発明者らは一般式（１）
〔式中、ｘは−Ｒ、−０Ｒまたは−０−ＣＯ−Ｒを表わ
し、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキルを表わす〕で示
されるシクロヘキシルシクロヘキサンが液晶誘電体製造
用基礎材料として極めて有用であることを見い出した。
し、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキルを表わす〕で示
されるシクロヘキシルシクロヘキサンが液晶誘電体製造
用基礎材料として極めて有用であることを見い出した。
上記の式において、トランス配位をシクロヘキサン環の
右端上の黒点により表示する。これまで、ネマチツク液
晶メソフェーズを示すには、共役的に結合した少なくと
も２個の芳香核からなる末端部を有する長くのびる分子
型の存在が重要な必須条件と考えられて来た。一般式Ｉ
で示されるシクロヘキシルシクロヘキサン類は、上記の
構造特性をもたないにもかかわらず、液晶タップエイズ
を示す。その温度範囲は、特に透明点に関する温度範囲
は、大低の場合、同様に置換された既知の液晶物質、特
に相当するビフエニル誘導体よりもずつと好都合なもの
である。既知のＰ−Ｐ″−ジ置換安息香酸フエニルエス
テル類およびＰ−Ｐ′−ジ置換ビフエニル誘導体と同様
、一般式１の化合物は無色であり、またこれらに匹敵す
る化学的安定性および光化学的安定性を有する。
右端上の黒点により表示する。これまで、ネマチツク液
晶メソフェーズを示すには、共役的に結合した少なくと
も２個の芳香核からなる末端部を有する長くのびる分子
型の存在が重要な必須条件と考えられて来た。一般式Ｉ
で示されるシクロヘキシルシクロヘキサン類は、上記の
構造特性をもたないにもかかわらず、液晶タップエイズ
を示す。その温度範囲は、特に透明点に関する温度範囲
は、大低の場合、同様に置換された既知の液晶物質、特
に相当するビフエニル誘導体よりもずつと好都合なもの
である。既知のＰ−Ｐ″−ジ置換安息香酸フエニルエス
テル類およびＰ−Ｐ′−ジ置換ビフエニル誘導体と同様
、一般式１の化合物は無色であり、またこれらに匹敵す
る化学的安定性および光化学的安定性を有する。
本発明は一般式１で示されるシクロヘキシルシクロヘキ
サン類およびそれらの製造方法に関する。
サン類およびそれらの製造方法に関する。
，さらに、本発明は、少なくとも２種の液晶成分を有し
、少なくともその１種は一般式１のシクロヘキシルシク
ロヘキサンであることを特徴とする液晶誘電体に関する
。さらにまた、本発明は、一般式１で示されるシクロヘ
キシルシクロヘキサン類を液晶誘電体の成分として使用
する方法に関する。
、少なくともその１種は一般式１のシクロヘキシルシク
ロヘキサンであることを特徴とする液晶誘電体に関する
。さらにまた、本発明は、一般式１で示されるシクロヘ
キシルシクロヘキサン類を液晶誘電体の成分として使用
する方法に関する。
一般式１で示されるシクロヘキシルシクロヘキサン類は
、互いに結合した、そしてその４位および４′位がアル
キル、アルコキシまたはアルカノイ １ルォキシ基で置
換された２個のトランス一置換シクロヘキサン環からな
る。
、互いに結合した、そしてその４位および４′位がアル
キル、アルコキシまたはアルカノイ １ルォキシ基で置
換された２個のトランス一置換シクロヘキサン環からな
る。
これらのアルキル、アルコキシまたはアルカノイルオキ
シ基において、基Ｒは１２個までの、好ましくは１〜１
０個の、特に好ましくは１〜８個の炭素原子を含有して
いる。これらの化合物は中程度（＋３ないし＋１２）の
正の誘電異方性（ＤＣＡ）を有するので、ねじれネマチ
ツクセル中でのシヤツトーヘルフリツヒ効果に基ずいて
作動するか、またはコレステリツクーネマチツク相転移
現象を利用した表示要素用誘電体の成分として特に好適
であり、これらの表示要素が複式操作（Ｍｕｌｔｉｐｌ
ｅｘｐｒＯｃｅｓｓ）で作動する場合には特にそうであ
る。さらに、一般式１で示されるシクロヘキシルシクロ
ヘキサン類は負の反磁性異方性（ＤＭＡ）（これはネマ
チツクメソフエイズの反磁性率が、分子の縦軸方向にお
いて、この方向と直交する方向の反磁性率よりも小さい
ことを意味する）を有する。これまで、コレステリツク
一液晶メソフェーズを形成するコレステロール誘導体に
のみ知られており、既知のネマチツク液晶物質について
は観察されたことのないこの性質は、例えば、電極ラス
タ走査を伴なつた液晶表示要素における重複表示を防止
したり、液晶表示要素のスイツチオフ時間を短かくする
のに利用することができる。本発明に係るシクロヘキシ
ルシクロヘキサン類において、アルキル、アルコキシま
たはアルカノイルオキシ基Ｘは直鎖状であつても分枝状
であつてもよい。
シ基において、基Ｒは１２個までの、好ましくは１〜１
０個の、特に好ましくは１〜８個の炭素原子を含有して
いる。これらの化合物は中程度（＋３ないし＋１２）の
正の誘電異方性（ＤＣＡ）を有するので、ねじれネマチ
ツクセル中でのシヤツトーヘルフリツヒ効果に基ずいて
作動するか、またはコレステリツクーネマチツク相転移
現象を利用した表示要素用誘電体の成分として特に好適
であり、これらの表示要素が複式操作（Ｍｕｌｔｉｐｌ
ｅｘｐｒＯｃｅｓｓ）で作動する場合には特にそうであ
る。さらに、一般式１で示されるシクロヘキシルシクロ
ヘキサン類は負の反磁性異方性（ＤＭＡ）（これはネマ
チツクメソフエイズの反磁性率が、分子の縦軸方向にお
いて、この方向と直交する方向の反磁性率よりも小さい
ことを意味する）を有する。これまで、コレステリツク
一液晶メソフェーズを形成するコレステロール誘導体に
のみ知られており、既知のネマチツク液晶物質について
は観察されたことのないこの性質は、例えば、電極ラス
タ走査を伴なつた液晶表示要素における重複表示を防止
したり、液晶表示要素のスイツチオフ時間を短かくする
のに利用することができる。本発明に係るシクロヘキシ
ルシクロヘキサン類において、アルキル、アルコキシま
たはアルカノイルオキシ基Ｘは直鎖状であつても分枝状
であつてもよい。
これらの中で、非分枝状側端基Ｘを有する化合物、即ち
Ｒがメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−
ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル
、ｎ−ノニル、ｎデシル、ｎ−ウンデシルまたはｎ−ド
デシルである化合物は、通常、分枝状側端基を有する相
当する異性体よりも高い融点および透明点を有する。一
般式１で示される化合物の非直鎖状側端基は、２個以上
の分枝を有していないことが好ましい。分枝状アルキル
基としては、結合炭素またはそれに続く２つの炭素のい
ずれかが分枝しているものが好ましい。これらの中で重
要なのは、比較的長い炭素鎖を有し、その１位、２位ま
たは３位にメチル基またはエチル基を有する分枝状残基
Ｒであり、例えばイソプロピル、１−メチルプロビル、
２−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブ
チル、３−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−エ
チルペンチル、２−メチルペンチル、１−メチルヘキシ
ル、２−エチルヘキシルまたは１−メチルヘプチルなど
である。分枝状側端基ｘを有する一般式１の化合物は、
相当する直鎖状の異性体よりも、他の液晶物質に対する
溶解性が優れていることが多い。この分枝状側鎖が不斉
炭素原子を有する場合には、一般式１で示されるこれら
の化合物はその光学異性体の形で製造したり、光学異性
体に分割したりすることができる。これらの化合物は、
コレステロールまたは関連するシクロペンタノペルヒド
ロフエナントレン類に由来しない、コレステリツクメソ
フエイズを形成する、負のＤＭＡを有する最初の化合物
である。一般式１で示されるシクロヘキシルシクロヘキ
サン類はこの様な化合物にとつて通常の方法で製造し得
る。
Ｒがメチル、エチル、ｎ−プロピル、ｎ−ブチル、ｎ−
ペンチル、ｎ−ヘキシル、ｎ−ヘプチル、ｎ−オクチル
、ｎ−ノニル、ｎデシル、ｎ−ウンデシルまたはｎ−ド
デシルである化合物は、通常、分枝状側端基を有する相
当する異性体よりも高い融点および透明点を有する。一
般式１で示される化合物の非直鎖状側端基は、２個以上
の分枝を有していないことが好ましい。分枝状アルキル
基としては、結合炭素またはそれに続く２つの炭素のい
ずれかが分枝しているものが好ましい。これらの中で重
要なのは、比較的長い炭素鎖を有し、その１位、２位ま
たは３位にメチル基またはエチル基を有する分枝状残基
Ｒであり、例えばイソプロピル、１−メチルプロビル、
２−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブ
チル、３−メチルブチル、１−メチルペンチル、１−エ
チルペンチル、２−メチルペンチル、１−メチルヘキシ
ル、２−エチルヘキシルまたは１−メチルヘプチルなど
である。分枝状側端基ｘを有する一般式１の化合物は、
相当する直鎖状の異性体よりも、他の液晶物質に対する
溶解性が優れていることが多い。この分枝状側鎖が不斉
炭素原子を有する場合には、一般式１で示されるこれら
の化合物はその光学異性体の形で製造したり、光学異性
体に分割したりすることができる。これらの化合物は、
コレステロールまたは関連するシクロペンタノペルヒド
ロフエナントレン類に由来しない、コレステリツクメソ
フエイズを形成する、負のＤＭＡを有する最初の化合物
である。一般式１で示されるシクロヘキシルシクロヘキ
サン類はこの様な化合物にとつて通常の方法で製造し得
る。
例えば一般式〔式中、Ｒは式１において示した意義を有
する〕で示される化合物は、一般式で示される相当する
トランス−Ｒ−シクロヘキシル安息香酸を水素添加し、
得られた一般式で示されるトランス−トランス−４−Ｒ
−シクロヘキシルシクロヘキサン−４仁カルボン酸を、
クロル化剤、例えばチオニルクロリド、アンモニアおよ
び水脱離剤、例えばオキシ塩化燐と順次反応させること
により、トランス−トランス−４Ｒ一シクロヘキシルシ
クロヘキサン一４′一カルボン酸クロリドおよびトラン
ス−トランス−４Ｒ−シクロヘキシルシクロヘキサン−
４′一カルボン酸アミドを経由して製造される。
する〕で示される化合物は、一般式で示される相当する
トランス−Ｒ−シクロヘキシル安息香酸を水素添加し、
得られた一般式で示されるトランス−トランス−４−Ｒ
−シクロヘキシルシクロヘキサン−４仁カルボン酸を、
クロル化剤、例えばチオニルクロリド、アンモニアおよ
び水脱離剤、例えばオキシ塩化燐と順次反応させること
により、トランス−トランス−４Ｒ一シクロヘキシルシ
クロヘキサン一４′一カルボン酸クロリドおよびトラン
ス−トランス−４Ｒ−シクロヘキシルシクロヘキサン−
４′一カルボン酸アミドを経由して製造される。
Ｘが−０Ｒまたは−０Ｃ０Ｒである一般式１の化合物を
製造するには、まず、４−ヒドロキシビフエニル一４／
一カルボン酸を通常の水素添加用触媒例えばラニーニツ
ケル、酸化白金またはパラジウム／炭素の存在下、場合
により高められた温度および／または高められた圧力下
で水素添加することによりシスーシス一、シスートラン
ス一、トランスーシス一およびトランス−トランス〜４
−ヒドロキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４１カ
ルボン酸の混合物を得る。
製造するには、まず、４−ヒドロキシビフエニル一４／
一カルボン酸を通常の水素添加用触媒例えばラニーニツ
ケル、酸化白金またはパラジウム／炭素の存在下、場合
により高められた温度および／または高められた圧力下
で水素添加することによりシスーシス一、シスートラン
ス一、トランスーシス一およびトランス−トランス〜４
−ヒドロキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４１カ
ルボン酸の混合物を得る。
この混合物から、自体公知の方法、例えばクロマトグラ
フ法により、あるいはチオウレアと包接化合物を形成さ
せることによりトランス−トランス一異性体を分離し、
これをアルカノイルクロリドＲ−ＣＯ−Ｃｌと反応させ
てトランス−トランス−４−アルカノイルオキシ−シク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボン酸に変換
する。この化合物から、上記した方法により、相当する
酸クロリドおよび酸アミドを経てトランス−トランス−
４−アルカノイルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサ
ン−４′一カルボニトリルを製造する。類似の４−アル
コキシ化合物を製造するには、この４−アルカノイルオ
キシ化合物を緩和な条件下で、例えばアルコール性水酸
化カリウム溶液とおだやかに加温することによつてケン
化し、トランス−トランス−４−ヒドロキシシクロヘキ
シル−シクロヘキサン−４′カルボニトリルに導き、次
いで、これを自体公知のエーテル化反応により、例えば
酸化銀の存在下でアルキルハライドによりエーテル化し
てトランス−トランス−４−アルコキシシクロヘキシル
シクロヘキサン−４′一カルボニトリルに変換する。水
素添加の後分離されたシスーシス一、シストランス一お
よびトランスーシス一４−ヒドロキシ−シクロヘキシル
−シクロヘキサン−カルボン酸類は、目的に適つた通常
の触媚、例えばカリウムＴｅｒｔ−ブチラートのエタノ
ール溶液の存在下で平衡させることにより、全部を、あ
るいは一部を目的とする熱力学的により安定なトランス
−トランス一異性体に転位させることができる。さらに
一般式 〔式中、Ｘ１は−Ｒまたは−０Ｒであり、Ｒは式・Ｉに
おいて示した意義を有する］で示される化合物は、一般
式 〔式中、Ｘ，は前記と同意義である〕 で示される化合物を、前記４−ヒドロキシビフエニル一
４ ′一カルボン酸の場合に述べた条件と同様の条件
下で水素添加し、得られたシスーシス一、シスートラン
ス一、トランスーシス一およびトランス−トランス−４
−Ｘ，−シクロヘキシルシクロヘキサン→４）＝オール
の混合物からトランスートランスー異性体を分離し、こ
れをクロル化剤、例えばチオニルクロリドまたはホスゲ
ンと反応させて、立体配置が反転したトランスーシス一
４ 一Ｘ１ −シクロヘキシル−シクロヘキシル−
４ −クロリドに変換し、これにシアン化物、例えばシ
アン化カリウムを反応させて、立体配置が再反転したト
ランス−トランス−４−Ｘ１ −シクロヘキシル−シク
ロヘキサン−（４）一カルボニトリルに変換することに
より得ることができる。
フ法により、あるいはチオウレアと包接化合物を形成さ
せることによりトランス−トランス一異性体を分離し、
これをアルカノイルクロリドＲ−ＣＯ−Ｃｌと反応させ
てトランス−トランス−４−アルカノイルオキシ−シク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボン酸に変換
する。この化合物から、上記した方法により、相当する
酸クロリドおよび酸アミドを経てトランス−トランス−
４−アルカノイルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサ
ン−４′一カルボニトリルを製造する。類似の４−アル
コキシ化合物を製造するには、この４−アルカノイルオ
キシ化合物を緩和な条件下で、例えばアルコール性水酸
化カリウム溶液とおだやかに加温することによつてケン
化し、トランス−トランス−４−ヒドロキシシクロヘキ
シル−シクロヘキサン−４′カルボニトリルに導き、次
いで、これを自体公知のエーテル化反応により、例えば
酸化銀の存在下でアルキルハライドによりエーテル化し
てトランス−トランス−４−アルコキシシクロヘキシル
シクロヘキサン−４′一カルボニトリルに変換する。水
素添加の後分離されたシスーシス一、シストランス一お
よびトランスーシス一４−ヒドロキシ−シクロヘキシル
−シクロヘキサン−カルボン酸類は、目的に適つた通常
の触媚、例えばカリウムＴｅｒｔ−ブチラートのエタノ
ール溶液の存在下で平衡させることにより、全部を、あ
るいは一部を目的とする熱力学的により安定なトランス
−トランス一異性体に転位させることができる。さらに
一般式 〔式中、Ｘ１は−Ｒまたは−０Ｒであり、Ｒは式・Ｉに
おいて示した意義を有する］で示される化合物は、一般
式 〔式中、Ｘ，は前記と同意義である〕 で示される化合物を、前記４−ヒドロキシビフエニル一
４ ′一カルボン酸の場合に述べた条件と同様の条件
下で水素添加し、得られたシスーシス一、シスートラン
ス一、トランスーシス一およびトランス−トランス−４
−Ｘ，−シクロヘキシルシクロヘキサン→４）＝オール
の混合物からトランスートランスー異性体を分離し、こ
れをクロル化剤、例えばチオニルクロリドまたはホスゲ
ンと反応させて、立体配置が反転したトランスーシス一
４ 一Ｘ１ −シクロヘキシル−シクロヘキシル−
４ −クロリドに変換し、これにシアン化物、例えばシ
アン化カリウムを反応させて、立体配置が再反転したト
ランス−トランス−４−Ｘ１ −シクロヘキシル−シク
ロヘキサン−（４）一カルボニトリルに変換することに
より得ることができる。
上記の、本発明に係る化合物の製造に使用する出発物質
は、既知であるか、または文献に記載された標準的方法
に従つて、公知の化合物と同様にして製造され得る。
は、既知であるか、または文献に記載された標準的方法
に従つて、公知の化合物と同様にして製造され得る。
例えば、〒般式の化合物は、西独国特許出願公開第２６
３６６８４号に記載された方法で製造し得る。即ち、４
−Ｒ−シクロヘキサノンをフエニルマグネシウムプロ
ミドと反応させ、これを加水分解して得られるシスート
ランスー異性体の４−Ｒ−１−フエニルシクロヘキサノ
ールを各々の異性体に分離した後、立体配置を反転しな
がら、あるいは反転することなく水素添加してトランス
− ４ − Ｒ −１−フエニルシクロヘキサンとし、
これを塩化アルミニウムの存在下でアセチルクロリドと
反応させて４−（トランス一４ − Ｒ −シクロヘキ
シル）−アセトフエノンに導き、このアセトフエノンを
次亜ハロゲン酸塩で酸化して安息香酸（）に導くことに
より製造される。一般式Ｉで示される化合物は、電子光
学表示要素の製造に使用される液晶誘電体の価値ある成
分である。
３６６８４号に記載された方法で製造し得る。即ち、４
−Ｒ−シクロヘキサノンをフエニルマグネシウムプロ
ミドと反応させ、これを加水分解して得られるシスート
ランスー異性体の４−Ｒ−１−フエニルシクロヘキサノ
ールを各々の異性体に分離した後、立体配置を反転しな
がら、あるいは反転することなく水素添加してトランス
− ４ − Ｒ −１−フエニルシクロヘキサンとし、
これを塩化アルミニウムの存在下でアセチルクロリドと
反応させて４−（トランス一４ − Ｒ −シクロヘキ
シル）−アセトフエノンに導き、このアセトフエノンを
次亜ハロゲン酸塩で酸化して安息香酸（）に導くことに
より製造される。一般式Ｉで示される化合物は、電子光
学表示要素の製造に使用される液晶誘電体の価値ある成
分である。
一般式Ｉで示される化合物は、異方性系での核磁気共鳴
スペクトル（ＮＭＲ）用の価値ある溶媒でもある。
スペクトル（ＮＭＲ）用の価値ある溶媒でもある。
これらを溶媒として用いることにより、高感度のＮＭＲ
スペクトル、即ちシグナル／ノイズ比の大きい、そして
分解能の良好なスペクトルが得られる。一般式Ｉの化合
物に溶解させた試料のＮＭＲスペクトルにおける吸収シ
グナルの半値幅は約１〜２ｃｐｓであり、これは等方性
系で測定したスペクトルのシグナルの半値幅と同じレベ
ルである。さらに、一般式Ｉの化合物は異方性系でのＵ
．Ｖ．吸収スペクトル法および可視光吸収スペクトル法
用溶媒としても極めて好適である。
スペクトル、即ちシグナル／ノイズ比の大きい、そして
分解能の良好なスペクトルが得られる。一般式Ｉの化合
物に溶解させた試料のＮＭＲスペクトルにおける吸収シ
グナルの半値幅は約１〜２ｃｐｓであり、これは等方性
系で測定したスペクトルのシグナルの半値幅と同じレベ
ルである。さらに、一般式Ｉの化合物は異方性系でのＵ
．Ｖ．吸収スペクトル法および可視光吸収スペクトル法
用溶媒としても極めて好適である。
本発明化合物をこの目的に使用する場合の顕著な長所は
、この化合物が２００ｍ７ｎ以上の波長領域で吸収シグ
ナルを示さないことである。本発明の誘電体は２または
それ以上の成分からなり、少くともその１つは一般式Ｉ
で示される化合物である。
、この化合物が２００ｍ７ｎ以上の波長領域で吸収シグ
ナルを示さないことである。本発明の誘電体は２または
それ以上の成分からなり、少くともその１つは一般式Ｉ
で示される化合物である。
場合によりこれと共存していてもよいその他の成分はア
ゾベンゼン類、アゾキシベンゼン類、ビフエニル類、シ
ツス塩基類、特にベンジリデン誘導体、フエニルベンゾ
エート類、フエニルシクロヘキサン類、ハロゲン化され
ていることもあるスチルベン類、ジフエニルアセチレン
誘導体、ジフエニルニトロン類および置換ケィヒ酸類か
らなる群から選ばれるネマチツクまたはネマトゲニツク
な化合物であることが好ましい。このような、その他の
成分となり得る最も重要な化合物としては、下記の一般
式で示される化合物群をあげることができる。ＣＨ−、
−ＣＨ−Ｎ（０− −Ｎ（０）−ＣＨ−またはＣ−Ｃ一
重結合であり、Ａが−ＣＯ−０−、−０−ＣＯ−または
Ｃ−Ｃ一重結合を表わす場合は２個のフエニル環の一方
はトランス−シクロヘキシル環で置き換えてもよい。
ゾベンゼン類、アゾキシベンゼン類、ビフエニル類、シ
ツス塩基類、特にベンジリデン誘導体、フエニルベンゾ
エート類、フエニルシクロヘキサン類、ハロゲン化され
ていることもあるスチルベン類、ジフエニルアセチレン
誘導体、ジフエニルニトロン類および置換ケィヒ酸類か
らなる群から選ばれるネマチツクまたはネマトゲニツク
な化合物であることが好ましい。このような、その他の
成分となり得る最も重要な化合物としては、下記の一般
式で示される化合物群をあげることができる。ＣＨ−、
−ＣＨ−Ｎ（０− −Ｎ（０）−ＣＨ−またはＣ−Ｃ一
重結合であり、Ａが−ＣＯ−０−、−０−ＣＯ−または
Ｃ−Ｃ一重結合を表わす場合は２個のフエニル環の一方
はトランス−シクロヘキシル環で置き換えてもよい。
Ｚはハロゲン、好ましくはＣｌであり、Ｒ５およびＲ６
は同一または異なつて、炭素原子数が１８を超えない、
好ましくは８を超えないアルキル、アルコキシ、アルカ
ノイル、アルカノイルオキシまたはアルコキシカルボニ
ルオキシ基を表わすか、あるいは基Ｒ５およびＲ６の一
方がシアノ、ニトロまたはイソニトリル基であつてもよ
い。〕これらの化合物の大部分において、Ｒ５およびＲ
６は異なつていることが好ましく、これらの基の一方は
通常アルキルまたはアルコキシ基である。
は同一または異なつて、炭素原子数が１８を超えない、
好ましくは８を超えないアルキル、アルコキシ、アルカ
ノイル、アルカノイルオキシまたはアルコキシカルボニ
ルオキシ基を表わすか、あるいは基Ｒ５およびＲ６の一
方がシアノ、ニトロまたはイソニトリル基であつてもよ
い。〕これらの化合物の大部分において、Ｒ５およびＲ
６は異なつていることが好ましく、これらの基の一方は
通常アルキルまたはアルコキシ基である。
しかし、上記の置換分を改変した多種多様の置換分を有
する化合物もまた、好適に使用される。このようなネマ
チツク物質の多くは、市販されているものを使用するこ
とができる。本？明に係る誘電体は、場合により、さら
に、コレステリツク液晶化合物、例えばコレステロール
エステル類を含有していてもよい。
する化合物もまた、好適に使用される。このようなネマ
チツク物質の多くは、市販されているものを使用するこ
とができる。本？明に係る誘電体は、場合により、さら
に、コレステリツク液晶化合物、例えばコレステロール
エステル類を含有していてもよい。
本発明に係る誘電体は、一般式１で示される化合物およ
び場合により一般式で示される化合物を少なくとも４０
重量部、好ましくは５０〜９９重量部、特に好ましくは
６０〜９８重量部含有している。
び場合により一般式で示される化合物を少なくとも４０
重量部、好ましくは５０〜９９重量部、特に好ましくは
６０〜９８重量部含有している。
この内、少くとも１５重量部、通常は２０重量部以上が
１種またはそれ以上の一般式１で示される化合物である
ことが好ましい。しかし２種以上の一般式１の化合物か
らのみ構成される本発明の誘電体を製造することも可能
である。本発明の液晶誘電体は、適当な添加物を加える
ことによつて、正の誘電異方性を有する液晶を使用した
従来から知られている全ゆるタイプの液晶表示要素に使
用することができる様に改変することができる。このよ
うな添加物は当業者に知られており、また適切な文献に
詳細に記載されている。例えば誘電異方性および／また
はネマチツクフエ夛イズの配向性などを変化させる物質
を加えることができ、このような物質については、例え
ば西独国特許出願第２２０９１２７号、同２３２１６３
２号および同２６１１４５３号明細書などに記載されて
いる。
１種またはそれ以上の一般式１で示される化合物である
ことが好ましい。しかし２種以上の一般式１の化合物か
らのみ構成される本発明の誘電体を製造することも可能
である。本発明の液晶誘電体は、適当な添加物を加える
ことによつて、正の誘電異方性を有する液晶を使用した
従来から知られている全ゆるタイプの液晶表示要素に使
用することができる様に改変することができる。このよ
うな添加物は当業者に知られており、また適切な文献に
詳細に記載されている。例えば誘電異方性および／また
はネマチツクフエ夛イズの配向性などを変化させる物質
を加えることができ、このような物質については、例え
ば西独国特許出願第２２０９１２７号、同２３２１６３
２号および同２６１１４５３号明細書などに記載されて
いる。
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが
、これらは本発明を限定するものではない。
、これらは本発明を限定するものではない。
実施例中、Ｍ．ｐ．およびＣ．ｐ．は摂氏で表わされた
液晶物質の融点および透明点を表わす。また、Ｂ．ｐ．
は沸点を表わす。特に指摘しない以上部または％は各々
重量部または重量％を表わす。実施例 １（ａ） ４−
（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）一安息
香酸（これは、西独国特許出願第２６３６６８４号明細
書の実施例１の方法により、フエニルマグネシウムプロ
ミドに４−ｎペンチルシクロヘキサノンを反応させ、次
いで加水分解、水素添加、アセチル化および酸化するこ
とによつて製造される）３６．４７を、酸化白金５ｙの
存在下、室温、圧力３バールで氷酢酸５００ｍ１中で水
素添加する。
液晶物質の融点および透明点を表わす。また、Ｂ．ｐ．
は沸点を表わす。特に指摘しない以上部または％は各々
重量部または重量％を表わす。実施例 １（ａ） ４−
（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）一安息
香酸（これは、西独国特許出願第２６３６６８４号明細
書の実施例１の方法により、フエニルマグネシウムプロ
ミドに４−ｎペンチルシクロヘキサノンを反応させ、次
いで加水分解、水素添加、アセチル化および酸化するこ
とによつて製造される）３６．４７を、酸化白金５ｙの
存在下、室温、圧力３バールで氷酢酸５００ｍ１中で水
素添加する。
水素の吸収は８時間で終わる。沢過した後溶媒を留去し
、残留物をチオニルクロリド１２０７と共に１６時間煮
沸する。次いで、過剰のチオニルクロリドを留去し、残
留物を水５００ｍ１に注ぐ。この水性混合物を５０′Ｃ
で１時間撹拌し、ジエチルエーテル２００ＴＩＩＩずつ
で２回抽出する。この抽出物を硫酸ナトリウムで乾燥し
蒸発させる。残つたトランス−トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシルーシクロヘキサン一４１−カルボン
酸を石油ベンジン（沸点：５０〜７０℃）で再結晶する
。Ｍ．ｐ．２２Ｏ℃、Ｃ．ｐ．２４５゜Ｃ（ｂ） トラ
ンス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルーシ
クロヘキサン一４１−カルボン酸１５ｙをチオニルクロ
リド３６ｙと共に２０時間加熱沸騰する。次いで過剰の
チオニルクロリドを留去する。最後は減圧下で留去する
。得られたトランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４１−カルボン酸クロリ
ドをジオキサン４５０ｍ１に溶解し、これを氷で冷却し
ながら２５％アンモニア水溶液１８０ｍ１と混合する。
１時間攪拌した後、この反応混合物を氷２０００７に注
ぐ。
、残留物をチオニルクロリド１２０７と共に１６時間煮
沸する。次いで、過剰のチオニルクロリドを留去し、残
留物を水５００ｍ１に注ぐ。この水性混合物を５０′Ｃ
で１時間撹拌し、ジエチルエーテル２００ＴＩＩＩずつ
で２回抽出する。この抽出物を硫酸ナトリウムで乾燥し
蒸発させる。残つたトランス−トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシルーシクロヘキサン一４１−カルボン
酸を石油ベンジン（沸点：５０〜７０℃）で再結晶する
。Ｍ．ｐ．２２Ｏ℃、Ｃ．ｐ．２４５゜Ｃ（ｂ） トラ
ンス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルーシ
クロヘキサン一４１−カルボン酸１５ｙをチオニルクロ
リド３６ｙと共に２０時間加熱沸騰する。次いで過剰の
チオニルクロリドを留去する。最後は減圧下で留去する
。得られたトランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４１−カルボン酸クロリ
ドをジオキサン４５０ｍ１に溶解し、これを氷で冷却し
ながら２５％アンモニア水溶液１８０ｍ１と混合する。
１時間攪拌した後、この反応混合物を氷２０００７に注
ぐ。
沈澱したトランスートランス一４−ｎ−ペンチルシクロ
−キシルシクロヘキサン−４′一カルボン酸アミドを沢
過し、エタノールで再結晶する。Ｍ．ｐ．２ｌ５〜２１
８℃（ｃ） トランス−トランス−４−ｎ−ペンチルー
シクロヘキシルーシクロヘキサン一４′一カルボン酸ア
ミド１０７をＮ−Ｎ−ジメチルホルムアミド１８０ｍ１
に溶かした溶液に、オキシ塩化燐５０ｒを４０℃で滴加
する。
−キシルシクロヘキサン−４′一カルボン酸アミドを沢
過し、エタノールで再結晶する。Ｍ．ｐ．２ｌ５〜２１
８℃（ｃ） トランス−トランス−４−ｎ−ペンチルー
シクロヘキシルーシクロヘキサン一４′一カルボン酸ア
ミド１０７をＮ−Ｎ−ジメチルホルムアミド１８０ｍ１
に溶かした溶液に、オキシ塩化燐５０ｒを４０℃で滴加
する。
この反応混合物をさらに５０℃で３０分間攪拌し、室温
まで冷却した後、氷３００７に注ぐ。この水性反応混合
物を、ジエチルエーテル１００ｍ１ずつで３回抽出し、
抽出物を硫酸ナトリウムで乾燥し蒸発させる。残つたト
ランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４／カルボニトリルをエタノールで再
結晶する。Ｍ．ｐ．６２℃、Ｃ．ｐ．８５℃同様にして
、以下の化合物を製造することができる。
まで冷却した後、氷３００７に注ぐ。この水性反応混合
物を、ジエチルエーテル１００ｍ１ずつで３回抽出し、
抽出物を硫酸ナトリウムで乾燥し蒸発させる。残つたト
ランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４／カルボニトリルをエタノールで再
結晶する。Ｍ．ｐ．６２℃、Ｃ．ｐ．８５℃同様にして
、以下の化合物を製造することができる。
トランス−トランス−４−メチルシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−４７−カルボニトリルトランス−トランス
−４−エチルシクロヘキシル−シクロヘキサン−４仁カ
ルボニトリルＭ．ｐ．２３℃、Ｃ．ｐ．４８℃トランス
−トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル−シクロ
ヘキサン−４′一カルボニトリルＭ．ｐ．５８℃、Ｃ．
ｐ．８Ｏ℃トランス−トランス−４−ｎ−ブチルシクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリルＭ．
ｐ．２８℃、Ｃ．ｐ．７９℃トランス−トランス−４−
ｎ−ヘキシルシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一
カルボニトリルトランスートランス一４−ｎ−ヘプチル
シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリ
ルＭ．ｐ．７ｌ℃、Ｃ．ｐ．８３℃トランス−トランス
−４−ｎ−オクチルシクロヘキシル−シクロヘキサン−
４′一カルボニトリルトランスートランス一４−ｎ−ノ
ニルシクロヘキシル−シクロヘキサン−ｌ−カルボニト
リルＭ．ｐ．６３℃、Ｃ．ｐ．８２℃トランス−トラン
ス−４−ｎ−デシルシクロヘキシル−シクロヘキサン−
４′一カルボニトリノレトランスートランス一４−ｎ−
ウンデシルシクロヘキシルーシクロヘキサン一４仁カル
ボニトリルトランスートランス一４−ｎ−ドデシルシク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４１−カルボニトリルＭ
．ｐ．６８℃、Ｃ．ｐ．７８℃トランス−トランス−４
−イソプロピルシクロヘキシル−シクロヘキサン−カル
ボニトリルトランス−トランス−４−（１−メチルプロ
ピル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カル
ボニトリルトランス−トランス−４−（２−メチルプロ
ピル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カル
ボニトリルトランス−トランス−４−（１−メチルブチ
ル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′カルボニ
トリルトランスートランス一４−（２−メチルブチル）
−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４／カルボニトリ
ルトランスートランス一４−（３−メチルブチル）−シ
クロヘキシル−シクロヘキサン−４′ーカルボニトリル
トランス−トランス−４−（１−メチルペンチル）−シ
クロヘキシル−シクロヘキサン−４１カルボニトリルト
ランスートランス一４−（２−メチルペンチル）−シク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４／一カルボニトリルト
ランスートランス一４−（１−メチルヘキシル）−シク
ロヘキサルーシクロヘキサン一４′カルボニトリルトラ
ンスートランス一４−（２−エチルペンチル）−シクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル
゛トランス−トランス−４−（１−メ
チルヘプチル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４
／カルボニトリルトランスートランス一４−（２−エチ
ルヘキシル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４１
−カルボニトリル[ヮ{例 ２ ） ４−ヒドロキシービフエニル一４′一カルボン酸１
００ｙを酢酸１０００ｍ１に溶かした溶液を酸化白金１
０ｙの存在下、室温、常圧で１６時間水素添加する。
ロヘキサン−４７−カルボニトリルトランス−トランス
−４−エチルシクロヘキシル−シクロヘキサン−４仁カ
ルボニトリルＭ．ｐ．２３℃、Ｃ．ｐ．４８℃トランス
−トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル−シクロ
ヘキサン−４′一カルボニトリルＭ．ｐ．５８℃、Ｃ．
ｐ．８Ｏ℃トランス−トランス−４−ｎ−ブチルシクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリルＭ．
ｐ．２８℃、Ｃ．ｐ．７９℃トランス−トランス−４−
ｎ−ヘキシルシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一
カルボニトリルトランスートランス一４−ｎ−ヘプチル
シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリ
ルＭ．ｐ．７ｌ℃、Ｃ．ｐ．８３℃トランス−トランス
−４−ｎ−オクチルシクロヘキシル−シクロヘキサン−
４′一カルボニトリルトランスートランス一４−ｎ−ノ
ニルシクロヘキシル−シクロヘキサン−ｌ−カルボニト
リルＭ．ｐ．６３℃、Ｃ．ｐ．８２℃トランス−トラン
ス−４−ｎ−デシルシクロヘキシル−シクロヘキサン−
４′一カルボニトリノレトランスートランス一４−ｎ−
ウンデシルシクロヘキシルーシクロヘキサン一４仁カル
ボニトリルトランスートランス一４−ｎ−ドデシルシク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４１−カルボニトリルＭ
．ｐ．６８℃、Ｃ．ｐ．７８℃トランス−トランス−４
−イソプロピルシクロヘキシル−シクロヘキサン−カル
ボニトリルトランス−トランス−４−（１−メチルプロ
ピル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カル
ボニトリルトランス−トランス−４−（２−メチルプロ
ピル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カル
ボニトリルトランス−トランス−４−（１−メチルブチ
ル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′カルボニ
トリルトランスートランス一４−（２−メチルブチル）
−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４／カルボニトリ
ルトランスートランス一４−（３−メチルブチル）−シ
クロヘキシル−シクロヘキサン−４′ーカルボニトリル
トランス−トランス−４−（１−メチルペンチル）−シ
クロヘキシル−シクロヘキサン−４１カルボニトリルト
ランスートランス一４−（２−メチルペンチル）−シク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４／一カルボニトリルト
ランスートランス一４−（１−メチルヘキシル）−シク
ロヘキサルーシクロヘキサン一４′カルボニトリルトラ
ンスートランス一４−（２−エチルペンチル）−シクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル
゛トランス−トランス−４−（１−メ
チルヘプチル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４
／カルボニトリルトランスートランス一４−（２−エチ
ルヘキシル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４１
−カルボニトリル[ヮ{例 ２ ） ４−ヒドロキシービフエニル一４′一カルボン酸１
００ｙを酢酸１０００ｍ１に溶かした溶液を酸化白金１
０ｙの存在下、室温、常圧で１６時間水素添加する。
次いで、触媒を沢去した後、蒸発させ、残留物をカリウ
ムＴｅｒｔ−ブチラート１５０ｙの存在下、Ｔｅｒｔ−
ブタノール５００ｍ１中で加熱沸騰させる。室温まで冷
却した後、この反応混合物を氷１０００７に注ぎ、１０
％硫酸で中和し、ジエチルエーテル５００ｄずつで２回
抽出する。このエーテル抽出物を硫酸ナトリウムで乾燥
し、蒸発させ、残留物を沸騰メタノール５００ｍ１にと
る。得られた熱い溶液を、チオウレア２００ｙをメタノ
ール８００Ｔｎ１に溶かした沸騰溶液に注ぐ。３０分後
、混合物をＯ℃に冷却し、結晶したチオウレア包接化合
物を▲過し、石油エーテル（沸点：４０〜６０℃）１０
００ｍ１と煮沸する。
ムＴｅｒｔ−ブチラート１５０ｙの存在下、Ｔｅｒｔ−
ブタノール５００ｍ１中で加熱沸騰させる。室温まで冷
却した後、この反応混合物を氷１０００７に注ぎ、１０
％硫酸で中和し、ジエチルエーテル５００ｄずつで２回
抽出する。このエーテル抽出物を硫酸ナトリウムで乾燥
し、蒸発させ、残留物を沸騰メタノール５００ｍ１にと
る。得られた熱い溶液を、チオウレア２００ｙをメタノ
ール８００Ｔｎ１に溶かした沸騰溶液に注ぐ。３０分後
、混合物をＯ℃に冷却し、結晶したチオウレア包接化合
物を▲過し、石油エーテル（沸点：４０〜６０℃）１０
００ｍ１と煮沸する。
不溶性残渣を２Ｎ水酸化カリウム水溶液１０００ｍ１と
共に３０分間５０℃で加熱する。得られた溶液を冷却し
た後、１０％硫酸で酸性化し、沈澱したトランス−トラ
ンス−４−ヒドロキシシクロヘキシル−シクロヘキサン
−４′一カルボン酸を沢過し、石油ベンジン（沸点：５
０〜７０℃）で再結晶する。（ｂ） トルエン３００ｍ
２およびピリジン３０ＷＬＩの混合物にトランス−トラ
ンス−４−ヒドロキシシクロヘキシル−シクロヘキサン
−４１−カルボン酸３０７を溶かした溶液を、ｎ−ブチ
リルクロリド１３．６ｙと室温で混合し、この反応混合
物を５０℃で２時間撹拌する。次いで、この反応混合物
を氷５００Ｖに注ぎ、有機相を分離し、水で洗浄し、硫
酸ナトリウムで乾燥し、蒸発させる。残つたトランス−
トランス−４−ｎ−ブチリルオキシシクロヘキシルーシ
クロヘキサンー４′一カルボン酸をエタノールで再結晶
する。（ｃ）実施例１（ｂ）および（ｃ）と同様にして
、トランス−トランス−４−ｎ−ブチリルオキシシクロ
ヘキシルーシクロヘキサン一４′一カルボン酸２０ｔか
らトランス−トランス−４−ｎ−ブチリルオキシシクロ
ヘキシルーシクロヘキサン一４Ｉ−カルボニトリル９．
８７が製造される。ＭＳｍ／ｅ、（）内は相対強度％： ２７７（０．１）、２４９（０．１）、 １８９（１００）、１２４（１７）、 １２３（１１）、１１０（１０）、 １０９（１３）、９６（７）、９５（１１）、８９（６
）、８３（４３）、８２（４０）、８１（４８）、７１
（６３）、６９（３０）、６７（２５）、５７（２７）
、５５（２１）、４３（３９）、４１（１２）。
共に３０分間５０℃で加熱する。得られた溶液を冷却し
た後、１０％硫酸で酸性化し、沈澱したトランス−トラ
ンス−４−ヒドロキシシクロヘキシル−シクロヘキサン
−４′一カルボン酸を沢過し、石油ベンジン（沸点：５
０〜７０℃）で再結晶する。（ｂ） トルエン３００ｍ
２およびピリジン３０ＷＬＩの混合物にトランス−トラ
ンス−４−ヒドロキシシクロヘキシル−シクロヘキサン
−４１−カルボン酸３０７を溶かした溶液を、ｎ−ブチ
リルクロリド１３．６ｙと室温で混合し、この反応混合
物を５０℃で２時間撹拌する。次いで、この反応混合物
を氷５００Ｖに注ぎ、有機相を分離し、水で洗浄し、硫
酸ナトリウムで乾燥し、蒸発させる。残つたトランス−
トランス−４−ｎ−ブチリルオキシシクロヘキシルーシ
クロヘキサンー４′一カルボン酸をエタノールで再結晶
する。（ｃ）実施例１（ｂ）および（ｃ）と同様にして
、トランス−トランス−４−ｎ−ブチリルオキシシクロ
ヘキシルーシクロヘキサン一４′一カルボン酸２０ｔか
らトランス−トランス−４−ｎ−ブチリルオキシシクロ
ヘキシルーシクロヘキサン一４Ｉ−カルボニトリル９．
８７が製造される。ＭＳｍ／ｅ、（）内は相対強度％： ２７７（０．１）、２４９（０．１）、 １８９（１００）、１２４（１７）、 １２３（１１）、１１０（１０）、 １０９（１３）、９６（７）、９５（１１）、８９（６
）、８３（４３）、８２（４０）、８１（４８）、７１
（６３）、６９（３０）、６７（２５）、５７（２７）
、５５（２１）、４３（３９）、４１（１２）。
同様にして、以下の化合物を製造することができる。
トランス−トランス−４−アセトキシシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４／一カルボニトリノレＭＳｍ／ｅ、
（）内は相対強度％： ２４９（０．２）、２２１（０．１）、 １８９（１００）、１２４（１１）、 １２３（１６）、１１０（１２）、 １０９（５）、９６（１２）、９５（１１）、８３（２
０）、８２（２４）、８１（３２）、６９（３０）、６
７（２１）、６１（２）、５７（２０）、５５（２６）
、４３（６８）、４１（１５）。
シクロヘキサン−４／一カルボニトリノレＭＳｍ／ｅ、
（）内は相対強度％： ２４９（０．２）、２２１（０．１）、 １８９（１００）、１２４（１１）、 １２３（１６）、１１０（１２）、 １０９（５）、９６（１２）、９５（１１）、８３（２
０）、８２（２４）、８１（３２）、６９（３０）、６
７（２１）、６１（２）、５７（２０）、５５（２６）
、４３（６８）、４１（１５）。
トランス−トランス−４−プロピオニルオキシシクロヘ
キシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリルトラン
スートランス一４−イソブチリルオキシシクロヘキシル
ーシクロヘキサン一４′一カルボニトリルトランスート
ランス一４−ｎ−ペンタノイルオキシシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４′一カルボニトリルトランスートラ
ンス一４−α−メチルプロピオニルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−ｌ−カルボニトリルトランス−ト
ランス−４−ｎ−ヘキサノイルオキシシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４′ーカルボニトリルトランス−トラ
ンス−４−ｎ−ヘプタノイルオキシシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−４１−カルボニトリルトランス−トラン
ス−４−ｎ−オクタノイルオキシシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−４′ーカルボニトリルトランス−トランス
−４−ｎ−ノナノイルオキシシクロヘキシルーシクロヘ
キサン一４′一カルボニトリルトランスートランス一４
−ｎ−デカノイルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサ
ン−４′一カルボニトリルトランス−トランス−４−ト
リデカノイルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−
４１−カルボニトリルＭＳｍ／ｅ、（）内は相対強度％
： ４０３（０．１）、３７５（０．１）、 ２１５（１５）、１９７（１９）、 １８９（１００）、１２４（８）、 １２３（１４）、１１０（１１）、 １０９（１２）、９６（９）、９５（８）、８３（２６
）、８２（２８）、８１（３７）、１６９（３１）、６
７（２０）、５７（１３）、５５（２４）、４３（１５
）、４１（１６）。
キシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリルトラン
スートランス一４−イソブチリルオキシシクロヘキシル
ーシクロヘキサン一４′一カルボニトリルトランスート
ランス一４−ｎ−ペンタノイルオキシシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４′一カルボニトリルトランスートラ
ンス一４−α−メチルプロピオニルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−ｌ−カルボニトリルトランス−ト
ランス−４−ｎ−ヘキサノイルオキシシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４′ーカルボニトリルトランス−トラ
ンス−４−ｎ−ヘプタノイルオキシシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−４１−カルボニトリルトランス−トラン
ス−４−ｎ−オクタノイルオキシシクロヘキシル−シク
ロヘキサン−４′ーカルボニトリルトランス−トランス
−４−ｎ−ノナノイルオキシシクロヘキシルーシクロヘ
キサン一４′一カルボニトリルトランスートランス一４
−ｎ−デカノイルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサ
ン−４′一カルボニトリルトランス−トランス−４−ト
リデカノイルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−
４１−カルボニトリルＭＳｍ／ｅ、（）内は相対強度％
： ４０３（０．１）、３７５（０．１）、 ２１５（１５）、１９７（１９）、 １８９（１００）、１２４（８）、 １２３（１４）、１１０（１１）、 １０９（１２）、９６（９）、９５（８）、８３（２６
）、８２（２８）、８１（３７）、１６９（３１）、６
７（２０）、５７（１３）、５５（２４）、４３（１５
）、４１（１６）。
実施例 ３トランス−トランス−４−ｎ−ブチリルオキ
シシクロヘキシルーシクロヘキサン一４′一カルボニ
１トリル１０Ｖを、撹拌しながら４０℃で３０分間アル
コール性２Ｎ水酸化カリウム溶液２５０ｍ１と共に加温
する。
シシクロヘキシルーシクロヘキサン一４′一カルボニ
１トリル１０Ｖを、撹拌しながら４０℃で３０分間アル
コール性２Ｎ水酸化カリウム溶液２５０ｍ１と共に加温
する。
次いで反応混合物を水５００ａで希釈し、１０％硫酸で
中和する。この中性反応溶液を、ジエチルエーテル２５
０ｍ１ずつで４回抽出 ２し、この抽出物を硫酸ナトリ
ウムで乾燥し蒸発させる。残つたトランス−トランス−
４−ヒドロキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４／
一カルボニトリルを、ｎ−ブチル沃素１００ＷＬＩに溶
解し、この溶液に酸化銀（４）１０７を添加した後、２
４時 ２間加熱沸騰させる。次いでこの反応混合物を沢
過し、過剰のブチル沃素を沢液から蒸発させる。残留物
をトルエン３０ｍ１にとり、シリカゲルカラム（２０×
２？）を用いて精製する。トルエンを蒸発させた後、残
つたトランス−トランス−４−Ｎ３一ブチルオキシシク
ロヘキシルーシクロヘキサン一４′一カルボニトリルを
エタノールで再結晶する。ＭＳｍ／ｅ、（）内は相対強
度％：２６３（５）、２３５（１）、１８９（１００）
、１２４（１９）、１２３（２７）、１１３（４１）、
３１１０（１７）、１０９（１９）、９６（１３）、９
５（１５）、８３（１１）、８２（３１）、８１（２７
）、６９（４３）、６７（３１）、５７（１４）、５５
（２７）、４３（２７）、４１（１３）。
中和する。この中性反応溶液を、ジエチルエーテル２５
０ｍ１ずつで４回抽出 ２し、この抽出物を硫酸ナトリ
ウムで乾燥し蒸発させる。残つたトランス−トランス−
４−ヒドロキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４／
一カルボニトリルを、ｎ−ブチル沃素１００ＷＬＩに溶
解し、この溶液に酸化銀（４）１０７を添加した後、２
４時 ２間加熱沸騰させる。次いでこの反応混合物を沢
過し、過剰のブチル沃素を沢液から蒸発させる。残留物
をトルエン３０ｍ１にとり、シリカゲルカラム（２０×
２？）を用いて精製する。トルエンを蒸発させた後、残
つたトランス−トランス−４−Ｎ３一ブチルオキシシク
ロヘキシルーシクロヘキサン一４′一カルボニトリルを
エタノールで再結晶する。ＭＳｍ／ｅ、（）内は相対強
度％：２６３（５）、２３５（１）、１８９（１００）
、１２４（１９）、１２３（２７）、１１３（４１）、
３１１０（１７）、１０９（１９）、９６（１３）、９
５（１５）、８３（１１）、８２（３１）、８１（２７
）、６９（４３）、６７（３１）、５７（１４）、５５
（２７）、４３（２７）、４１（１３）。
４同様にして以下の
化合物を製造することができる・トランス−トランス−
４−メトキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一
カルボニトリルＭｓｍ／ｅ１（ト）内は相対強度％：２
２１（７）、１９３（２）、１８９（１００）、１２４
（１４）、１２３（１４）、１１０（１２）、１０９（
１５）、９６（６）、９５（１１）、８３（１７）、８
２（２０）、８１（２８）．．７１（３５）、６９（３
２）、６７（２５）、５７（１０）、５５（２２）、４
３（２５）、４１（１６）。
化合物を製造することができる・トランス−トランス−
４−メトキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一
カルボニトリルＭｓｍ／ｅ１（ト）内は相対強度％：２
２１（７）、１９３（２）、１８９（１００）、１２４
（１４）、１２３（１４）、１１０（１２）、１０９（
１５）、９６（６）、９５（１１）、８３（１７）、８
２（２０）、８１（２８）．．７１（３５）、６９（３
２）、６７（２５）、５７（１０）、５５（２２）、４
３（２５）、４１（１６）。
トランス−トランス−４−エトキシシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−４１−カルボニトリルトランス−トラン
ス−４−ｎ−プロピルオキシシクロヘキシル−シクロヘ
キサン−４′一カルボニトリルトランスートランス一４
−ｎ−ペンチルオキシシクロヘキシルーシクロヘキサン
一４仁カルボニトリルトランスートランス一４−ｎ−ヘ
キシルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４１−
カルボニトリルトランス−トランス−４−ｎ−ヘプチル
オキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボ
ニトリルトランスートランス一４−ｎ−オクチルオキシ
シクロヘキシル−シクロヘキサン−４／一カルボニトリ
ルトランスートランス一４−ｎ−ノニルオキシシクロヘ
キシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリルトラン
スートランス一４−ｎ−デシルオキシシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４′一カルボニトリルトランスートラ
ンス一４−ｎ−ウンデシルオキシシクロヘキシルーシク
ロヘキサン一４′一カルボニトリルトランスートランス
一４−ｎ−ドデシルオキシシクロヘキシル−シクロヘキ
サン−４′一カルボニトリルＭＳｍ／ｅ、（）内は相対
強度％Ｚ ３７５（１）、３４７（１）、２２５（３０）、１８９
（１００）、１２４（１６）、１２３（２１）、１１０
（１０）、１０９（１６）、９６（１１）、９５（１３
）、８３（２６）、８２（３１）、８１（３９）、６９
（３１）、６７（３６）、５７（２２）、５５（２５）
、４３（２３）、４１（１８）。
クロヘキサン−４１−カルボニトリルトランス−トラン
ス−４−ｎ−プロピルオキシシクロヘキシル−シクロヘ
キサン−４′一カルボニトリルトランスートランス一４
−ｎ−ペンチルオキシシクロヘキシルーシクロヘキサン
一４仁カルボニトリルトランスートランス一４−ｎ−ヘ
キシルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４１−
カルボニトリルトランス−トランス−４−ｎ−ヘプチル
オキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボ
ニトリルトランスートランス一４−ｎ−オクチルオキシ
シクロヘキシル−シクロヘキサン−４／一カルボニトリ
ルトランスートランス一４−ｎ−ノニルオキシシクロヘ
キシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリルトラン
スートランス一４−ｎ−デシルオキシシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４′一カルボニトリルトランスートラ
ンス一４−ｎ−ウンデシルオキシシクロヘキシルーシク
ロヘキサン一４′一カルボニトリルトランスートランス
一４−ｎ−ドデシルオキシシクロヘキシル−シクロヘキ
サン−４′一カルボニトリルＭＳｍ／ｅ、（）内は相対
強度％Ｚ ３７５（１）、３４７（１）、２２５（３０）、１８９
（１００）、１２４（１６）、１２３（２１）、１１０
（１０）、１０９（１６）、９６（１１）、９５（１３
）、８３（２６）、８２（３１）、８１（３９）、６９
（３１）、６７（３６）、５７（２２）、５５（２５）
、４３（２３）、４１（１８）。
Ｚ１
トランス−トランス−４−ｎ−イソプロピルオキシシク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリルト
ランスートランス一４−（１−メチルプロピルオキシ）
−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボニト
リルトランスートランス一４−（１−メチルブチルオキ
シ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４！−カルボ
ニトリルトランス−トランス−４−（２−メチルブチル
オキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カ
ルボニトリルトランスートランス一４−（１−メチルペ
ンチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４
１−カルボニトリルトランス−トランス−４−（２−メ
チルペンチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサ
ン−４′一カルボニトリルトランスートランス一４−（
３−メチルペンチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロ
ヘキサン４′一カルボニトリルトランスートランス一４
−（１−メチルヘキシルオキシ）−シクロヘキシル−シ
クロヘキサン−４′一カルボニトリルトランスートラン
ス一４−（２−エチルペンチルオキシ）−シクロヘキシ
ル−シクロヘキサンカルボニトリルトランス−トランス
−４−（１−メチルヘプチルオキシ）−シクロヘキシル
−シクロヘキサン４′一カルボニトリルトランスートラ
ンス一４−（２−エチルヘキシルオキシ）−シクロヘキ
シル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリル以下に挙
げる実施例は、本発明に係る液晶誘電体に関するもので
ある。
ロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリルト
ランスートランス一４−（１−メチルプロピルオキシ）
−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カルボニト
リルトランスートランス一４−（１−メチルブチルオキ
シ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４！−カルボ
ニトリルトランス−トランス−４−（２−メチルブチル
オキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′一カ
ルボニトリルトランスートランス一４−（１−メチルペ
ンチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４
１−カルボニトリルトランス−トランス−４−（２−メ
チルペンチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサ
ン−４′一カルボニトリルトランスートランス一４−（
３−メチルペンチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロ
ヘキサン４′一カルボニトリルトランスートランス一４
−（１−メチルヘキシルオキシ）−シクロヘキシル−シ
クロヘキサン−４′一カルボニトリルトランスートラン
ス一４−（２−エチルペンチルオキシ）−シクロヘキシ
ル−シクロヘキサンカルボニトリルトランス−トランス
−４−（１−メチルヘプチルオキシ）−シクロヘキシル
−シクロヘキサン４′一カルボニトリルトランスートラ
ンス一４−（２−エチルヘキシルオキシ）−シクロヘキ
シル−シクロヘキサン−４′一カルボニトリル以下に挙
げる実施例は、本発明に係る液晶誘電体に関するもので
ある。
実施例 ４
トランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル
−シクロヘキサン−４′一カルボニトリル３３％および
トランス−４−ｎ−プロピル−１（４′−シアノフエニ
ル）−シクロヘキサン６７％の混合物は２５〜５７℃の
温度範囲でネマチツク液晶相を有し、そのＤＣＡは＋８
．２である。
−シクロヘキサン−４′一カルボニトリル３３％および
トランス−４−ｎ−プロピル−１（４′−シアノフエニ
ル）−シクロヘキサン６７％の混合物は２５〜５７℃の
温度範囲でネマチツク液晶相を有し、そのＤＣＡは＋８
．２である。
フ実施例 ５
トランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル
ーシクロヘキサン一４しカルボニトリル４０％および４
−ｎ−オクチルオキシ−４′−シアノービフエニル６０
％の混合物は、３４〜７５℃の温度範囲でネマチツク液
晶相を有し、そのＤＣＡは＋９である。
ーシクロヘキサン一４しカルボニトリル４０％および４
−ｎ−オクチルオキシ−４′−シアノービフエニル６０
％の混合物は、３４〜７５℃の温度範囲でネマチツク液
晶相を有し、そのＤＣＡは＋９である。
実施例 ６
トランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル
ーシクロヘキサン一４′一カルボニトリル１０％、４−
ｎ−ブチル−４′−メトキシーアゾキシベンゼン６０％
および４−エチル−４１−メトキシアゾキシベンゼン３
０％の混合物は５〜７４℃の温度範囲でネマチツク液晶
相を有し、そのＤＣＡは＋１．３である。
ーシクロヘキサン一４′一カルボニトリル１０％、４−
ｎ−ブチル−４′−メトキシーアゾキシベンゼン６０％
および４−エチル−４１−メトキシアゾキシベンゼン３
０％の混合物は５〜７４℃の温度範囲でネマチツク液晶
相を有し、そのＤＣＡは＋１．３である。
実施例 ７
トランスートランス一４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル
−シクロヘキサン−４′一カルボニトリル５５％および
トランス−トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル
−シクロヘキサン−４′一カルボニトリル４５％の混合
物は８１℃の透明点、約＋４のＤＣＡおよび負のＤＣＡ
を有する。
−シクロヘキサン−４′一カルボニトリル５５％および
トランス−トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル
−シクロヘキサン−４′一カルボニトリル４５％の混合
物は８１℃の透明点、約＋４のＤＣＡおよび負のＤＣＡ
を有する。
実施例 ８
均質な試料を得るため、１・２・３・５−テトラクロロ
ベンゼンをトランス−トランス−４−ｎプロピルシクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、ト
ランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルー
シクロヘキサン一４′−カルボニトリルおよびトランス
−トランス−４一ｎ−ヘプチルシクロヘキシル−シクロ
ヘキサン−４′一カルボニトリルの三元共融体中に８０
℃すなわちネマチツク溶液の透明点以上の温度で溶解さ
せることにより前記共融体の１・２・３・５テトラクロ
ロベンゼンの０．５−Ｍネマチツク溶液を調製した。
ベンゼンをトランス−トランス−４−ｎプロピルシクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、ト
ランス−トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルー
シクロヘキサン一４′−カルボニトリルおよびトランス
−トランス−４一ｎ−ヘプチルシクロヘキシル−シクロ
ヘキサン−４′一カルボニトリルの三元共融体中に８０
℃すなわちネマチツク溶液の透明点以上の温度で溶解さ
せることにより前記共融体の１・２・３・５テトラクロ
ロベンゼンの０．５−Ｍネマチツク溶液を調製した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは−Ｒ、−ＯＲまたは−Ｏ−ＣＯ−Ｒであり
、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキルを表わす〕で示さ
れるシクロヘキシルシクロヘキサン類。 ２ Ｒが直鎖状アルキルである第１項記載のシクロヘキ
シルシクロヘキサン類。 ３ Ｒが１個の分枝を有する分枝状アルキルである第１
項記載のシクロヘキシルシクロヘキサン類。 ４ Ｒが炭素原子数１〜１０のアルキルである第１項記
載のシクロヘキシルシクロヘキサン類。 ５ Ｒが炭素原子数１〜８のアルキルである第１項記載
のシクロヘキシルシクロヘキサン類。 ６ トランス−トランス−４−メチルシクロヘキシル−
シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス−ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル−シクロヘキサン−
４′−カルボニトリル、トランス−トランス−４−ｎ−
プロピルシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カル
ボニトリル、トランス−トランス−４−ｎ−ブチルシク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、
トランス−トランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル
−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス−
トランス−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル−シクロヘ
キサン−４′−カルボニトリル、トランス−トランス−
４−ｎ−オクチルシクロヘキシル−シクロヘキサン−４
′−カルボニトリル、トランス−トランス−４−ｎ−ノ
ニルシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニ
トリルおよびトランス−トランス−４−ｎ−デシルシク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリルか
らなる群から選ばれる第１項記載のシクロヘキシルシク
ロヘキサン類。 ７ トランス−トランス−４−イソプロピルシクロヘキ
シル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トラン
ス−トランス−４−（１−メチルプロピル）−シクロヘ
キシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トラ
ンス−トランス−４−（２−メチルプロピル）−シクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、ト
ランス−トランス−４−（１−メチルブチル）−シクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、ト
ランス−トランス−４−（２−メチルブチル）−シクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、ト
ランス−トランス−４−（３−メチルブチル）−シクロ
ヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、ト
ランス−トランス−４−（１−メチルペンチル）−シク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、
トランス−トランス−４−（２−メチルペンチル）−シ
クロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル
、トランス−トランス−４−（１−メチルヘキシル）−
シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリ
ル、トランス−トランス−４−（２−エチルペンチル）
−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニト
リル、トランス−トランス−４−（１−メチルヘプチル
）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニ
トリルおよびトランス−トランス−４−（２−エチルヘ
キシル）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カ
ルボニトリルからなる群から選ばれる第１項記載のシク
ロヘキシルシクロヘキサン類。 ８ トランス−トランス−４−メトキシシクロヘキシル
−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス−
トランス−４−エトキシシクロヘキシル−シクロヘキサ
ン−４′−カルボニトリル、トランス−トランス−４−
ｎ−プロピルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−
４′−カルボニトリル、トランス−トランス−４−ｎ−
ペンチルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′
−カルボニトリル、トランス−トランス−４−ｎ−ヘキ
シルオキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カ
ルボニトリル、トランス−トランス−４−ｎ−ヘプチル
オキシシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボ
ニトリル、トランス−トランス−４−ｎ−オクチルオキ
シシクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニト
リル、トランス−トランス−４−ｎ−ノニルオキシシク
ロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、
トランス−トランス−４−ｎ−デシルオキシシクロヘキ
シル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トラン
ス−トランス−４−ｎ−ウンデシルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリルおよびトラ
ンス−トランス−４−ｎ−ドデシルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリルからなる群
から選ばれる第１項記載のシクロヘキシルシクロヘキサ
ン類。 ９ トランス−トランス−４−イソプロピルオキシ−シ
クロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル
、トランス−トランス−４−（１−メチルプロピルオキ
シ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボ
ニトリル、トランス−トランス−４−（１−メチルブチ
ルオキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−
カルボニトリル、トランス−トランス−４−（２−メチ
ルブチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−
４′−カルボニトリル、トランス−トランス−４−（１
−メチルペンチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロヘ
キサン−４′−カルボニトリル、トランス−トランス−
４−（２−メチルペンチルオキシ）−シクロヘキシル−
シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス−ト
ランス−４−（３−メチルペンチルオキシ）−シクロヘ
キシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トラ
ンス−トランス−４−（１−メチルヘキシルオキシ）−
シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリ
ル、トランス−トランス−４−（２−エチルペンチルオ
キシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−４′５−カ
ルボニトリル、トランス−トランス−４−（１−メチル
ヘプチルオキシ）−シクロヘキシル−シクロヘキサン−
４′−カルボニトリルおよびトランス−トランス−４−
（２−エチルヘキシルオキシ）−シクロヘキシル−シク
ロヘキサン−４′−カルボニトリルからなる群から選ば
れる第１項記載のシクロヘキシルシクロヘキサン類。 １０ トランス−トランス−４−アセトキシシクロヘキ
シル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トラン
ス−トランス−４−プロピオニルオキシシクロヘキシル
−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス−
トランス−４−イソブチリルオキシシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス−トラ
ンス−４−ｎ−ペンタノイルオキシシクロヘキシル−シ
クロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス−トラ
ンス−４−α−メチルプロピオニルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス
−トランス−４−ｎ−ヘキサノイルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス
−トランス−４−ｎ−ヘプタノイルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス
−トランス−４−ｎ−オクタノイルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリル、トランス
−トランス−４４−ｎ−ノナノイルオキシシクロヘキシ
ル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリルおよびトラ
ンス−トランス−４−ｎ−デカノイルオキシシクロヘキ
シル−シクロヘキサン−４′−カルボニトリルからなる
群から選ばれる第１項記載のシクロヘキシルシクロヘキ
サン類。 １１ 少なくとも２種の液晶成分からなり、少なくとも
その１種は一般式▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは−Ｒ、−ＯＲまたは−Ｏ−ＣＯ−Ｒであり
、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキルを表わす〕で示さ
れる化合物である液晶誘電体。 １２ 一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ 〔式中、Ｘは−Ｒ、−ＯＲまたは−Ｏ−ＣＯ−Ｒであり
、Ｒは炭素原子数１〜１２のアルキルを表わす〕で示さ
れる化合物を、異方性系におけるＮＭＲスペクトル法お
よび紫外ならびに可視領域における吸収スペクトル法の
溶剤として使用する方法。
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