JPS5943581A - 半導体光電変換装置 - Google Patents
半導体光電変換装置Info
- Publication number
- JPS5943581A JPS5943581A JP57153429A JP15342982A JPS5943581A JP S5943581 A JPS5943581 A JP S5943581A JP 57153429 A JP57153429 A JP 57153429A JP 15342982 A JP15342982 A JP 15342982A JP S5943581 A JPS5943581 A JP S5943581A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- gate
- source
- distance
- north
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 14
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 7
- 230000003068 static effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 abstract description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 241000272814 Anser sp. Species 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N hydridophosphorus(.) (triplet) Chemical compound [PH] BHEPBYXIRTUNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 210000003127 knee Anatomy 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000002689 soil Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/08—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
- H01L31/10—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors characterised by potential barriers, e.g. phototransistors
- H01L31/101—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation
- H01L31/112—Devices sensitive to infrared, visible or ultraviolet radiation characterised by field-effect operation, e.g. junction field-effect phototransistor
- H01L31/1124—Devices with PN homojunction gate
- H01L31/1126—Devices with PN homojunction gate the device being a field-effect phototransistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/10—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode not carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/1066—Gate region of field-effect devices with PN junction gate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/7722—Field effect transistors using static field induced regions, e.g. SIT, PBT
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はゝｈ導体光電変換装置に関するものである。
従来の半導体充電変換装置ｎとしては、本発明者による
ｐ−ｉ’−ｎフォトタイオート、アハランンエフォトダ
イオードというタイ處−ドの他１こ、ハイポーラフォト
トラノジスタ等が知られている。高感度、高速で低雑音
の〕ｔｌ・トランジスタとして既齋こ木発明者による、
低不純物密度ないしは真性半導体のチャンネルをイ」−
４る１Ｅ界効果トランジスタ及び静電誘導トランジスタ
（以下ＳＩＴと呼ぶ）が特願昭５８−８６５７２月及び
特願昭５３ ８７９８８月に開示され−Ｃい−ζ、非常
ニ高感度、高速であるために、従来のバイポーラフォト
トランジスタ 本発明は、少なくとも２つ以にの機能の異なるゲート電
極を有する低不純物密度ないＬ７は真性半導体のチャン
ネルを有する電界効果トラノ−・スタ乃至はＳＩＴ＋こ
関するものてあり、甲−機能のグー １・↑Ｕ極を有す
るもの、ｌ−ｊｌも動作方法か多彩となり高ｔ’ｌ、能
な゛１４導体光７ｄ変換装置を提（１（する。
ｐ−ｉ’−ｎフォトタイオート、アハランンエフォトダ
イオードというタイ處−ドの他１こ、ハイポーラフォト
トラノジスタ等が知られている。高感度、高速で低雑音
の〕ｔｌ・トランジスタとして既齋こ木発明者による、
低不純物密度ないしは真性半導体のチャンネルをイ」−
４る１Ｅ界効果トランジスタ及び静電誘導トランジスタ
（以下ＳＩＴと呼ぶ）が特願昭５８−８６５７２月及び
特願昭５３ ８７９８８月に開示され−Ｃい−ζ、非常
ニ高感度、高速であるために、従来のバイポーラフォト
トランジスタ 本発明は、少なくとも２つ以にの機能の異なるゲート電
極を有する低不純物密度ないＬ７は真性半導体のチャン
ネルを有する電界効果トラノ−・スタ乃至はＳＩＴ＋こ
関するものてあり、甲−機能のグー １・↑Ｕ極を有す
るもの、ｌ−ｊｌも動作方法か多彩となり高ｔ’ｌ、能
な゛１４導体光７ｄ変換装置を提（１（する。
史に本発明は複数のグー１−電極の外部に１つＵ ｌの
信［１源とバイアス電源（Ｏ〕＜−ｉアスを含む）を（
］’ Ｌ ｒ−ことを特徴とする新規な一１１′導体光
市ｆ変換装置を提供することにある。
信［１源とバイアス電源（Ｏ〕＜−ｉアスを含む）を（
］’ Ｌ ｒ−ことを特徴とする新規な一１１′導体光
市ｆ変換装置を提供することにある。
（ン
行来の少なくとも１−）以」二の少数のゲ）〜を有−よ
る半導体光１Ｅ変換装置を第１図（イ）Ｉす至（へ）に
示４−０ １はＳｌの１１ ”基板、２はチＡ・ノネルとなる−き
低Ｊ氏−〔抗な１１一層乃至は直付半導体の１層、３は
高不純物密度のチャノイルとは反対導１１」：型の第１
の今一 １−領域、４は３と同様に高不純物密度のチヤ
ンネルとは反対導電型の第２０ゲー！・領域、５は１と
同４＊型の高不純物密度の領域、７．１０はそれぞれチ
ャンイルの主７Ｆ流通路の１と５の電極、８は第１のケ
ート領域３ ）’ｒ’ −Ｌ ｎ１ｆｌ ｔＪｉｉ、９
は第２のケート領域４のゲ一１・電極、６は７．８．９
の？ｆ７極を分離−するためのたとえばＳｉＯ２、Ｓｉ
、Ｎ１等の周知の絶縁と表面保護の作用をイーする、絶
縁膜層乃至は絶縁膜の多層膜である。
る半導体光１Ｅ変換装置を第１図（イ）Ｉす至（へ）に
示４−０ １はＳｌの１１ ”基板、２はチＡ・ノネルとなる−き
低Ｊ氏−〔抗な１１一層乃至は直付半導体の１層、３は
高不純物密度のチャノイルとは反対導１１」：型の第１
の今一 １−領域、４は３と同様に高不純物密度のチヤ
ンネルとは反対導電型の第２０ゲー！・領域、５は１と
同４＊型の高不純物密度の領域、７．１０はそれぞれチ
ャンイルの主７Ｆ流通路の１と５の電極、８は第１のケ
ート領域３ ）’ｒ’ −Ｌ ｎ１ｆｌ ｔＪｉｉ、９
は第２のケート領域４のゲ一１・電極、６は７．８．９
の？ｆ７極を分離−するためのたとえばＳｉＯ２、Ｓｉ
、Ｎ１等の周知の絶縁と表面保護の作用をイーする、絶
縁膜層乃至は絶縁膜の多層膜である。
第１図（Ｉ−Ｖ）は第１図（イ）の表面図である。この
装置は、−フルチチ〜・ノネルのｊＭ ＋告にすること
かでき る 。
装置は、−フルチチ〜・ノネルのｊＭ ＋告にすること
かでき る 。
第１図（ハ）（ニ）は史に従来の牢導体光１７変換装置
て、第２のケート領域をクロス・ストライブ状（格子状
）にしｔコも（＋）−Ｃある。いずれの記号も第１図（
イ）と同一である。
て、第２のケート領域をクロス・ストライブ状（格子状
）にしｔコも（＋）−Ｃある。いずれの記号も第１図（
イ）と同一である。
〜
従来の第１図に示された）Ｖ導体光２好変換装置は、２
の高抵抗層の不純物密度、第１、及び第２のケート３及
び４の領域の間隔〜Ｖｙ、す−１・の拡散深さｒを兆え
ることに６１．す、ノー ７リオンあるいはノーマリ處
フぞの中間の機能をイ〕するものを製作できる。第１図
においで十１■を極５、チヤンネル２と第１のゲ・−１
・３、第２のケート４に形成される１１ ” ＩＩ
１１＋接合の拡１枚ｔＩＴ位をＶｂｉ （５８）、Ｖｂ
ｉ （５−４）とするとこれらの値は同一である。
の高抵抗層の不純物密度、第１、及び第２のケート３及
び４の領域の間隔〜Ｖｙ、す−１・の拡散深さｒを兆え
ることに６１．す、ノー ７リオンあるいはノーマリ處
フぞの中間の機能をイ〕するものを製作できる。第１図
においで十１■を極５、チヤンネル２と第１のゲ・−１
・３、第２のケート４に形成される１１ ” ＩＩ
１１＋接合の拡１枚ｔＩＴ位をＶｂｉ （５８）、Ｖｂ
ｉ （５−４）とするとこれらの値は同一である。
これは第１図（イ）、（ハ）より明らかなように、十ｆ
１Ｍ凧５と第１１名２ヶ−１・の距離とチヤンネル２の
不純物密度が同一のことによっている。
１Ｍ凧５と第１１名２ヶ−１・の距離とチヤンネル２の
不純物密度が同一のことによっている。
本発明者は第１図のような構造の少数のグー１を有する
゛（′導体光電変換装置では、第１．ネ２のグー１−を
ｆ］するものの、光入力１１に対しては、当然の中では
あるか、第１及び第２のゲートに同程度の確率で光によ
って発生した専ヤリアか蓄積されるため第１及び第２の
ケートの機能を分ｌｌｌ１ｌオることが困難であること
を見出しここに、第１、第２ヶ−１・の機能を分離する
・＼くされｊ：、新Ｉｌｌ！／ｆ、半導体光ｉｔ変換装
置を提供するものでｉｈる。さらに所定の第１のグーＩ
・にのみ）ｌ−に、ＬるキＸ・リアか蓄仔ｊされ易い構
造とすることによ１）、第２０ゲートは単に一定１１１
１位をＩｊえる手段と１７て用いることにより実質的に
ケート・谷Ｉｉ１か減少し周波数の特性の改善された光
トラーノスタを提供することも本発明の１」的のｍ−）
でＪ〕る。
゛（′導体光電変換装置では、第１．ネ２のグー１−を
ｆ］するものの、光入力１１に対しては、当然の中では
あるか、第１及び第２のゲートに同程度の確率で光によ
って発生した専ヤリアか蓄積されるため第１及び第２の
ケートの機能を分ｌｌｌ１ｌオることが困難であること
を見出しここに、第１、第２ヶ−１・の機能を分離する
・＼くされｊ：、新Ｉｌｌ！／ｆ、半導体光ｉｔ変換装
置を提供するものでｉｈる。さらに所定の第１のグーＩ
・にのみ）ｌ−に、ＬるキＸ・リアか蓄仔ｊされ易い構
造とすることによ１）、第２０ゲートは単に一定１１１
１位をＩｊえる手段と１７て用いることにより実質的に
ケート・谷Ｉｉ１か減少し周波数の特性の改善された光
トラーノスタを提供することも本発明の１」的のｍ−）
でＪ〕る。
以下図面を参照して本発明を―）細にｊｊＪ：へる。
第２図は本発明の基本構造をホ１とともに本Ｗ、及び第
２ヶ−１・４とノース５の距１ｉ１１１Ｗ、が等しくな
いことの他は、第１図（イ）の実施例の番号と対応１７
ている。Ｗ、＞〜ｖ２とすることによりノース５とグー
１−３の間の＋） ト１１− （ｉ） −ｎ’−タイオ
ー１−の受光面積は、第２ゲート４とソース５間のｐ
＋−ｎ −（ｉ） −ｎ Ｆタイオー ドの受光面積よ
りも大きくてきる。光入力１１の信月によるｐ” ＋
１− （ｉ） −ｎ＋り・イオートの拡散電位■１］１
、は光入力１１の照射により第２ ＆’−１・４とソー
ス５間の拡散電位上りも小さくなることによっ−Ｃ１光
入力１１による光電変換作用は、第１ケート３近傍とノ
ース５領域のｐ ” ｎ−（ｉ）−ｎ”タイオードの
電圧変化によってより多く起きやすくなっている。
２ヶ−１・４とノース５の距１ｉ１１１Ｗ、が等しくな
いことの他は、第１図（イ）の実施例の番号と対応１７
ている。Ｗ、＞〜ｖ２とすることによりノース５とグー
１−３の間の＋） ト１１− （ｉ） −ｎ’−タイオ
ー１−の受光面積は、第２ゲート４とソース５間のｐ
＋−ｎ −（ｉ） −ｎ Ｆタイオー ドの受光面積よ
りも大きくてきる。光入力１１の信月によるｐ” ＋
１− （ｉ） −ｎ＋り・イオートの拡散電位■１］１
、は光入力１１の照射により第２ ＆’−１・４とソー
ス５間の拡散電位上りも小さくなることによっ−Ｃ１光
入力１１による光電変換作用は、第１ケート３近傍とノ
ース５領域のｐ ” ｎ−（ｉ）−ｎ”タイオードの
電圧変化によってより多く起きやすくなっている。
第１ヶ−１・３とノース５間の距離Ｗ１は第２ケート４
とソース５間の距離Ｗ２よりも大きいから、ノ”−ス５
、ドレイン１間の電流は、第１Ｊｙ’ −、−１・３側
のチャンネル領域に流れ易Ｌ）。
とソース５間の距離Ｗ２よりも大きいから、ノ”−ス５
、ドレイン１間の電流は、第１Ｊｙ’ −、−１・３側
のチャンネル領域に流れ易Ｌ）。
第２図（ロ）に示す実施例は第２ヶ−１・４と／ −−
４５の領域が）Ｙ；入力１１１こ対しでのり、ａ光膜１
２を（りｌ′ｌえているものである。し〜・光ａり１２
としては例えはＡ７．Ａｕのような金属、樹脂もしくは
照射される入き波長の光をフィルターＣきる膜でＪ）れ
ばよい。
４５の領域が）Ｙ；入力１１１こ対しでのり、ａ光膜１
２を（りｌ′ｌえているものである。し〜・光ａり１２
としては例えはＡ７．Ａｕのような金属、樹脂もしくは
照射される入き波長の光をフィルターＣきる膜でＪ）れ
ばよい。
）Ｖ−人ｊＪ （、ｔＱ １１ ＩＣよっｃ第３図Ｂ−
Ｂ′）一点鎖糸しこンｔＸｉっでのボ→〜／−・セルタ
イアクラムを第２図（・・）に示す。
Ｂ′）一点鎖糸しこンｔＸｉっでのボ→〜／−・セルタ
イアクラムを第２図（・・）に示す。
）′Ｃ１人ノＪ Ｉ Ｉ Ｒ：よ−） −Ｃ、Ｅとし−
（ｆｆ！１ヶ−１・３とノー １５間の拡散↑Ｕ （立
は減少１．、）１′〕人ノＪｌｌに、する７１）”、
／ＷＥは、ｆｆ！ １ ’ｆ −１−３とノース５の間
を主くいことに３１、ｊ）１第１ヶ−１−３と姐２ ’
ｙ’−−１４は従来の甲導体光市変換装置に比中Ｑ シ
ｃ゛より効果的！こなる。
（ｆｆ！１ヶ−１・３とノー １５間の拡散↑Ｕ （立
は減少１．、）１′〕人ノＪｌｌに、する７１）”、
／ＷＥは、ｆｆ！ １ ’ｆ −１−３とノース５の間
を主くいことに３１、ｊ）１第１ヶ−１−３と姐２ ’
ｙ’−−１４は従来の甲導体光市変換装置に比中Ｑ シ
ｃ゛より効果的！こなる。
笛３図に示す実施例は、第２ヶ−１，４と／ −１５間
の拡１１々電位を第１ヶ−１・３とノース５ ｆｆ（１
の拡散電位よりも大きくする＋５−めに、チャンネルの
第２グー １４と）〜ス５近傍の不純物密度を高くした
ものの断面図である。領域２０はｆコン注入てリンを打
ち込むことによって形成でき る 。
の拡１１々電位を第１ヶ−１・３とノース５ ｆｆ（１
の拡散電位よりも大きくする＋５−めに、チャンネルの
第２グー １４と）〜ス５近傍の不純物密度を高くした
ものの断面図である。領域２０はｆコン注入てリンを打
ち込むことによって形成でき る 。
断面図中のＣ、−Ｃ′の一点瑣線に沿って、第１ヶ−１
・３とソース５間の拡散電位は第２ヶ−１・４とノース
５間の拡散電位、ｌ・りも小さくなる。
・３とソース５間の拡散電位は第２ヶ−１・４とノース
５間の拡散電位、ｌ・りも小さくなる。
して、第２ヶ−１・４とソース５間の拡散電位を第１ケ
ーｊ、３とソース５ ｒｌＪ］の拡散７１７位よりも高
＜１．？：ものの断面図である。これは、ｍ １ ）ｆ
’１−８と第２ヶ−１・４のｐ ４拡散をぞれそれ別（
こ行なうこと、まｔこは選択的にイ」）注入をして、第
１ヶ−１〜３と第２ヶ−１−４のドースガ１を変えるこ
とによって実施することができる。第４図（ロ）は、（
イ）の実施例（こ更に第２ケー！・４とソース５の間の
領域をチャンネルよりも不純物密度の高い領域２０を設
けた実施例の断面図である。
ーｊ、３とソース５ ｒｌＪ］の拡散７１７位よりも高
＜１．？：ものの断面図である。これは、ｍ １ ）ｆ
’１−８と第２ヶ−１・４のｐ ４拡散をぞれそれ別（
こ行なうこと、まｔこは選択的にイ」）注入をして、第
１ヶ−１〜３と第２ヶ−１−４のドースガ１を変えるこ
とによって実施することができる。第４図（ロ）は、（
イ）の実施例（こ更に第２ケー！・４とソース５の間の
領域をチャンネルよりも不純物密度の高い領域２０を設
けた実施例の断面図である。
第５図（イ）〜（ニ）はノース領域５よりもグー １−
領域３．４ ｆｆ−用土けｔこところに形成し、各々の
ケート、ノース間の浮遊容量を減少させた構造の実施例
を示す。グー！、領域を掘下（するには、化学エツヂン
ク、プラスマエソチンク、酸化膜と窒化膜による加工等
の方法によることかできる。
領域３．４ ｆｆ−用土けｔこところに形成し、各々の
ケート、ノース間の浮遊容量を減少させた構造の実施例
を示す。グー！、領域を掘下（するには、化学エツヂン
ク、プラスマエソチンク、酸化膜と窒化膜による加工等
の方法によることかできる。
（イ）は第１ケ〜１、とノース間距離を第２ケートとノ
ース間「１う離よりも広くとツｊこ実施例、（ロ）は（
ｆ）と同し２構造のものに、第２ヶ−１−近傍（こしイ
・光膜を形成し７．１ことを特徴とした実施例、（〕Ｘ
）は第２ ′ｙ” −１・ζノ）不純物密度を第１ヶ−
１・よりも旨くしｔ二ことを特徴とした実施例、（ニ）
は（）勺の実施例で更に第２ゲートとノース間の領域を
チ曳・ンフル領域、］１）も不純均密ＩＷを高＜Ｌ？：
ことを特徴と−する実施例−〇ある。
ース間「１う離よりも広くとツｊこ実施例、（ロ）は（
ｆ）と同し２構造のものに、第２ヶ−１−近傍（こしイ
・光膜を形成し７．１ことを特徴とした実施例、（〕Ｘ
）は第２ ′ｙ” −１・ζノ）不純物密度を第１ヶ−
１・よりも旨くしｔ二ことを特徴とした実施例、（ニ）
は（）勺の実施例で更に第２ゲートとノース間の領域を
チ曳・ンフル領域、］１）も不純均密ＩＷを高＜Ｌ？：
ことを特徴と−する実施例−〇ある。
第２図乃至第５図番こホされナコ実施例の如く、ケ−１
−か分；！ｌ’４され、第１のグー１−とノースの距Ｎ
Ｉ Ｗ ＋ カｒ ２ （、り ’ｆ−ｌ−と／−ス（
１７）距ＮＩｆＢ ｗ 、に比・＼甲＋ｃ Ｗ、 ＞
Ｗｌとなされたヲノへイスの試作実験結果てはＷｌ ；
（〜ｌ、のものに比へＷ、−Ｗ、二１μ、Ｗ、 −Ｗ、
−＝ ２．０μとするにイにい１．１．１ｙ低い光強
度まで出力感度か大きくなり易い結果を得ている。
−か分；！ｌ’４され、第１のグー１−とノースの距Ｎ
Ｉ Ｗ ＋ カｒ ２ （、り ’ｆ−ｌ−と／−ス（
１７）距ＮＩｆＢ ｗ 、に比・＼甲＋ｃ Ｗ、 ＞
Ｗｌとなされたヲノへイスの試作実験結果てはＷｌ ；
（〜ｌ、のものに比へＷ、−Ｗ、二１μ、Ｗ、 −Ｗ、
−＝ ２．０μとするにイにい１．１．１ｙ低い光強
度まで出力感度か大きくなり易い結果を得ている。
第６図は本発明の実施例のうち、第２図（ロ）に示した
最も製造容易な構造のブノ＜イスにおいて４×４セルの
７トリノクスｊＭｉ造を製造した場合のテハイスｌこお
ける１６ヒノ＋・中の３１ニットのセルについて光入射
強度と出力２江Ｆ１の関係をとっｒこものである。Ａの
ラインはＷ、−Ｗ、＝２・Ｏμの場合であり、Ｂのライ
ンはＷｌ−Ｗｌニー１，０μの場合に対応している。明
らかにへのラインの方が低い光強度まで出力感度がある
。各テバイスセルの第１のケートＬには５ｎＯ６／ Ｓ
ｉＮ ／Ｉ）十テートＳＩからなる内部キャバノタが設
けられている。この試作テハイヌは第２の１）十ゲート
は格子状に同時拡散で共通電位となさ１１．−Ｃいる。
最も製造容易な構造のブノ＜イスにおいて４×４セルの
７トリノクスｊＭｉ造を製造した場合のテハイスｌこお
ける１６ヒノ＋・中の３１ニットのセルについて光入射
強度と出力２江Ｆ１の関係をとっｒこものである。Ａの
ラインはＷ、−Ｗ、＝２・Ｏμの場合であり、Ｂのライ
ンはＷｌ−Ｗｌニー１，０μの場合に対応している。明
らかにへのラインの方が低い光強度まで出力感度がある
。各テバイスセルの第１のケートＬには５ｎＯ６／ Ｓ
ｉＮ ／Ｉ）十テートＳＩからなる内部キャバノタが設
けられている。この試作テハイヌは第２の１）十ゲート
は格子状に同時拡散で共通電位となさ１１．−Ｃいる。
高抵抗１１−エビタキ′ノヤル技術と１）→ケート拡散
（第１及び第２のりｍ−１・用）及び＋１−’ノース拡
散の２回の拡散技術て製造されており、本実験テータで
は第２のケートにはＲ８５＝ ＩＭ、Ｑ （Ｄ抵抗ヲ介
し／ ”７： Ｖｓ６ ＝ １−８ Ｖ （Ａ） 、
−１，５Ｖ（Ｈ） ／、る・Ｘ１アスが加えられで１
ｊす、第１ブ″“−トノ、７＋ｓｎｏ＋／ＳｉＮ／ ｐ
”ケ’ −ｌ−ｓｉご形成されブ、二ＡＩ・バ：７りを
介して高さ５ｖ、幅１μ冠、ハルス０゜を１． Ｏｍ
ｒ（の光照射時間毎に加えることに、Ｌ１１光清報の積
分値を読み出している。１）−高ｆｉｌ： ｔ、ｒ’＋
、： 、ｘビクＡノセル層の不純均密ｒｑ バー １ｏ
”ｍ′程１１Ｍ−、ケートの拡散深さは６〜８μ程度Ｃ
ある。第６図のテバイスは１−１ｔルのＵ法はｌｏ。
（第１及び第２のりｍ−１・用）及び＋１−’ノース拡
散の２回の拡散技術て製造されており、本実験テータで
は第２のケートにはＲ８５＝ ＩＭ、Ｑ （Ｄ抵抗ヲ介
し／ ”７： Ｖｓ６ ＝ １−８ Ｖ （Ａ） 、
−１，５Ｖ（Ｈ） ／、る・Ｘ１アスが加えられで１
ｊす、第１ブ″“−トノ、７＋ｓｎｏ＋／ＳｉＮ／ ｐ
”ケ’ −ｌ−ｓｉご形成されブ、二ＡＩ・バ：７りを
介して高さ５ｖ、幅１μ冠、ハルス０゜を１． Ｏｍ
ｒ（の光照射時間毎に加えることに、Ｌ１１光清報の積
分値を読み出している。１）−高ｆｉｌ： ｔ、ｒ’＋
、： 、ｘビクＡノセル層の不純均密ｒｑ バー １ｏ
”ｍ′程１１Ｍ−、ケートの拡散深さは６〜８μ程度Ｃ
ある。第６図のテバイスは１−１ｔルのＵ法はｌｏ。
μ×１００７ノの例であるが、３ｏμＸ８０ｚ＋程度の
＝Ｊ法のものまでは容易に製造ｔｉｊ能である。
＝Ｊ法のものまでは容易に製造ｔｉｊ能である。
以」二第２図〜第６図まで示１７ ｔ：本発明の実施例
１．′Ｉ製造か除晶であることとは（，４’ ｌｐ ｙ
、すに形成されるためテハイスの人きさを小さくてきる
こと、リ−１・かづγ１１すされか−）、持ｒｔのデー
）・にの、７本感団を侍？ ＋２る構造の導入にょ１）
従来のものに化へこより微弱光側の感度が良！Ｉｒと４
Ｌっている。
１．′Ｉ製造か除晶であることとは（，４’ ｌｐ ｙ
、すに形成されるためテハイスの人きさを小さくてきる
こと、リ−１・かづγ１１すされか−）、持ｒｔのデー
）・にの、７本感団を侍？ ＋２る構造の導入にょ１）
従来のものに化へこより微弱光側の感度が良！Ｉｒと４
Ｌっている。
本発明の主旨を利用しｔ、Ｘテハｒス構造は各（Φ考え
られ、第６図において説明したＪ、）（こ第１のり−１
・十にコンテノリを設定しても゛よく、また（［１の八
４． ＯＳ ′Ｌ゛ｒもしくはＦＥＴを接続した高速な
光検出器もありうる。
られ、第６図において説明したＪ、）（こ第１のり−１
・十にコンテノリを設定しても゛よく、また（［１の八
４． ＯＳ ′Ｌ゛ｒもしくはＦＥＴを接続した高速な
光検出器もありうる。
第２のケ−１・には）ｔ：Ｉ−ｆｉイ、’／りとするグ
ー１式、一定ハイアスを加える１５１式、高い抵抗をイ
・」加１−１“Ｃバイアスをか（ｊるｈ式？、じくは人
き４ｆコ〜−ｉンサを付加する方バ；等々とｉｊｌ能で
ある。。
ー１式、一定ハイアスを加える１５１式、高い抵抗をイ
・」加１−１“Ｃバイアスをか（ｊるｈ式？、じくは人
き４ｆコ〜−ｉンサを付加する方バ；等々とｉｊｌ能で
ある。。
本発明は静ｉｆ誘導％（Ｊｉ １．う〉レスタもしくは
ＦＥＴの光検出器の）ち新しい光感度検出器を提供しｔ
こものと信ず乙。
ＦＥＴの光検出器の）ち新しい光感度検出器を提供しｔ
こものと信ず乙。
第１図（イ）乃♀（−）は従来の半導体光電変換装置Ｎ
を説明する７、ｍめの図、第２図の（イ）乃至（ハ）は
本発明の一実施例、第３図は本発明の別の実施例、第４
図（イ）及び（ロ）は本発明の更に別の実施例であり、
第２ヶ−１・に１夫か施されでいる図、第５図（イ）乃
至（ニ）は史に本発明の別の実施例であり、ケートがノ
ースよ１）も深い所に設けられた構造、第６図は本発明
の実施例に、ｌｉｔ；づ＜）シ入射強度と出力電圧の関
係を示す図である。 持Ｍ’を出願人 （イ ） （口 ） ≦ （八） （ニ） 哨／図 ３６２− （イ ） （ワ ） Ｃノ！ ） 館２図
を説明する７、ｍめの図、第２図の（イ）乃至（ハ）は
本発明の一実施例、第３図は本発明の別の実施例、第４
図（イ）及び（ロ）は本発明の更に別の実施例であり、
第２ヶ−１・に１夫か施されでいる図、第５図（イ）乃
至（ニ）は史に本発明の別の実施例であり、ケートがノ
ースよ１）も深い所に設けられた構造、第６図は本発明
の実施例に、ｌｉｔ；づ＜）シ入射強度と出力電圧の関
係を示す図である。 持Ｍ’を出願人 （イ ） （口 ） ≦ （八） （ニ） 哨／図 ３６２− （イ ） （ワ ） Ｃノ！ ） 館２図
Claims (1)
- （１） ＾不純物密度な主電極領域のソース及びドＩ
ツインと主電極領域の間の主電極領域と同導電型の高抵
抗ないしは真性半導体領域を零流３瓜路として具え、前
記軍流通路中に主電極領域とは反対導電型の高不純物密
度領域がら・なる主７（７流を制机する複数のケート領
域を具えたことを特徴とする電界効果トランジスタない
しは静９１′誘導トラノノスタ型光’７７１変換装置に
おいて、ノースの両側のケートのうら１−）のゲート領
域と主？Ｔｆ極領域のノーズとの距離をＷｌ、前記とは
別のケート領域とｎＩＪ記−Ｆ宙°極領域のノースとの
距離をｗ７としたとき番こ、Ｗ＋＞’Ｗ＋となることを
特徴とし？、： ｌ＜導体光１１１変換装置。 （２１ｉｉｌ ｉ５第１のケート」−（こ５ｎＯ−／ノ
リコン窒化膜／ Ｓ ｉからなるキヤバンクを内蔵させ
た構造を自する前記特許請求の範囲第１項記載の半導体
光？に変換装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153429A JPS5943581A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体光電変換装置 |
| PCT/JP1983/000295 WO1984001056A1 (en) | 1982-09-03 | 1983-09-02 | Semiconductor photoelectric converter |
| DE8383902825T DE3381607D1 (de) | 1982-09-03 | 1983-09-02 | Photoelektrischer umwandler mit halbleiter. |
| US06/610,300 US4613881A (en) | 1982-03-09 | 1983-09-02 | Vertical semiconductor photoelectric transducer with improved separated gate structure |
| EP83902825A EP0117874B1 (en) | 1982-09-03 | 1983-09-02 | Semiconductor photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57153429A JPS5943581A (ja) | 1982-09-03 | 1982-09-03 | 半導体光電変換装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5943581A true JPS5943581A (ja) | 1984-03-10 |
| JPS6259902B2 JPS6259902B2 (ja) | 1987-12-14 |
Family
ID=15562317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57153429A Granted JPS5943581A (ja) | 1982-03-09 | 1982-09-03 | 半導体光電変換装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4613881A (ja) |
| EP (1) | EP0117874B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5943581A (ja) |
| DE (1) | DE3381607D1 (ja) |
| WO (1) | WO1984001056A1 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107688A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体撮像装置 |
| JPS59188277A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体撮像装置 |
| JPS6286879A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体光電変換装置の製造方法 |
| JPS62289665A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | 東レ株式会社 | 布帛の擦過処理方法および擦過処理装置 |
| WO2007094493A1 (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 光電界効果トランジスタ、及びそれを用いた集積型フォトディテクタ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107578A (ja) * | 1982-12-11 | 1984-06-21 | Junichi Nishizawa | 半導体光電変換装置 |
| JPS60143668A (ja) * | 1983-12-29 | 1985-07-29 | Res Dev Corp Of Japan | カラ−用イメ−ジセンサ |
| US5331164A (en) * | 1991-03-19 | 1994-07-19 | California Institute Of Technology | Particle sensor array |
| US6992322B2 (en) * | 2001-01-02 | 2006-01-31 | Kavassery Sureswaran Narayan | Photo-responsive organic field effect transistor |
| WO2004070849A1 (de) * | 2003-02-06 | 2004-08-19 | Siemens Aktiengesellschaft | Sperrschicht-feldeffekttransistor |
| CN2788876Y (zh) * | 2005-05-10 | 2006-06-21 | 张逸夫 | 模拟花开动作的仿真玩具花 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3714522A (en) * | 1968-11-14 | 1973-01-30 | Kogyo Gijutsuin Agency Of Ind | Semiconductor device having surface electric-field effect |
| JPS6020910B2 (ja) * | 1977-07-07 | 1985-05-24 | 財団法人半導体研究振興会 | 静電誘導トランジスタ及び半導体集積回路 |
| US4284997A (en) * | 1977-07-07 | 1981-08-18 | Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai | Static induction transistor and its applied devices |
| US4326210A (en) * | 1977-09-26 | 1982-04-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | Light-responsive field effect mode semiconductor devices |
| JPS5546548A (en) * | 1978-09-28 | 1980-04-01 | Semiconductor Res Found | Electrostatic induction integrated circuit |
| JPS56107583A (en) * | 1980-01-30 | 1981-08-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Field effect transistor |
| JPS56124273A (en) * | 1980-03-04 | 1981-09-29 | Semiconductor Res Found | Semiconductor device |
| US4422087A (en) * | 1980-06-03 | 1983-12-20 | Xerox Corporation | Self-aligned short channel MESFET |
| JPH077844B2 (ja) * | 1981-11-30 | 1995-01-30 | 財団法人半導体研究振興会 | 静電誘導型半導体光電変換装置 |
-
1982
- 1982-09-03 JP JP57153429A patent/JPS5943581A/ja active Granted
-
1983
- 1983-09-02 US US06/610,300 patent/US4613881A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-09-02 DE DE8383902825T patent/DE3381607D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1983-09-02 EP EP83902825A patent/EP0117874B1/en not_active Expired
- 1983-09-02 WO PCT/JP1983/000295 patent/WO1984001056A1/ja active IP Right Grant
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59107688A (ja) * | 1982-12-13 | 1984-06-21 | Fuji Photo Film Co Ltd | 半導体撮像装置 |
| JPH0414547B2 (ja) * | 1982-12-13 | 1992-03-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | |
| JPS59188277A (ja) * | 1983-04-08 | 1984-10-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体撮像装置 |
| JPS6286879A (ja) * | 1985-10-14 | 1987-04-21 | Res Dev Corp Of Japan | 半導体光電変換装置の製造方法 |
| JPS62289665A (ja) * | 1986-06-09 | 1987-12-16 | 東レ株式会社 | 布帛の擦過処理方法および擦過処理装置 |
| WO2007094493A1 (ja) * | 2006-02-14 | 2007-08-23 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | 光電界効果トランジスタ、及びそれを用いた集積型フォトディテクタ |
| GB2445313A (en) * | 2006-02-14 | 2008-07-02 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Photo field effect transitor and intergrated photodetector using same |
| US7759698B2 (en) | 2006-02-14 | 2010-07-20 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Photo-field effect transistor and integrated photodetector using the same |
| GB2445313B (en) * | 2006-02-14 | 2011-03-23 | Nat Inst Of Advanced Ind Scien | Photo field effect transistor and integrated photodetector using same |
| JP4963120B2 (ja) * | 2006-02-14 | 2012-06-27 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | 光電界効果トランジスタ，及びそれを用いた集積型フォトディテクタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0117874A4 (en) | 1987-01-20 |
| JPS6259902B2 (ja) | 1987-12-14 |
| EP0117874A1 (en) | 1984-09-12 |
| DE3381607D1 (de) | 1990-06-28 |
| WO1984001056A1 (en) | 1984-03-15 |
| EP0117874B1 (en) | 1990-05-23 |
| US4613881A (en) | 1986-09-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4184207A (en) | High density floating gate electrically programmable ROM | |
| JPS5943581A (ja) | 半導体光電変換装置 | |
| JPS61120466A (ja) | 半導体光検出素子 | |
| JP2559360B2 (ja) | 半導体メモリ装置 | |
| JPS6329425B2 (ja) | ||
| US4872043A (en) | Charge coupled device with reduced surface state at semiconductor-insulator interface | |
| TWI250616B (en) | Semiconductor device | |
| JPS59107569A (ja) | 一次元半導体撮像装置 | |
| JPS5945781A (ja) | 半導体撮像装置 | |
| JPH0414510B2 (ja) | ||
| Hittinger | Metal-oxide-semiconductor technology | |
| JPS5846190B2 (ja) | 光制御可能のトランジスタ | |
| US4603342A (en) | Imaging array having higher sensitivity and a method of making the same | |
| JPS5854671A (ja) | 固体撮像素子 | |
| JPS59107688A (ja) | 半導体撮像装置 | |
| US6366322B1 (en) | Horizontal charge coupled device of CCD image sensor | |
| JPH0697406A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
| JPH08153866A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
| JPS56104473A (en) | Semiconductor memory device and manufacture thereof | |
| US4658497A (en) | Method of making an imaging array having a higher sensitivity | |
| JPS60137056A (ja) | 半導体装置 | |
| JPS63299163A (ja) | 光半導体集積回路 | |
| JPS5912031B2 (ja) | 光検出用半導体装置 | |
| JPS60110171A (ja) | 半導体記憶装置の製造方法 | |
| JPS59229975A (ja) | 半導体撮像装置 |